JP2014063141A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

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  1. 金属酸化物膜を形成し、
    前記金属酸化物膜と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
    前記金属酸化物膜の導電率を増大させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 金属酸化物膜を形成し、
    前記金属酸化物膜の一部と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
    前記金属酸化物膜の導電率を増大させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 第１の領域及び第２の領域を有する金属酸化物膜を形成し、
    前記金属酸化物膜の前記第１の領域と接するように、酸素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
    前記金属酸化物膜の前記第２の領域と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
    前記金属酸化物膜の導電率を増大させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 金属酸化物膜を形成し、
    前記金属酸化物膜と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
    前記窒素及びシリコンを有する絶縁膜に含まれる窒素または水素を前記金属酸化物膜に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  5. 金属酸化物膜を形成し、
    前記金属酸化物膜の一部と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
    前記窒素及びシリコンを有する絶縁膜に含まれる窒素または水素を前記金属酸化物膜に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 第１の領域及び第２の領域を有する金属酸化物膜を形成し、
    前記金属酸化物膜の前記第１の領域と接するように、酸素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
    前記金属酸化物膜の前記第２の領域と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
    前記窒素及びシリコンを有する絶縁膜に含まれる窒素または水素を前記金属酸化物膜に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  7. 金属酸化物膜を形成し、
    前記金属酸化物膜と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
    前記窒素及びシリコンを有する絶縁膜が前記金属酸化物膜に接している状態で加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  8. 金属酸化物膜を形成し、
    前記金属酸化物膜の一部と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
    前記窒素及びシリコンを有する絶縁膜が前記金属酸化物膜に接している状態で加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  9. 第１の領域及び第２の領域を有する金属酸化物膜を形成し、
    前記金属酸化物膜の前記第１の領域と接するように、酸素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
    前記金属酸化物膜の前記第２の領域と接するように、窒素及びシリコンを有する絶縁膜を形成し、
    前記窒素及びシリコンを有する絶縁膜が前記金属酸化物膜に接している状態で加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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