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  1. 基板上に第１の絶縁膜を形成し、
    前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
    前記第１の絶縁膜上および前記第２の絶縁膜上に１００℃以上６００℃以下の基板温度で酸化物半導体膜を成膜し、
    前記酸化物半導体膜を成膜した後、２５０℃以上６５０℃以下の温度で加熱処理を行い、
    前記酸化物半導体膜上に第３の絶縁膜を成膜し、
    前記第３の絶縁膜上にゲート電極を形成し、
    前記第１の絶縁膜は、上面の高さが前記第２の絶縁膜の上面の高さと概略一致する領域を有し、
    前記第１の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜に酸素を供給することができる機能を有し、
    前記第２の絶縁膜は、酸素の拡散を抑制することができる機能を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート電極と重ならない領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 請求項１において、
    前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、ＳｎおよびＺｎを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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