JP2013153148A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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- 島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜の少なくとも側面を覆って、酸素を有する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、前記第１の絶縁膜よりも酸素透過性の低い第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を形成した後、第１の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 金属原子が、被形成面と平行な方向に層状に配列した領域を有する島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜の少なくとも側面を覆って、酸素を有する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、前記第１の絶縁膜よりも酸素透過性の低い第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を形成した後、第１の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１又は請求項２において、
前記第１の熱処理の温度を４００℃以上８００℃以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記島状の酸化物半導体膜の形成後であって、前記第１の絶縁膜の形成前に、前記第１の熱処理よりも高い温度にて熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の熱処理を行った後、前記島状の酸化物半導体膜へイオンドーピング法又はイオン注入法によって酸素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記島状の酸化物半導体膜として、第１の層と、前記第１の層上の第２の層との積層構造を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有し、
前記第２の層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有し、
前記第２の層のインジウムの組成は、前記第１の層のインジウムの組成より大きく、
前記第１の層のガリウムの組成は、前記第２の層のガリウムの組成より大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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