JP2012160715A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、
   前記下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行う工程と
   前記第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成する工程と、
   前記導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成した後、前記第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成する工程と、
   少なくとも前記第２の酸化物半導体膜の側面を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
   前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有し、
   前記下地絶縁膜は、前記加熱処理により酸素を放出する機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、
   前記下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成する工程と、
   前記第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成した後、加熱処理を行う工程と、
   前記導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成した後、前記第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成する工程と、
   少なくとも前記第２の酸化物半導体膜の側面を覆ってゲート絶縁膜を形成する工程と、
   前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有し、
   前記下地絶縁膜は、前記加熱処理により酸素を放出する機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極をマスクとして、前記第２の酸化物半導体膜にイオンを添加して、前記イオンが添加されていない第１の領域と、前記イオンが添加された第２の領域と、を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項４において、
   前記イオンとして窒素、リン、ヒ素、または希ガスから選ばれた一種以上の元素のイオンを添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項４または請求項５において、
   前記第２の領域には、窒素、リン、ヒ素または希ガスから選ばれた一種以上の元素が、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記加熱処理は３００℃以上４５０℃以下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。