JP2011243974A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板上に第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、前記第１の絶縁膜に酸素原子を供給し、
   前記第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜に熱処理を行い、
   前記酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
2. 基板上に酸素原子を含む第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、前記第１の絶縁膜に酸素原子を供給し、
   前記第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜に熱処理を行い、
   前記酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、前記酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、
   前記酸化物半導体膜上に、酸素原子を含む第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
3. 基板上に酸素原子を含む第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、前記第１の絶縁膜に酸素原子を供給し、
   前記第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜に熱処理を行い、
   前記酸化物半導体膜上に、酸素原子を含む第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、前記第２の絶縁膜に酸素原子を供給し、
   前記第２の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
4. 化学量論比の１倍より大きく２倍未満の比率の酸素原子が前記酸化物半導体膜に含まれるように、前記酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行う請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
5. 前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の少なくとも一方を、前記酸化物半導体膜の成分元素を含む絶縁膜で形成する、請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
6. 前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の少なくとも一方を、前記酸化物半導体膜側から、前記酸化物半導体膜の成分元素を含む絶縁膜と、前記酸化物半導体膜の成分元素とは異なる元素を含む絶縁膜と、で形成する請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
7. 前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の少なくとも一方を、酸化ガリウムを含む絶縁膜を形成する請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
8. 前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の少なくとも一方を、前記酸化物半導体膜側から、酸化ガリウムを含む絶縁膜と、酸化ガリウムとは異なる材料を含む膜と、で形成する請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
9. 前記ゲート電極を覆うように、窒素を含有する絶縁膜を形成する請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。