JP2012151457A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (7)

1. 基板と、
   前記基板上の、第１の酸化物半導体領域と前記第１の酸化物半導体領域を挟む一対の第２の酸化物半導体領域と、を有する酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体領域と重畳して設けられるゲート電極と、を有し、
   前記第２の酸化物半導体領域は非晶質領域であり、
   前記第１の酸化物半導体領域は非単結晶であり、かつｃ軸配向の結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と前記基板との間に設けられ、
   一対の前記第２の酸化物半導体領域に電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、を有し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と前記基板との間に設けられており、
   前記ゲート電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は重畳していないことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１において、
   前記ゲート電極は、前記基板と前記酸化物半導体膜との間に設けられており、
   一対の前記第２の酸化物半導体領域に電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、
   前記第１の酸化物半導体領域と接し、且つ前記酸化物半導体膜及び前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重畳する絶縁膜と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ゲート絶縁膜と、の間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第２の酸化物半導体領域に、希ガス元素から選ばれた、少なくとも一種以上の元素が、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下含まれていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第２の酸化物半導体領域に、水素が５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下含まれていることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   一対の前記第２の酸化物半導体領域はトランジスタのソース領域及びドレイン領域であり、前記第１の酸化物半導体領域は前記トランジスタのチャネル領域であることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１の酸化物半導体領域及び前記第２の酸化物半導体領域は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＺｎから選ばれた二種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。