JP2011109080A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (13)

1. 基板上に設けられたゲート電極と、
   前記ゲート電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に設けられた酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に設けられた第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上に設けられた第４の絶縁膜と、を有し、
   前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりも、窒素の比率が低く、
   前記第３の絶縁膜は前記第４の絶縁膜よりも、窒素の比率が低いことを特徴とする半導体装置。
2. 基板上に設けられたゲート電極と、
   前記ゲート電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に設けられた酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に設けられた第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上に設けられた第４の絶縁膜と、を有し、
   前記第１の絶縁膜と前記第４の絶縁膜は、窒化珪素を含み、
   前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜は、酸化珪素を含むことを特徴とする半導体装置。
3. 基板上に設けられたゲート電極と、
   前記ゲート電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に設けられた酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に設けられた第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上に設けられた第４の絶縁膜と、を有し、
   前記第１の絶縁膜と前記第４の絶縁膜は、窒化珪素を含み、
   前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜は、酸化窒化珪素を含むことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３において、
   前記ゲート電極は銅を含むことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は、前記酸化物半導体層と重ならない領域で接することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は、前記酸化物半導体層と重ならない領域で接し、
   前記第１の絶縁膜及び前記第４の絶縁膜は、前記領域と重なることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層の全体は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含むことを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と重なる第１の領域と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と重ならない第２の領域と、を有し、
   前記第２の領域における前記酸化物半導体層の膜厚は、前記第１の領域における前記酸化物半導体層の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一において、
    前記酸化物半導体層は、非単結晶であることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一において、
    前記酸化物半導体層のキャリア濃度は、１×１０ ^１８ ／ｃｍ ^３ 未満であることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項１乃至１０のいずれか一において、
    前記酸化物半導体層のキャリア濃度は、１×１０ ^１４ ／ｃｍ ^３ 以下であることを特徴とする半導体装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一において、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、電気陰性度が水素より低い金属を含むことを特徴とする半導体装置。