CN114823730A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
显示面板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114823730A CN114823730A CN202210419510.7A CN202210419510A CN114823730A CN 114823730 A CN114823730 A CN 114823730A CN 202210419510 A CN202210419510 A CN 202210419510A CN 114823730 A CN114823730 A CN 114823730A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- barrier layer
- display panel
- insulating barrier
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 114
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 30
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005274 electronic transitions Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1237—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a different composition, shape, layout or thickness of the gate insulator in different devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本申请公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括衬底、栅极、绝缘阻隔层和有源层，有源层设置于栅极远离或者靠近衬底的一侧，绝缘阻隔层设置于栅极与有源层之间；其中，绝缘阻隔层的材料的禁带宽度大于栅极的材料的功函数。在本申请中，在有源层和栅极之间设置绝缘阻隔层，且绝缘阻隔层的材料的禁带宽度设置为大于栅极的材料的功函数，避免栅极的电子向有源层跃迁，从而避免阈值电压正移，从而提高显示面板的性能。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
目前的晶体管(Thin Film Transistor，TFT)显示面板中，通常包括有源层、栅极以及设置在有源层与栅极之间的栅极绝缘层，而栅极绝缘层的材料的禁带宽度通常小于栅极的材料的功函数，且栅极绝缘层的材料的禁带宽度在长期连续工作的状态下，禁带宽度会进一步下降，从而栅极绝缘层的材料的禁带宽度与栅极的材料的功函数相差较大，导致栅极的电子持续向有源层界面处跃迁，从而导致阈值电压正移，影响TFT显示面板的性能。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板和显示装置，以解决栅极的电子向有源层跃迁的问题。
本申请提供一种显示面板，包括：
衬底；
栅极，设置于所述衬底上；
绝缘阻隔层，设置于所述栅极上，其中，所述绝缘阻隔层的材料的禁带宽度大于所述栅极的材料的功函数；以及
有源层，设置于所述绝缘阻隔层上；以及。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极的材料包括Cu、Al、Ag、Mo、Ti、Sn和Zn中的一种或几种组合，所述绝缘阻隔层的材料的禁带宽度大于5.1eV。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘阻隔层的材料由金刚石、氮化铝和氮化硼中的一种或几种组合构成。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘阻隔层的材料包括原子扩散阻挡材料和电子阻挡材料，所述电子阻挡材料包括金刚石、氮化铝和氮化硼中的一种或几种组合，所述原子扩散阻挡材料包括氧化硅和氧化铝中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘阻隔层由所述原子扩散阻挡材料和所述电子阻挡材料混合构成，所述原子扩散阻挡在所述绝缘阻隔层的材料中的质量占比为10％-95％。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘阻隔层包括电子阻挡层以及原子扩散阻挡层，所述电子阻挡层以及所述原子扩散阻挡层依次层叠设置于所述栅极上，或者所述原子扩散阻挡层以及所述电子阻挡层依次层叠设置于所述栅极上，所述电子阻挡层由所述电子阻挡材料构成，所述原子扩散阻挡层由所述原子扩散阻挡材料构成。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层的材料为非晶硅，所述显示面板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极与所述绝缘阻隔层之间，或者设置于所述绝缘阻隔层与所述有源层之间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层的材料为氧化物半导体，所述显示面板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述绝缘阻隔层与所述有源层之间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括欧姆接触层以及源漏极，所述欧姆接触层设置于所述衬底上，所述有源层包括半导体部和设置于所述半导体部两侧的导通部，所述半导体部在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影重叠，所述欧姆接触层位于所述导通部上，所述源漏极设置于所述欧姆接触层上。
相应的，本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括背光模组和如上所述的显示面板，所述背光模组与所述显示面板连接。
本申请公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括衬底、栅极、绝缘阻隔层和有源层，栅极、绝缘阻隔层以及有源层层叠设置于衬底上，且绝缘阻隔层位于栅极与有源层之间；其中，绝缘阻隔层的材料的禁带宽度大于栅极的材料的功函数。在本申请中，在有源层和栅极之间设置绝缘阻隔层，且绝缘阻隔层的材料的禁带宽度设置为大于栅极的材料的功函数，从而避免栅极的电子向有源层跃迁，从而避免阈值电压正移，从而提高显示面板的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的第一种结构示意图。
图2是本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图。
图3是本申请实施例提供的栅极、绝缘阻隔层以及栅极绝缘层之间的电子跃迁示意图。
图4是本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。在本申请中，“反应”可以为化学反应或物理反应。
本申请提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括衬底、栅极、绝缘阻隔层和有源层，栅极、绝缘阻隔层以及有源层层叠设置于衬底上，且绝缘阻隔层位于栅极与有源层之间；其中，绝缘阻隔层的材料的禁带宽度大于栅极的材料的功函数。
在本申请中，在有源层和栅极之间设置绝缘阻隔层，且绝缘阻隔层的材料的禁带宽度设置为大于栅极的材料的功函数，从而避免栅极的电子向有源层跃迁，从而避免阈值电压正移，从而提高显示面板的性能。
以下进行详细说明：
请参阅图1和图2，本申请提供一种显示面板10，显示面板10包括衬底100、栅极200、绝缘阻隔层300、栅极绝缘层400、有源层500、欧姆接触层600以及源漏极700。
栅极200设置于所述衬底100上。栅极200的材料的功函数小于5.1eV。具体的，栅极200的材料的功函数可以为3.2eV、3.8eV、4.5eV、4.8eV或5.1eV等。
在一实施例中，栅极200的材料包括Cu、Al、Ag、Mo、Ti、Sn和Zn中的一种或几种组合。其中，Cu功函数为4.5-5.1eV，Al功函数为4.28eV，Ag功函数为4.26eV，Mo功函数为4.6eV，Ti功函数为3.84eV，Sn功函数为4.42eV，Zn功函数为4.42eV。
绝缘阻隔层300设置于衬底100以及栅极200上，且绝缘阻隔层300的材料的禁带宽度Eg大于栅极200的材料的功函数。
栅极绝缘层400设置于绝缘阻隔层300上。栅极绝缘层400的材料的禁带宽度Eg小于绝缘阻隔层300的材料的禁带宽度Eg，且小于栅极200的材料的功函数。
在一实施例中，栅极绝缘层400的材料的禁带宽度Eg为4.0-5.0eV。具体的，栅极绝缘层400的材料的禁带宽度Eg可以为4.0eV、4.3eV、4.8eV或5.0eV等。
在一实施例中，栅极绝缘层400的材料为氮化硅。在本申请中，采用氮化硅形成栅极绝缘层400，可以避免有源层500受到水氧的侵蚀，从而提高显示面板10的性能。
在本申请中，在栅极绝缘层400与栅极200之间设置绝缘阻隔层300，且绝缘阻隔层300的材料的禁带宽度Eg设置为大于栅极200的材料的功函数，使得在栅极200与有源层500之间形成势垒，可以避免因显示面板10中的栅极绝缘层400在长期连续工作的情况下，氮化硅中的Si-H键出现断裂，从而使得栅极绝缘层400的禁带宽度Eg降低时，可以阻止栅极200的电子向有源层500跃迁，从而避免阈值电压正移，从而避免开态电流下降，使得显示面板10不会出现闪屏、花屏或画面颜色不均等问题，从而提高显示面板10的性能。同时，在显示面板10中设置绝缘阻隔层300，使得绝缘阻隔层300可以与栅极绝缘层400构成绝缘层。
在一实施例中，绝缘阻隔层300为透明的绝缘阻隔层300。在本申请中，将绝缘阻隔层300设置成透明的绝缘阻隔层300，使得该显示面板10在应用于背光产品中时，可以提升显示面板10的出光率，从而提高显示面板10的显示效果。
在一实施例中，绝缘阻隔层300的材料的禁带宽度Eg大于5.1eV。具体的，绝缘阻隔层300的材料的禁带宽度Eg可以为5.1eV、5.8eV、6.5eV、7.1eV、7.3eV、7.8eV或8.6eV等。
在本申请中，将绝缘阻隔层300的材料的禁带宽度Eg设置为大于5.1eV，可以进一步阻止栅极200的电子向有源层500跃迁，从而避免阈值电压正移，从而避免开态电流下降，从而提高显示面板10的性能。
在一实施例中，绝缘阻隔层300的材料的禁带宽度Eg大于等于5.3eV。具体的，绝缘阻隔层300的材料的禁带宽度Eg可以为5.3eV、5.8eV、6.4eV、7.6eV、9.3eV或10.1eV等。
在本申请中，将绝缘阻隔层300的材料的禁带宽度Eg设置为大于等于5.3eV，可以进一步阻止栅极200的电子向有源层500跃迁，从而进一步避免阈值电压正移，从而进一步避免开态电流下降，从而进一步提高显示面板10的性能。
在一实施例中，绝缘阻隔层300的材料由电子阻挡材料构成。
在一实施例中，电子阻挡材料包括金刚石、氮化铝(AlN)和氮化硼(BN)中的一种或几种组合。其中，金刚石的禁带宽度为5.3eV。AlN的禁带宽度为6.4eV。BN的禁带宽度为6eV。
在另一实施例中，绝缘阻隔层300的材料包括电子阻挡材料和原子扩散阻挡材料。也即绝缘阻隔层是将电子阻挡材料和原子扩散阻挡材料混合后形成。电子阻挡材料和原子扩散阻挡材料的禁带宽度大于栅极200的材料的功函数，也即绝缘阻隔层300的材料的禁带宽度大于栅极200的材料的功函数。
在本申请中，在绝缘阻隔层300的材料中，加入原子扩散阻挡材料，使得绝缘阻隔层300具有阻挡水氧的性能，使得绝缘阻隔层300在阻挡栅极200的电子向有源层500跃迁的同时，可以阻挡水氧侵蚀有源层500，从而进一步提高显示面板10阻挡水氧的性能，从而进一步保证了显示面板10的显示效果，同时，在显示面板10中设置绝缘阻隔层300，使得绝缘阻隔层300可以复用为附加栅极绝缘层，与栅极绝缘层400构成绝缘层。
在一实施例中，原子扩散阻挡材料在绝缘阻隔层300的材料中的质量占比为10％-95％。具体的，原子扩散阻挡材料在绝缘阻隔层300的材料中的质量占比可以为10％、15％、20％、25％或30％等。可以提高绝缘阻隔层的水氧阻隔性能以及进一步提高其电子阻挡性能，从而进一步提高显示面板的性能。
在另一实施例中，绝缘阻隔层300包括层叠设置的电子阻挡层和原子扩散阻挡层。电子阻挡层由电子阻挡材料构成。原子扩散阻挡层由原子扩散阻挡材料构成。原子扩散阻挡材料包括氧化硅和氧化铝中的至少一种。电子阻挡层和原子扩散阻挡层依次层叠设置于栅极200上，或者，原子扩散阻挡层和电子阻挡层依次层叠设置于栅极200上。
有源层500设置于栅极绝缘层400上。有源层500包括半导体部和位于半导体部两侧的导通部。半导体部位于栅极200之上。
在一实施例中，在栅极绝缘层400采用氮化硅形成时，有源层500为硅基有源层500。硅基包括非晶硅(a-Si)或多晶硅中的一种。在本申请中，在栅极绝缘层400采用氮化硅形成时，有源层500设置为硅基有源层500，氮化硅具有好的台阶覆盖性，高抗击穿电压，降低ESD风险，从而提高了器件的稳定性。
在另一实施例中，栅极绝缘层400设置于绝缘阻隔层300与有源层500之间。
在另一实施例中，有源层500为氧化物有源层500。氧化物有源层500的材料包括氧化铟镓锡、氧化锌或氧化锡等等，此处不限制。
在另一实施例中，当有源层500为氧化物有源层时，栅极绝缘层400为氧化物栅极绝缘层400，如氧化硅栅极绝缘层400或氧化铝栅极绝缘层400等。避免氮化硅中的氢对有源层500的影响，从而可以提高有源层500的稳定性。
请参阅图3，作为示例，栅极200的材料为Cu，绝缘阻隔层300的材料为AlN，栅极绝缘层400的材料为SiNx，有源层500的材料为a-Si。在本申请中，绝缘阻隔层300采用AlN形成，栅极200采用Cu形成，而AlN的禁带宽度大于Cu的功函数，阻挡了栅极200的电子向有源层500跃迁，从而避免阈值电压正移，从而避免开态电流下降，从而提高显示面板10的性能。将其设置在背光型产品中时，其可以满足背光型产品的高背光以及长期连续工作的需求。
请继续参阅图1，欧姆接触层600设置于有源层500上。欧姆接触层600包括间隔设置的欧姆接触部。欧姆接触部位于有源层500的导通部上。欧姆接触层600的材料为N+型a-Si。源漏极700包括相互间隔设置的源极710和漏极720。源极710设置于一欧姆接触部上，漏极720设置于另一欧姆接触部上。
栅极200、绝缘阻隔层300、栅极绝缘层400、有源层500、欧姆接触层600以及源漏极700构成晶体管。该晶体管为底栅晶体管。晶体管设置在阵列基板20中。
在本申请中，在源漏极700与有源层500之间设置有欧姆接触层600，有利于电子的输入或输出，从而提高显示面板10的性能。
请参阅继续图2，在一实施例中，显示面板10还包括彩膜基板30和液晶40。液晶40设置于彩膜基板30与阵列基板20之间。
需要说明的是，显示面板10中的栅极绝缘层400、欧姆接触层600以及源漏极700可以根据产品的需要去除，如，在显示面板10中可以不设置欧姆接触层600，或者在显示面板10中不设置栅极绝缘层400，或者在显示面板10中不设置源漏极700等。
需要说明的是，本申请提供的显示面板10也可以为直显型显示面板。
请参阅图4，本申请还提供一种显示装置21。显示装置21包括背光模组50和如上所述的显示面板10。背光模组50与显示面板10连接。背光模组50位于阵列基板20远离彩膜基板30的一侧。
本申请提供一种显示面板10和显示装置21，在栅极绝缘层400与栅极200之间设置绝缘阻隔层300，且绝缘阻隔层300的材料的禁带宽度Eg设置为大于栅极200的材料的功函数，避免栅极绝缘层400在长期连续工作的情况下，因氮化硅中的Si-H键断裂，而使得栅极绝缘层400的禁带宽度Eg下降，从而导致栅极200的功函数大于栅极绝缘层400的禁带宽度Eg时，栅极200的电子不会向有源层500跃迁，从而避免阈值电压正移，从而避免开态电流下降，从而提高显示面板10的性能。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板和显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
栅极，设置于所述衬底上；
绝缘阻隔层，设置于所述栅极上，所述绝缘阻隔层的材料的禁带宽度大于所述栅极的材料的功函数；以及
有源层，设置于所述绝缘阻隔层上。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述栅极的材料包括Cu、Al、Ag、Mo、Ti、Sn和Zn中的一种或几种组合，所述绝缘阻隔层的材料的禁带宽度大于5.1eV。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘阻隔层的材料由金刚石、氮化铝和氮化硼中的一种或几种组合构成。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘阻隔层的材料包括原子扩散阻挡材料和电子阻挡材料，所述电子阻挡材料包括金刚石、氮化铝和氮化硼中的一种或几种组合，所述原子扩散阻挡材料包括氧化硅和氧化铝中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘阻隔层由所述原子扩散阻挡材料和所述电子阻挡材料混合构成，所述原子扩散阻挡材料在所述绝缘阻隔层的材料中的质量占比为10％～95％。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘阻隔层包括电子阻挡层以及原子扩散阻挡层，所述电子阻挡层以及所述原子扩散阻挡层依次层叠设置于所述栅极上，或者所述原子扩散阻挡层以及所述电子阻挡层依次层叠设置于所述栅极上，所述电子阻挡层由所述电子阻挡材料构成，所述原子扩散阻挡层由所述原子扩散阻挡材料构成。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有源层的材料为非晶硅，所述显示面板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极与所述绝缘阻隔层之间，或者设置于所述绝缘阻隔层与所述有源层之间。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有源层的材料为氧化物半导体，所述显示面板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述绝缘阻隔层与所述有源层之间。
9.根据权利要求7或8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括欧姆接触层以及源漏极，所述欧姆接触层设置于所述衬底上，所述有源层包括半导体部和设置于所述半导体部两侧的导通部，所述半导体部在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影重叠，所述欧姆接触层位于所述导通部上，所述源漏极设置于所述欧姆接触层上。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括背光模组和如权利要求1-9任一项所述的显示面板，所述背光模组与所述显示面板连接。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210419510.7A CN114823730A (zh) | 2022-04-20 | 2022-04-20 | 显示面板和显示装置 |
| PCT/CN2022/093011 WO2023201801A1 (zh) | 2022-04-20 | 2022-05-16 | 显示面板和显示装置 |
| US17/756,648 US20240162236A1 (en) | 2022-04-20 | 2022-05-16 | Display panel and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210419510.7A CN114823730A (zh) | 2022-04-20 | 2022-04-20 | 显示面板和显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114823730A true CN114823730A (zh) | 2022-07-29 |
Family
ID=82504967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210419510.7A Pending CN114823730A (zh) | 2022-04-20 | 2022-04-20 | 显示面板和显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240162236A1 (zh) |
| CN (1) | CN114823730A (zh) |
| WO (1) | WO2023201801A1 (zh) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6149634B2 (ja) * | 2013-09-17 | 2017-06-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN109509793B (zh) * | 2017-09-15 | 2020-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、其制造方法及电子装置 |
| CN110556422B (zh) * | 2018-06-01 | 2023-07-18 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 半导体器件及制造方法 |
| CN112420848B (zh) * | 2020-11-03 | 2022-04-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 |
| CN113380896B (zh) * | 2021-05-20 | 2023-04-25 | 惠科股份有限公司 | 薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板 |
| CN114023768A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-02-08 | 惠州华星光电显示有限公司 | 阵列基板及其制备方法和显示面板 |
-
2022
- 2022-04-20 CN CN202210419510.7A patent/CN114823730A/zh active Pending
- 2022-05-16 WO PCT/CN2022/093011 patent/WO2023201801A1/zh active Application Filing
- 2022-05-16 US US17/756,648 patent/US20240162236A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240162236A1 (en) | 2024-05-16 |
| WO2023201801A1 (zh) | 2023-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100958006B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 | |
| EP3848972A1 (en) | Display panel and manufacturing method therefor | |
| KR100907400B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 발광표시장치 | |
| CN107492555B (zh) | 晶体管阵列面板 | |
| KR20110133251A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| CN103299431B (zh) | 半导体装置 | |
| US8350289B2 (en) | Semiconductor device | |
| CN108987480A (zh) | 双栅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板及其制备方法 | |
| JP2014212346A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| KR20170126535A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 | |
| KR102172972B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
| KR20150074825A (ko) | 산화물 반도체를 적용한 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| US20240047465A1 (en) | Array base plate, method for manufacturing same, and display panel | |
| CN114823730A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| US6023078A (en) | Bidirectional silicon carbide power devices having voltage supporting regions therein for providing improved blocking voltage capability | |
| KR102260886B1 (ko) | 박막 트랜지스터 | |
| CN112542516B (zh) | 一种主动开关及其制作方法和显示面板 | |
| WO2023155091A1 (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置 | |
| KR20100070086A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 | |
| WO2023184421A1 (zh) | 薄膜晶体管、显示基板和显示装置 | |
| CN113745342B (zh) | 薄膜晶体管、其制作方法及显示面板 | |
| CN115050758A (zh) | 阵列基板和显示面板 | |
| CN115692426A (zh) | 显示面板 | |
| CN117832223A (zh) | 背板结构及其制备方法和显示模组 | |
| CN117476675A (zh) | 显示面板与显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |