CN117832223A - 背板结构及其制备方法和显示模组 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种背板结构及其制备方法和显示模组，背板结构包括基板、源极和漏极、第一有源层、第一栅极、第二有源层和第二栅极。源极和漏极位于基板上，第一有源层位于源极和漏极之间的基板上，第一栅极位于第一有源层背离基板的一侧。第二有源层位于第一栅极背离基板的一侧，且第二有源层沿第一方向的两侧分别通过过孔与源极和漏极连接，第二栅极位于第二有源层背离基板的一侧。因此两个薄膜晶体管在基板上堆叠设置且共用源极和漏极，实现两个薄膜晶体管并联以提升迁移率。其中第一有源层直接与源极和漏极接触连接，不需要在其间增加过孔实现连接，可以减少光罩降低成本。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种背板结构及其制备方法和显示模组。
背景技术
目前，开发高迁移率的晶体管，以提高显示面板的工作性能，是显示技术领域的研究热点。
在显示技术中，背板技术作为关键技术，如何提升迁移率同时降低成本是目前亟待解决的问题。
申请内容
本申请的目的在于提供一种背板结构及其制备方法和显示模组，旨在提升迁移率同时降低成本。
一方面，本申请提供一种背板结构，所述背板结构包括：
基板；
源极和漏极，间隔设置在所述基板上；
第一有源层，位于所述源极和所述漏极之间的基板上，且与所述源极和所述漏极接触；
第一栅极，位于所述第一有源层背离所述基板的一侧；
第二有源层，位于所述第一栅极背离所述基板的一侧，且所述第二有源层沿第一方向的两侧分别通过过孔与所述源极和所述漏极连接；
第二栅极，位于所述第二有源层背离所述基板的一侧。
在一些实施例中，所述第一有源层包括：
第一导体层和第二导体层，所述第一导体层与所述漏极接触，所述第二导体层与所述源极接触；
第一沟道层，连接所述第三导体层和第四导体层。
在一些实施例中，所述第二有源层包括：
第三导体层和第四导体层，所述第三导体层通过第一过孔与所述漏极电性连接，所述第四导体层通过第二过孔与所述源极电性连接；
第二沟道层，连接所述第一导体层和第二导体层。
在一些实施例中，所述背板结构还包括：
第一层间介质层，覆盖所述第一栅极和所述第一有源层；
第二层间介质层，位于所述第一层间介质层远离所述基板的一侧，且所述第二有源层覆盖所述第一层间介质层和所述第二层间介质层；
其中，所述第二层间介质层包括背离所述基板一侧的顶面和与所述顶面连接的侧面，所述第二沟道层覆盖所述顶面和所述侧面。
在一些实施例中，所述侧面包括靠近所述源极的第一侧面和靠近所述漏极的第二侧面，所述第二沟道层包括：
第一水平沟道，覆盖所述第二层间介质层的所述顶面；
第二水平沟道，位于所述第一层间介质层上；
倾斜沟道，覆盖所述第二层间介质层的所述第一侧面，且与所述第一水平沟道和所述第二水平沟道连接。
在一些实施例中，所述第二栅极在所述基板上的正投影与所述第二沟道层在所述基板上的正投影重合。
在一些实施例中，所述背板结构还包括：
第一栅绝缘层，位于所述第一栅极和所述第一有源层之间；
第二栅绝缘层，位于所述第二栅极和所述第二有源层之间；
其中，所述第二栅绝缘层具有对应所述第二水平沟道上方的开口，所述第二栅极位于所述第二栅绝缘层上，且覆盖所述开口的侧壁和底面。
在一些实施例中，所述背板结构还包括：
第一电极和第二电极，所述第一电极、所述第二电极、所述源极和所述漏极同层设置；
平坦层，覆盖所述第二栅极和所述第二栅绝缘层；
第三电极，位于所述平坦层上，且通过第三过孔与所述第三导体层连接。
另一方面，本申请提供一种显示模组，所述显示模组包括：
上述任一实施例中的背板结构；
发光单元，通过过孔与所述第一电极和所述第二电极连接。
再一方面，本申请还提供一种背板结构的制备方法，所述背板结构的制备方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成间隔设置的源极和漏极；
形成位于所述源极和所述漏极之间的基板上的第一有源层，所述第一有源层与所述源极和所述漏极接触；
在所述第一有源层背离所述基板的一侧形成第一栅极；
在所述第一栅极背离所述基板的一侧形成第二有源层，所述第二有源层沿所述第一方向的两侧分别通过过孔与所述源极和所述漏极连接；
在所述第二有源层背离所述基板的一侧形成第二栅极。
本申请提供一种背板结构及其制备方法和显示模组，背板结构包括基板、源极和漏极、第一有源层、第一栅极、第二有源层和第二栅极。源极和漏极位于基板上，第一有源层位于源极和漏极之间的基板上，第一栅极位于第一有源层背离基板的一侧。第二有源层位于第一栅极背离基板的一侧，且第二有源层沿第一方向的两侧分别通过过孔与源极和漏极连接，第二栅极位于第二有源层背离基板的一侧。因此第一栅极、第一有源层、源极和漏极组成一个薄膜晶体管，第二栅极、第二有源层、源极和漏极组成一个薄膜晶体管，两个薄膜晶体管在基板上堆叠设置且共用源极和漏极，实现两个薄膜晶体管并联以提升迁移率。其中第一有源层直接与源极和漏极接触连接，不需要在其间增加过孔实现连接，可以减少光罩降低成本。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本申请一些实施例提供的背板结构的结构示意图；
图2是本申请一些实施例提供的显示模组的结构示意图；
图3是本申请一些实施例提供的背板结构的制备方法的流程示意图；
图4a-4h是本申请一些实施例提供的背板结构在制备过程中的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1，图1是本申请一些实施例提供的背板结构的结构示意图。改背板结构100可以应用于各种显示器，例如液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管显示器(Organic Light-Emitting Diode，OLED)和微型发光二极管显示器(Micro-Light-Emitting Diode，Micro-LED)等。
背板结构100包括基板10、源极111和漏极112、第一有源层12、第一栅极13、第二有源层14和第二栅极15。源极111和漏极112间隔设置在基板10上，第一有源层12位于源极111和漏极112之间的基板10上，且与源极111和漏极112接触，第一栅极13位于第一有源层12背离基板10的一侧。第二有源层14位于第一栅极13背离基板10的一侧，且第二有源层14沿第一方向(X)的两侧分别通过过孔与源极111和漏极112电性连接，第二栅极15位于第二有源层14背离基板10的一侧。第一方向(X)为平行于基板10的方向。其中，第一栅极13、第一有源层12、源极111和漏极112可以组成第一薄膜晶体管，第二栅极15、第二有源层14、源极111和漏极112可以组成第二薄膜晶体管。
需要说明的是，本文中所指的“覆盖”可以是两个膜层直接接触。
基板10可以包括玻璃基板和柔性基板其中之一或其组合。
背板结构100还包括位于基板10上的缓冲层16，缓冲层16位于源极111、漏极112与基板10之间。缓冲层16的材料可以为SiOx或SiNx或SiNx/SiOx或SiNOx等。
背板结构100还包括第一层间介质层171、第一栅绝缘层181和第二栅绝缘层182。第一层间介质层171覆盖所述第一栅极13和所述第一有源层12，因此第一有源层12和第二有源层14通过第一层间介质层171隔离。第一栅绝缘层181位于所述第一栅极13和所述第一有源层12之间，第二栅绝缘层182位于所述第二栅极15和所述第二有源层14之间。
第一层间介质层171的材料可为SiOx，SiNx，Al2O3/SiNx/SiOx，SiOx/SiNx/SiOx等。第一栅绝缘层181的材料可为SiOx，SiNx，Al2O3/SiNx/SiOx，SiOx/SiNx/SiOx等。第二栅绝缘层182的材料可为Mo或Mo/Al或Mo/Cu或MoTi/Cu或MoTi/Cu/MoTi或Ti/Al/Ti或Ti/Cu/Ti或Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO或Mo/Cu/ITO。
源极111和漏极112的材料包括不限于钼、铝、铜、钛、氧化铟锌以及氧化铟锡中的至少一种。示例性地，源极111和漏极112包括钼层(Mo)，或者，钼层与铝层的叠层(Mo/Al)，或者，钼层与铜层的叠层(Mo/Cu)，或者，钼钛合金层与铜层的叠层(MoTi/Cu)，或者，依次堆叠的钼钛合金层、铜层以及钼钛合金层(MoTi/Cu/MoTi)，或者，依次叠置的钛层、铝层以及钛层(Ti/Al/Ti)，或者，依次叠置的钛层、铜层以及钛层(Ti/Cu/Ti)，或者，依次叠置的钼层、铜层以及氧化铟锌层的叠层(Mo/Cu/IZO)，或者，依次叠置的氧化铟锌层、铜层以及氧化铟锡层的叠层(IZO/Cu/ITO)。
在一些实施例中，第一有源层12的中间部分覆盖在源极111和漏极112之间的基板10上，第一有源层12沿第一方向(X)的两侧分别覆盖源极111和漏极112。在一些实施例中，第一有源层12包括第一沟道层121、第一导体层122和第二导体层123。第一沟道层121覆盖源极111和漏极112之间的基板10，因此第一沟道层121和源极111、漏极112都位于基板10上，相当于同层设置。第一导体层122和第二导体层123位于所述第一沟道层121沿第一方向(X)的两侧，即第一沟道层121连接所述第一导体层122和第二导体层123，且所述第一导体层122与所述漏极112接触，所述第二导体层123与所述源极111接触。具体的，第一导体层122可以覆盖源极111，第二导体层123可以覆盖漏极112。因此第一沟道层121通过第一导体层122和第二导体层123可以实现与漏极112和源极111的连接，且不需要过孔，可以减少光罩、降低成本。
第一有源层12可以包括非晶硅、多晶硅或者金属氧化物其中之一。其中，多晶硅可以通过非晶硅激光退火晶化或其他晶化方法获得。金属氧化物包括铟元素、锌元素、钨元素、锡元素、镓元素以及铝元素中的至少一者。示例性地，金属氧化物的材料包括但不限于铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)，铟镓锡氧化物(Indium Gallium TinOxide，IGTO)，铟镓氧化物(Indium Gallium Oxide，IGO)，铟锌氧化物(Indium ZincOxide，IZO)，铝铟锌氧化物(Aluminum Indium Zinc Oxide，AIZO)，铝锡锌氧化物(Aluminum Tin Zinc Oxide，ATZO)等漏电流较低的金属氧化物。
第一导体层122和第二导体层123可以为导体化的第一有源层材料，第一导体层122和第二导体层123包括N型掺杂离子。第一沟道层121可以为非导体化的第一有源层材料。
第一栅极13的材料可为Mo或Mo/Al或Mo/Cu或MoTi/Cu或MoTi/Cu/MoTi或Ti/Al/Ti或Ti/Cu/Ti或Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO或Mo/Cu/ITO。
在一些实施例中，所述第一栅极13在所述基板10上的正投影，与所述第一沟道层121在所述基板10上的正投影重合，因此可以以第一栅极13为掩膜板通过等离子处理形成第一沟道层121、第一导体层122和第二导体层123。
第二有源层14的材料可以为氧化物半导体或其他类型半导体，如IGZO，IGTO，IGZO，IGO，IZO，AIZO，ATZO等金属氧化物。第二有源层14的材料可以与第一有源层12的材料相同，也可以不同。
第二有源层14包括第二沟道层141、第三导体层142和第四导体层143，第三导体层142和第四导体层143位于所述第二沟道层141沿所述第一方向(X)的两侧，即第二沟道层141连接所述第三导体层142和第四导体层143。所述第三导体层142通过第一过孔V1和第一导体层122与所述漏极112电性连接，所述第四导体层143通过第二过孔V2和第二导体层123与所述源极111电性连接。
第三导体层142和第四导体层143可以为导体化的第二有源层材料，第三导体层142和第四导体层143包括N型掺杂离子。第二沟道层141可以为非导体化的第二有源层材料。
在一些实施例中，所述第二栅极15在所述基板10上的正投影，与所述第二沟道层141在所述基板10上的正投影重合，因此可以以第二栅极15为掩膜板通过离子注入形成第二沟道层141、第三导体层142和第四导体层143。
在一些实施例中，背板结构100还可以包括第二层间介质层172，第二层间介质层172位于所述第一层间介质层171远离所述基板10的一侧，且所述第二有源层14覆盖所述第一层间介质层171和所述第二层间介质层172。其中，所述第二层间介质层172包括背离所述基板10一侧的顶面1721和与所述顶面1721连接的侧面，所述第二沟道层141覆盖所述顶面1721和所述侧面。其中，所述侧面包括靠近所述源极111的第一侧面1722和靠近所述漏极112的第二侧面。
第二层间介质层172包括硅氧化物、硅氮化物和基于金属的氧化物其中至少之一。
在一些实施例中，第二层间介质层172可具有1um-10um的厚度。
在一些实施例中，第二层间介质层172的第一侧面1722与第一层间介质层171所夹锐角的范围为65°～85°。
第二沟道层141可以包括第一水平沟道1411、第二水平沟道1412和倾斜沟道1413。第一水平沟道1411覆盖所述第二层间介质层172的所述顶面1721，第二水平沟道1412位于所述第一层间介质层171上。倾斜沟道1413覆盖所述第二层间介质层172的所述第一侧面1722，且与所述第一水平沟道1411和所述第二水平沟道1412连接。
在图1的实施例中，倾斜沟道1413覆盖第二层间介质层172的右边(图示方向)第一侧面1722，第三导体层142覆盖第二层间介质层172的左边(图示方向)第二侧面，第二水平沟道1412覆盖源极111上方的第一层间介质层171，且倾斜沟道1413位于第一水平沟道1411和第二水平沟道1412之间。倾斜沟道1413的占用空间小，电流密度大，因此可以提升第一沟道层121中的电流，另一方面还可以减小器件的面积。相比于完全是倾斜沟道的第一沟道层(即不包括水平沟道)，本申请实施例中的第一沟道层121既包括水平沟道又包括倾斜沟道1413，可以避免短路风险。而相比于完全是水平沟道的第一沟道层(即不包括倾斜沟道)，本申请实施例中的第一沟道层121既包括水平沟道又包括倾斜沟道1413，可以减小器件面积、增大电流。
在另一些实施例中，第三导体层142可以仅位于漏极112上方的第一层间介质层171上，即第二沟道层141还可以覆盖第一层间介质层171的左边第二侧面。增加倾斜沟道的面积可以进一步增大电流，可以减少水平沟道的面积，减小器件占用面积。
在另一些实施例中，第四导体层143还可以向左边(图示方向)延伸，即覆盖更多第一层间介质层171的表面。相对的，第二水平沟道1412的右端向左边(图示方向)收缩，因此可以缩小沟道的长度，提升迁移率。
在一些实施例中，第二栅极15具有与第二沟道层141对应的形状。具体的，所述第二栅绝缘层182具有对应所述第二水平沟道1412上方的开口C，所述第二栅极15位于所述第二栅绝缘层182上，且覆盖所述开口C的侧壁和底面。因此第二栅极15也包括第一水平栅极、倾斜栅极和第二水平栅极，第一水平栅极位于第二栅绝缘层182的上表面，倾斜栅极位于开口C的侧壁，第二水平栅极位于开口C的底面。其中，第一水平栅极对应第一水平沟道1411，倾斜栅极对应倾斜沟道1413，第二水平栅极对应第二水平沟道1412。
在一些实施例中，第二栅极15的长度(包括第一水平栅极、倾斜栅极和第二水平栅极)大于第一栅极13的长度。第二沟道层141(包括第一水平沟道1411、第二水平沟道1412和倾斜沟道1413)的长度大于第一沟道层121的长度。
背板结构100还可以包括第一电极113和第二电极114、平坦层191和第三电极192。所述第一电极113、所述第二电极114、所述第一沟道层121、所述源极111和所述漏极112同层设置。所述第一电极113和所述第二电极114与源极111和漏极112的材料相同，用于与发光单元连接。
平坦层191覆盖所述第二栅极15和所述第二栅绝缘层182，并填充开口C。平坦层191的材料可以为SiOx或SiNx或SiNx/SiOx或SiNOx等。平坦层191还包括暴露第一电极113的第四过孔V4和暴露第二电极114的第五过孔V5，以实现第一电极113和第二电极114与发光单元的连接。
第三电极192位于所述平坦层191上，且通过第三过孔V3与所述第三导体层142连接。第三电极192可以为像素电极，像素电极可为IZO、ITO等金属氧化物，例如ITO、IZO、ITO/Ag/ITO、IZO/Ag/IZO、Mo/Cu，MoTi/Cu/MoTi等。
本申请实施例提供的背板结构100包括基板10、源极111和漏极112、第一有源层12、第一栅极13、第二有源层14和第二栅极15。源极111和漏极112位于基板10上，第一有源层12位于源极111和漏极112之间的基板10上，且与源极111和漏极112接触，第一栅极13位于第一有源层12背离基板10的一侧。第二有源层14位于第一栅极13背离基板10的一侧，且第二有源层14沿第一方向(X)的两侧分别通过过孔与源极111和漏极112连接，第二栅极15位于第二有源层14背离基板10的一侧。因此第一栅极13、第一有源层12、源极111和漏极112组成第一薄膜晶体管，第二栅极15、第二有源层14、源极111和漏极112组成第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在基板10上堆叠设置且共用源极111和漏极112，实现两个薄膜晶体管并联以提升迁移率和增大电流。在要求TFT输出电流一定的前提下可以降低驱动电压，所以可以降低功耗。相对普通低迁移率器件结构而言，如果迁移率较低，一般器件宽度就要变大，所以器件尺寸也变大，因此本申请中的高迁移率器件尺寸可以减小。另外，由于第一有源层12直接与源极111和漏极112接触连接，不需要在其间增加过孔实现连接，可以减少光罩降低成本。
请参阅图2，图2是本申请一些实施例提供的显示模组的结构示意图。该显示模组包括上述任一实施例中的背板结构和发光单元L，发光单元L通过第四过孔V4和第五过孔V5与所述第一电极113和所述第二电极114连接。
发光单元L可以包括Mini-LED、Micro-LED或OLED。本实施例中的发光单元L为LED。
请参阅图3，图3是本申请一些实施例提供的背板结构的制备方法的流程示意图。请同时参阅图4a-4h，图4a-4h是本申请一些实施例提供的背板结构在制备过程中的结构示意图。本实施例以制备上述背板结构100为例，对该背板结构的制备方法进行说明，该背板结构的制备方法包括以下步骤S1-S6。
步骤S1：提供基板10。
步骤S2：在基板10上形成间隔设置的源极111和漏极112。
如图4a所示，可以先在基板10上沉积缓冲层16，随后进行第一金属层镀膜，并进行图案化处理形成源极111、漏极112、第一电极113和第二电极114。
步骤S3：形成位于所述源极111和所述漏极112之间的基板10上的第一有源层12，所述第一有源层12与所述源极111和所述漏极112接触。
步骤S4：在所述第一有源层12背离所述基板10的一侧形成第一栅极13。
具体的，步骤S3和步骤S4可以包括以下步骤。
1)如图4b所示，在源极111、漏极112、第一电极113和第二电极114上进行半导体层镀膜，然后进行图案化处理形成覆盖源极111和漏极112的第一半导体层12a。
2)如图4c所示，依次沉积第一栅绝缘材料层和第二金属层，然后对第二金属层进行图案化处理形成位于源极111和漏极112之间的第一栅极13。接着进行自对准刻蚀工艺完成第一栅绝缘材料层的图案化形成第一栅绝缘层181，并以第一栅极13为掩膜板对第一半导体层12a进行导体化(例如等离子处理)形成第一导体层122和第二导体层123，未导体化的第一半导体层12a成为第一沟道层121。
步骤S5：在所述第一栅极13背离所述基板10的一侧形成第二有源层14，所述第二有源层14沿所述第一方向(X)的两侧分别通过过孔与所述源极111和所述漏极112连接。
如图4d所示，可以先采用沉积工艺形成第一层间介质层171和第二层间介质材料层，然后对第二层间介质材料层进行图案化，形成横截面为梯形的第二层间介质层172。因此第二层间介质层172的第一侧面1722具有一定坡度(例如65°-85°)，这样有利于后续膜层在第一侧面1722的覆盖。
如图4e所示，然后对第一层间介质层171进行图形化，形成暴露第一导体层122的第一过孔V1和暴露第二导体层123的第二过孔V2。
如图4f所示，接着进行半导体层镀膜和图案化形成第二半导体层14a，在后续形成第二栅极15之后再对第二半导体层14a进行导体化形成第二沟道层141、第三导体层142和第四导体层143。
其中，对第一层间介质层171进行图形化可以暴露第一电极和第二电极。
步骤S6：在所述第二有源层14背离所述基板10的一侧形成第二栅极15。
如图4g所示，在形成第二半导体层14a之后，再进行第二栅绝缘层182镀膜，并对第二栅绝缘层182进行刻蚀形成开口C。接着进行第三金属层镀膜和图案化，形成第二栅极15。第二栅极15可以与第一栅极13的施加的控制电压相同，也可以不同。在形成第二栅极15之后，以第二栅极15为掩模板对第二半导体层14a进行N型离子注入，形成第三导体层142和第四导体层143，未导体化的第二半导体层14a成为第二沟道层141。
如图4h所示，接着沉积平坦层191，然后对平坦层191进行图案化处理，形成暴露第三导体层142的第三过孔V3、暴露第一电极113的第四过孔V4和暴露第二电极114的第五过孔V5。最后在第三过孔V3中和平坦层191上形成第三电极192，并在第四过孔V4和第五过孔V5中焊接发光单元L。
本申请实施例提供的背板结构的制备方法中，以第一栅极13为掩模板形成第一栅绝缘层181和第一沟道层121、第一导体层122和第二导体层123，以第二栅极15为掩模板形成第二沟道层141、第三导体层142和第四导体层143，可以节省光罩。而且源极111、漏极112与第一沟道层121同层设置，第一导体层122和第二导体层123直接覆盖漏极112和源极111实现第一沟道层121与源极111和漏极112的连接，不需要通过过孔实现连接，至少可以节省两道光罩，进行可以降低成本。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种背板结构，其特征在于，所述背板结构包括：
基板；
源极和漏极，间隔设置在所述基板上；
第一有源层，位于所述源极和所述漏极之间的基板上，且与所述源极和所述漏极接触；
第一栅极，位于所述第一有源层背离所述基板的一侧；
第二有源层，位于所述第一栅极背离所述基板的一侧，且所述第二有源层沿第一方向的两侧分别通过过孔与所述源极和所述漏极连接；
第二栅极，位于所述第二有源层背离所述基板的一侧。
2.根据权利要求1所述的背板结构，其特征在于，所述第一有源层包括：
第一导体层和第二导体层，所述第一导体层与所述漏极接触，所述第二导体层与所述源极接触；
第一沟道层，连接所述第一导体层和第二导体层。
3.根据权利要求1所述的背板结构，其特征在于，所述第二有源层包括：
第三导体层和第四导体层，所述第三导体层通过第一过孔与所述漏极电性连接，所述第四导体层通过第二过孔与所述源极电性连接；
第二沟道层，连接所述第三导体层和第四导体层。
4.根据权利要求3所述的背板结构，其特征在于，所述背板结构还包括：
第一层间介质层，覆盖所述第一栅极和所述第一有源层；
第二层间介质层，位于所述第一层间介质层远离所述基板的一侧，且所述第二有源层覆盖所述第一层间介质层和所述第二层间介质层；
其中，所述第二层间介质层包括背离所述基板一侧的顶面和与所述顶面连接的侧面，所述第二沟道层覆盖所述顶面和所述侧面。
5.根据权利要求4所述的背板结构，其特征在于，所述侧面包括靠近所述源极的第一侧面和靠近所述漏极的第二侧面，所述第二沟道层包括：
第一水平沟道，覆盖所述第二层间介质层的所述顶面；
第二水平沟道，位于所述第一层间介质层上；
倾斜沟道，覆盖所述第二层间介质层的所述第一侧面，且与所述第一水平沟道和所述第二水平沟道连接。
6.根据权利要求3所述的背板结构，其特征在于，所述第二栅极在所述基板上的正投影与所述第二沟道层在所述基板上的正投影重合。
7.根据权利要求5所述的背板结构，其特征在于，所述背板结构还包括：
第一栅绝缘层，位于所述第一栅极和所述第一有源层之间；
第二栅绝缘层，位于所述第二栅极和所述第二有源层之间；
其中，所述第二栅绝缘层具有对应所述第二水平沟道上方的开口，所述第二栅极位于所述第二栅绝缘层上，且覆盖所述开口的侧壁和底面。
8.根据权利要求7所述的背板结构，其特征在于，所述背板结构还包括：
第一电极和第二电极，所述第一电极、所述第二电极、所述源极和所述漏极同层设置；
平坦层，覆盖所述第二栅极和所述第二栅绝缘层；
第三电极，位于所述平坦层上，且通过第三过孔与所述第三导体层连接。
9.一种显示模组，其特征在于，所述显示模组包括：
权利要求1-8任一项所述的背板结构；
发光单元，通过过孔与所述第一电极和所述第二电极连接。
10.一种背板结构的制备方法，其特征在于，所述背板结构的制备方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成间隔设置的源极和漏极；
形成位于所述源极和所述漏极之间的基板上的第一有源层，所述第一有源层与所述源极和所述漏极接触；
在所述第一有源层背离所述基板的一侧形成第一栅极；
在所述第一栅极背离所述基板的一侧形成第二有源层，所述第二有源层沿所述第一方向的两侧分别通过过孔与所述源极和所述漏极连接；
在所述第二有源层背离所述基板的一侧形成第二栅极。
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