CN113270422B - 一种显示基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，在保证存储电容足够大的同时，尽可能地减小TFT的占用面积，显著提升了开口率。显示基板包括：第一电容电极，至少位于发光区；缓冲层，覆盖第一电容电极；第二电容电极和有源层,互不交叠设置于缓冲层之上，有源层位于非发光区；栅极,位于有源层之上与有源层绝缘、且位于非发光区，第二电容电极与栅极电连接；阳极,位于第二电容电极和栅极之上、且与第二电容电极及栅极绝缘，阳极至少位于发光区，第一电容电极、有源层和阳极三者电连接；第一电容电极、缓冲层和第二电容电极形成存储电容。本发明适用于显示基板的制作。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
顶栅型TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)具有短沟道的特点，其开态电流Ion得以有效提升，从而显著提高显示效果并且能有效降低功耗。另外，顶栅型TFT的栅极与源漏极重叠面积小，因而产生的寄生电容较小，所以发生GDS(栅极和漏极短路)等不良的可能性也有效降低。由于顶栅型TFT具有上述显著优点，所以越来越受到人们的关注。
在顶栅型AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)产品电路设计中，经常采用3T1C结构。具体的，采用ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)电极和Cst电极形成存储电容。其中，ITO电极为ITO阳极延伸到非发光区的部分，Cst电极与TFT的SD(源漏极)金属层同层设置、且位于S(源极)金属电极和D(漏极)金属电极之间。而为了使得存储电容足够大以确保EL(Emitting layer，发光层)有足够长的发光时间，需要ITO电极和Cst电极之间有非常大的正对面积。但这会导致TFT的占用面积非常大，从而减小了发光区的占用面积，严重影响显示面板的开口率，进而降低产品的显示质量。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板，该显示基板提供了一种新的存储电容设计结构，在保证存储电容足够大的同时，尽可能地减小TFT的占用面积，从而显著提升了开口率，进而大幅提升了产品的显示质量。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供了一种显示基板，包括显示区，所述显示区包括阵列排布的多个发光区和位于相邻所述发光区之间的非发光区；
所述显示基板还包括：
第一电容电极，所述第一电容电极至少位于所述发光区；
缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一电容电极、且位于所述发光区和所述非发光区；
第二电容电极和有源层，互不交叠设置于所述缓冲层之上，所述有源层位于所述非发光区；
栅极，位于所述有源层之上与所述有源层绝缘、且位于所述非发光区，所述第二电容电极与所述栅极电连接；
阳极，位于所述第二电容电极和所述栅极之上、且与所述第二电容电极及所述栅极绝缘，所述阳极至少位于所述发光区，所述第一电容电极、所述有源层和所述阳极三者电连接；
其中，所述第一电容电极、所述缓冲层和所述第二电容电极形成存储电容。
可选的，所述第一电容电极还位于所述非发光区，所述第二电容电极位于所述发光区，所述阳极还位于所述非发光区，所述有源层的材料为金属氧化物；
所述显示基板还包括：
位于所述第二电容电极和所述阳极之间的层间介质层，所述层间介质层位于所述发光区和所述非发光区，且覆盖所述第二电容电极、所述栅极和所述有源层；
位于所述层间介质层和所述阳极之间且互不交叠的第一连接电极和第二连接电极，所述第一电容电极、所述有源层和所述阳极通过所述第一连接电极电连接，所述第二电容电极和所述栅极通过所述第二连接电极电连接。
可选的，所述第一连接电极至少位于所述非发光区；
所述显示基板还包括：
位于所述阳极和所述层间介质层之间的绝缘层，所述绝缘层位于所述发光区和所述非发光区，且至少覆盖所述层间介质层、所述第一连接电极和所述第二连接电极；
第一过孔，所述第一过孔贯穿所述层间介质层和所述缓冲层，所述第一连接电极通过所述第一过孔与所述第一电容电极电连接；
第二过孔，所述第二过孔贯穿所述层间介质层，所述第一连接电极通过所述第二过孔与所述有源层电连接；
第三过孔，所述第三过孔贯穿所述绝缘层，所述第一连接电极通过所述第三过孔与所述阳极电连接。
可选的，所述缓冲层中用于形成所述存储电容的部分的厚度小于所述层间介质层中用于覆盖所述存储电容的部分的厚度。
可选的，所述第二连接电极位于所述发光区和所述非发光区；
所述显示基板还包括：
第四过孔，所述第四过孔贯穿所述层间介质层，所述第二连接电极通过所述第四过孔与所述栅极电连接；
第五过孔，所述第五过孔贯穿所述层间介质层，所述第二连接电极通过所述第五过孔与所述第二电容电极电连接。
可选的，所述显示基板还包括：
位于所述层间介质层和所述阳极之间的源极和漏极，所述源极、所述漏极、所述第一连接电极和所述第二连接电极同层设置且互不交叠，所述源极和所述漏极均位于所述非发光区、且分别与所述有源层电连接。
可选的，所述第一电容电极还位于所述非发光区；
所述显示基板还包括：
衬底；
位于所述衬底和所述第一电容电极之间的遮光层，所述遮光层位于非发光区，所述有源层在所述衬底上的投影位于所述遮光层在所述衬底上的投影以内，且所述第一电容电极覆盖所述遮光层。
本发明的实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括显示区，所述显示区包括阵列排布的多个发光区和位于相邻所述发光区之间的非发光区；所述显示基板还包括：第一电容电极，所述第一电容电极至少位于所述发光区；缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一电容电极、且位于所述发光区和所述非发光区；第二电容电极和有源层，互不交叠设置于所述缓冲层之上，所述有源层位于所述非发光区；栅极，位于所述有源层之上与所述有源层绝缘、且位于所述非发光区，所述第二电容电极与所述栅极电连接；阳极，位于所述第二电容电极和所述栅极之上、且与所述第二电容电极及所述栅极绝缘，所述阳极至少位于所述发光区，所述第一电容电极、所述有源层和所述阳极三者电连接；其中，所述第一电容电极、所述缓冲层和所述第二电容电极形成存储电容。
上述显示基板中，第一电容电极、第二电容电极分别作为存储电容的两个电极，缓冲层作为两极板间的绝缘介质，三者共同形成存储电容。第二电容电极与有源层互不交叠，相较于现有技术，第二电容电极设置在薄膜晶体管的外部，减小了薄膜晶体管的占用面积，进而提高了开口率。
另外，由于第二电容电极和第一电容电极的相对面积与存储电容的电容值呈正比。因此，若要增大存储电容的电容值，可以通过增大第二电容电极和第一电容电极的相对面积实现，具体可以通过增加第二电容电极位于发光区的面积来实现。即增大存储电容的电容值不会增大非发光区的面积，从而进一步提高了开口率。
综上，上述显示基板提供了一种新的存储电容设计结构，在保证存储电容足够大的同时，尽可能地减小TFT的占用面积，进而显著提升了开口率，大幅提升了产品的显示质量。
另一方面，提供了一种显示面板，包括上述所述的显示基板。该显示面板的开口率高，显示效果佳，产品质量高。
再一方面，提供了一种如上述所述的显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区，所述显示区包括阵列排布的多个发光区和位于相邻所述发光区之间的非发光区；
所述方法包括：
形成第一电容电极，所述第一电容电极至少位于所述发光区；
形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一电容电极、且位于所述发光区和所述非发光区；
在所述缓冲层之上形成互不交叠的第二电容电极和有源层，所述有源层位于所述非发光区；
形成栅极，所述栅极位于所述有源层之上、且位于所述非发光区，所述第二电容电极与所述栅极电连接；
形成阳极，所述阳极位于所述第二电容电极和所述栅极之上且至少位于所述发光区，所述第一电容电极、所述有源层和所述阳极三者电连接；
其中，所述第一电容电极、所述缓冲层和所述第二电容电极形成存储电容。
可选的，所述第二电容电极位于所述发光区，所述有源层的材料为金属氧化物；
所述在所述缓冲层之上形成互不交叠的第二电容电极和有源层包括：
采用一次构图工艺在所述缓冲层之上形成互不交叠的待导体化的第二电容电极和待导体化的有源层，所述待导体化的有源层包括半导体部、位于所述半导体部两侧且与所述半导体部相接的待导体化部；
对所述待导体化的第二电容电极和所述待导体化部进行导体化，形成所述第二电容电极和所述有源层。
可选的，所述显示基板还包括：位于所述有源层和所述栅极之间的栅绝缘层；
在所述形成栅极之前，所述方法还包括：
形成栅绝缘层，所述栅绝缘层位于所述有源层之上；
所述形成栅绝缘层包括：
形成栅绝缘薄膜；
所述形成所述栅极包括：
在所述栅绝缘薄膜之上形成栅金属薄膜；
在所述栅金属薄膜之上涂覆光刻胶；
采用同一掩膜板对所述栅绝缘薄膜和所述栅金属薄膜进行曝光、显影、刻蚀，形成所述栅绝缘层和所述栅极。
可选的，在采用同一掩膜板对所述栅绝缘薄膜和所述栅金属薄膜进行曝光、显影、刻蚀的步骤之后，执行对所述待导体化的第二电容电极和所述待导体化部进行导体化的步骤；
所述形成所述栅极还包括：
在对所述待导体化的第二电容电极和所述待导体化部进行导体化之后，剥离所述栅极上的光刻胶。
可选的，所述阳极还位于所述非发光区，所述显示基板还包括：位于所述第二电容电极和所述阳极之间且互不交叠的第一连接电极、第二连接电极、源极和漏极；
在形成所述栅极之后、且在形成所述阳极之前，所述方法还包括：
采用一次构图工艺形成互不交叠的所述第一连接电极、所述第二连接电极、所述源极和所述漏极。
可选的，所述显示基板还包括：位于所述第二电容电极和所述阳极之间的层间介质层；
在形成所述栅极之后、且在形成所述第一连接电极和所述第二连接电极之前，所述方法还包括：
形成所述层间介质层，所述层间介质层位于所述发光区和所述非发光区，且覆盖所述第二电容电极、所述栅极和所述有源层；
形成贯穿所述层间介质层和所述缓冲层的第一过孔，以及贯穿所述层间介质层的第二过孔、第四过孔和第五过孔；
其中，所述第一连接电极通过所述第一过孔与所述第一电容电极电连接，所述第一连接电极通过所述第二过孔与所述有源层电连接，所述第二连接电极通过所述第四过孔与所述栅极电连接，所述第二连接电极通过所述第五过孔与所述第二电容电极电连接。
可选的，所述显示基板还包括：位于所述阳极和所述层间介质层之间的绝缘层；
在形成所述第一连接电极和所述第二连接电极之后、且在形成所述阳极之前，所述方法还包括：
形成所述绝缘层，所述绝缘层位于所述发光区和所述非发光区，且至少覆盖所述层间介质层、所述第一连接电极和所述第二连接电极；
形成贯穿所述绝缘层的第三过孔；
所述形成阳极包括：
在所述绝缘层之上形成所述阳极；其中，所述阳极通过所述第三过孔与所述第一连接电极连接。
本发明的实施例提供了一种显示基板的制备方法，通过该制备方法形成的显示基板提供了一种新的存储电容设计结构，在保证存储电容足够大的同时，尽可能地减小TFT的占用面积，从而显著提升了开口率，进而大幅提升了产品的显示质量。该制备方法简单、容易实现。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种显示基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种3T1C的电路示意图；
图4为本发明实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的实施例中，采用“第一”、“第二”、……“第五”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本发明实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
实施例一
现有技术中，参考图1所示，顶栅型AMOLED的阵列基板包括衬底10，依次位于衬底10之上的遮光层(Light Shield)11、缓冲层12、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)有源层13、栅绝缘层14、栅极15、层间介质层16，在层间介质层16之上的源极(S极)17、漏极(D极)18、位于源极17和漏极18之间的Cst电极19，覆盖源极17、漏极18、Cst电极19的PVX层20，位于PVX层20之上的ITO电极21。其中，Cst电极和ITO电极分别为存储电容的两个电极、PVX层为两极板间的绝缘介质。Cst电极位于源极和漏极之间，若要提高存储电容的电容值，则需要ITO电极和Cst电极之间有非常大的正对面积，这必然导致TFT的占用面积变大，即非发光区的占用面积增大，从而减小了发光区的占用面积，进而极大降低了开口率，影响显示质量。图1中，有源层13包括半导体部130和位于半导体部130两侧的导体化部131；当然，该阵列基板还包括彩色滤光片22、树脂层(Resin)23等其它膜层结构，这里不再赘述。
本发明实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括显示区，所述显示区包括阵列排布的多个发光区和位于相邻发光区之间的非发光区。
参考图2所示，显示基板还包括：
第一电容电极32，第一电容电极32至少位于发光区(图2未标记)。
缓冲层33，缓冲层33覆盖第一电容电极32、且位于发光区和非发光区(图2未标记)。
第二电容电极34和有源层35，互不交叠设置于缓冲层33之上，有源层35位于非发光区。
栅极37，位于有源层35之上与有源层35绝缘、且位于非发光区，第二电容电极34与栅极37电连接。
阳极42，位于第二电容电极34和栅极37之上、且与第二电容电极34及栅极37绝缘，阳极42至少位于发光区，第一电容电极32、有源层35和阳极42三者电连接。
其中，第一电容电极32、缓冲层33和第二电容电极34形成存储电容。
上述显示基板(还可称阵列基板)主要应用于自发光的OLED显示面板中，其可以应用在顶发射的OLED显示面板，也可以应用在底发射的OLED显示面板，这里不做限定。若应用在底发射的OLED显示面板，则要求第一电容电极、缓冲层、第二电容电极的材料均为透光材料。若应用在顶发射的OLED显示面板，则对第一电容电极、缓冲层、第二电容电极的透光性不做要求。
上述显示基板的显示区(Active Area，AA)是指用于实现显示的区域；发光区(又称像素开口区)是指设置有OLED单元的区域，根据现有技术可知，OLED单元包括阳极(Anode)、有机发光功能层和阴极(Cathode)；非发光区是指显示区中除发光区以外的区域，在该区域，可以设置像素界定层、像素电路单元，该像素电路单元可以包括TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)、栅线、数据线等。
上述第一电容电极的材料可以是金属或者金属氧化物(例如：ITO)等；由于ITO透光性好，采用ITO制作的第一电容电极可应用在底发射的OLED显示面板中。上述缓冲层的材料可以是绝缘的氧化物、氮化物或者氧氮化合物，这里不做限定。上述第二电容电极的材料也不做限定，具体根据实际而定。
上述缓冲层可以包括一层绝缘层，还可以包括多层绝缘层，具体需要根据具体工艺确定，这里不做限定。本发明实施例以及附图均以缓冲层包括一层绝缘层为例进行说明。
上述第二电容电极可以全部位于发光区；也可以一部分位于发光区，另一部分位于非发光区，即第二电容电极位于发光区的部分可延伸至非发光区。这里不做限定，具体可以根据实际设置。本发明实施例以及附图均以第二电容电极全部位于发光区为例进行说明。
上述第二电容电极和有源层可以通过一次构图工艺形成(即同层设置)，也可以采用其它方式(例如：打印)形成，这里不做限定。考虑到降低制作成本，可以选择前者，此时，第二电容电极的材料和有源层的材料相同，本发明实施例以及附图均以此为例进行说明。第二电容电极和有源层互不交叠是指第二电容电极在显示基板的衬底上的正投影和有源层在显示基板的衬底上的正投影没有重叠区域。
这里对有源层的材料不做限定，其可以是金属氧化物半导体，例如：IGZO、氧化锌(ZnO)或氮氧化锌(ZnON)等，其中，IGZO的性能较好，应用更为广泛；有源层的材料还可以是单晶硅、多晶硅等，这里不做限定，具体需要根据实际要求而定。本发明实施例以及附图均以有源层的材料为金属氧化物为例进行绘示。金属氧化物有源层一般包括半导体部、位于半导体部两侧且与半导体部相接的导体化部。图2中，有源层35包括半导体部350(又称Act部)、位于半导体部350左侧的导体化部351(又称导体化Act部)和位于半导体部350右侧的导体化部351(又称导体化Act部)，此时，第二电容电极为导体化的金属氧化物。
上述栅极的材料也不做限定，可采用金属或者金属合金制作，例如：Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金。上述阳极的材料也不做限定，一般采用ITO制作。
上述显示基板中，第一电容电极、第二电容电极分别作为存储电容的两个电极，缓冲层作为两极板间的绝缘介质，三者共同形成存储电容。第二电容电极与有源层互不交叠，相较于现有技术，第二电容电极位于发光区且设置在薄膜晶体管的外部，减小了薄膜晶体管的占用面积，进而减小了非发光区的面积，从而提高了开口率。
另外，由于第二电容电极和第一电容电极的相对面积与存储电容的电容值呈正比。因此，若要增大存储电容的电容值，可以通过增大第二电容电极和第一电容电极的相对面积实现，具体可以通过增加第二电容电极位于发光区的面积来实现。即增大存储电容的电容值不会增大非发光区的面积，从而进一步提高了开口率。
综上，上述显示基板提供了一种新的存储电容设计结构，在保证存储电容足够大的同时，尽可能地减小TFT的占用面积，从而减小非发光区的面积，进而显著提升了开口率，大幅提升了产品的显示质量。
可选的，上述第一电容电极还位于非发光区，第二电容电极位于发光区，阳极还位于非发光区，有源层的材料为金属氧化物，例如：IGZO、氧化锌(ZnO)或氮氧化锌(ZnON)等。
参考图2所示，上述显示基板还包括：
位于第二电容电极34和阳极42之间的层间介质层38，层间介质层38位于发光区和非发光区，且覆盖第二电容电极34、栅极37和有源层35。
位于层间介质层38和阳极42之间且互不交叠的第一连接电极40和第二连接电极39，第一电容电极32、有源层35和阳极42通过第一连接电极40电连接，第二电容电极34和栅极37通过第二连接电极39电连接。
上述层间介质层(ILD层)属于无机绝缘层，可以起到绝缘和保护栅极、有源层的作用，其材料不做限定，可以是氧化物、氮化物或者氧氮化合物等。
上述第一连接电极和第二连接电极互不交叠是指第一连接电极在显示基板的衬底上的正投影和第二连接电极在显示基板的衬底上的正投影没有重叠区域。这里对于第一连接电极和第二连接电极的形状、材料、位置分布均不作限定。
上述显示基板通过设置第一连接电极实现第一电容电极、有源层和阳极三者电连接，通过设置第二连接电极实现第二电容电极与栅极电连接，该种结构简单易实现。
可选的，参考图2所示，第一连接电极至少位于非发光区；该显示基板还包括：
位于阳极42和层间介质层38之间的绝缘层(PVX层)41，绝缘层41位于发光区和非发光区，且至少覆盖层间介质层38、第一连接电极40和第二连接电极39。
第一过孔(CNT过孔，图2未标记)，第一过孔贯穿层间介质层38和缓冲层33，第一连接电极40通过第一过孔与第一电容电极32电连接。
第二过孔(图2未标记)，第二过孔贯穿层间介质层38，第一连接电极40通过第二过孔与有源层35电连接。
第三过孔(PVX过孔，图2未标记)，第三过孔贯穿绝缘层，第一连接电极通过第三过孔与阳极电连接。
上述第二过孔仅贯穿层间介质层，属于ILD过孔。
上述第一连接电极至少位于非发光区是指：上述第一连接电极可以是全部位于非发光区；也可以是一部分位于非发光区、另一部分位于发光区，即第一连接电极位于非发光区的部分可延伸至发光区。这里不做限定，具体可以根据实际设置。本发明实施例以及附图均以第一连接电极全部位于非发光区为例进行说明。
这里对于第一过孔、第二过孔和第三过孔的具体位置不做限定。若第一连接电极位于非发光区，为了简化结构，图2中以第一过孔、第二过孔和第三过孔设置在非发光区为例进行绘示；此时，第一连接电极通过第一过孔与第一电容电极位于非发光区的部分直接接触，进而实现第一连接电极和第一电容电极的电连接；第一连接电极通过第二过孔与有源层的导体化部(位于半导体部的右侧)直接接触，进而实现第一连接电极和有源层的电连接；第一连接电极通过第三过孔与阳极位于非发光区的部分直接接触，进而实现第一连接电极和阳极的电连接。需要说明的是，图2是以有源层的材料为金属氧化物为例进行绘示。
需要说明的是，若第一连接电极、第二连接电极、薄膜晶体管的源极和漏极同层设置且互不交叠，则上述绝缘层还覆盖源极和漏极。
上述显示基板通过设置第一过孔、第二过孔、第三过孔，分别实现第一连接电极和第一电容电极电连接、第一连接电极和有源层电连接、第一连接电极和阳极电连接，进而实现第一电容电极、有源层和阳极三者电连接，该种结构设计简单且容易实现。
可选的，缓冲层中用于形成存储电容的部分的厚度小于层间介质层中用于覆盖存储电容的部分的厚度。缓冲层位于第一电容电极和第二电容电极之间，由于缓冲层对于良率的影响较小，因此膜层厚度可以做的较小；而存储电容的电容值跟两电极之间的距离(即缓冲层中用于形成存储电容的部分的厚度)呈负相关，因此，将缓冲层中用于形成存储电容的部分的厚度做薄，可以显著提升电容器的储电能力，更利于显示效果的提升。为了减少构图次数，栅极和栅极走线同层设置，数据走线和源漏极同层设置，而层间介质层位于两层之间；为了防止栅极走线(Gate走线)和数据走线(Data走线)之间short(短路)风险，需要将层间介质层做的特别厚。
可选的，参考图2所示，第二连接电极位于发光区和非发光区；该显示基板还包括：
第四过孔(图2未标记)，第四过孔贯穿层间介质层38，第二连接电极39通过第四过孔与栅极37电连接。
第五过孔(图2未标记)，第五过孔贯穿层间介质层38，第二连接电极39通过第五过孔与第二电容电极34电连接。
上述第四过孔、第五过孔均仅贯穿层间介质层，均属于ILD过孔。这里对于第四过孔、第五过孔的具体位置不做限定。考虑到减小第二连接电极的占用面积以节约空间和成本，图2中第四过孔设置在栅极靠近第二连接电极一侧的上方、第五过孔设置在第二电容电极靠近第二连接电极一侧的上方。
上述显示基板通过设置第四过孔、第五过孔，分别实现第二连接电极与栅极电连接、第二连接电极与第二电容电极电连接，进而实现第二连接电极和栅极电连接。该种结构设计简单且容易实现。
可选的，该显示基板还包括：
位于层间介质层和阳极之间的源极和漏极，源极、漏极、第一连接电极和第二连接电极同层设置且互不交叠，源极和漏极均位于非发光区、且分别与有源层电连接。
这里对于源极、漏极分别与有源层电连接的方式不做限定。若该有源层为金属氧化物有源层，则源极、漏极可以分别通过贯穿层间介质层的过孔与各自对应的有源层的导体化部电连接；此时，栅极、源极、漏极以及有源层形成顶栅型金属氧化物薄膜晶体管。当然，根据有源层的不同，还可以形成其它类型的薄膜晶体管，这里不再赘述。上述源极、漏极、第一连接电极和第二连接电极同层设置是指采用一次构图工艺形成源极、漏极、第一连接电极和第二连接电极。
上述源极、漏极、第一连接电极和第二连接电极互不交叠是指：源极、漏极、第一连接电极和第二连接电极分别在显示基板的衬底上的正投影均没有重叠区域。
需要说明的是，上述显示基板的电路设计采用的3T1C结构可以参考图3所示，3T1C结构包括3个薄膜晶体管，T1为开关薄膜晶体管、T2为补偿薄膜晶体管、T3为驱动薄膜晶体管，Cst为存储电容，第一电容电极和第二电容电极作为存储电容的两个电极、缓冲层作为两极板间的绝缘介质，上述薄膜晶体管可以作为T3驱动管。
可选的，参考图2所示，第一电容电极还位于非发光区；显示基板还包括：
衬底30；位于衬底30和第一电容电极32之间的遮光层31，遮光层31位于非发光区，有源层35在衬底30上的投影位于遮光层31在衬底30上的投影以内，且第一电容电极32覆盖遮光层31。
将上述显示基板应用于底发射型的OLED显示面板中，遮光层可以阻挡外界光线照射到有源层上，从而对有源层起到保护作用，进而延长薄膜晶体管的寿命。另外，遮光层设置在衬底和第一电容电极之间，第一电容电极位于非发光区的部分对遮光层可以起到保护作用，避免后续的刻蚀工艺对遮光层造成损害(damage)，极大提高了工艺适用性。
实施例二
本发明实施例提供了一种显示面板，包括实施例一提供的显示基板。该显示面板的开口率高，显示效果佳，产品质量高。该显示面板可以是OLED显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
实施例三
本发明实施例提供了一种如实施例一的显示基板的制备方法，显示基板包括显示区，显示区包括阵列排布的多个发光区和位于相邻发光区之间的非发光区。
参考图4所示，该方法包括：
S01、形成第一电容电极，第一电容电极至少位于发光区。
示例的，可以采用构图工艺在衬底之上形成第一电容电极。第一电容电极的材料可以是金属或者金属氧化物(例如：ITO)等。
S02、形成缓冲层，缓冲层覆盖第一电容电极、且位于发光区和非发光区。
该缓冲层的材料可以是绝缘的氧化物、氮化物或者氧氮化合物，这里不做限定。
S03、在缓冲层之上形成互不交叠的第二电容电极和有源层，第二电容电极位于发光区，有源层位于非发光区。
考虑到节省制作成本，可以采用一次构图工艺在缓冲层上形成第二电容电极和有源层；当然也可以采用其它方式(例如：打印)制作，这里不做限定。
S04、形成栅极，栅极位于有源层之上、且位于非发光区，第二电容电极与栅极电连接。
该栅极的材料可以是金属或者金属合金制作，例如：Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金。
S05、形成阳极，阳极位于第二电容电极和栅极之上且至少位于发光区，第一电容电极、有源层和阳极三者电连接。
其中，第一电容电极、缓冲层和第二电容电极形成存储电容。
采用上述方法制作的显示基板，第一电容电极、第二电容电极分别作为存储电容的两个电极，缓冲层作为两极板间的绝缘介质，三者共同形成存储电容。第二电容电极与有源层互不交叠，相较于现有技术，第二电容电极位于发光区且设置在薄膜晶体管的外部，减小了薄膜晶体管的占用面积，进而减小了非发光区的面积，从而提高了开口率。
本发明的实施例提供了一种显示基板的制备方法，通过该制备方法形成的显示基板提供了一种新的存储电容设计结构，在保证存储电容足够大的同时，尽可能地减小TFT的占用面积，从而显著提升了开口率，进而大幅提升了产品的显示质量。该制备方法简单、容易实现。
可选的，上述有源层的材料为金属氧化物，例如：IGZO、氧化锌(ZnO)或氮氧化锌(ZnON)等；那么，S03、在缓冲层之上形成互不交叠的第二电容电极和有源层包括：
S301、采用一次构图工艺在缓冲层之上形成互不交叠的待导体化的第二电容电极和待导体化的有源层，待导体化的有源层包括半导体部、位于半导体部两侧且与半导体部相接的待导体化部。
S302、对待导体化的第二电容电极和待导体化部进行导体化，形成第二电容电极和有源层。导体化是指采用H、He等粒子轰击待导体化的部位。
可选的，上述显示基板还包括：位于有源层和栅极之间的栅绝缘层；则在S04、形成栅极之前，上述方法还包括：
S06、形成栅绝缘层，栅绝缘层位于有源层之上。
S06、形成栅绝缘层包括：形成栅绝缘薄膜。
示例的，可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在有源层之上沉积一层栅绝缘薄膜，该栅绝缘薄膜的材料可以是氧化物、氮化物或者氧氮化合物。
S04、形成栅极包括：
S401、在栅绝缘薄膜之上形成栅金属薄膜。
S402、在栅金属薄膜之上涂覆光刻胶。
S403、采用同一掩膜板对栅绝缘薄膜和栅金属薄膜进行曝光、显影、刻蚀，形成栅绝缘层和栅极。
通过上述方法制作栅绝缘层和栅极，可以节省一张掩膜板，减少构图次数，从而降低成本节约生产时间。需要说明的是，在制作栅绝缘层和栅极时，还可以采用自对准工艺对栅绝缘层和栅极进行刻蚀，以提高制作精度。
可选的，在S403、采用同一掩膜板对栅绝缘薄膜和栅金属薄膜进行曝光、显影、刻蚀的步骤之后，执行S302、对待导体化的第二电容电极和待导体化部进行导体化的步骤。这样，在进行导体化时，由于栅绝缘层和栅极的保护作用，使得有源层的半导体部免受影响。
S04、形成栅极还包括：
在S302、对待导体化的第二电容电极和待导体化部进行导体化之后，S404、剥离栅极上的光刻胶。这样，在进行导体化时，由于光刻胶的保护作用，使得栅极免受影响。
可选的，阳极还位于非发光区，显示基板还包括：位于第二电容电极和阳极之间且互不交叠的第一连接电极、第二连接电极、源极和漏极。
在S04、形成栅极之后、且在S05、形成阳极之前，上述方法还包括：
S07、采用一次构图工艺形成互不交叠的第一连接电极、第二连接电极、源极和漏极。这样可以减少构图次数，降低成本。
可选的，显示基板还包括：位于第二电容电极和阳极之间的层间介质层。
那么，在S04、形成栅极之后，且在S07、形成第一连接电极和第二连接电极之前，上述方法还包括：
S08、形成层间介质层，层间介质层位于发光区和非发光区，且覆盖第二电容电极、栅极和有源层。这里层间介质层的材料不做限定，可以是氧化物、氮化物或者氧氮化合物等。
S09、形成贯穿层间介质层和缓冲层的第一过孔，以及贯穿层间介质层的第二过孔、第四过孔和第五过孔。
其中，第一连接电极通过第一过孔与第一电容电极电连接，第一连接电极通过第二过孔与有源层电连接，第二连接电极通过第四过孔与栅极电连接，第二连接电极通过第五过孔与第二电容电极电连接。
通过上述制备方法形成的显示基板，可以实现第一电容电极和有源层电连接，以及第二电容电极与栅极电连接。该种方法简单易实现。
可选的，显示基板还包括：位于阳极和层间介质层之间的绝缘层。
那么，在S07、形成第一连接电极和第二连接电极之后、且在S05、形成阳极之前，上述方法还包括：
S10、形成绝缘层，绝缘层位于发光区和非发光区，且至少覆盖层间介质层、第一连接电极和第二连接电极。需要说明的是，源极、漏极、第一连接电极和第二连接电极同层设置，绝缘层还覆盖源极、漏极。
S11、形成贯穿绝缘层的第三过孔。
S05、形成阳极包括：
在绝缘层之上形成阳极；其中，阳极通过第三过孔与第一连接电极连接。
通过上述制备方法形成的显示基板，可以进一步实现阳极与第一连接电极连接，从而实现第一电容电极、有源层和阳极三者电连接。该种方法简单易实现。
下面以图2所示的显示基板的结构为例，具体说明其制备方法。图2中，显示基板的有源层为金属氧化物有源层，包括半导体部、位于半导体部左侧的导体化部和位于半导体部右侧的导体化部。图2所示的显示基板应用于底发射的显示面板中。
该制备方法包括：
S100、形成衬底，该衬底为可透光材料，例如：玻璃等材料。
S101、在衬底之上形成遮光层，遮光层位于非发光区。
S102、在衬底之上形成第一电容电极，第一电容电极覆盖遮光层、且位于发光区和非发光区。
S103、形成缓冲层，缓冲层覆盖第一电容电极和遮光层、且位于发光区和非发光区。
S104、采用一次构图工艺在缓冲层之上形成互不交叠的待导体化的第二电容电极和待导体化的有源层，待导体化的有源层包括半导体部、位于半导体部两侧且与半导体部相接的待导体化部。其中，有源层在衬底上的投影位于遮光层在衬底上的投影以内。
S105、在有源层之上形成栅绝缘薄膜。
S106、在栅绝缘薄膜之上形成栅金属薄膜。
S107、在栅金属薄膜之上涂覆光刻胶。
S108、采用同一掩膜板对栅绝缘薄膜和栅金属薄膜进行曝光、显影、刻蚀。
S109、对待导体化的第二电容电极和待导体化部进行导体化。
S110、剥离栅极上的光刻胶；从而形成如图5的显示基板。
S111、形成层间介质层，层间介质层位于发光区和非发光区，且覆盖第二电容电极、栅极和有源层。
S112、形成贯穿层间介质层和缓冲层的第一过孔，以及贯穿层间介质层的第二过孔、第四过孔和第五过孔。
S113、采用一次构图工艺形成互不交叠的第一连接电极和第二连接电极、源极和漏极；源极和漏极均位于非发光区、且分别与有源层电连接。第一连接电极通过第一过孔与第一电容电极电连接，第一连接电极通过第二过孔与有源层电连接，第二连接电极通过第四过孔与栅极电连接，第二连接电极通过第五过孔与第二电容电极电连接。从而形成如图6所示的显示基板，图6中未绘示源极和漏极。
S114、形成绝缘层，绝缘层位于发光区和非发光区，且覆盖层间介质层、第一连接电极、第二连接电极、源极和漏极。
S115、形成贯穿绝缘层的第三过孔。
S116、在绝缘层之上形成阳极，阳极位于发光区和非发光区，通过第三过孔与第一连接电极连接。从而形成如图2所示的显示基板。
需要说明的是，若上述显示基板的OLED发光单元采用的是WOLED结构(即每个OLED发光单元发出的光为白色)，则在S114、形成绝缘层之后，且在S116、在绝缘层之上形成阳极之前，上述制备方法还包括：
S117、在绝缘层之上依次形成彩膜层(图7中标记43)、覆盖彩膜层的树脂绝缘层(Resin层，图7中标记44)。OLED发光单元发出的白光经过彩膜层后，可以转换成彩色，例如：红色、绿色或者蓝色。上述阳极通过贯穿树脂绝缘层和绝缘层的过孔与第一连接电极连接。该种显示基板的结构如图7所示。
本发明实施例中涉及的各膜层的结构、材料等相关内容可以参考实施例一，此处不再赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种显示基板，包括显示区，所述显示区包括阵列排布的多个发光区和位于相邻所述发光区之间的非发光区；
所述显示基板还包括：
第一电容电极，所述第一电容电极至少位于所述发光区；
缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一电容电极、且位于所述发光区和所述非发光区；
第二电容电极和有源层，互不交叠设置于所述缓冲层之上，所述有源层位于所述非发光区；
栅极，位于所述有源层之上与所述有源层绝缘、且位于所述非发光区，所述第二电容电极与所述栅极电连接；
阳极，位于所述第二电容电极和所述栅极之上、且与所述第二电容电极及所述栅极绝缘，所述阳极至少位于所述发光区，所述第一电容电极、所述有源层和所述阳极三者电连接；
其中，所述第一电容电极、所述缓冲层和所述第二电容电极形成存储电容；
其中，所述第二电容电极和所述阳极之间存在层间介质层，所述缓冲层中用于形成所述存储电容的部分的厚度小于所述层间介质层中用于覆盖所述存储电容的部分的厚度；
位于所述层间介质层和所述阳极之间且互不交叠的第一连接电极和第二连接电极，所述第二连接电极位于所述发光区和所述非发光区；
第四过孔，所述第四过孔贯穿所述层间介质层，所述第二连接电极通过所述第四过孔与所述栅极电连接；
第五过孔，所述第五过孔贯穿所述层间介质层，所述第二连接电极通过所述第五过孔与所述第二电容电极电连接；
所述阳极的正投影包括所述第二连接电极、所述第四过孔和所述第五过孔。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电容电极还位于所述非发光区，所述第二电容电极位于所述发光区，所述阳极还位于所述非发光区，所述有源层的材料为金属氧化物；
所述显示基板还包括：
位于所述第二电容电极和所述阳极之间的层间介质层，所述层间介质层位于所述发光区和所述非发光区，且覆盖所述第二电容电极、所述栅极和所述有源层；
所述第一电容电极、所述有源层和所述阳极通过所述第一连接电极电连接，所述第二电容电极和所述栅极通过所述第二连接电极电连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一连接电极至少位于所述非发光区；
所述显示基板还包括：
位于所述阳极和所述层间介质层之间的绝缘层，所述绝缘层位于所述发光区和所述非发光区，且至少覆盖所述层间介质层、所述第一连接电极和所述第二连接电极；
第一过孔，所述第一过孔贯穿所述层间介质层和所述缓冲层，所述第一连接电极通过所述第一过孔与所述第一电容电极电连接；
第二过孔，所述第二过孔贯穿所述层间介质层，所述第一连接电极通过所述第二过孔与所述有源层电连接；
第三过孔，所述第三过孔贯穿所述绝缘层，所述第一连接电极通过所述第三过孔与所述阳极电连接。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
位于所述层间介质层和所述阳极之间的源极和漏极，所述源极、所述漏极、所述第一连接电极和所述第二连接电极同层设置且互不交叠，所述源极和所述漏极均位于所述非发光区、且分别与所述有源层电连接。
5.根据权利要求1－4任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一电容电极还位于所述非发光区；
所述显示基板还包括：
衬底；
位于所述衬底和所述第一电容电极之间的遮光层，所述遮光层位于非发光区，所述有源层在所述衬底上的投影位于所述遮光层在所述衬底上的投影以内，且所述第一电容电极覆盖所述遮光层。
6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1－5任一项所述的显示基板。
7.一种如权利要求1－5任一项所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括显示区，所述显示区包括阵列排布的多个发光区和位于相邻所述发光区之间的非发光区；
所述方法包括：
形成第一电容电极，所述第一电容电极至少位于所述发光区；
形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一电容电极、且位于所述发光区和所述非发光区；
在所述缓冲层之上形成互不交叠的第二电容电极和有源层，所述有源层位于所述非发光区；
形成栅极，所述栅极位于所述有源层之上、且位于所述非发光区，所述第二电容电极与所述栅极电连接；
形成阳极，所述阳极位于所述第二电容电极和所述栅极之上且至少位于所述发光区，所述第一电容电极、所述有源层和所述阳极三者电连接；
其中，所述第一电容电极、所述缓冲层和所述第二电容电极形成存储电容；
其中，所述第二电容电极和所述阳极之间存在层间介质层，所述缓冲层中用于形成所述存储电容的部分的厚度小于所述层间介质层中用于覆盖所述存储电容的部分的厚度；
位于所述层间介质层和所述阳极之间且互不交叠的第一连接电极和第二连接电极，所述第二连接电极位于所述发光区和所述非发光区；
第四过孔，所述第四过孔贯穿所述层间介质层，所述第二连接电极通过所述第四过孔与所述栅极电连接；
第五过孔，所述第五过孔贯穿所述层间介质层，所述第二连接电极通过所述第五过孔与所述第二电容电极电连接；
所述阳极的正投影包括所述第二连接电极、所述第四过孔和所述第五过孔。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第二电容电极位于所述发光区，所述有源层的材料为金属氧化物；
所述在所述缓冲层之上形成互不交叠的第二电容电极和有源层包括：
采用一次构图工艺在所述缓冲层之上形成互不交叠的待导体化的第二电容电极和待导体化的有源层，所述待导体化的有源层包括半导体部、位于所述半导体部两侧且与所述半导体部相接的待导体化部；
对所述待导体化的第二电容电极和所述待导体化部进行导体化，形成所述第二电容电极和所述有源层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述有源层和所述栅极之间的栅绝缘层；
在所述形成栅极之前，所述方法还包括：
形成栅绝缘层，所述栅绝缘层位于所述有源层之上；
所述形成栅绝缘层包括：
形成栅绝缘薄膜；
所述形成所述栅极包括：
在所述栅绝缘薄膜之上形成栅金属薄膜；
在所述栅金属薄膜之上涂覆光刻胶；
采用同一掩膜板对所述栅绝缘薄膜和所述栅金属薄膜进行曝光、显影、刻蚀，形成所述栅绝缘层和所述栅极。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，
在采用同一掩膜板对所述栅绝缘薄膜和所述栅金属薄膜进行曝光、显影、刻蚀的步骤之后，执行对所述待导体化的第二电容电极和所述待导体化部进行导体化的步骤；
所述形成所述栅极还包括：
在对所述待导体化的第二电容电极和所述待导体化部进行导体化之后，剥离所述栅极上的光刻胶。
11.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述阳极还位于所述非发光区，所述显示基板还包括：位于所述第二电容电极和所述阳极之间且互不交叠的第一连接电极、第二连接电极、源极和漏极；
在形成所述栅极之后、且在形成所述阳极之前，所述方法还包括：
采用一次构图工艺形成互不交叠的所述第一连接电极、所述第二连接电极、所述源极和所述漏极。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述第二电容电极和所述阳极之间的层间介质层；
在形成所述栅极之后、且在形成所述第一连接电极和所述第二连接电极之前，所述方法还包括：
形成所述层间介质层，所述层间介质层位于所述发光区和所述非发光区，且覆盖所述第二电容电极、所述栅极和所述有源层；
形成贯穿所述层间介质层和所述缓冲层的第一过孔，以及贯穿所述层间介质层的第二过孔、第四过孔和第五过孔；
其中，所述第一连接电极通过所述第一过孔与所述第一电容电极电连接，所述第一连接电极通过所述第二过孔与所述有源层电连接，所述第二连接电极通过所述第四过孔与所述栅极电连接，所述第二连接电极通过所述第五过孔与所述第二电容电极电连接。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述阳极和所述层间介质层之间的绝缘层；
在形成所述第一连接电极和所述第二连接电极之后、且在形成所述阳极之前，所述方法还包括：
形成所述绝缘层，所述绝缘层位于所述发光区和所述非发光区，且至少覆盖所述层间介质层、所述第一连接电极和所述第二连接电极；
形成贯穿所述绝缘层的第三过孔；
所述形成阳极包括：
在所述绝缘层之上形成所述阳极；其中，所述阳极通过所述第三过孔与所述第一连接电极连接。
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