JP2010212672A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (8)

1. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の、酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の、シリコン又はゲルマニウムを含む層と、
   前記酸化物半導体層上の、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、前記シリコン又はゲルマニウムを含む層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の、酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の、シリコンを含む層と、
   前記酸化物半導体層上の、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、前記シリコンを含む層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の、酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の、ゲルマニウムを含む層と、
   前記酸化物半導体層上の、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、前記ゲルマニウムを含む層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１において、
   前記酸化物半導体層は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接する領域を有し、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接する領域は、前記シリコン又はゲルマニウムを含む層と接する領域よりも抵抗が低いことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項２において、
   前記酸化物半導体層は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接する領域を有し、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接する領域は、前記シリコンを含む層と接する領域よりも抵抗が低いことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項３において、
   前記酸化物半導体層は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接する領域を有し、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接する領域は、前記ゲルマニウムを含む層と接する領域よりも抵抗が低いことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極との間に、金属酸化物層を有することを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。