JP2011100980A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. ゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、
   前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及びドレイン電極層上に設けられ、前記酸化物半導体層の一部と接する酸化シリコン層と、を有し、
   前記酸化物半導体層と前記酸化シリコン層の界面に混合領域が設けられ、
   前記混合領域は、酸素、シリコン、及び前記酸化物半導体層に含まれる金属元素を少なくとも一種類以上含むことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、前記混合領域は膜厚１ｎｍ乃至１０ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
3. ゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、
   前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及びドレイン電極層上に設けられ、前記酸化物半導体層の一部と接する酸化シリコン層と、を有し、
   前記酸化シリコン層は、欠陥を含むことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、前記酸化シリコン層を覆う保護絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、又は亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。