JP2010212671A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上に設けられた酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層の表面に接して設けられた、シリコンを含む層と、
   前記酸化物半導体層上に設けられたソース電極と、
   前記酸化物半導体層上に設けられたドレイン電極と、
   前記酸化物半導体層と前記ソース電極との間に設けられた、ｎ型の導電性を示す第１の領域と、
   前記酸化物半導体層と前記ドレイン電極との間に設けられた、ｎ型の導電性を示す第２の領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上に設けられた酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層の表面に接して設けられたシリコンを含む層と、
   前記酸化物半導体層上に設けられたソース電極と、
   前記酸化物半導体層上に設けられたドレイン電極と、
   前記酸化物半導体層と前記ソース電極との間に設けられた、ｎ型の導電性を示す第１の領域と、
   前記酸化物半導体層と前記ドレイン電極との間に設けられた、ｎ型の導電性を示す第２の領域と、を有し、
   前記シリコンを含む層は、前記ソース電極または前記ドレイン電極と重なる第３の領域と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と重ならない第４の領域とを有し、
   前記第４の領域における前記シリコンを含む層の厚さは、前記第３の領域における前記シリコンを含む層の厚さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記シリコンを含む層は、ｉ型であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、インジウム、亜鉛又はガリウムのうちの少なくとも一を含むことを特徴とする半導体装置。