JP2010212671A5 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010212671A5
JP2010212671A5 JP2010027582A JP2010027582A JP2010212671A5 JP 2010212671 A5 JP2010212671 A5 JP 2010212671A5 JP 2010027582 A JP2010027582 A JP 2010027582A JP 2010027582 A JP2010027582 A JP 2010027582A JP 2010212671 A5 JP2010212671 A5 JP 2010212671A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide semiconductor
semiconductor layer
layer
region
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010027582A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5593085B2 (ja
JP2010212671A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010027582A priority Critical patent/JP5593085B2/ja
Priority claimed from JP2010027582A external-priority patent/JP5593085B2/ja
Publication of JP2010212671A publication Critical patent/JP2010212671A/ja
Publication of JP2010212671A5 publication Critical patent/JP2010212671A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5593085B2 publication Critical patent/JP5593085B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (4)

  1. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上に設けられた酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層の表面に接して設けられた、シリコンを含む層と、
    前記酸化物半導体層上に設けられたソース電極と、
    前記酸化物半導体層上に設けられたドレイン電極と、
    前記酸化物半導体層と前記ソース電極との間に設けられた、n型の導電性を示す第1の領域と、
    前記酸化物半導体層と前記ドレイン電極との間に設けられた、n型の導電性を示す第2の領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
  2. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上に設けられた酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層の表面に接して設けられたシリコンを含む層と、
    前記酸化物半導体層上に設けられたソース電極と、
    前記酸化物半導体層上に設けられたドレイン電極と、
    前記酸化物半導体層と前記ソース電極との間に設けられた、n型の導電性を示す第1の領域と、
    前記酸化物半導体層と前記ドレイン電極との間に設けられた、n型の導電性を示す第2の領域と、を有し、
    前記シリコンを含む層は、前記ソース電極または前記ドレイン電極と重なる第3の領域と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と重ならない第4の領域とを有し、
    前記第4の領域における前記シリコンを含む層の厚さは、前記第3の領域における前記シリコンを含む層の厚さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項1または請求項2において、
    前記シリコンを含む層は、i型であることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一において、
    前記酸化物半導体層は、インジウム、亜鉛又はガリウムのうちの少なくとも一を含むことを特徴とする半導体装置。
JP2010027582A 2009-02-13 2010-02-10 半導体装置 Active JP5593085B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010027582A JP5593085B2 (ja) 2009-02-13 2010-02-10 半導体装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009030968 2009-02-13
JP2009030968 2009-02-13
JP2010027582A JP5593085B2 (ja) 2009-02-13 2010-02-10 半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014156336A Division JP5913473B2 (ja) 2009-02-13 2014-07-31 半導体装置、及び、半導体装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010212671A JP2010212671A (ja) 2010-09-24
JP2010212671A5 true JP2010212671A5 (ja) 2013-03-14
JP5593085B2 JP5593085B2 (ja) 2014-09-17

Family

ID=42559107

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010027582A Active JP5593085B2 (ja) 2009-02-13 2010-02-10 半導体装置
JP2014156336A Active JP5913473B2 (ja) 2009-02-13 2014-07-31 半導体装置、及び、半導体装置の作製方法
JP2016049130A Expired - Fee Related JP6109367B2 (ja) 2009-02-13 2016-03-14 半導体装置、及び、半導体装置の作製方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014156336A Active JP5913473B2 (ja) 2009-02-13 2014-07-31 半導体装置、及び、半導体装置の作製方法
JP2016049130A Expired - Fee Related JP6109367B2 (ja) 2009-02-13 2016-03-14 半導体装置、及び、半導体装置の作製方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8247812B2 (ja)
JP (3) JP5593085B2 (ja)
KR (1) KR101635624B1 (ja)
CN (1) CN101840937B (ja)
TW (1) TWI479656B (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101840936B (zh) * 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
US8278657B2 (en) * 2009-02-13 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
WO2011027649A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
CN104867982B (zh) * 2009-10-30 2018-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US20120001179A1 (en) * 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8835917B2 (en) * 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
JP5624628B2 (ja) * 2010-11-10 2014-11-12 株式会社日立製作所 半導体装置
JP2012119664A (ja) * 2010-11-12 2012-06-21 Kobe Steel Ltd 配線構造
KR20120059855A (ko) * 2010-12-01 2012-06-11 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US8716708B2 (en) 2011-09-29 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102128369B1 (ko) * 2011-09-29 2020-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US20130087784A1 (en) * 2011-10-05 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI483344B (zh) * 2011-11-28 2015-05-01 Au Optronics Corp 陣列基板及其製作方法
KR101976133B1 (ko) * 2012-11-20 2019-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
CN104752517A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法和应用
US10396210B2 (en) * 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
CN104681632A (zh) 2015-03-26 2015-06-03 重庆京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、显示器件
KR20200145870A (ko) * 2019-06-10 2020-12-31 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR20210083023A (ko) 2019-12-26 2021-07-06 엘지디스플레이 주식회사 산화물 반도체층 및 실리콘 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치

Family Cites Families (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
EP0270323B1 (en) * 1986-11-29 1999-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacture of a thin-film transistor
GB2220792B (en) * 1988-07-13 1991-12-18 Seikosha Kk Silicon thin film transistor and method for producing the same
EP0445535B1 (en) 1990-02-06 1995-02-01 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming an oxide film
JPH03278469A (ja) * 1990-03-27 1991-12-10 Canon Inc 薄膜半導体装置
JP2598336B2 (ja) * 1990-09-21 1997-04-09 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JPH04275437A (ja) * 1991-03-04 1992-10-01 Nec Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP3255942B2 (ja) * 1991-06-19 2002-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法
JPH05175503A (ja) * 1991-10-23 1993-07-13 Kyocera Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2530990B2 (ja) * 1992-10-15 1996-09-04 富士通株式会社 薄膜トランジスタ・マトリクスの製造方法
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
KR100394896B1 (ko) 1995-08-03 2003-11-28 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 투명스위칭소자를포함하는반도체장치
US5847410A (en) 1995-11-24 1998-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co. Semiconductor electro-optical device
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
US7071037B2 (en) * 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
WO2003040441A1 (en) 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
US7012978B2 (en) * 2002-03-26 2006-03-14 Intel Corporation Robust multiple chain receiver
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP4620046B2 (ja) 2004-03-12 2011-01-26 独立行政法人科学技術振興機構 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
KR100911698B1 (ko) 2004-11-10 2009-08-10 캐논 가부시끼가이샤 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
KR100953596B1 (ko) 2004-11-10 2010-04-21 캐논 가부시끼가이샤 발광장치
US7601984B2 (en) 2004-11-10 2009-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor with amorphous oxide active layer containing microcrystals and gate electrode opposed to active layer through gate insulator
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI472037B (zh) 2005-01-28 2015-02-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
EP1998374A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5064747B2 (ja) 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101112655B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기
JP5386084B2 (ja) * 2005-11-18 2014-01-15 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
JP5250929B2 (ja) 2005-11-30 2013-07-31 凸版印刷株式会社 トランジスタおよびその製造方法
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
JP2007258675A (ja) * 2006-02-21 2007-10-04 Idemitsu Kosan Co Ltd Tft基板及び反射型tft基板並びにそれらの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
JP2007212699A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Idemitsu Kosan Co Ltd 反射型tft基板及び反射型tft基板の製造方法
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
JP2007250804A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP5110803B2 (ja) 2006-03-17 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
KR100763912B1 (ko) * 2006-04-17 2007-10-05 삼성전자주식회사 비정질 실리콘 박막트랜지스터 및 이를 구비하는 유기 발광디스플레이
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140984A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Sharp Corp 半導体素子、半導体素子の製造方法、及び表示装置
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR101410926B1 (ko) 2007-02-16 2014-06-24 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR100858088B1 (ko) 2007-02-28 2008-09-10 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR100851215B1 (ko) * 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP5172178B2 (ja) * 2007-03-15 2013-03-27 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ、それを用いた表示装置、及びそれらの製造方法
JP2008276211A (ja) * 2007-04-05 2008-11-13 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置およびパターニング方法
JP2008276212A (ja) * 2007-04-05 2008-11-13 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) * 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) * 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
JP2008310312A (ja) * 2007-05-17 2008-12-25 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置
KR101345376B1 (ko) * 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5339772B2 (ja) * 2007-06-11 2013-11-13 富士フイルム株式会社 電子ディスプレイ
JP5331389B2 (ja) * 2007-06-15 2013-10-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
KR20090002841A (ko) 2007-07-04 2009-01-09 삼성전자주식회사 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
KR101425131B1 (ko) * 2008-01-15 2014-07-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI834207B (zh) 2008-07-31 2024-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP5123141B2 (ja) * 2008-11-19 2013-01-16 株式会社東芝 表示装置
US8278657B2 (en) 2009-02-13 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
CN101840936B (zh) 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
KR101213708B1 (ko) 2009-06-03 2012-12-18 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010212671A5 (ja) 半導体装置
JP2013236072A5 (ja)
JP2010170110A5 (ja) 半導体装置
JP2010212672A5 (ja) 半導体装置
JP2011097103A5 (ja)
JP2010206190A5 (ja) 半導体装置
JP2010212673A5 (ja) 半導体装置
JP2011228695A5 (ja)
JP2011100980A5 (ja) 半導体装置
JP2011233880A5 (ja) 半導体装置
JP2010153828A5 (ja) 半導体装置
JP2013138191A5 (ja)
JP2011029635A5 (ja) 半導体装置
JP2010135772A5 (ja) 半導体装置
JP2011100997A5 (ja) 半導体装置
JP2014082388A5 (ja)
JP2013175716A5 (ja) 半導体装置
JP2011139054A5 (ja) 半導体装置
JP2014099429A5 (ja)
JP2012074692A5 (ja) 電界効果トランジスタ
JP2010226101A5 (ja) 半導体装置
JP2011222982A5 (ja) 半導体装置
JP2010157702A5 (ja) 半導体装置
JP2010206187A5 (ja) 半導体装置
JP2013236068A5 (ja) 半導体装置