JP2011228695A5 - - Google Patents
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- 第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、第１の金属酸化物膜と、第２の金属酸化物膜と、酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上方に前記第１の金属酸化物膜を有し、
前記第１の金属酸化物膜の上方に前記酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜の上方に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ソース電極の上方、前記ドレイン電極の上方、及び、前記酸化物半導体膜の上方に前記第２の金属酸化物膜を有し、
前記第２の金属酸化物膜の上方に前記第２の絶縁膜を有し、
前記第２の絶縁膜の上方に前記ゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。 - 第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、ガリウムと酸素とを有する第１の膜と、ガリウムと酸素とを有する第２の膜と、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを有する半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上方に前記第１の膜を有し、
前記第１の膜の上方に前記半導体膜を有し、
前記半導体膜の上方に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを有し、
前記ソース電極は、前記半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記半導体膜と接する領域を有し、
前記ソース電極の上方、前記ドレイン電極の上方、及び、前記半導体膜の上方に前記第２の膜を有し、
前記第２の膜の上方に前記第２の絶縁膜を有し、
前記第２の絶縁膜の上方に前記ゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。 - 第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、第１の金属酸化物膜と、第２の金属酸化物膜と、酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上方に前記第１の金属酸化物膜を有し、
前記第１の金属酸化物膜の上方に前記酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜の上方に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ソース電極の上方、前記ドレイン電極の上方、及び、前記酸化物半導体膜の上方に前記第２の金属酸化物膜を有し、
前記第２の金属酸化物膜の上方に前記第２の絶縁膜を有し、
前記第２の絶縁膜の上方に前記ゲート電極を有し、
前記第１の金属酸化物膜のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップよりも大きく、
前記第２の金属酸化物膜のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、ガリウムと酸素とを有する第１の膜と、ガリウムと酸素とを有する第２の膜と、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを有する半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上方に前記第１の膜を有し、
前記第１の膜の上方に前記半導体膜を有し、
前記半導体膜の上方に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを有し、
前記ソース電極は、前記半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記半導体膜と接する領域を有し、
前記ソース電極の上方、前記ドレイン電極の上方、及び、前記半導体膜の上方に前記第２の膜を有し、
前記第２の膜の上方に前記第２の絶縁膜を有し、
前記第２の絶縁膜の上方に前記ゲート電極を有し、
前記第１の膜のエネルギーギャップは、前記半導体膜のエネルギーギャップよりも大きく、
前記第２の膜のエネルギーギャップは、前記半導体膜のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011079327A JP5450498B2 (ja) | 2010-04-02 | 2011-03-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010086407 | 2010-04-02 | ||
| JP2010086407 | 2010-04-02 | ||
| JP2011079327A JP5450498B2 (ja) | 2010-04-02 | 2011-03-31 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013266447A Division JP5819393B2 (ja) | 2010-04-02 | 2013-12-25 | 半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011228695A JP2011228695A (ja) | 2011-11-10 |
| JP2011228695A5 true JP2011228695A5 (ja) | 2013-08-08 |
| JP5450498B2 JP5450498B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=44708582
Family Applications (9)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011079327A Active JP5450498B2 (ja) | 2010-04-02 | 2011-03-31 | 半導体装置 |
| JP2013266447A Active JP5819393B2 (ja) | 2010-04-02 | 2013-12-25 | 半導体装置 |
| JP2015193604A Active JP6049833B2 (ja) | 2010-04-02 | 2015-09-30 | 半導体装置 |
| JP2016226758A Withdrawn JP2017055134A (ja) | 2010-04-02 | 2016-11-22 | 半導体装置 |
| JP2018121896A Expired - Fee Related JP6537680B2 (ja) | 2010-04-02 | 2018-06-27 | 半導体装置 |
| JP2019104618A Expired - Fee Related JP6771618B2 (ja) | 2010-04-02 | 2019-06-04 | 半導体装置 |
| JP2020163227A Withdrawn JP2020205453A (ja) | 2010-04-02 | 2020-09-29 | 半導体装置 |
| JP2022107508A Active JP7416867B2 (ja) | 2010-04-02 | 2022-07-04 | 半導体装置 |
| JP2024000075A Pending JP2024026618A (ja) | 2010-04-02 | 2024-01-04 | 半導体装置 |
Family Applications After (8)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013266447A Active JP5819393B2 (ja) | 2010-04-02 | 2013-12-25 | 半導体装置 |
| JP2015193604A Active JP6049833B2 (ja) | 2010-04-02 | 2015-09-30 | 半導体装置 |
| JP2016226758A Withdrawn JP2017055134A (ja) | 2010-04-02 | 2016-11-22 | 半導体装置 |
| JP2018121896A Expired - Fee Related JP6537680B2 (ja) | 2010-04-02 | 2018-06-27 | 半導体装置 |
| JP2019104618A Expired - Fee Related JP6771618B2 (ja) | 2010-04-02 | 2019-06-04 | 半導体装置 |
| JP2020163227A Withdrawn JP2020205453A (ja) | 2010-04-02 | 2020-09-29 | 半導体装置 |
| JP2022107508A Active JP7416867B2 (ja) | 2010-04-02 | 2022-07-04 | 半導体装置 |
| JP2024000075A Pending JP2024026618A (ja) | 2010-04-02 | 2024-01-04 | 半導体装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (6) | US8502221B2 (ja) |
| JP (9) | JP5450498B2 (ja) |
| KR (7) | KR102196259B1 (ja) |
| CN (3) | CN102834922B (ja) |
| TW (5) | TWI675488B (ja) |
| WO (1) | WO2011122364A1 (ja) |
Families Citing this family (120)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101968855B1 (ko) * | 2009-06-30 | 2019-04-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
| KR101435970B1 (ko) | 2010-03-26 | 2014-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하는 방법 |
| US8884282B2 (en) | 2010-04-02 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN102834922B (zh) * | 2010-04-02 | 2016-04-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| US9196739B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film |
| US9190522B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor |
| US9147768B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film |
| WO2011122363A1 (en) | 2010-04-02 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8653514B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN102844847B (zh) | 2010-04-16 | 2015-09-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 沉积方法及半导体装置的制造方法 |
| KR101540039B1 (ko) | 2010-04-23 | 2015-07-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| WO2011132591A1 (en) | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2011132625A1 (en) | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| CN106057907B (zh) | 2010-04-23 | 2019-10-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
| KR101854421B1 (ko) | 2010-04-23 | 2018-05-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| WO2011158703A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2011158704A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN102959713B (zh) | 2010-07-02 | 2017-05-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| US8883555B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target |
| KR101932576B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
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| JP6053098B2 (ja) | 2011-03-28 | 2016-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9478668B2 (en) | 2011-04-13 | 2016-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
| KR101842538B1 (ko) * | 2011-05-26 | 2018-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치용 백플레인, 이를 포함하는 평판 표시 장치, 및 그 제조 방법 |
| SG11201504734VA (en) | 2011-06-17 | 2015-07-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9166055B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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| US9385238B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor using oxide semiconductor |
| TWI669760B (zh) * | 2011-11-30 | 2019-08-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI604609B (zh) | 2012-02-02 | 2017-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| KR102119914B1 (ko) | 2012-05-31 | 2020-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| CN104380473B (zh) | 2012-05-31 | 2017-10-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| KR102113160B1 (ko) | 2012-06-15 | 2020-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8901557B2 (en) | 2012-06-15 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6310194B2 (ja) | 2012-07-06 | 2018-04-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR20140009023A (ko) * | 2012-07-13 | 2014-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP6134598B2 (ja) | 2012-08-02 | 2017-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| EP2880690B1 (en) | 2012-08-03 | 2019-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device with oxide semiconductor stacked film |
| CN104584229B (zh) * | 2012-08-10 | 2018-05-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP6220597B2 (ja) | 2012-08-10 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR102171650B1 (ko) | 2012-08-10 | 2020-10-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US9245958B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9929276B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI469359B (zh) * | 2012-08-31 | 2015-01-11 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 薄膜電晶體基板與其製造方法、顯示器 |
| TW202422663A (zh) * | 2012-09-14 | 2024-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| TWI709244B (zh) | 2012-09-24 | 2020-11-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| WO2014046222A1 (en) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP6033045B2 (ja) * | 2012-10-17 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2014061762A1 (en) | 2012-10-17 | 2014-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2014061567A1 (en) * | 2012-10-17 | 2014-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
| US9865743B2 (en) | 2012-10-24 | 2018-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide layer surrounding oxide semiconductor layer |
| WO2014065343A1 (en) * | 2012-10-24 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI620323B (zh) | 2012-11-16 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6285150B2 (ja) | 2012-11-16 | 2018-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9263531B2 (en) * | 2012-11-28 | 2016-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device |
| TWI624949B (zh) | 2012-11-30 | 2018-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9153649B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device |
| JP6320009B2 (ja) * | 2012-12-03 | 2018-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
| WO2014103901A1 (en) | 2012-12-25 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP6329762B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2018-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9391096B2 (en) * | 2013-01-18 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9076825B2 (en) * | 2013-01-30 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
| TWI618252B (zh) * | 2013-02-12 | 2018-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9231111B2 (en) * | 2013-02-13 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9190527B2 (en) | 2013-02-13 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
| JP6250883B2 (ja) | 2013-03-01 | 2017-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR102153110B1 (ko) | 2013-03-06 | 2020-09-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체막 및 반도체 장치 |
| US9368636B2 (en) * | 2013-04-01 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers |
| TWI620324B (zh) | 2013-04-12 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9893192B2 (en) * | 2013-04-24 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102222344B1 (ko) | 2013-05-02 | 2021-03-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| CN105190902B (zh) | 2013-05-09 | 2019-01-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| DE102014019794B4 (de) | 2013-05-20 | 2024-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
| US9293599B2 (en) * | 2013-05-20 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US20150008428A1 (en) | 2013-07-08 | 2015-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP6018607B2 (ja) * | 2013-07-12 | 2016-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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-
2011
- 2011-03-11 CN CN201180017087.8A patent/CN102834922B/zh active Active
- 2011-03-11 KR KR1020207019908A patent/KR102196259B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-11 KR KR1020217021132A patent/KR102357169B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-11 KR KR1020187032197A patent/KR20180122756A/ko active Application Filing
- 2011-03-11 KR KR1020137011342A patent/KR101391964B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-11 WO PCT/JP2011/056493 patent/WO2011122364A1/en active Application Filing
- 2011-03-11 KR KR1020207036773A patent/KR102276768B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-11 KR KR1020127027963A patent/KR20130032304A/ko active Application Filing
- 2011-03-11 CN CN201610142653.2A patent/CN105810752B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-11 CN CN201910962585.8A patent/CN110620156A/zh active Pending
- 2011-03-11 KR KR1020207001495A patent/KR102134294B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-24 TW TW107106235A patent/TWI675488B/zh active
- 2011-03-24 TW TW106110593A patent/TWI624066B/zh active
- 2011-03-24 TW TW102115028A patent/TWI524523B/zh active
- 2011-03-24 TW TW104142716A patent/TWI589001B/zh active
- 2011-03-24 TW TW100110172A patent/TWI517388B/zh active
- 2011-03-29 US US13/074,582 patent/US8502221B2/en active Active
- 2011-03-31 JP JP2011079327A patent/JP5450498B2/ja active Active
-
2013
- 2013-07-31 US US13/955,151 patent/US9318613B2/en active Active
- 2013-12-25 JP JP2013266447A patent/JP5819393B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-30 JP JP2015193604A patent/JP6049833B2/ja active Active
-
2016
- 2016-04-12 US US15/096,350 patent/US20160225908A1/en not_active Abandoned
- 2016-11-22 JP JP2016226758A patent/JP2017055134A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-12-18 US US15/844,676 patent/US10608116B2/en active Active
-
2018
- 2018-06-27 JP JP2018121896A patent/JP6537680B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2019
- 2019-06-04 JP JP2019104618A patent/JP6771618B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2020
- 2020-03-27 US US16/831,934 patent/US11411121B2/en active Active
- 2020-09-29 JP JP2020163227A patent/JP2020205453A/ja not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-07-04 JP JP2022107508A patent/JP7416867B2/ja active Active
- 2022-08-05 US US17/881,676 patent/US20230021382A1/en active Pending
-
2024
- 2024-01-04 JP JP2024000075A patent/JP2024026618A/ja active Pending
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