TWI589001B - 半導體裝置 - Google Patents

半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI589001B
TWI589001B TW104142716A TW104142716A TWI589001B TW I589001 B TWI589001 B TW I589001B TW 104142716 A TW104142716 A TW 104142716A TW 104142716 A TW104142716 A TW 104142716A TW I589001 B TWI589001 B TW I589001B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
metal oxide
oxide semiconductor
oxide film
transistor
Prior art date
Application number
TW104142716A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201611297A (zh
Inventor
山崎舜平
Original Assignee
半導體能源研究所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 半導體能源研究所股份有限公司 filed Critical 半導體能源研究所股份有限公司
Publication of TW201611297A publication Critical patent/TW201611297A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI589001B publication Critical patent/TWI589001B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

半導體裝置
所公開的發明關於一種半導體裝置及半導體裝置的製造方法。
注意，在本發明說明中，半導體裝置指的是能夠藉由利用半導體特性而工作的所有裝置，因此電光裝置、半導體電路及電子設備都是半導體裝置。
近年來，利用形成在具有絕緣表面的基板上的半導體薄膜來構成電晶體的技術受到注目。該電晶體被廣泛地應用於電子裝置諸如積體電路(IC)、影像顯示裝置(顯示裝置)等。作為可以應用於電晶體的半導體薄膜，眾所周知矽類半導體材料。但是，作為其他材料，氧化物半導體受到注目。
例如，公開了作為電晶體的啟動層，使用電子載子濃度低於1018/cm3的包含銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)的非晶氧化物的電晶體(參照專利文獻1)。
雖然使用氧化物半導體的電晶體的工作速度比使用非晶矽的電晶體的工作速度快，且與使用多晶矽的電晶體相 比更容易製造，但是，已知使用氧化物半導體的電晶體具有電特性容易變動而導致其可靠性低的問題。例如，在光BT測試的前後，電晶體的臨界值電壓變動。針對於此，在專利文獻2及專利文獻3中公開了一種技術，其中為了抑制使用氧化物半導體的電晶體的臨界值電壓移動，利用設置在氧化物半導體層的上部面及下部面中的至少一個面的介面穩定化層來防止產生在氧化物半導體層的介面的電荷俘獲。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2006-165528號公報
[專利文獻2]日本專利申請公開第2010-16347號公報
[專利文獻3]日本專利申請公開第2010-16348號公報
但是，由於專利文獻2或專利文獻3所公開的電晶體將具有與閘極絕緣層及保護層同樣的性質的層用作介面穩定化層，而不能保持啟動層和介面之間的良好狀態，因此難以抑制產生在啟動層和介面穩定化層之間介面的電荷俘獲。特別是，當介面穩定化層和啟動層具有同等的帶隙時，容易發生電荷的積累。
因此，還不能說使用氧化物半導體的電晶體具有充分的可靠性。
鑒於上述問題，所公開的發明的目的之一是使包括氧化物半導體的半導體裝置具有穩定的電特性以使其具有高 可靠性。
所公開的發明的一個實施例的技術思想是：閘極絕緣膜或保護絕緣膜等的絕緣膜和用作啟動層的氧化物半導體膜不直接接觸，而在其間設置有與其接觸的金屬氧化物膜，並且該金屬氧化物膜由與氧化物半導體膜同樣種類的成分構成。也就是說，所公開的發明的一個實施例具備層疊有由與金屬氧化物膜及氧化物半導體膜不同的成分構成的絕緣膜、金屬氧化物膜及氧化物半導體膜的結構。在此，“與氧化物半導體膜同樣種類的成分”是指包含選自氧化物半導體膜的構成元素中的一種或多種金屬元素。
藉由具備這種疊層結構，可以充分地抑制因半導體裝置的工作等而可能產生的電荷等被俘獲到上述絕緣膜和氧化物半導體膜之間的介面。因如下機構而獲得該效果：藉由使由與氧化物半導體膜搭配的材料構成的金屬氧化物膜與氧化物半導體膜接觸，可以抑制因半導體裝置的工作等而可能產生的電荷等被俘獲到氧化物半導體膜和金屬氧化物膜之間的介面，而且藉由使能夠採用在介面形成電荷的俘獲中心的材料構成的絕緣膜與金屬氧化物膜接觸，可以在金屬氧化物膜和絕緣膜之間的介面俘獲上述電荷。
換言之，雖然當只使用金屬氧化物膜時，在產生大量的電荷的情況下難以抑制與氧化物半導體膜之間的介面的電荷俘獲，但是藉由以與金屬氧化物膜接觸的方式設置的絕緣膜，可以優先地在金屬氧化物膜和絕緣膜之間的介面俘獲電荷，來抑制氧化物半導體膜和金屬氧化物膜之間的 介面的電荷俘獲。像這樣，根據所公開的發明的一個實施例的效果起因於層疊有絕緣膜、金屬氧化物膜及氧化物半導體膜的結構，而該效果的性質與金屬氧化物膜和氧化物半導體膜的疊層結構所產生的效果的性質不同。
而且，因為能夠抑制氧化物半導體膜的介面的電荷俘獲，且使電荷的俘獲中心遠離氧化物半導體膜的上述效果，可以抑制半導體裝置的工作故障，並提高半導體裝置的可靠性。
注意，根據上述機構，金屬氧化物膜較佳具有充分的厚度。其原因是：當金屬氧化物膜薄時，有時被俘獲到金屬氧化物膜和絕緣膜之間的介面的電荷的影響增大。例如，較佳使金屬氧化物膜厚於氧化物半導體膜。
此外，由於以不阻礙源極電極及汲極電極和氧化物半導體膜之間的連接的方式形成具有絕緣性的金屬氧化物膜，因此與在源極電極或汲極電極和氧化物半導體膜之間存在金屬氧化物膜的情況相比，可以防止電阻的增大。因此，可以抑制電晶體的電特性的降低。
另外，當在薄膜形成製程中，因氧過剩或氧不足等而發生化學計量組成的偏差或形成電子給體的氫、水分的混入等時，氧化物半導體的導電率發生變化。對於使用氧化物半導體的電晶體，這種現象成為電特性變動的主要原因。因此，藉由意圖性地從氧化物半導體中去除氫、水分、羥基或氫化物(也稱為氫化合物)等的雜質，並且供應在雜質的去除製程的同時減少的作為構成氧化物半導體 的主要成分材料的氧，使氧化物半導體膜高純度化且在電性上i型(本質)化。
i型(本質)的氧化物半導體是指一種氧化物半導體，其中藉由以從氧化物半導體去除n型雜質的氫，並儘量不包含氧化物半導體的主要成分之外的雜質的方式進行高純度化，實現i型(本質)的氧化物半導體或無限趨近於i型(本質)的氧化物半導體。
此外，在使氧化物半導體膜i型化的製程中，也可以同時使由與氧化物半導體膜同樣種類的成分構成的金屬氧化物膜i型化。在所公開的發明的一個實施例中，設置在氧化物半導體膜的上部面及下部面的金屬氧化物膜較佳為其中充分地減少水分、氫等的雜質，並在電性上i型化的金屬氧化物膜。
具有高純度化的氧化物半導體膜的電晶體的電特性諸如臨界值電壓、導通電流等幾乎不呈現溫度依賴性。此外，由於光退化引起的電晶體特性的變動也少。
所公開的發明的一個實施例是一種半導體裝置，包括：絕緣膜；在絕緣膜上與該絕緣膜接觸的第一金屬氧化物膜；其一部分與第一金屬氧化物膜接觸的氧化物半導體膜；與氧化物半導體膜電連接的源極電極及汲極電極；其一部分與氧化物半導體膜接觸的第二金屬氧化物膜；在在第二金屬氧化物膜上與該第二金屬氧化物膜接觸的閘極絕緣膜；以及閘極絕緣膜上的閘電極。
在上述結構中，第一金屬氧化物膜及第二金屬氧化物 膜有時包括氧化物半導體膜的構成元素構成。第一金屬氧化物膜及第二金屬氧化物膜的能隙有時比氧化物半導體膜的能隙大。第一金屬氧化物膜及第二金屬氧化物膜的導帶底的能量有時比氧化物半導體膜的導帶底的能量高。
此外，在上述結構中，第一金屬氧化物膜及第二金屬氧化物膜有時包括氧化鎵。第一金屬氧化物膜的構成元素的比率有時與第二金屬氧化物膜的構成元素的比率相等。絕緣膜有時包括氧化矽。閘極絕緣膜有時包括氧化矽或氧化鉿。
此外，在上述結構中，有時以覆蓋源極電極及汲極電極且與第一金屬氧化物膜接觸的方式設置第二金屬氧化物膜。有時由第一金屬氧化物膜及第二金屬氧化物膜圍繞氧化物半導體膜。
此外，在上述結構中，有時通道長度方向上的氧化物半導體膜的側端部和通道長度方向上的第一金屬氧化物膜的側端部對準。有時通道長度方向上的氧化物半導體膜的側端部和通道長度方向上的第二金屬氧化物膜的側端部對準。
此外，在上述結構中，有時包括覆蓋閘極絕緣膜及閘電極的第二絕緣膜。在氧化物半導體膜的下方有時包括導電膜。
注意，在上述結構中，可以將由源極電極和汲極電極之間的間隔而決定的電晶體的通道長度L設定為10nm或以上且10μm或以下，例如設定為0.1μm至0.5μm。當 然，通道長度L也可以為1μm或以上。此外，也可以將通道寬度W設定為10nm或以上。
根據本發明的一個實施例，提供具有穩定的電特性的電晶體。
或者，根據本發明的一個實施例，提供具有電特性優良且可靠性高的電晶體的半導體裝置。
110‧‧‧電晶體
120‧‧‧電晶體
130‧‧‧電晶體
140‧‧‧電晶體
150‧‧‧電晶體
160‧‧‧電晶體
170‧‧‧電晶體
180‧‧‧電晶體
200‧‧‧基板
202‧‧‧絕緣膜
204‧‧‧金屬氧化物膜
206‧‧‧氧化物半導體膜
208a‧‧‧源極電極
208b‧‧‧汲極電極
210‧‧‧金屬氧化物膜
212‧‧‧金屬氧化物膜
214‧‧‧閘電極
2700‧‧‧電子書閱讀器
2701‧‧‧框體
2703‧‧‧框體
2705‧‧‧顯示部
2707‧‧‧顯示部
2711‧‧‧軸部
2721‧‧‧電源
2723‧‧‧操作鍵
2725‧‧‧揚聲器
2800‧‧‧框體
2801‧‧‧框體
2802‧‧‧顯示面板
2803‧‧‧揚聲器
2804‧‧‧麥克風
2805‧‧‧操作鍵
2806‧‧‧定位裝置
2807‧‧‧影像拍攝用透鏡
2808‧‧‧外部連接端子
2810‧‧‧太陽能電池
2811‧‧‧外部記憶槽
3001‧‧‧主體
3002‧‧‧框體
3003‧‧‧顯示部
3004‧‧‧鍵盤
3021‧‧‧主體
3022‧‧‧觸屏筆
3023‧‧‧顯示部
3024‧‧‧操作按鈕
3025‧‧‧外部介面
3051‧‧‧主體
3053‧‧‧取景器
3054‧‧‧操作開關
3055‧‧‧顯示部B
3056‧‧‧電池
3057‧‧‧顯示部A
4001‧‧‧基板
4002‧‧‧像素部
4003‧‧‧信號線驅動電路
4004‧‧‧掃描線驅動電路
4005‧‧‧密封材料
4006‧‧‧基板
4008‧‧‧液晶層
4010‧‧‧電晶體
4011‧‧‧電晶體
4013‧‧‧液晶元件
4015‧‧‧連接端子電極
4016‧‧‧端子電極
4018‧‧‧FPC
4018a‧‧‧FPC
4018b‧‧‧FPC
4019‧‧‧各向異性導電膜
4021‧‧‧絕緣層
4030‧‧‧電極層
4031‧‧‧電極層
4032‧‧‧絕緣膜
4033‧‧‧絕緣膜
4035‧‧‧間隔物
4510‧‧‧分隔壁
4511‧‧‧電致發光層
4513‧‧‧發光元件
4514‧‧‧填充材料
4612‧‧‧空洞
4613‧‧‧球形微粒
4614‧‧‧填充材料
4615a‧‧‧黑色區
4615b‧‧‧白色區
9600‧‧‧電視裝置
9601‧‧‧框體
9603‧‧‧顯示部
9605‧‧‧支架
在附圖中：圖1A至1C是示出半導體裝置的一個實施例的平面圖及截面圖；圖2是具有氧化物半導體膜及金屬氧化物膜的電晶體中的能帶圖；圖3A至3G是示出半導體裝置的一個實施例的圖；圖4A至4E是示出半導體裝置的製造製程的一例的圖；圖5A至5E是示出半導體裝置的製造製程的一例的圖；圖6A至6C是說明半導體裝置的一個實施例的圖；圖7是說明半導體裝置的一個實施例的圖；圖8是說明半導體裝置的一個實施例的圖；圖9是說明半導體裝置的一個實施例的圖；圖10A至10F是示出電子設備的圖。
下面，關於本發明的實施例參照附圖給予詳細的說明。但是，本發明不侷限於下述說明，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實，就是其模式和詳細內容可以被變換為各種各樣的形式。另外，本發明不應該被解釋為僅限於以下所示的實施例的記載內容。
注意，為方便起見，附加了第一、第二等序數詞，而其並不表示製程順序或疊層順序。此外，其在本發明說明中不表示用來特定發明的事項的固有名稱。
[實施例1]
在本實施例中，參照圖1A至圖5C說明半導體裝置及半導體裝置的製造方法的一個實施例。
〈半導體裝置的結構例〉
在圖1A至1C中，作為根據所公開的發明的一個實施例的半導體裝置的例子示出電晶體110的平面圖及截面圖。在此，圖1A是平面圖，圖1B及1C分別是根據圖1A中的A-B截面及C-D截面的截面圖。注意，在圖1A中，為了簡潔省略電晶體110的構成要素的一部分(例如，第二金屬氧化物膜210等)。
圖1A至1C所示的電晶體110在基板200上包括：絕緣膜202；第一金屬氧化物膜204；氧化物半導體膜206；源極電極208a；汲極電極208b；第二金屬氧化物膜 210；閘極絕緣膜212；以及閘電極214。
在圖1A至1C所示的電晶體中，以覆蓋源極電極208a及汲極電極208b，並與第一金屬氧化物膜204的一部分接觸的方式設置有第二金屬氧化物膜210。此外，在圖1A至1C中，第一金屬氧化物膜204和第二金屬氧化物膜210在沒有氧化物半導體膜206的區域中接觸。也就是說，氧化物半導體膜206被第一金屬氧化物膜204及第二金屬氧化物膜210圍繞。
在此，作為第一金屬氧化物膜204、第二金屬氧化物膜210，較佳使用由與氧化物半導體膜206同樣種類的成分構成的氧化物。明確而言，第一金屬氧化物膜204、第二金屬氧化物膜210是由選自氧化物半導體膜的構成元素中的一種或多種金屬元素的氧化物構成的膜。其原因是：因為這種材料與氧化物半導體膜206良好地搭配，所以藉由將這種材料用於第一金屬氧化物膜204、第二金屬氧化物膜210，可以保持與氧化物半導體膜之間的介面的良好狀態。換言之，藉由將上述材料用於第一金屬氧化物膜204、第二金屬氧化物膜210，可以抑制氧化物半導體膜和與其接觸的金屬氧化物膜的介面(在此，第一金屬氧化物膜204和氧化物半導體膜206之間的介面或第二金屬氧化物膜210和氧化物半導體膜206之間的介面)的電荷俘獲。
另外，因為第一金屬氧化物膜204和第二金屬氧化物膜210都是由與氧化物半導體膜同樣種類的成分構成的 膜，所以當採用第一金屬氧化物膜204和第二金屬氧化物膜210在沒有氧化物半導體膜206的區域中接觸的結構時，可以提高它們之間的黏合性。此外，更佳的是，第一金屬氧化物膜204的構成元素的比率和第二金屬氧化物膜210的構成元素的比率相等。
另外，因為將氧化物半導體膜206用作啟動層，所以第一金屬氧化物膜204及第二金屬氧化物膜210的能隙需要比氧化物半導體膜206的能隙大。此外，在第一金屬氧化物膜204和氧化物半導體膜206之間或在第二金屬氧化物膜210和氧化物半導體膜206之間，需要形成至少在室溫(20℃)下不使載子從氧化物半導體膜206流出的程度的能壘。例如，第一金屬氧化物膜204或第二金屬氧化物膜210的導帶底和氧化物半導體膜206的導帶底之間的能量差、或者第一金屬氧化物膜204或第二金屬氧化物膜210的價電子帶的上端部和氧化物半導體膜206的價電子帶的上端部之間的能量差較佳為0.5eV或以上，更佳為0.7eV或以上。此外，還較佳為1.5eV或以下。
明確而言，例如當將In-Ga-Zn-O類材料用於氧化物半導體膜206時，使用包含氧化鎵的材料等形成第一金屬氧化物膜204、第二金屬氧化物膜210，即可。另外，使氧化鎵和In-Ga-Zn-O類材料彼此接觸時的能壘在傳導帶一側大致為0.8eV，在價電子帶一側大致為0.9eV。
此外，將氧化鎵還表示為GaOx，且較佳設定氧量多於化學計量比的x的值。例如，較佳將x的值設定為1.4 或以上且2.0或以下，更佳將x的值設定為1.5或以上且1.8或以下。但是，藉由使氧化鎵膜中包含氫之外的雜質元素諸如釔等的第3族元素、鉿等的第4族元素、鋁等的第13族元素、矽等的第14族元素、氮等，也可以擴大氧化鎵的能隙來提高絕緣性。不包含雜質的氧化鎵膜的能隙為4.9eV，但是藉由使氧化鎵膜包含超過0原子%且20原子%或以下左右的上述雜質，可以將其能隙擴大為6eV左右。
注意，從減少電荷的發生源或俘獲中心的角度來看，較佳充分地減少金屬氧化物膜中的氫、水等的雜質。這個思想與減少氧化物半導體膜中的雜質的思想共通。
此外，作為絕緣膜202及閘極絕緣膜212，較佳使用如下材料，即藉由與第一金屬氧化物膜204、第二金屬氧化物膜210接觸，能夠在其介面形成電荷的俘獲中心。藉由將這種材料用於絕緣膜202及閘極絕緣膜212，電荷被俘獲到絕緣膜202和第一金屬氧化物膜204之間的介面或閘極絕緣膜212和第二金屬氧化物膜210之間的介面，從而可以充分地抑制第一金屬氧化物膜204和氧化物半導體膜206之間的介面的電荷俘獲或第二金屬氧化物膜210和氧化物半導體膜206之間的介面的電荷俘獲。但是，由於當在閘極絕緣膜212和第二金屬氧化物膜210之間的介面形成大量的電荷的俘獲中心時，反而可能會導致電晶體特性的惡化，因此，與氧化物半導體膜206和第二金屬氧化物膜210之間的介面相比，稍微容易形成電荷的俘獲中心 的程度可以說是較佳的。
明確而言，作為絕緣膜202及閘極絕緣膜212，使用氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、其混合材料等，即可。例如，當將包含氧化鎵的材料用於第一金屬氧化物膜204及第二金屬氧化物膜210時，作為絕緣膜202及閘極絕緣膜212，較佳使用氧化矽或氮化矽等。此外，因為與第一金屬氧化物膜204或第二金屬氧化物膜210接觸，所以絕緣膜202及閘極絕緣膜212的能隙較佳比第一金屬氧化物膜204及第二金屬氧化物膜210的能隙大。
注意，如果可以在絕緣膜202和第一金屬氧化物膜204之間的介面或在閘極絕緣膜212和第二金屬氧化物膜210之間的介面可以形成電荷的俘獲中心，則絕緣膜202及閘極絕緣膜212的材料不必侷限於上述材料。此外，也可以對絕緣膜202和第一金屬氧化物膜204之間的介面或閘極絕緣膜212和第二金屬氧化物膜210之間的介面進行形成電荷的俘獲中心的處理。作為這種處理，例如有電漿處理或元素的添加處理(離子植入等)。
在電晶體110上還可以設置有第二絕緣膜。此外，也可以在絕緣膜202、第一金屬氧化物膜204、第二金屬氧化物膜210、閘極絕緣膜212等中形成有開口，以使源極電極208a及汲極電極208b和佈線電連接。此外，在氧化物半導體膜206下方還可以具有第二閘電極。另外，較佳將氧化物半導體膜206加工為島狀，但是也可以不加工為島狀。
圖2是示出上述電晶體110，即從閘電極GE一側接合絕緣膜、金屬氧化物膜、氧化物半導體膜、金屬氧化物膜和絕緣膜的結構的能帶圖(模式圖)，並且EF是氧化物半導體膜的費米能級。在圖2中假定絕緣膜、金屬氧化物膜、氧化物半導體膜的理想狀態都為本質膜，並示出將氧化矽(SiOX)(帶隙Eg為8eV至9eV)用作絕緣膜，將氧化鎵(GaOX)(帶隙Eg為4.9eV)用作金屬氧化物膜，並將In-Ga-Zn-O類非單晶膜(帶隙Eg為3.15eV)用作氧化物半導體膜(OS)的情況。另外，氧化矽的真空能級和導帶底之間的能量差為0.95eV，氧化鎵的真空能級和導帶底之間的能量差為3.5eV，In-Ga-Zn-O類非單晶膜的真空能級和導帶底之間的能量差為4.3eV。
如圖2所示，在氧化物半導體膜的閘電極一側(通道一側)的氧化物半導體和金屬氧化物之間的介面有大約0.8eV及大約0.95eV的能壘。同樣地，在氧化物半導體膜的背通道一側(與閘電極相反一側)的氧化物半導體和金屬氧化物之間的介面也存在有大約0.8eV及大約0.95eV的能壘。因在氧化物半導體和金屬氧化物之間的介面有這種能壘阻礙載子在該介面移動，所以載子不從氧化物半導體中移動到金屬氧化物中，而在氧化物半導體中移動。如圖2所示，當以氧化物半導體膜被夾在其帶隙與氧化物半導體相比階段性地增大的材料(絕緣膜的帶隙比金屬氧化物膜的帶隙大)之間的方式設置氧化物半導體膜、金屬氧化物層及絕緣層時，可能能夠得到這些有益的結果。
圖3A至3G示出具有與電晶體110不同的結構的電晶體的截面結構。圖3A至3G示出底柵型的電晶體作為根據所公開的發明的一個實施例的電晶體。
圖3A所示的電晶體120包括：絕緣膜202；第一金屬氧化物膜204；氧化物半導體膜206；源極電極208a；汲極電極208b；第二金屬氧化物膜210；閘極絕緣膜212；以及閘電極214，這是圖3A所示的電晶體120與圖1A至1C所示的電晶體110的共同之處。電晶體120和電晶體110的不同之處在於氧化物半導體膜206與源極電極208a及汲極電極208b連接的位置。也就是說，在電晶體120中，氧化物半導體膜206在其下部與源極電極208a及汲極電極208b接觸。其他構成要素與圖1A至1C的電晶體110的構成要素相同。至於詳細內容，可以參照關於圖1A至1C的記載。
圖3B所示的電晶體130和圖3A所示的電晶體120的共同之處在於包括上述各種構成要素。電晶體130和電晶體120的不同之處在於絕緣膜202具有凸形狀，且第一金屬氧化物膜204及第二金屬氧化物膜210不完全地覆蓋氧化物半導體膜206。其他構成要素與圖3A同樣。
圖3C所示的電晶體140和圖3B所示的電晶體130的共同之處在於包括上述各種構成要素。電晶體140和電晶體130的不同之處在於絕緣膜202具有平坦的形狀，且第一金屬氧化物膜204具有凸形狀。另外，當基板200具有絕緣膜202的功能時，可以不設置絕緣膜202。其他構 成要素與圖3B同樣。
圖3D至3G所示的電晶體150、電晶體160、電晶體170、電晶體180和圖1A至1C以及圖3A至3C所示的電晶體110、電晶體120、電晶體130、電晶體140的共同之處在於包括上述各種構成要素。它們不同之處在於第一金屬氧化物膜204或第二金屬氧化物膜210是否被加工為島狀。其他構成要素與圖1A至1C以及圖3A至3C同樣。
〈電晶體的製造製程的例子〉
下面，參照圖4A至4E以及圖5A至5C說明圖1A至1C或圖3A所示的電晶體的製造製程的例子。
〈電晶體110的製造製程〉
參照圖4A至4E說明圖1A至1C所示的電晶體110的製造製程的一例。另外，除了根據氧化物半導體膜206的形狀加工第一金屬氧化物膜204等之外，圖3D所示的電晶體150的製造製程與電晶體110的製造製程相同。
首先，在形成基板200上形成絕緣膜202，並且在絕緣膜202上與其接觸地設置第一金屬氧化物膜204(參照圖4A)。
儘管對基板200的材質等沒有很大的限制，但是該基板至少需要具有能夠承受後面的熱處理程度的耐熱性。例如，作為基板200，可以使用玻璃基板、陶瓷基板、石英 基板、藍寶石基板等。另外，也可以應用矽或碳化矽等的單晶半導體基板、多晶半導體基板、矽鍺等的化合物半導體基板、SOI基板等，並且也可以將在這些基板上設置有半導體元件的基板用作基板200。
此外，作為基板200，也可以使用撓性基板。當在撓性基板上設置電晶體時，既可以在撓性基板上直接組裝電晶體，也可以在其他基板上形成電晶體，然後剝離該電晶體而將其轉置到撓性基板上。另外，為了剝離電晶體而將它轉置到撓性基板上，較佳在上述其他基板和電晶體之間形成分離層。
作為絕緣膜202，較佳使用藉由與第一金屬氧化物膜204接觸，會在其介面形成電荷的俘獲中心的材料。藉由將這種材料用於絕緣膜202，電荷被俘獲到絕緣膜202和第一金屬氧化物膜204之間的介面，從而可以充分地抑制第一金屬氧化物膜204和氧化物半導體膜206之間的介面的電荷俘獲。
明確而言，作為絕緣膜202，使用氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、這些的混合材料等來形成，即可。例如，當將包含氧化鎵的材料用於第一金屬氧化物膜204時，作為絕緣膜202較佳使用氧化矽、氮化矽等。此外，因為與第一金屬氧化物膜204接觸，所以絕緣膜202的能隙較佳比第一金屬氧化物膜204的能隙大。
注意，如果在絕緣膜202和第一金屬氧化物膜204之間的介面可以形成電荷的俘獲中心，則絕緣膜202的材料 不必侷限於上述材料。此外，也可以對絕緣膜202和第一金屬氧化物膜204之間的介面進行形成電荷的俘獲中心的處理。作為這種處理，例如有電漿處理或元素的添加處理(離子植入等)。
對於絕緣膜202的製造方法沒有特別的限制，例如可以使用電漿CVD法或濺射法等的成膜方法製造絕緣膜202。此外，絕緣膜202可以採用包括上述材料的絕緣膜的單層結構或疊層結構。
當作為基板200，使用包括如上所述的絕緣材料的基板時，可以將基板200用作絕緣膜202。也就是說，也可以省略在此關於的絕緣膜202。在此情況下，作為基板200，更最好採用使用氧化矽等的材料。
作為第一金屬氧化物膜204，較佳使用由與氧化物半導體膜206同樣種類的成分構成的氧化物。其原因是：因為這種材料與氧化物半導體膜206良好地搭配，所以藉由將這種材料用於第一金屬氧化物膜204，可以保持與氧化物半導體膜之間的介面的良好狀態。換言之，藉由將上述材料用於第一金屬氧化物膜204，可以抑制氧化物半導體膜及與其接觸的金屬氧化物膜之間的介面(在此，第一金屬氧化物膜204和氧化物半導體膜206之間的介面)的電荷俘獲。
另外，因為將氧化物半導體膜206用作啟動層，所以第一金屬氧化物膜204的能隙需要比氧化物半導體膜206的能隙大。此外，在第一金屬氧化物膜204和氧化物半導 體膜206之間，需要形成至少在室溫(20℃)下不使載子從氧化物半導體膜206流出的程度的能壘。例如，第一金屬氧化物膜204的導帶底和氧化物半導體膜206的導帶底之間的能量差或第一金屬氧化物膜204的價電子帶的上端部和氧化物半導體膜206的價電子帶的上端部之間的能量差較佳為0.5eV或以上，更佳為0.7eV或以上。此外，較佳為1.5eV或以下。
注意，從減少電荷的發生源或俘獲中心的角度來看，較佳充分地減少金屬氧化物膜中的氫、水等的雜質。這個思想與減少氧化物半導體膜中的雜質的思想共通。
對於第一金屬氧化物膜204的製造方法，沒有特別的限制。例如，可以藉由電漿CVD法或濺射法等的成膜方法製造第一金屬氧化物膜204。注意，從氫、水分等不容易混入的角度來看，濺射法等是合適的。另一方面，從提高膜的品質的角度來看，電漿CVD法等是合適的。
接著，在第一金屬氧化物膜204上形成氧化物半導體膜，然後對該氧化物半導體膜進行加工來形成島狀的氧化物半導體膜206(參照圖4B)。
較佳藉由不容易混入氫、水等的方法製造氧化物半導體膜。例如，可以藉由濺射法等製造氧化物半導體膜。此外，較佳將氧化物半導體膜的厚度設定為3nm或以上且30nm或以下。其原因是：如果將氧化物半導體膜形成為得厚(例如，厚度為50nm或以上)，則有電晶體成為常導通狀態的憂慮。另外，較佳的是，以不接觸大氣的方式 連續地形成絕緣膜202、第一金屬氧化物膜204及氧化物半導體膜。
作為用於氧化物半導體膜的材料，可以使用四元金屬氧化物的In-Sn-Ga-Zn-O類；三元金屬氧化物的In-Ga-Zn-O類、In-Sn-Zn-O類、In-Al-Zn-O類、Sn-Ga-Zn-O類、Al-Ga-Zn-O類、Sn-Al-Zn-O類；二元金屬氧化物的In-Zn-O類、Sn-Zn-O類、Al-Zn-O類、Zn-Mg-O類、Sn-Mg-O類、In-Mg-O類、In-Ga-O類；單元金屬氧化物的In-O類、Sn-O類、Zn-O類等。此外，也可以使上述材料包含SiO2。在此，例如，In-Ga-Zn-O類材料是指含有銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)的氧化物膜，對其組成比沒有特別的限制。此外，也可以包含In、Ga及Zn以外的元素。
另外，作為氧化物半導體膜，可以採用使用由化學式InMO3(ZnO)m(m>0)表示的材料的薄膜。在此，M表示選自Ga、Al、Mn及Co中的一種或多種金屬元素。例如，作為M，可以使用Ga、Ga及Al、Ga及Mn或Ga及Co等。
在本實施例中，藉由使用In-Ga-Zn-O類氧化物半導體膜的成膜用靶材的濺射法，形成氧化物半導體膜。
當將In-Ga-Zn-O類材料用作氧化物半導體使用時，作為所使用的靶材，例如可以舉出其組成比為In2O3：Ga2O3：ZnO=1：1：1[摩爾比]的氧化物半導體膜的成膜用靶材。另外，靶材的材料及組成不侷限於上述記載。例如 也可以使用In2O3：Ga2O3：ZnO=1：1：2[摩爾比]的組成比的氧化物半導體的成膜用靶材。
此外，當作為氧化物半導體使用In-Zn-O類材料時，將所使用的靶材的組成比設定為原子數比為In：Zn=50：1至1：2(換算為摩爾比則為In2O3：ZnO=25：1至1：4)，較佳為In：Zn=20：1至1：1(換算為摩爾比則為In2O3：ZnO=10：1至1：2)，更佳為In：Zn=15：1至1.5：1(換算為摩爾比則為In2O3：ZnO=15：2至3：4)。例如，作為用於In-Zn-O類氧化物半導體的形成的靶材，當原子數比為In：Zn：O=X：Y：Z時，滿足Z>1.5X+Y的關係。
氧化物靶材的填充率為90%或以上且100%或以下，較佳為95%或以上且99.9%或以下。其原因是：藉由使用高填充率的氧化物半導體膜的成膜用靶材，所形成的氧化物半導體膜可以成為緻密的膜。
作為成膜時的氣圍，採用稀有氣體(典型的是氬)氣圍下、氧氣圍下或稀有氣體和氧的混合氣圍下等，即可。為了防止對氧化物半導體膜的氫、水、羥基、氫化物等的混入，最好採用使用充分地去除氫、水、羥基、氫化物等的雜質的高純度氣體的氣圍。
例如，可以藉由下述製程形成氧化物半導體膜。
首先，在被保持為減壓狀態的沉積室內保持基板200，且將基板溫度設定為100℃或以上且600℃或以下，較佳設定為200℃或以上且400℃或以下。其原因是：藉 由在加熱基板200的狀態下進行成膜，可以降低氧化物半導體膜所包含的雜質濃度，或者可以減輕因濺射產生的氧化物半導體膜的損傷。
接著，一邊去除沉積室中的殘留水分，一邊引入充分地去除了氫及水分等的雜質的高純度氣體，並使用上述靶材來在基板200上形成氧化物半導體膜。為了去除沉積室中的殘留水分，作為排氣單元，較佳使用低溫泵、離子泵、鈦昇華泵等的吸附型的真空泵。另外，作為排氣單元，也可以使用提供有冷阱的渦輪泵。由於利用低溫泵進行了排氣的沉積室中，例如氫分子、水(H2O)等的包含氫原子的化合物(更佳還包括包含碳原子的化合物)等被去除，因此可以降低在該沉積室中形成的氧化物半導體膜所含有的雜質濃度。
作為成膜條件的一例，可以採用如下條件：基板和靶材之間的距離為100mm；壓力為0.6Pa；直流(DC)電源為0.5kW；作為成膜氣圍，採用氧(氧流量比率為100%)氣圍。另外，藉由使用脈衝直流電源，可以減輕在進行成膜時產生的粉狀物質(也稱為微粒、塵屑)，且厚度的不均勻性也降低，所以是較佳的。
另外，較佳的是，在藉由濺射法形成氧化物半導體膜之前，進行引入氬氣體產生電漿的反濺射，來去除附著於第一金屬氧化物膜204的表面上的粉狀物質(也稱為微粒、塵屑)。反濺射是指如下一種方法，其中對基板施加電壓來在基板附近形成電漿，而對基板一側的表面進行改 性。此外，也可以使用氮、氦、氧等的氣體代替氬。
作為氧化物半導體膜的加工，可以在氧化物半導體膜上形成所希望的形狀的掩模之後對該氧化物半導體膜進行蝕刻。可以藉由光刻製程等的方法形成上述掩模。或者，也可以藉由噴墨法等的方法形成掩模。另外，藉由在加工氧化物半導體膜的同時，進行第一金屬氧化物膜204的加工等，可以製造圖3D所示的電晶體150。
另外，作為氧化物半導體膜的蝕刻，可以採用乾蝕刻或濕蝕刻。當然，也可以組合乾蝕刻和濕蝕刻而使用。
然後，較佳對氧化物半導體膜進行熱處理(第一熱處理)。藉由進行該第一熱處理，可以去除氧化物半導體膜中的過量的氫(包括水及羥基)而改善氧化物半導體膜的結構，從而降低能隙中的缺陷能級。第一熱處理的溫度為250℃或以上且650℃或以下，較佳為450℃或以上且600℃或以下。另外，較佳將第一熱處理的溫度設定為低於基板的應變點。
再者，藉由進行該第一熱處理，也可以去除第一金屬氧化物膜204中的過量的氫(包括水及羥基)。
作為熱處理，例如，可以將被處理物放入到使用電阻發熱體等的電爐中，並在氮氣圍下以450℃進行1個小時。在該期間，不使氧化物半導體膜接觸大氣，從而避免水或氫的混入。
熱處理裝置不限於電爐，還可以使用利用來自被加熱的氣體等的介質的熱傳達或熱輻射來加熱被處理物的裝置 。例如，可以使用LRTA(Lamp Rapid Thermal Anneal)裝置、GRTA(Gas Rapid Thermal Anneal)裝置等的RTA(Rapid Thermal Anneal)裝置。LRTA裝置是藉由從鹵素燈、金鹵燈、氙弧燈、碳弧燈、高壓鈉燈或者高壓汞燈等的燈發射的光(電磁波)輻射來加熱被處理物的裝置。GRTA裝置是利用高溫氣體進行熱處理的裝置。作為氣體，使用如氬等的稀有氣體或如氮等的即使進行熱處理也不與被處理物發生反應的惰性氣體。
例如，作為第一熱處理，也可以採用GRTA處理，即：將被處理物放入被加熱的惰性氣體氣圍中，在進行幾分鐘的加熱之後，再將被處理物從該惰性氣體氣圍中取出。藉由使用GRTA處理，可以在短時間內進行高溫熱處理。另外，即使在溫度條件超過被處理物的耐熱溫度的情況下也可以採用GRTA處理。另外，在進行處理時，還可以將惰性氣體轉換為包含氧的氣體。這是因為藉由在包含氧的氣圍下進行第一熱處理，可以降低起因於氧缺陷的能隙中的缺陷能級。
另外，作為惰性氣體氣圍，較佳應用以氮或稀有氣體(氦、氖或氬等)為主要成分且不包含水或氫等的氣圍。例如，較佳將引入到熱處理裝置中的氮或氦、氖、氬等的稀有氣體的純度設定為6N(99.9999%)或以上，較佳設定為7N(99.99999%)或以上(即，雜質濃度為1ppm或以下，較佳為0.1ppm或以下)。
在任何情況下，藉由第一熱處理降低雜質，形成i型 (本質)半導體或無限趨近於i型半導體的氧化物半導體膜，來可以實現具有非常優良的特性的電晶體。
由於上述熱處理(第一熱處理)具有去除氫或水等的效果，所以也可以將該熱處理稱為脫水化處理、脫氫化處理等。例如，也可以在將氧化物半導體膜加工為島狀之後，進行該脫水化處理、脫氫化處理。另外，這種脫水化處理、脫氫化處理不侷限於進行一次，而也可以進行多次。
雖然在此說明了在將氧化物半導體膜加工為島狀之後，進行第一熱處理的結構，但是所公開的發明的一個實施例不被解釋為侷限於此。也可以在進行第一熱處理之後加工氧化物半導體膜。
接著，在第一金屬氧化物膜204及氧化物半導體膜206上形成用來形成源極電極及汲極電極(包括由與其相同的層形成的佈線)的導電膜，並且對該導電膜進行加工來形成源極電極208a及汲極電極208b(參照圖4C)。注意，電晶體的通道長度L取決於在此形成的源極電極208a的端部和汲極電極208b的端部之間的間隔。
作為用於源極電極208a及汲極電極208b的導電膜，例如可以使用包含選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W中的元素的金屬膜或以上述元素為成分的金屬氮化物膜(氮化鈦膜、氮化鉬膜、氮化鎢膜)等。另外，還可以採用在Al、Cu等的金屬膜的下側及上側的一方或兩者層疊Ti、Mo、W等的高熔點金屬膜或它們的金屬氮化物膜(氮化 鈦膜、氮化鉬膜、氮化鎢膜)的結構。
此外，也可以使用導電金屬氧化物形成用於源極電極208a及汲極電極208b的導電膜。作為導電金屬氧化物，可以使用氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦氧化錫合金(In2O3-SnO2，縮寫為ITO)、氧化銦氧化鋅合金(In2O3-ZnO)或使這些金屬氧化物材料包含氧化矽的材料。
可以藉由使用抗蝕劑掩模的蝕刻進行導電膜的加工。對於形成用於該蝕刻的抗蝕劑掩模時的曝光，較佳使用紫外線、KrF雷射、ArF雷射等。
另外，在當通道長度L短於25nm時進行曝光的情況下，例如較佳使用波長極短，即幾nm至幾十nm的極紫外線(Extreme Ultraviolet)進行形成抗蝕劑掩模時的曝光。使用極紫外線的曝光的解析度高且其聚焦深度也大。因此，也可以使在後面形成的電晶體的通道長度L微細化，而可以提高電路的工作速度。
此外，也可以使用所謂的多色調掩模形成的抗蝕劑掩模進行蝕刻製程。由於使用多色調掩模形成的抗蝕劑掩模成為具有多種厚度的形狀，且藉由進行灰化可以進一步改變形狀，因此可以用於加工為不同圖案的多個蝕刻製程。由此，可以使用一個多色調掩模形成至少對應於兩種以上的不同圖案的抗蝕劑掩模。即，可以實現製程的簡化。
另外，較佳的是，當進行導電膜的蝕刻時，氧化物半導體膜206的一部分有時被蝕刻而成為具有槽部(凹部) 的氧化物半導體膜。
然後，也可以進行使用N2O、N2或Ar等的氣體的電漿處理，來去除附著到露出的氧化物半導體膜的表面的吸附水等。當進行電漿處理時，較佳在該電漿處理之後以不接觸大氣的方式形成與氧化物半導體膜206的一部分接觸的第二金屬氧化物膜210。
接著，以覆蓋源極電極208a及汲極電極208b且與氧化物半導體膜206的一部分接觸的方式形成第二金屬氧化物膜210。然後，以與第二金屬氧化物膜210接觸的方式形成閘極絕緣膜212(參照圖4D)。
由於第二金屬氧化物膜210與第一金屬氧化物膜204相同，因此省略其詳細描述。
閘極絕緣膜212也與絕緣膜202相同。但是，考慮到將閘極絕緣膜212用作電晶體的閘極絕緣膜，也可以採用氧化鉿等的相對介電常數高的材料。但是，在此情況下也較佳使用藉由與第二金屬氧化物膜210接觸能夠在其介面會形成電荷的俘獲中心的材料。
較佳的是，在形成第二金屬氧化物膜210之後，或在形成閘極絕緣膜212之後，進行第二熱處理。將第二熱處理的溫度設定為250℃或以上且700℃或以下，較佳設定為450℃或以上且600℃或以下。另外，較佳將第二熱處理的溫度設定為低於基板的應變點。
在氮、氧、超乾燥空氣(含水量為20ppm或以下，較佳為1ppm或以下，更佳為10ppb或以下的空氣)或稀 有氣體(氬、氦等)的氣圍下進行第二熱處理，即可。上述氮、氧、超乾燥空氣或稀有氣體等的氣圍較佳不包含水、氫等。另外，較佳將引入到熱處理裝置中的氮、氧或稀有氣體的純度設定為6N(99.9999%)或以上，較佳設定為7N(99.99999%)或以上(即，將雜質濃度設定為1ppm或以下，較佳設定為0.1ppm或以下)。
在第二熱處理中，在氧化物半導體膜206和第二金屬氧化物膜210彼此接觸的狀態下進行加熱。因此，可以由包含氧的第二金屬氧化物膜210向氧化物半導體膜中供應可能因上述脫水化(或脫氫化)處理而減少的構成氧化物半導體的主要成分材料中之一種的氧。由此，可以減少氧化物半導體膜中的電荷俘獲中心。
此外，藉由這種熱處理，第一金屬氧化物膜204或第二金屬氧化物膜210中的雜質也在同時被去除，而第一金屬氧化物膜204或第二金屬氧化物膜210被高純度化。
另外，對於進行第二熱處理的時序並沒有限制，只要是在形成氧化物半導體膜206之後進行第二熱處理，即可。例如，也可以在形成閘電極214之後進行第二熱處理。或者，可以在進行第一熱處理之後連續地進行第二熱處理，在第一熱處理中兼併第二熱處理，或在第二熱處理中兼併第一熱處理。
如上述那樣，藉由應用第一熱處理和第二熱處理中的至少一方，可以使氧化物半導體膜206儘量地不包含其主要成分以外的雜質而被高純度化。在高純度化的氧化物半 導體膜206中，來自施體的載子極少(近於0)，載子濃度低於1×1014/cm3，較佳低於1×1012/cm3，更佳低於1×1011/cm3。
然後，形成閘電極214(參照圖4E)。此外，作為閘電極214，可以使用鉬、鈦、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或以該金屬材料為主要成分的合金材料來形成。另外，閘電極214可以採用單層結構或疊層結構。
藉由上述製程形成電晶體110。
〈電晶體120的製造製程〉
參照圖5A至5E說明圖3A所示的電晶體120的製造製程的一例。注意，除了根據氧化物半導體膜206的形狀加工第二金屬氧化物膜210之外，圖3E所示的電晶體160的製造製程與電晶體120的製造製程同樣。
首先，在基板200上形成絕緣膜202，且在絕緣膜202上與其接觸地形成第一金屬氧化物膜204(參照圖5A)。對於其詳細內容，可以參照電晶體110的製造製程的描述。
接著，在第一金屬氧化物膜204上形成用來形成源極電極及汲極電極(包括由與它們相同的層形成的佈線)的導電膜，並且加工該導電膜來形成源極電極208a及汲極電極208b(參照圖5B)。對於其詳細內容，可以參照電晶體110的製造製程的描述。
接著，在第一金屬氧化物膜204上形成與源極電極 208a及汲極電極208b連接的氧化物半導體膜，並且加工該氧化物半導體膜來形成島狀的氧化物半導體膜206(參照圖5C)。對於其詳細內容，可以參照電晶體110的製造製程的描述。
接著，以覆蓋源極電極208a及汲極電極208b且與氧化物半導體膜206的一部分接觸的方式形成第二金屬氧化物膜210，然後以與第二金屬氧化物膜210接觸的方式形成閘極絕緣膜212(參照圖5D)。對於其詳細內容，可以參照電晶體110的製造製程的描述。
然後，形成閘電極214(參照圖5E)。對於其詳細內容，可以參照電晶體110的製造製程的描述。
藉由上述製程形成電晶體120。
在根據本實施例的電晶體中，在氧化物半導體膜的頂面部及底面部層疊有由與氧化物半導體膜同樣種類的成分構成的金屬氧化物膜，並且，在金屬氧化物膜中的與接觸到氧化物半導體膜的面相反的面上與其接觸地設置有由與金屬氧化物膜及氧化物半導體膜不同的成分構成的絕緣膜。像這樣，藉由使由與氧化物半導體膜搭配的材料構成的金屬氧化物膜可能與氧化物半導體膜接觸，抑制因半導體裝置的工作等而會產生的電荷等被俘獲到氧化物半導體膜和金屬氧化物膜之間的介面，而且藉由使利用在介面會形成電荷的俘獲中心的材料構成的絕緣物具有與金屬氧化物膜接觸的方式，可以在金屬氧化物膜和絕緣物之間的介面俘獲上述電荷。由此，可以緩和電荷給氧化物半導體膜 帶來的影響，因此可以抑制因氧化物半導體膜介面的電荷俘獲而造成的電晶體的臨界值變動。
此外，作為用於電晶體的啟動層的氧化物半導體膜，藉由利用熱處理從氧化物半導體去除氫、水分、羥基或氫化物(也稱為氫化合物)等的雜質，並對其供應在進行雜質的去除製程的同時減少的構成氧化物半導體的主要成分材料的氧，而被高純度化且在電性上i型(本質)化。包括該高純度化的氧化物半導體膜的電晶體的電特性變動被抑制，而該電晶體在電性上穩定。
注意，當在氧化物半導體膜的介面電荷被俘獲時，電晶體的臨界值電壓移動(例如，當在背通道一側正電荷被俘獲時，電晶體的臨界值電壓移動到負方向)。作為這種電荷俘獲的主要原因之一，可以舉出陽離子(或成為其原因的原子)的移動及俘獲模型。而且，在使用氧化物半導體的電晶體中，作為這種陽離子源可以考慮氫原子。在所公開的發明中，由於使用高純度化的氧化物半導體，且採用該氧化物半導體與金屬氧化物膜和絕緣膜的疊層結構接觸的結構，因此還可以抑制在上述模型中假設的起因於氫的電荷俘獲。注意，上述模型被認為在氫的離子化率例如為10%左右的情況下會實現。
如上所述，可以提供使用具有穩定的電特性的氧化物半導體的半導體裝置。因此，可以提供可靠性高的半導體裝置。
如上所述，本實施例所示的結構、方法等可以與其他 實施例所示的結構、方法等適當地組合而使用。
[實施例2]
可以藉由使用在實施例1中例示的電晶體製造具有顯示功能的半導體裝置(也稱為顯示裝置)。此外，藉由將包括電晶體的驅動電路的一部分或全部與像素部一起形成在與該像素部相同的基板上，可以形成系統化面板(system-on-panel)。
在圖6A中，以圍繞設置在第一基板4001上的像素部4002的方式設置密封材料4005，並且，使用第二基板4006進行密封。在圖6A中，在第一基板4001上的與由密封材料4005圍繞的區域不同的區域中安裝有使用單晶半導體膜或多晶半導體膜形成在另行準備的基板上的掃描線驅動電路4004、信號線驅動電路4003。此外，由FPC(Flexible printed circuit)4018a、FPC4018b向另行形成的信號線驅動電路4003、掃描線驅動電路4004或者像素部4002供應各種信號及電位。
在圖6B和6C中，以圍繞設置在第一基板4001上的像素部4002和掃描線驅動電路4004的方式設置有密封材料4005。此外，在像素部4002和掃描線驅動電路4004上設置有第二基板4006。因此，像素部4002、掃描線驅動電路4004與顯示元件一起由第一基板4001、密封材料4005以及第二基板4006密封。在圖6B和6C中，在第一基板4001上的與由密封材料4005圍繞的區域不同的區域 中安裝有使用單晶半導體膜或多晶半導體膜形成在另行準備的基板上的信號線驅動電路4003。在圖6B和6C中，由FPC4018向另行形成的信號線驅動電路4003、掃描線驅動電路4004或者像素部4002供應各種信號及電位。
此外，圖6B和6C示出另行形成信號線驅動電路4003並且將該信號線驅動電路4003安裝到第一基板4001的實例，但是不侷限於該結構。既可以另行形成掃描線驅動電路並進行安裝，又可以另行僅形成信號線驅動電路的一部分或者掃描線驅動電路的一部分並進行安裝。
注意，對另行形成的驅動電路的連接方法沒有特別的限制，而可以採用COG(玻璃覆晶封裝)方法、引線接合方法或者TAB(卷帶式自動接合)方法等。圖6A是藉由COG方法安裝信號線驅動電路4003、掃描線驅動電路4004的例子，圖6B是藉由COG方法安裝信號線驅動電路4003的例子，而圖6C是藉由TAB方法安裝信號線驅動電路4003的例子。
此外，顯示裝置包括密封有顯示元件的面板和在該面板中安裝有包括控制器的IC等的模組。
注意，本發明說明中的顯示裝置是指影像顯示裝置、顯示裝置或光源(包括照明裝置)。另外，顯示裝置還包括：安裝有連接器諸如FPC、TAB膠帶或TCP的模組；在TAB膠帶或TCP的端部上設置有印刷線路板的模組；藉由COG方式將IC(積體電路)直接安裝到顯示元件的模組。
此外，設置在第一基板上的像素部及掃描線驅動電路包括多個電晶體，並且，可以應用在實施例1中示出一例的電晶體。
作為設置在顯示裝置中的顯示元件，可以使用液晶元件(也稱為液晶顯示元件)、發光元件(也稱為發光顯示元件)。發光元件將由電流或電壓控制亮度的元件包括在其範疇內，明確而言，包括無機EL(Electro Luminescence)、有機EL等。此外，也可以應用電子墨水等由於電作用而改變對比度的顯示媒體。
參照圖7至圖9而說明半導體裝置的一種實施例。圖7至圖9相當於沿著圖6B的M-N的截面圖。
如圖7至圖9所示，半導體裝置包括連接端子電極4015及端子電極4016，並且，連接端子電極4015及端子電極4016藉由各向異性導電膜4019電連接到FPC4018所包括的端子。
連接端子電極4015由與第一電極層4030相同的導電膜形成，並且，端子電極4016由與電晶體4010、電晶體4011的源極電極及汲極電極相同的導電膜形成。
此外，設置在第一基板4001上的像素部4002、掃描線驅動電路4004包括多個電晶體，並且，在圖7至圖9中例示像素部4002所包括的電晶體4010、掃描線驅動電路4004所包括的電晶體4011。
在本實施例中，作為電晶體4010、電晶體4011，可以應用在實施例1中示出的電晶體。電晶體4010、電晶 體4011的電特性變動被抑制，所以在電性上是穩定的。因此，作為圖7至圖9所示的本實施例的半導體裝置，可以提供可靠性高的半導體裝置。
設置在像素部4002中的電晶體4010電連接到顯示元件，構成顯示面板。只要可以進行顯示就對顯示元件沒有特別的限制，而可以使用各種各樣的顯示元件。
圖7示出作為顯示元件的使用液晶元件的液晶顯示裝置的實例。在圖7中，作為顯示元件的液晶元件4013包括第一電極層4030、第二電極層4031以及液晶層4008。注意，以夾持液晶層4008的方式設置有用作對準膜的絕緣膜4032、絕緣膜4033。第二電極層4031設置在第二基板4006一側，並且，第一電極層4030和第二電極層4031夾著液晶層4008而層疊。
此外，藉由對絕緣膜選擇性地進行蝕刻可以獲得柱狀間隔物4035，並且它是為控制液晶層4008的厚度(單元間隙)而設置的。另外，還可以使用球狀間隔物。
當作為顯示元件使用液晶元件時，可以使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、聚合物分散型液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶等。上述液晶材料根據條件而呈現膽固醇相、近晶相、立方相、手征向列相、均質相等。
另外，還可以使用不使用對準膜的呈現藍相的液晶。藍相是液晶相的一種，是指當使膽固醇相液晶的溫度上升時即將從膽固醇相轉變到均質相之前出現的相。由於藍相只出現在較窄的溫度範圍內，所以為了改善溫度範圍而將 混合有幾wt%或以上的手性試劑的液晶組成物用於液晶層。由於包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物的回應速度短，即為1msec或以下，並且其具有光學各向同性，所以不需要對準處理，從而視角依賴性小。另外，由於不需要設置對準膜而不需要摩擦處理，因此可以防止由於摩擦處理而引起的靜電破壞，並可以降低製造製程中的液晶顯示裝置的不良、破損。從而，可以提高液晶顯示裝置的生產率。
此外，液晶材料的固有電阻率為1×109Ω．cm或以上，較佳為1×1011Ω．cm或以上，更佳為1×1012Ω．cm或以上。注意，本發明說明中的固有電阻率的值為以20℃測量的值。
考慮到配置在像素部中的電晶體的洩漏電流等而以能夠在指定期間中保持電荷的方式設定設置在液晶顯示裝置中的儲存電容器的大小。藉由使用具有高純度的氧化物半導體膜的電晶體，設置具有各像素中的液晶電容的三分之一或以下，較佳為五分之一或以下的電容的大小的儲存電容器，就足夠了。
在本實施例中採用的使用高純度化的氧化物半導體膜的電晶體可以降低截止狀態下的電流值(截止電流值)。因此，可以延長視頻信號等的電信號的保持時間，並且，還可以延長電源導通狀態下的寫入間隔。因此，可以降低刷新工作的頻度，所以可以發揮抑制耗電量的效果。
此外，因為在本實施例中使用的具有高純度化的氧化 物半導體膜的電晶體可以得到較高的電場效應遷移率，所以可以進行高速驅動。由此，藉由將上述電晶體用於液晶顯示裝置的像素部，可以提供高圖像品質的圖像。此外，使用上述電晶體可以在同一個基板上分別製造驅動電路部、像素部，所以可以削減液晶顯示裝置的零部件數。
液晶顯示裝置可以採用TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式、IPS(In-Plane-Switching，平面內轉換)模式、FFS(Fringe Field Switching，邊緣電場轉換)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell，軸對稱排列微單元)模式、OCB(Optical Compensated Birefringence，光學補償彎曲)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal，鐵電性液晶)模式、以及AFLC(Anti Ferroelectric Liquid Crystal，反鐵電性液晶)模式等。
此外，也可以使用常黑型液晶顯示裝置，例如採用垂直配向(VA)模式的透過型液晶顯示裝置。在此，垂直對準模式是指控制液晶顯示面板的液晶分子的對準的方法的一種，是當不施加電壓時液晶分子朝向垂直於面板表面的方向的模式。作為垂直對準模式，可以舉出幾個例子，例如可以使用MVA(Multi-domain Vertical Alignment：多象限垂直對準)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直對準構型)模式、ASV(Advanced Super View：高級超視覺)模式等。此外，也可以使用將像素(pixel)分成幾個區域(子像素)，並且使分子分別倒向不同方向的稱為多疇化或者多域設計的方法。
此外，在顯示裝置中，適當地設置黑底(遮光層)、偏振構件、相位差構件、抗反射構件等的光學構件(光學基板)等。例如，也可以使用利用偏振基板以及相位差基板的圓偏振。此外，作為光源，也可以使用背光燈、側光燈等。
此外，也可以作為背光燈利用多個發光二極體(LED)來進行分時顯示方法(場序制驅動方法)。藉由應用場序制驅動方法，可以不使用濾光片地進行彩色顯示。
此外，作為像素部中的顯示方法，可以採用逐行掃描方法或隔行掃描方法等。此外，當進行彩色顯示時在像素中受到控制的顏色因素不侷限於RGB(R顯示紅色，G顯示綠色，B顯示藍色)的三種顏色。例如，也可以採用RGBW(W顯示白色)、或者對RGB追加黃色、青色、品紅色等中的一種顏色以上的顏色。注意，也可以按每個顏色因素的點使其顯示區的大小不同。但是，本發明不侷限於彩色顯示的顯示裝置，而也可以應用於單色顯示的顯示裝置。
此外，作為顯示裝置所包括的顯示元件，可以應用利用電致發光的發光元件。利用電致發光的發光元件根據發光材料是有機化合物還是無機化合物被區別，通常，前者被稱為有機EL元件，而後者被稱為無機EL元件。
在有機EL元件中，藉由對發光元件施加電壓，電子及電洞分別從一對電極注入到包括具有發光性的有機化合 物的層，以流過電流。並且，這些載子(電子及電洞)重新結合，發光性的有機化合物形成激發狀態，當從該激發狀態回到基態時發光。由於這種機理，這種發光元件被稱為電流激發型發光元件。
無機EL元件根據其元件結構而分類為分散型無機EL元件和薄膜型無機EL元件。分散型無機EL元件具有發光層，其中發光材料的微粒分散在黏合劑中，並且其發光機理是利用施主能級和受主能級的施主-受主複合型發光。薄膜型無機EL元件具有一種結構，其中發光層夾在介電層之間，並且該夾著發光層的介電層由電極夾住，其發光機理是利用金屬離子的內殼層電子躍遷的定域類型發光。注意，這裏將有機EL元件用作發光元件而進行說明。
為了取出發光，使發光元件的一對電極中的至少一個為透明即可。並且，在基板上形成電晶體及發光元件，作為發光元件，有從與基板相反一側的表面取出發光的頂部發射；從基板一側的表面取出發光的底部發射；從基板一側及與基板相反一側的表面取出發光的雙面發射結構的發光元件，可以應用上述任一種發射結構的發光元件。
圖8示出作為顯示元件的使用發光元件的發光裝置的實例。作為顯示元件的發光元件4513電連接到設置在像素部4002中的電晶體4010。注意，發光元件4513的結構是由第一電極層4030、電致發光層4511、第二電極層4031構成的疊層結構，但是，不侷限於該結構。根據從 發光元件4513取出的光的方向等，可以適當地改變發光元件4513的結構。
分隔壁4510使用有機絕緣材料或者無機絕緣材料形成。尤其是，使用感光樹脂材料，在第一電極層4030上形成開口部，並且將該開口部的側壁形成為具有連續曲率的傾斜面。
電致發光層4511可以使用一個層構成，也可以使用多個層的疊層構成。
為了防止氧、氫、水分、二氧碳等侵入發光元件4513中，而也可以在第二電極層4031及分隔壁4510上形成保護膜。作為保護膜，可以形成氮化矽膜、氮氧化矽膜、DLC(Diamond-Like Corbon)膜等。此外，在由第一基板4001、第二基板4006以及密封材料4005密封的空間中設置有填充材料4514並被密封。如此，為了不暴露於外氣，而較佳使用氣密性高且脫氣少的保護薄膜(黏合薄膜、紫外線固化樹脂薄膜等)、覆蓋材料進行封裝(封入)。
作為填充材料4514，除了氮或氬等惰性氣體以外，還可以使用紫外線固化樹脂、熱固化樹脂，並且，可以使用PVC(聚氯乙烯)、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺、環氧樹脂、矽酮樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)或者EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)。例如，作為填充材料而使用氮，即可。
另外，如果需要，則可以在發光元件的射出表面上適 當地設置諸如偏光板、圓偏光板(包括橢圓偏光板)、相位差板(λ/4板，λ/2板)、濾色片等的光學膜。此外，也可以在偏光板、圓偏光板上設置防反射膜。例如，可以進行抗眩光處理，該處理是利用表面的凹凸來擴散反射光而可以降低眩光的處理。
此外，作為顯示裝置，也可以提供使電子墨水驅動的電子紙。電子紙也稱為電泳顯示裝置(電泳顯示器)，並且，具有如下優點：與紙同樣的易讀性；其耗電量比其他顯示裝置的耗電量低；形狀薄且輕。
作為電泳顯示裝置，有各種各樣的形式，但是它是多個包括具有正電荷的第一微粒和具有負電荷的第二微粒的微膠囊分散在溶劑或溶質中，並且，藉由對微膠囊施加電場，使微膠囊中的微粒彼此移動到相對方向，以只顯示集合在一方側的微粒的顏色的裝置。注意，第一微粒或者第二微粒包括染料，並且，當沒有電場時不移動。此外，第一微粒的顏色和第二微粒的顏色不同(包括無色)。
如此，電泳顯示裝置是利用介電常數高的物質移動到高電場區，即所謂的介電泳效應(dielectrophoretic effect)的顯示器。
分散有上述微囊的溶劑被稱為電子墨水，並且該電子墨水可以印刷到玻璃、塑膠、布、紙等的表面上。另外，還可以藉由使用濾色片、具有色素的微粒來進行彩色顯示。
此外，作為微囊中的第一微粒及第二微粒，使用選自 導電材料、絕緣材料、半導體材料、磁性材料、液晶材料、鐵電性材料、電致發光材料、電致變色材料、磁泳材料中的一種材料或這些的材料的複合材料即可。
此外，作為電子紙，還可以應用使用旋轉球顯示方法的顯示裝置。旋轉球顯示方法是如下方法，即將分別塗為白色和黑色的球形微粒配置在用於顯示元件的電極層的第一電極層與第二電極層之間，使第一電極層與第二電極層之間產生電位差來控制球形微粒的方向，以進行顯示。
圖9示出半導體裝置的一個實施例的主動矩陣型電子紙。圖9所示的電子紙是使用旋轉球顯示方法的顯示裝置的實例。
在連接到電晶體4010的第一電極層4030與設置在第二基板4006上的第二電極層4031之間設置有具有黑色區4615a及白色區4615b並且在該黑色區4615a及白色區4615b的周圍包括填充有液體的空洞4612的球形微粒4613，並且，球形微粒4613的周圍填充有樹脂等填充材料4614。第二電極層4031相當於公共電極(對置電極)。第二電極層4031電連接到公共電位線。
注意，在圖7至圖9中，作為第一基板4001、第二基板4006，除了玻璃基板以外，還可以使用具有撓性的基板。例如，可以使用具有透光性的塑膠基板等。作為塑膠基板，可以使用FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics；纖維增強塑膠)板、PVF(聚氟乙烯)薄膜、聚酯薄膜或丙烯酸樹脂薄膜。此外，也可以使用具有由PVF薄膜或 聚酯薄膜夾住鋁箔的結構的薄片。
絕緣層4021可以使用無機絕緣材料或者有機絕緣材料來形成。注意，當使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺、苯並環丁烯樹脂、聚醯胺、環氧樹脂等具有耐熱性的有機絕緣材料時，適於用作平坦化絕緣膜。此外，除了上述有機絕緣材料以外，還可以使用低介電常數材料(low-k材料)、矽氧烷類樹脂、PSG(磷矽玻璃)、BPSG(硼磷矽玻璃)等。注意，也可以藉由層疊多個由這些材料形成的絕緣膜，來形成絕緣層。
對絕緣層4021的形成方法沒有特別的限制，可以根據其材料而利用濺射法、旋塗法、浸漬法、噴塗法、液滴噴射法(噴墨法、絲網印刷、膠版印刷等)等。也可以藉由輥塗、幕式塗布、刮刀式塗布等形成絕緣層4021。
顯示裝置藉由透過來自光源或顯示元件的光來進行顯示。因此，設置在透過光的像素部中的基板、絕緣膜、導電膜等的薄膜全都對可見光的波長區的光具有透光性。
關於對顯示元件施加電壓的第一電極層及第二電極層(也稱為像素電極層、公共電極層、對置電極層等)，根據取出光的方向、設置電極層的地方以及電極層的圖案結構而選擇其透光性、反射性，即可。
作為第一電極層4030、第二電極層4031，可以使用包括氧化鎢的氧化銦、包括氧化鎢的氧化銦鋅、包括氧化鈦的氧化銦、包括氧化鈦的氧化銦錫、氧化銦錫(下面，稱為ITO)、氧化銦鋅、添加有氧化矽的氧化銦錫等具有 透光性的導電材料。
此外，第一電極層4030、第二電極層4031可以使用鎢(W)、鉬(Mo)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉻(Cr)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等的金屬、其合金或者其氮化物中的一種或多種來形成。
此外，第一電極層4030、第二電極層4031可以使用包括導電高分子(也稱為導電聚合體)的導電組成物來形成。作為導電高分子，可以使用所謂的π電子共軛類導電高分子。例如，可以舉出聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、或者由苯胺、吡咯和噻吩中的兩種以上構成的共聚物或其衍生物等。
此外，由於電晶體容易受到靜電等的破壞，所以較佳設置驅動電路保護用的保護電路。保護電路較佳使用非線性元件構成。
如上所述，藉由應用在實施例1中例示的電晶體，可以提供可靠性高的半導體裝置。另外，不僅將實施例1所例示的電晶體應用於具有上述顯示功能的半導體裝置，而且還可以將它應用於具有各種功能的半導體裝置諸如安裝在電源電路中的功率裝置、LSI等的半導體積體電路、具有讀取物件物的資訊的圖像感測器功能的半導體裝置等。
以上，本實施例所示的結構、方法等可以與其他實施例所示的結構、方法等適當地組合而使用。
[實施例3]
可將本發明說明中公開的半導體裝置應用於多種電子設備(還包括遊戲機)。作為電子設備，例如可以舉出電視裝置(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的監視器、數位相機、數碼攝像機等影像拍攝裝置、數碼相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、移動資訊終端、聲音再現裝置、彈子機等大型遊戲機等。對具備在上述實施例中說明的液晶顯示裝置的電子設備的例子進行說明。
圖10A示出筆記本個人電腦，由主體3001、框體3002、顯示部3003以及鍵盤3004等構成。藉由應用實施例1或實施例2所示的半導體裝置，可以提供高可靠性筆記本個人電腦。
圖10B示出可攜式資訊終端(PDA)，在主體3021中設置有顯示部3023、外部介面3025以及操作按鈕3024等。另外，還具備操作可攜式資訊終端的觸屏筆3022。藉由應用實施例1或實施例2所示的半導體裝置，可以提供高可靠性可攜式資訊終端(PDA)。
圖10C示出電子書閱讀器的一例。例如，電子書閱讀器2700由兩個框體，即框體2701及框體2703構成。框體2701及框體2703由軸部2711形成為一體，且可以以該軸部2711為軸進行開閉工作。藉由採用這種結構，可以進行如紙的書籍那樣的工作。
框體2701組裝有顯示部2705，而框體2703組裝有 顯示部2707。顯示部2705及顯示部2707的結構既可以是顯示連屏畫面的結構，又可以是顯示不同的畫面的結構。藉由採用顯示不同的畫面的結構，例如在右邊的顯示部(圖10C中的顯示部2705)中可以顯示文章，而在左邊的顯示部(圖10C中的顯示部2707)中可以顯示圖像。藉由應用實施例1或實施例2所示的半導體裝置，可以提供高可靠性電子書閱讀器2700。
此外，在圖10C中示出框體2701具備操作部等的例子。例如，在框體2701中具備電源2721、操作鍵2723、揚聲器2725等。利用操作鍵2723可以翻頁。注意，在與框體的顯示部相同的平面上可以設置鍵盤、定位裝置等。另外，也可以採用在框體的背面或側面具備外部連接端子(耳機端子、USB端子等)、記錄媒體插入部等的結構。再者，電子書閱讀器2700也可以具有電子詞典的功能。
此外，電子書閱讀器2700也可以採用能夠以無線的方式收發資訊的結構。還可以採用以無線的方式從電子書籍伺服器購買所希望的書籍資料等，然後下載的結構。
圖10D示出行動電話，由框體2800及框體2801的兩個框體構成。框體2801具備顯示面板2802、揚聲器2803、麥克風2804、定位裝置2806、影像拍攝用透鏡2807、外部連接端子2808等。此外，框體2800具備對行動電話進行充電的太陽能電池2810、外部記憶槽2811等。另外，在框體2801內組裝有天線。藉由應用實施例1或實施例2所示的半導體裝置，可以提供高可靠性行動 電話。
另外，顯示面板2802具備觸摸屏，在圖10D中，使用虛線示出作為映射而被顯示出來的多個操作鍵2805。另外，還安裝有用來將由太陽能電池2810輸出的電壓升壓到各電路所需的電壓的升壓電路。
顯示面板2802根據使用方式適當地改變顯示的方向。另外，由於在與顯示面板2802同一面上設置影像拍攝用透鏡2807，所以可以實現可視電話。揚聲器2803及麥克風2804不侷限於音頻通話，還可以進行可視通話、錄音、再生等。再者，滑動框體2800和框體2801而可以處於如圖10D那樣的展開狀態和重疊狀態，所以可以實現適於攜帶的小型化。
外部連接端子2808可以與AC適配器及各種電纜如USB電纜等連接，並可以進行充電及與個人電腦等的資料通訊。另外，藉由將記錄媒體插入外部記憶槽2811中，可以對應於更大量資料的保存及移動。
另外，也可以是除了上述功能以外還具有紅外線通信功能、電視接收功能等的行動電話。
圖10E示出數碼攝像機，其由主體3051、顯示部A 3057、取景器3053、操作開關3054、顯示部B 3055以及電池3056等構成。藉由應用實施例1或實施例2所示的半導體裝置，可以提供高可靠性數碼攝像機。
圖10F示出電視裝置的一例。在電視裝置9600中，框體9601組裝有顯示部9603。利用顯示部9603可以顯 示映射。此外，在此示出利用支架9605支撐框體9601的結構。藉由應用實施例1或實施例2所示的半導體裝置，可以提供高可靠性電視裝置9600。
可以藉由利用框體9601所具備的操作開關或另行提供的遙控操作機進行電視裝置9600的操作。或者，也可以採用在遙控操作機中設置顯示部的結構，該顯示部顯示從該遙控操作機輸出的資訊。
另外，電視裝置9600採用具備接收機、數據機等的結構。可以藉由利用接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機連接到有線或無線方式的通信網路，從而也可以進行單向(從發送者到接收者)或雙向(在發送者和接收者之間或在接收者之間等)的資訊通信。
以上，本實施例所示的結構、方法等可以與其他實施例所示的結構、方法等適當地組合而使用。
110‧‧‧電晶體
200‧‧‧基板
202‧‧‧絕緣膜
204‧‧‧金屬氧化物膜
206‧‧‧氧化物半導體膜
208a‧‧‧源極電極
208b‧‧‧汲極電極
210‧‧‧金屬氧化物膜
212‧‧‧金屬氧化物膜
214‧‧‧閘電極

Claims (10)

  1. 一種半導體裝置，包括：在基板上的第一金屬氧化物膜；與該第一金屬氧化物膜接觸的氧化物半導體膜；與該氧化物半導體膜接觸的第二金屬氧化物膜；以及在該第二金屬氧化物膜上的閘極電極，其中，該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜的每一個的導帶的底部之能量高於該氧化物半導體膜的導帶的底部之能量。
  2. 一種半導體裝置，包括：在基板上的第一金屬氧化物膜；與該第一金屬氧化物膜接觸的氧化物半導體膜；與該氧化物半導體膜接觸的源極電極和汲極電極；與該氧化物半導體膜接觸的第二金屬氧化物膜；在該第二金屬氧化物膜上的閘極絕緣膜；以及在該閘極絕緣膜上的閘極電極，其中，該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜的每一個的導帶的底部之能量高於該氧化物半導體膜的導帶的底部之能量。
  3. 一種半導體裝置，包括：在基板上的第一金屬氧化物膜；在該第一金屬氧化物膜上且與其接觸的氧化物半導體膜；與該氧化物半導體膜接觸的源極和汲極電極； 在該氧化物半導體膜上且與其接觸的第二金屬氧化物膜；在該第二金屬氧化物膜上的閘極絕緣膜；以及在該閘極絕緣膜上的閘極電極，其中，該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜的每一個的導帶的底部之能量高於該氧化物半導體膜的導帶的底部之能量。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之半導體裝置，其中，該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜的每一個包括該氧化物半導體膜中的構成元素。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之半導體裝置，其中，該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜的每一個包括鎵。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之半導體裝置，其中，該第一金屬氧化物膜的構成元素之比例與該第二金屬氧化物膜的構成元素之比例相等。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之半導體裝置，其中，該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜的每一個的能隙大於該氧化物半導體膜的能隙。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之半導體裝置，其中，該氧化物半導體膜的側表面在通道寬度方向上接觸該第二金屬氧化物膜。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之半導體裝置，其中，該第一金屬氧化物膜在通道寬度方向上接 觸該第二金屬氧化物膜。
  10. 如申請專利範圍第2或3項所述之半導體裝置，其中，該源極和汲極電極位於該第一金屬氧化物膜和該第二金屬氧化物膜之間。
TW104142716A 2010-04-02 2011-03-24 半導體裝置 TWI589001B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010086407 2010-04-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201611297A TW201611297A (zh) 2016-03-16
TWI589001B true TWI589001B (zh) 2017-06-21

Family

ID=44708582

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107106235A TWI675488B (zh) 2010-04-02 2011-03-24 半導體裝置
TW104142716A TWI589001B (zh) 2010-04-02 2011-03-24 半導體裝置
TW102115028A TWI524523B (zh) 2010-04-02 2011-03-24 半導體裝置
TW100110172A TWI517388B (zh) 2010-04-02 2011-03-24 半導體裝置
TW106110593A TWI624066B (zh) 2010-04-02 2011-03-24 半導體裝置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107106235A TWI675488B (zh) 2010-04-02 2011-03-24 半導體裝置

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102115028A TWI524523B (zh) 2010-04-02 2011-03-24 半導體裝置
TW100110172A TWI517388B (zh) 2010-04-02 2011-03-24 半導體裝置
TW106110593A TWI624066B (zh) 2010-04-02 2011-03-24 半導體裝置

Country Status (6)

Country Link
US (6) US8502221B2 (zh)
JP (9) JP5450498B2 (zh)
KR (7) KR20180122756A (zh)
CN (3) CN102834922B (zh)
TW (5) TWI675488B (zh)
WO (1) WO2011122364A1 (zh)

Families Citing this family (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011001881A1 (en) * 2009-06-30 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN102822980B (zh) 2010-03-26 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
KR20180122756A (ko) * 2010-04-02 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9196739B2 (en) 2010-04-02 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
KR102292523B1 (ko) 2010-04-02 2021-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8884282B2 (en) 2010-04-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8653514B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101881729B1 (ko) 2010-04-16 2018-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막 방법 및 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
KR101877377B1 (ko) 2010-04-23 2018-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
DE112011101410B4 (de) 2010-04-23 2018-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
CN102870219B (zh) 2010-04-23 2016-04-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
WO2011132591A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101689378B1 (ko) 2010-04-23 2016-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011158704A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101862808B1 (ko) 2010-06-18 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102959713B (zh) 2010-07-02 2017-05-10 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8883555B2 (en) 2010-08-25 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
KR101932576B1 (ko) 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9911857B2 (en) * 2010-10-29 2018-03-06 Cbrite Inc. Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
KR101842538B1 (ko) * 2011-05-26 2018-03-28 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치용 백플레인, 이를 포함하는 평판 표시 장치, 및 그 제조 방법
KR20140024866A (ko) 2011-06-17 2014-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제조 방법
KR20130007426A (ko) 2011-06-17 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8952377B2 (en) * 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9385238B2 (en) 2011-07-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor using oxide semiconductor
TWI588910B (zh) * 2011-11-30 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI604609B (zh) 2012-02-02 2017-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102119914B1 (ko) 2012-05-31 2020-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102316107B1 (ko) 2012-05-31 2021-10-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8901557B2 (en) 2012-06-15 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014027263A (ja) * 2012-06-15 2014-02-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP6310194B2 (ja) * 2012-07-06 2018-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20140009023A (ko) * 2012-07-13 2014-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
SG11201505225TA (en) 2012-08-03 2015-08-28 Semiconductor Energy Lab Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9929276B2 (en) * 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102171650B1 (ko) 2012-08-10 2020-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN104584229B (zh) * 2012-08-10 2018-05-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
TWI469359B (zh) * 2012-08-31 2015-01-11 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 薄膜電晶體基板與其製造方法、顯示器
TWI595659B (zh) 2012-09-14 2017-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI627750B (zh) * 2012-09-24 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR102102589B1 (ko) * 2012-10-17 2020-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그램 가능한 논리 장치
WO2014061762A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6033045B2 (ja) * 2012-10-17 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102130184B1 (ko) 2012-10-24 2020-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2014065343A1 (en) * 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6285150B2 (ja) 2012-11-16 2018-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI620323B (zh) * 2012-11-16 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9263531B2 (en) * 2012-11-28 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device
TWI624949B (zh) 2012-11-30 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9153649B2 (en) 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
US9349593B2 (en) 2012-12-03 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2014103901A1 (en) 2012-12-25 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6329762B2 (ja) * 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9391096B2 (en) * 2013-01-18 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9076825B2 (en) * 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
TWI618252B (zh) * 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9231111B2 (en) * 2013-02-13 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9190527B2 (en) * 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US9276125B2 (en) 2013-03-01 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102153110B1 (ko) 2013-03-06 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막 및 반도체 장치
US9368636B2 (en) 2013-04-01 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers
TWI620324B (zh) 2013-04-12 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9893192B2 (en) * 2013-04-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102222344B1 (ko) 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN105190902B (zh) 2013-05-09 2019-01-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
DE102014208859B4 (de) 2013-05-20 2021-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9293599B2 (en) * 2013-05-20 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20150008428A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9006736B2 (en) 2013-07-12 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6345023B2 (ja) * 2013-08-07 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2015079946A (ja) 2013-09-13 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9859439B2 (en) * 2013-09-18 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI677989B (zh) 2013-09-19 2019-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6386323B2 (ja) * 2013-10-04 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
TWI566405B (zh) * 2013-11-08 2017-01-11 元太科技工業股份有限公司 有機無機混合型電晶體
TWI642186B (zh) * 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6444714B2 (ja) 2013-12-20 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102306200B1 (ko) * 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI562343B (en) 2014-05-12 2016-12-11 Ind Tech Res Inst Electrical radiography imaging system and method thereof
JP6397654B2 (ja) * 2014-05-13 2018-09-26 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ発光装置
WO2015189731A1 (en) 2014-06-13 2015-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
JP5968372B2 (ja) * 2014-07-17 2016-08-10 学校法人 龍谷大学 磁場センサー
US9391210B2 (en) * 2014-09-16 2016-07-12 Eastman Kodak Company Top gate TFT with polymer interface control layer
US9991393B2 (en) * 2014-10-16 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
TWI581317B (zh) * 2014-11-14 2017-05-01 群創光電股份有限公司 薄膜電晶體基板及具備該薄膜電晶體基板之顯示面板
US9768317B2 (en) 2014-12-08 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
US9954112B2 (en) * 2015-01-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9660100B2 (en) 2015-02-06 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10403646B2 (en) * 2015-02-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6705663B2 (ja) * 2015-03-06 2020-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US10147823B2 (en) * 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102440302B1 (ko) 2015-04-13 2022-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
KR20180010205A (ko) 2015-05-22 2018-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
KR102548001B1 (ko) 2015-07-08 2023-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US11189736B2 (en) * 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
US9627549B1 (en) * 2015-10-05 2017-04-18 United Microelectronics Corp. Semiconductor transistor device and method for fabricating the same
SG10201608814YA (en) 2015-10-29 2017-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR102460997B1 (ko) * 2016-02-16 2022-11-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
CN105655407A (zh) * 2016-03-11 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
JP6189484B2 (ja) * 2016-06-08 2017-08-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TW201804613A (zh) * 2016-07-26 2018-02-01 聯華電子股份有限公司 氧化物半導體裝置
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
US10522546B2 (en) 2018-04-20 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd FinFET devices with dummy fins having multiple dielectric layers
KR20210129294A (ko) * 2020-04-17 2021-10-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN116745930A (zh) 2021-07-05 2023-09-12 株式会社Lg新能源 复合负极活性材料、其制备方法、包含其的负极和二次电池
WO2024029429A1 (ja) * 2022-08-01 2024-02-08 株式会社ジャパンディスプレイ 積層構造体及び薄膜トランジスタ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100032668A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same

Family Cites Families (174)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPH06151850A (ja) 1992-11-05 1994-05-31 Nippon Sheet Glass Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
DE69635107D1 (de) 1995-08-03 2005-09-29 Koninkl Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
KR100721656B1 (ko) 2005-11-01 2007-05-23 주식회사 엘지화학 유기 전기 소자
US6953947B2 (en) 1999-12-31 2005-10-11 Lg Chem, Ltd. Organic thin film transistor
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
US7560175B2 (en) 1999-12-31 2009-07-14 Lg Chem, Ltd. Electroluminescent devices with low work function anode
US20120007064A1 (en) 1999-12-31 2012-01-12 Lg Chem, Ltd. Organic electroluminescent device and method for preparing the same
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) * 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
KR101078509B1 (ko) 2004-03-12 2011-10-31 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 박막 트랜지스터의 제조 방법
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
CA2566591A1 (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Sekisui Chemical Co., Ltd. Interlayer film for glass laminate and glass laminate
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
CN101006159B (zh) 2004-08-19 2011-11-09 Lg化学株式会社 包括缓冲层的有机发光器件及其制备方法
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US20060091397A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Kengo Akimoto Display device and method for manufacturing the same
WO2006051993A2 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
JP5126729B2 (ja) 2004-11-10 2013-01-23 キヤノン株式会社 画像表示装置
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
CA2585071A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
KR20070085879A (ko) 2004-11-10 2007-08-27 캐논 가부시끼가이샤 발광 장치
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI472037B (zh) 2005-01-28 2015-02-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI481024B (zh) 2005-01-28 2015-04-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US20080210934A1 (en) 2005-03-25 2008-09-04 Tokyo Institute Of Technology Semiconductor Device Using Titanium Dioxide as Active Layer and Method for Producing Semiconductor Device
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
US20070044714A1 (en) 2005-08-31 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for maintaining a cross sectional shape of a diffuser during processing
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4981283B2 (ja) 2005-09-06 2012-07-18 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ
JP5006598B2 (ja) * 2005-09-16 2012-08-22 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP4907942B2 (ja) * 2005-09-29 2012-04-04 シャープ株式会社 トランジスタおよび電子デバイス
EP1998374A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR100890862B1 (ko) 2005-11-07 2009-03-27 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20090130089A (ko) 2005-11-15 2009-12-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 다이오드 및 액티브 매트릭스 표시장치
KR100690925B1 (ko) 2005-12-01 2007-03-09 삼성전자주식회사 나노 크리스탈 비휘발성 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
JP5177954B2 (ja) 2006-01-30 2013-04-10 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) * 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
JP2007291196A (ja) 2006-04-24 2007-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd コンポジット材料、およびこれを用いた光学部品
JP2007291291A (ja) 2006-04-27 2007-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd コンポジット材料、およびこれを用いた光学部品
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
JP2008117739A (ja) 2006-11-02 2008-05-22 Adorinkusu:Kk プリント基板用の信号中継具
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101146574B1 (ko) 2006-12-05 2012-05-16 캐논 가부시끼가이샤 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치
WO2008069255A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
JP5305630B2 (ja) 2006-12-05 2013-10-02 キヤノン株式会社 ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
KR20080052107A (ko) * 2006-12-07 2008-06-11 엘지전자 주식회사 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
JP5121254B2 (ja) 2007-02-28 2013-01-16 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP5466939B2 (ja) 2007-03-23 2014-04-09 出光興産株式会社 半導体デバイス、多結晶半導体薄膜、多結晶半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、及び、電界効果型トランジスタの製造方法
WO2008126879A1 (en) 2007-04-09 2008-10-23 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus and production method thereof
JP5197058B2 (ja) 2007-04-09 2013-05-15 キヤノン株式会社 発光装置とその作製方法
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
JP5245287B2 (ja) * 2007-05-18 2013-07-24 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法、薄膜トランジスタ基板の製造方法および表示装置の製造方法
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
US8586979B2 (en) 2008-02-01 2013-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductor transistor and method of manufacturing the same
KR101512818B1 (ko) 2008-02-01 2015-05-20 삼성전자주식회사 산화물 반도체 트랜지스터 및 그 제조방법
EP2086013B1 (en) 2008-02-01 2018-05-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductor transistor
KR101513601B1 (ko) * 2008-03-07 2015-04-21 삼성전자주식회사 트랜지스터
US7960216B2 (en) * 2008-05-10 2011-06-14 Intermolecular, Inc. Confinement techniques for non-volatile resistive-switching memories
JP4555358B2 (ja) 2008-03-24 2010-09-29 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
KR100941850B1 (ko) 2008-04-03 2010-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
US20090278120A1 (en) 2008-05-09 2009-11-12 Korea Institute Of Science And Technology Thin Film Transistor
JP5305730B2 (ja) 2008-05-12 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の製造方法ならびにその製造装置
JP5430248B2 (ja) 2008-06-24 2014-02-26 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
KR100963027B1 (ko) 2008-06-30 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR100963026B1 (ko) 2008-06-30 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR100963104B1 (ko) * 2008-07-08 2010-06-14 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR101488927B1 (ko) 2008-07-14 2015-02-09 삼성디스플레이 주식회사 표시기판
JP5345349B2 (ja) * 2008-07-24 2013-11-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタ
JP2010056541A (ja) * 2008-07-31 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TWI476921B (zh) 2008-07-31 2015-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI424506B (zh) * 2008-08-08 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
TWI500160B (zh) 2008-08-08 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5345456B2 (ja) * 2008-08-14 2013-11-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタ
JP5602390B2 (ja) * 2008-08-19 2014-10-08 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、及び撮像装置
KR101538283B1 (ko) * 2008-08-27 2015-07-22 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 전계 효과형 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 스퍼터링 타겟
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8456082B2 (en) * 2008-12-01 2013-06-04 Ifire Ip Corporation Surface-emission light source with uniform illumination
KR101751661B1 (ko) * 2008-12-19 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터의 제작 방법
US8174021B2 (en) 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
JP4752927B2 (ja) 2009-02-09 2011-08-17 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
US8841661B2 (en) 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI535023B (zh) 2009-04-16 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP5760298B2 (ja) 2009-05-21 2015-08-05 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器
TWI634642B (zh) * 2009-08-07 2018-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP5507202B2 (ja) * 2009-10-28 2014-05-28 富士フイルム株式会社 放射線撮像装置およびそれを用いた放射線撮影システム
KR20240042252A (ko) 2009-10-29 2024-04-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2011138934A (ja) 2009-12-28 2011-07-14 Sony Corp 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器
KR20180122756A (ko) * 2010-04-02 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9196739B2 (en) 2010-04-02 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
KR102292523B1 (ko) * 2010-04-02 2021-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
US8884282B2 (en) 2010-04-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
KR101465192B1 (ko) 2010-04-09 2014-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100032668A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI624066B (zh) 2018-05-11
US20180122951A1 (en) 2018-05-03
JP7416867B2 (ja) 2024-01-17
TW201611297A (zh) 2016-03-16
JP2014099628A (ja) 2014-05-29
JP2017055134A (ja) 2017-03-16
JP6537680B2 (ja) 2019-07-03
JP2018164106A (ja) 2018-10-18
KR102134294B1 (ko) 2020-07-15
CN102834922B (zh) 2016-04-13
JP2016028437A (ja) 2016-02-25
US10608116B2 (en) 2020-03-31
TW201214705A (en) 2012-04-01
JP2022130671A (ja) 2022-09-06
TWI517388B (zh) 2016-01-11
JP2019140421A (ja) 2019-08-22
KR20130054458A (ko) 2013-05-24
US20160225908A1 (en) 2016-08-04
KR20130032304A (ko) 2013-04-01
US8502221B2 (en) 2013-08-06
US20130313550A1 (en) 2013-11-28
KR20210088020A (ko) 2021-07-13
US11411121B2 (en) 2022-08-09
JP2020205453A (ja) 2020-12-24
JP6771618B2 (ja) 2020-10-21
CN105810752B (zh) 2019-11-19
US20230021382A1 (en) 2023-01-26
TW201727916A (zh) 2017-08-01
CN110620156A (zh) 2019-12-27
WO2011122364A1 (en) 2011-10-06
TWI675488B (zh) 2019-10-21
KR102196259B1 (ko) 2020-12-29
KR20200087277A (ko) 2020-07-20
KR102276768B1 (ko) 2021-07-13
JP6049833B2 (ja) 2016-12-21
CN102834922A (zh) 2012-12-19
KR101391964B1 (ko) 2014-05-07
JP2011228695A (ja) 2011-11-10
JP2024026618A (ja) 2024-02-28
US20200295194A1 (en) 2020-09-17
JP5450498B2 (ja) 2014-03-26
TW201836153A (zh) 2018-10-01
KR102357169B1 (ko) 2022-02-08
TWI524523B (zh) 2016-03-01
US9318613B2 (en) 2016-04-19
JP5819393B2 (ja) 2015-11-24
KR20200008065A (ko) 2020-01-22
KR20200144595A (ko) 2020-12-29
US20110240990A1 (en) 2011-10-06
KR20180122756A (ko) 2018-11-13
CN105810752A (zh) 2016-07-27
TW201334189A (zh) 2013-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI589001B (zh) 半導體裝置
JP7231696B2 (ja) 表示装置
JP6131300B2 (ja) 半導体装置の作製方法
TWI627755B (zh) 半導體裝置
TWI588994B (zh) 半導體裝置
TWI612672B (zh) 半導體裝置
TWI524519B (zh) 半導體裝置
TWI651856B (zh) 半導體裝置
TWI605595B (zh) 半導體裝置及其製造方法