KR20080052107A - 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터 - Google Patents
산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080052107A KR20080052107A KR1020060124165A KR20060124165A KR20080052107A KR 20080052107 A KR20080052107 A KR 20080052107A KR 1020060124165 A KR1020060124165 A KR 1020060124165A KR 20060124165 A KR20060124165 A KR 20060124165A KR 20080052107 A KR20080052107 A KR 20080052107A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- thin film
- film transistor
- oxide semiconductor
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 18
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 137
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 moisture Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Abstract
본 발명은, 기판, 기판 상에 위치하는 산화물 반도체층, 산화물 반도체층의 일정 영역과 대응하는 게이트 전극, 산화물 반도체층과 게이트 전극 사이에 위치하며 서로 다른 물질을 포함하는 다층으로 이루어진 게이트 절연막 및 산화물 반도체층과 전기적으로 연결된 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다.
산화물 반도체층, 박막 트랜지스터
Description
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제4실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 제1실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터의 전달 특성 및 출력 특성을 보여주는 그래프들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 110 : 버퍼층
120 : 소오스 전극 및 드레인 전극 130 : 반도체층
140 : 게이트 절연막 150 : 게이트 전극
160 : 패시베이션층
본 발명은 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
종래의 액정 표시 장치 및 유기 전계 발광 표시 장치 등과 같은 평면 표시 장치는 수동형 및 능동형으로 구분될 수 있다.
이때, 상기 능동형 평면 표시 장치는 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 반도체층으로 이용한 박막 트랜지스터를 형성하여 스위칭 또는 구동 박막 트랜지스터로 이용하였다.
그러나, 상기 비정질 실리콘을 반도체층으로 이용한 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 낮고, 사용 시간에 따른 박막 트랜지스터의 특성이 변화하는 등의 문제가 있어 구동 박막 트랜지스터로서의 용도로 적합하지 않고, 상기 다결정 실리콘을 반도체층으로 이용한 박막 트랜지스터는 결정화 공정상의 불균일성으로 인해 전류 구동용 박막 트랜지스터의 특성 산포가 크기 때문에 능동형 평면 표시 장치의 균일한 화질을 구현하는데 문제점이 있는 것으로 인식되어 왔다.
또한, 차세대 능동형 평면 표시 장치의 한 분야로서, 유연하게 구부릴 수 있고, 즉, 플렉서블(flexible)하고, 휴대가 가능한 표시 장치를 구현하기 위해 개발 되고 있는 플라스틱 또는 메탈 포일을 기판으로 이용하는 평판 표시 장치에 종래의 다결정 실리콘을 이용한 박막 트랜지스터는 적용하기 어렵다는 문제점이 있다. 즉, 상기 다결정 실리콘을 형성하기 위해서는 고온의 열공정이 필요하게 되는데, 상기 플라스틱 또는 메탈 포일이 상기 열공정에서 변형되는 등의 문제가 있기 때문이다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 균일한 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명은, 기판, 기판 상에 위치하는 산화물 반도체층, 산화물 반도체층의 일정 영역과 대응하는 게이트 전극, 산화물 반도체층과 게이트 전극 사이에 위치하며 서로 다른 물질을 포함하는 다층으로 이루어진 게이트 절연막 및 산화물 반도체층과 전기적으로 연결된 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다.
게이트 절연막의 각 층은 SiOx, SiNx, AlOx, MgOx, AlN, HfOx, ZrOx 및 TaOx 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
산화물 반도체층은 인듐, 아연, 갈륨 및 주석으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상 또는 그 산화물을 포함할 수 있다.
소오스 전극 및 드레인 전극은 인듐, 아연, 갈륨 및 주석으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상 또는 그 산화물을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은, 기판을 준비하는 단계, 기판 상에 산화물 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 게이트 절연막은 서로 다른 물질을 사용하여 다층으로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
기판을 준비하는 단계 후, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
반도체층을 형성하는 단계와 게이트 절연막을 형성하는 단계 사이에는 플라즈마 처리, UV 처리, 열처리 또는 염기에 의한 화학적 처리를 하는 공정을 진행하여 반도체층의 표면을 표면처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하여 설명하면, 본 발명의 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터는 기판(100), 상기 기판 상에 구비된 버퍼층(110), 상기 버퍼층(110)상에 구비된 소오스 전극 및 드레인 전극(120), 상기 소오스 전극 및 드레인 전극(120)상에 구비되고, 소오스 영역, 채널 영역 및 드레인 영역을 구비하되, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극(120)에 각각 소오스 영역 및 드레인 영역이 전기적으로 연결된 반도체층(130), 상기 반도체층(130)상에 구비된 게이트 절연막(140), 상기 게이트 절연막(140)상에 구비되되, 상기 반도체층(130), 특히 반도체층(130)의 채널 영역과 대응되는 게이트 전극(150)을 구비하고 있다.
상기 기판(100)은 무알카리 유리 기판, PEN, PES 및 PET 등의 플라스틱 및 스테인리스 스틸, 알루니늄 및 티타늄 등의 메탈 포일 중 어느 것을 사용하여도 무방하다.
상기 버퍼층(110) 및 게이트 절연막(140)은 SiOx, SiNx, AlOx, MgOx, AlN, HfOx, ZrOx 및 TaOx 중 어느 하나의 물질이 적층되어 있거나 상기 물질들 중 적어도 둘 이상의 물질을 이층 이상으로 반복적으로 적층하여 복층으로 이루어져 있을 수도 있다.
이때, 상기 버퍼층(110)은 하부의 기판으로부터의 금속 이온, 수분 또는 산소 등이 불순물의 확산을 방지하는 역할을 할 뿐만 아니라 상기 버퍼층(110)상에 반도체층(130)이 형성될 경우, 상기 반도체층(130)의 채널 형성 영역의 반대편의 표면에서 결함이 생기는 것을 억제하여 백채널층(Back channel)이 생성되는 것을 방지한다.
상기 소오스 전극 및 드레인 전극(120)은 Al, Mo 및 Cr를 포함하는 금속들 및 InxSn(1-x)Oy, InxZn(1-x)Oy, ZnxGa(1-x)Oy, AlxZn(1-x)Oy 및 ITO를 포함하는 전도성 산화물들 중 어느 하나의 물질이 적층되어 이루어져 있거나 상기 물질들 중 적어도 둘 이상의 물질을 적층하여 복층으로 이루어져 있을 수도 있다. 특히, 전도성 산화물들을 포함하는 경우, 상기 산화물 반도체층(130)과의 콘택 저항이 낮아져서 전기적 신호를 효과적으로 인가할 수 있다.
상기 산화물 반도체층(130)은 Zn, In, Sn 및 Ga의 산화물들 중 어느 하나로 이루어져 있거나 상기 산화물들 중 적어도 둘 이상의 물질의 혼합물로 이루어져 있을 수도 있다.
이때, 상기 산화물 반도체층(130), 특히, 채널 영역은 그 두께에 따라 산소 농도가 다르게 되어 분포될 수 있는데, 이는 상기 반도체층(130)을 적층할 때, 아르곤 가스대 산소 가스의 비를 변화시킴으로써 가능하다.
상기 게이트 절연막(140)은 상기 반도체층(130)과 게이트 전극(150) 사이에 구비되어 상기 반도체층(130)과 게이트 전극(150)을 절연하는 역할을 하며 SiOx, SiNx, AlOx, MgOx, AlN, HfOx, ZrOx 및 TaOx 중 어느 하나의 물질로 이루어져 있거나 상기 물질들 중 둘 이상의 물질이 이층 이상으로 반복적으로 적층되어 복층으로 이루어져 있을 수 있다.
상기 게이트 전극(150)은 Al, Mo 및 Cr를 포함하는 금속들 및 InxSn(1-x)Oy, InxZn(1-x)Oy, ZnxGa(1-x)Oy, AlxZn(1-x)Oy 및 ITO를 포함하는 전도성 산화물들 중 어느 하나의 물질이 적층되어 이루어져 있거나 상기 물질들 중 적어도 둘 이상의 물질을 적층하여 복층으로 이루어져 있을 수도 있다.
그리고, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극(120), 반도체층(130), 게이트 절연막(140) 및 게이트 전극(150)을 구비한 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터상에 위치하며 이들을 보호하기 위한 패시베이션층(160)이 구비될 수 있는데, 상기 패시베이션층(160)은 SiOx, SiNx, AlOx, MgOx, AlN, HfOx, ZrOx 및 TaOx 중 어느 하나의 물질로 이루어져 있거나 이들 중 둘 이상의 물질을 이층 이상으로 반복적으로 적층하여 복층으로 이루어져 있을 수도 있다.
이때, 도 1을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 기판(100)을 준비한다. 이때, 기판(100)은 무알카리 유리 기판, PEN, PES 및 PET 등의 플라스틱 및 스테인리스 스틸, 알루미늄 및 티타늄 등의 메탈 포일 중 어느 하나 일 수 있다.
이어서, 상기 기판(100)상에 버퍼층(110)을 형성한다. 이때, 상기 버퍼층(110)은 SiOx, SiNx, AlOx, MgOx, AlN, HfOx, ZrOx 및 TaOx 중 어느 하나의 물질을 적층하거나, 상기 물질들 중 적어도 둘 이상의 물질을 이층 이상으로 반복적으로 적층하여 복층으로 형성할 수 있다.
이어서, 상기 버퍼층(110)상에 소오스 전극 및 드레인 전극(120)을 형성한 다. 이때, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극(120)은 Al, Mo 및 Cr를 포함하는 금속들 및 InxSn(1-x)Oy, InxZn(1-x)Oy, ZnxGa(1-x)Oy, AlxZn(1-x)Oy 및 ITO를 포함하는 전도성 산화물들 중 어느 하나를 적층하거나 이들 중 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 특히, 전도성 산화물을 사용하여 소오스 전극 및 드레인 전극(120)을 형성할 경우, 산화물 반도체층과의 콘택 저항을 줄일 수 있다.
이어서, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극(120)이 형성된 기판(100)상에 사화물 반도체층(130)을 형성한다. 이때, 산화물 반도체층(130)은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn) 및 갈륨(Ga)의 산화물 및 이들의 혼합물 중 어느 하나를 이용하여 형성할 수 있다.
특히, 본 발명에서는 아연 산화물(ZnO)와 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO)로 이루어진 산화물 반도체층(130)을 형성하였다. 상기 반도체층(130)은 InGaZnO4의 조성을 갖는 소결체를 타켓으로 하는 스퍼터링 장치를 이용하여 스퍼터링 방법으로 형성하였는데, 그 공정 조건은 RF 파워가 50 내지 500W이고, 공정 압력은 1 내지 20mTorr 범위에서 실시하였으며, 기판 온도는 0 내지 350℃의 범위에서 실시하였다. 특히, 상기 스퍼터링 방법의 공정 조건 중 아르곤 가스 대비 산소 가스 분압을 0 내지 20%까지 조절함으로써, 산화물 반도체층(130)의 두께에 따른 산소 농도 분포를 다르게 하여 반도체층의 전기 전도도, 전자 이동도 및 캐리어 농도의 변화를 제어하였다.
그리고, 상기 반도체층(130)을 형성한 후, 상기 반도체층(130)의 표면을 플 라즈마 처리, UV 처리, 열처리 또는 염기에 의한 화학적 처리를 하는 공정을 진행하여 산화물 반도체층(130)의 표면을 표면 처리할 수 있다.
상기와 같은 표면 처리는 상기 반도체층(130)의 표면 개질 특성을 우수하게 하여 이후 게이트 절연막(140)과의 계면에서 결함의 발생이 적어 특성이 우수한 반도체층을 제공할 수 있다는 효과가 있다.
이어서, 산화물 반도체층(130)이 형성된 기판상에 게이트 절연막(140)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 절연막(140)은 SiOx, SiNx, AlOx, MgOx, AlN, HfOx, ZrOx 및 TaOx 중 어느 하나의 물질을 적층하거나, 상기 물질들 중 적어도 둘 이상의 물질을 이층 이상으로 반복적으로 적층하여 복층으로 형성할 수 있다.
특히, 상기 SiOx 및 SiNx은 화학적 기상 증착 장치인 PECVD로 증착할 수 있고, AlOx는 ALD방법에 의해 증착할 수 있다. 이때, 상기 SiOx의 증착 공정 조건은 N2O 및 SiH4 가스를 사용하여 공정 압력은 1Torr, RF 파워는 100 내지 200W 및 기판 온도는 200 내지 350℃의 범위에서 박막을 형성을 형성할 수 있고, 상기 SiNx은 SiH4, NH3 및 N2의 반응 가스를 사용하여 RF 파워는 50 내지 500W, 공정 압력은 20 내지 100mTorr 및 기판 온도는 상온에서 350℃의 범위에서 박막을 형성할 수 있다.
이때, 상기 SiOx만으로 이루어진 게이트 절연막(140)은 누설 전류 특성 및 히스테리시스 특성은 우수하나 전자 이동도가 비교적 낮으며, 상기 SiNx만으로 이루 어진 게이트 절연막(140)은 전자 이동도가 우수하다는 특성이 있다. 따라서, 상기 SiOx 및 SiNx을 동시 형성한 게이트 절연막(140)을 이용하는 경우에는 누설 전류 및 히스테리시스 특성이 우수할 뿐만 아니라 전자 이동도도 우수한 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
이어서, 상기 게이트 절연막(140)상에 게이트 전극(150)을 형성한다.
이때, 상기 게이트 전극(150)은 상기 반도체층(130)의 채널 영역과 대응되도록 형성하고, Al, Mo 및 Cr를 포함하는 금속들 및 InxSn(1-x)Oy, InxZn(1-x)Oy, ZnxGa(1-x)Oy, AlxZn(1-x)Oy 및 ITO를 포함하는 전도성 산화물들 중 어느 하나의 물질을 적층하여 형성하거나 이들 중 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다.
상기와 같은 방법을 진행하여 본 발명의 제1실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
이때, 상기 박막 트랜지스터를 보호하는 패시베이션층(160)을 형성할 수 있는데, 상기 패시베이션층(160)은 SiOx, SiNx, AlOx, MgOx, AlN, HfOx, ZrOx 및 TaOx 중 어느 하나의 물질을 적층하거나, 상기 물질들 중 적어도 둘 이상의 물질을 이층 이상으로 반복적으로 적층하여 복층으로 형성할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명의 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터는 기판(100), 상기 기판상에 구비된 버퍼층(110), 상기 버퍼층(110)상에 구 비된 게이트 전극(150), 상기 게이트 전극(150) 상에 구비된 게이트 절연막(140), 상기 게이트 절연막(140)상에 구비되고, 소오스 영역, 채널 영역 및 드레인 영역을 구비한 반도체층(130), 상기 반도체층(130)상에 구비되며, 상기 반도체층(130)의 소오스 영역 및 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결되는 소오스 전극 및 드레인 전극(120)을 구비하고 있다.
따라서, 본 제2실시예는 상기 제1실시예의 각각의 구성 요소의 위치만 다를 뿐 그 외 상술한 각각의 구성 요소의 특징은 동일하다.
즉, 본 제2실시예의 각각의 구성 요소가 상기 제1실시예의 각각 구성 요소와 정반대의 순서로 적층되어 있는 점만이 상이할 뿐이다.
또한, 본 제2실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터를 제조하는 방법 역시 상기 제1실시예의 제조 방법을 그대로 이용하되, 그 순서가 게이트 전극(150)를 형성하는 단계, 게이트 절연막(140)을 형성하는 단계. 반도체층(130)을 형성하는 단계 및 소오스 전극 및 드레인 전극(120)을 형성하는 단계 순으로 진행한다는 점과 상기 게이트 절연막(140)을 먼저 형성하고, 그 상부에 반도체층(130)을 형성함으로써 상기 제1실시예와 같이 상기 반도체층(130)의 표면을 개질할 필요가 없다는 점에서 차이가 있을 뿐 나머지 공정은 동일하다.
도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하여 설명하면, 본 발명의 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터는 기판(100), 상기 기판상에 구비된 버퍼층(110), 상기 버퍼층(110)상에 구 비되고, 소오스 영역, 채널 영역 및 드레인 영역을 구비한 반도체층(130), 상기 반도체층(130)상에 구비되고, 상기 반도체층(130)의 소오스 영역 및 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결되는 소오스 전극 및 드레인 전극(120), 상기 소오스 전극 및 드레인 전극(120)상에 구비된 게이트 절연막(140) 및 상기 게이트 절연막(140)상에 구비되고, 상기 반도체층(130)의 채널 영역에 대응되는 게이트 전극(150)을 구비하고 있다.
따라서, 본 제3실시는 상기 반도체층(130)상에 소오스 전극 및 드레인 전극(120)이 위치한다는 점만이 상이할 뿐 그 외 각각의 구성 요소의 특징은 상기 제1실시예에서 상술한 바와 동일하다.
또한, 본 제3실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터를 제조하는 방법 역시 상기 제1실시예의 제조 방법을 그대로 이용하되, 상기 반도체층(130)을 형성하는 단계와 상기 소오스 전극 및 드레인 전극(120)을 형성하는 단계의 순서가 바뀐다는 점과 상기 반도체층(130)을 표면처리하는 단계에 있어서, 상기 반도체층(130)을 형성한 후 상기 반도체층(130) 표면 전체를 표면처리한 후 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 진행하거나, 상기 반도체층(130)을 형성하고, 그 상부에 소오스 전극 및 드레인 전극(120)을 형성한 후, 노출되는 반도체층(130)의 채널 영역만을 표면처리하는 단계를 진행할 수 있다는 점에서 차이가 있을 뿐 나머지 공정은 동일하다.
도 4는 본 발명의 제4실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하여 설명하면, 본 발 명의 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터는 기판(100), 상기 기판상에 구비된 게이트 전극(150), 상기 게이트 전극(150)상에 구비된 게이트 절연막(140), 상기 게이트 절연막(140)상에 구비된 소오스 전극 및 드레인 전극(120) 및 상기 소오스 전극 및 드레인 전극(120)상에 구비되고, 상기 게이트 전극(150)과 채널 영역이 대응되고, 소오스 영역 및 드레인 영역은 상기 소오스 전극 및 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 소오스 영역, 채널 영역 및 드레인 영역을 구비한 반도체층(130)을 구하고 있다.
따라서, 본 제4실시는 각각의 구성 요소의 위치만 상기 제1실시예와 다를 뿐 그 외 각각의 구성 요소의 특징은 상기 제1실시예에서 상술한 바와 동일하다.
또한, 본 제4실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터를 제조하는 방법 역시 상기 제1실시예의 제조 방법을 그대로 이용하되, 게이트 전극(150)을 형성하는 단계, 게이트 절연막(140)을 형성하는 단계, 소오스 전극 및 드레인 전극(120)을 형성하는 단계 및 반도체층(130)을 형성하는 단계 순으로 진행한다는 점과 게이트 절연막(140)을 먼저 형성하고 그 후 반도체층(130)을 형성함으로써 표면 처리 공정을 진행할 필요가 없다는 점에서 차이가 있을 뿐 나머지 공정은 동일하다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 제1실시예에 따른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터의 전달 특성 및 출력 특성을 보여주는 그래프들이다.
도 5a는 ITO로 이루어진 소오스 전극 및 드레인 전극(120), InGaZnO로 이루 어진 반도체층(130), SiNx/SiOx의 복층으로 게이트 절연막(140), Mo으로 이루어진 게이트 전극(150)을 구비한 박막 트랜지스터의 전달 특성을 나타내고 있고, 도 5b는 상기 도 5a의 박막 트랜지스터의 출력 특성을 나타내고 있으며, 도 5c는 ITO로 이루어진 소오스 전극 및 드레인 전극(120), InGaZnO로 이루어진 반도체층(130), SiOx의 단층으로 게이트 절연막(140), Mo으로 이루어진 게이트 전극(150)을 구비한 박막 트랜지스터의 전달 특성을 나타내고 있고, 도 5d는 상기 도 5c의 박막 트랜지스터의 출력 특성을 나타내고 있다.
상기 도 5a 내지 도 5d의 데이터로부터 본 발명의 제1실시예에 다른 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터는 0 내지 5V 범위의 문턱 전압을 갖는 증가형 박막 트랜지스터의 특성을 나타내고 있으며, 107 이상의 높은 온/오프(On/Off) 전류비와 10pA 이하의 낮은 오프 전류 특성을 보였다.(이때, 도 5b 및 도 5d는 게이트 전압(Vgs)이 0에서 10V(1V 스텝으로 변함)로 변화될 때, 드레인 전압(Vds) 값에 따른 출력 전류를 측정한 것으로 도 5b에서는 게이트 전압(Vgs) 값이 0V에서 2V일 때, 그 출력 전류값이 서로 겹쳐 있고, 도 5d에서는 게이트 전압(Vgs) 값이 0V에서 4V일 때, 그 출력 전류값이 서로 겹쳐있어 구분이 되지 않고 있음)
또한, 전류 포화 영역에서 측정한 전자 이동도는 10cm2/Vs 이상의 높은 값을 나타내었으며, 서브쓰레스홀드 스윙(subthreshold swing) 특성은 0.1 내지 1.0V/dec의 우수한 특성을 나타내었다.
이때, 본 발명의 다른 실시예들(실시예2 내지 4) 역시 상기 실시예1과 같은 특성을 나타낼 것이라 판단된다. 이는 다른 실시예들은 상기 실시예1과 구성 요소의 위치만 다를 뿐 동일한 물질 및 동일한 방법으로 제조되기 때문이다.
따라서, 본 발명의 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터는 능동형 평판 표시 장치의 구동 회로에 적합한 소자이다. 특히, 유기 전계 발광 표시 장치에서 전류 구동용 박막 트랜지스터와 스위칭용 박막 트랜지스터로 상기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 사용하는 것이 적합할 것이다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예들를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예들에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터는
첫째, 종래의 비정질 실리콘으로 형성된 반도체층에 비해 높은 전자 이동도를 갖고 구동시간에 따른 특성 변화가 적은 박막 트랜지스터를 제공하고,
둘째, 종래의 다결정 실리콘층을 구비한 박막 트랜지스터에 비해 균일한 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 제공하고,
셋째, 반도체층이 산화물 반도체로 이루어져 있어 종래의 비정질 또는 실리콘으로 이루어진 반도체층에 비해 넓은 밴드갭을 가지고 있어 가시광 영역에서 소 자 특성이 안정하고, 투과도를 확보할 수 있는 박막 트랜지스터를 제공하고,
넷째, 본 발명의 박막 트랜지스터를 평판 표시 장치에 적용할 경우, 반도체층이 가시광을 투과할 수 있음으로, 투명 도체로 배선을 형성하는 경우에는 높은 개구율을 확보할 수 있어 패널 전체가 투명한 평판 표시 장치를 제공할 수 있는 효과가 있다.
Claims (10)
- 기판;상기 기판 상에 위치하는 산화물 반도체층;상기 산화물 반도체층의 일정 영역과 대응하는 게이트 전극;상기 산화물 반도체층과 게이트 전극 사이에 위치하며, 서로 다른 물질을 포함하는 다층으로 이루어진 게이트 절연막; 및상기 산화물 반도체층과 전기적으로 연결된 소오스 전극 및 드레인 전극;을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서,상기 게이트 절연막의 각 층은 SiOx, SiNx, AlOx, MgOx, AlN, HfOx, ZrOx 및 TaOx 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 인듐, 아연, 갈륨 및 주석으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상 또는 그 산화물을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판은 플라스틱 또는 메탈 중 어느 하나를 포함하며, 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 소오스 전극 및 드레인 전극은 인듐, 아연, 갈륨 및 주석으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상 또는 그 산화물을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 산화물 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;를 포함하되,상기 게이트 절연막은 서로 다른 물질을 사용하여 다층으로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 SiOx, SiNx, AlOx, MgOx, AlN, HfOx, ZrOx 및 TaOx 중 둘 이상을 선택하여 다층 구조로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 소오스 전극 및 드레인 전극은 인듐, 아연, 갈륨 및 주석으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상 또는 그 산화물을 사용하여 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 기판을 준비하는 단계 후, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 단계와 게이트 절연막을 형성하는 단계 사이에는 플라즈마 처리, UV 처리, 열처리 또는 염기에 의한 화학적 처리를 하는 공정을 진행하여 반도체층의 표면을 표면처리하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제 조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060124165A KR20080052107A (ko) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060124165A KR20080052107A (ko) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080052107A true KR20080052107A (ko) | 2008-06-11 |
Family
ID=39806972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060124165A KR20080052107A (ko) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20080052107A (ko) |
Cited By (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100877153B1 (ko) * | 2007-01-09 | 2009-01-09 | 한국전자통신연구원 | 전자소자용 ＺｎＯ 반도체막 형성방법 및 상기 반도체막을포함하는 박막 트랜지스터 |
| KR20100075735A (ko) * | 2008-12-25 | 2010-07-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| KR101023338B1 (ko) * | 2008-11-04 | 2011-03-18 | 서울대학교산학협력단 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| KR20110078069A (ko) * | 2009-12-30 | 2011-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 평판형 표시장치 제조방법 |
| KR20110078596A (ko) * | 2009-12-31 | 2011-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 |
| KR20120003379A (ko) * | 2010-07-02 | 2012-01-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR20120008464A (ko) * | 2010-07-16 | 2012-01-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
| KR20120024397A (ko) * | 2010-08-06 | 2012-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8207530B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductor and thin film transistor including the same |
| KR20120076062A (ko) * | 2010-12-29 | 2012-07-09 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
| KR20120099341A (ko) * | 2011-01-26 | 2012-09-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR20120114169A (ko) * | 2011-04-06 | 2012-10-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR20120120065A (ko) * | 2011-04-22 | 2012-11-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8304981B2 (en) | 2008-12-01 | 2012-11-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
| KR20120121846A (ko) * | 2011-04-27 | 2012-11-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR20130006345A (ko) * | 2011-07-08 | 2013-01-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| KR20130091667A (ko) * | 2010-06-11 | 2013-08-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US8624237B2 (en) | 2008-07-31 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR20140063832A (ko) * | 2011-09-23 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR20140086978A (ko) * | 2011-09-27 | 2014-07-08 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 박막 트랜지스터, 및 화상 표시 장치 |
| CN103985760A (zh) * | 2009-12-25 | 2014-08-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| US8890139B2 (en) | 2011-10-19 | 2014-11-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Solution composition for passivation layer, thin film transistor array panel, and manufacturing method for thin film transistor array panel |
| KR20140135674A (ko) * | 2008-11-13 | 2014-11-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101470300B1 (ko) * | 2008-08-08 | 2014-12-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8912027B2 (en) | 2012-07-24 | 2014-12-16 | Samsung Display Co., Ltd | Display device and method of manufacturing the same |
| KR101493305B1 (ko) * | 2008-07-31 | 2015-02-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
| KR20150018480A (ko) * | 2008-12-25 | 2015-02-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
| US9006965B2 (en) | 2008-07-10 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| US9502445B2 (en) | 2008-09-12 | 2016-11-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same |
| US9647131B2 (en) | 2009-09-24 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device |
| US9660092B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer |
| CN107068765A (zh) * | 2011-10-14 | 2017-08-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| US9768280B2 (en) | 2008-12-25 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9773787B2 (en) | 2015-11-03 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device |
| US9865744B2 (en) | 2010-01-22 | 2018-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR20180042832A (ko) * | 2010-11-05 | 2018-04-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US9991288B2 (en) | 2010-02-05 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR20180099934A (ko) * | 2009-11-28 | 2018-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US10158005B2 (en) | 2008-11-07 | 2018-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10181545B2 (en) | 2008-09-12 | 2019-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR20190016529A (ko) * | 2019-02-08 | 2019-02-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법 |
| US10211240B2 (en) | 2008-10-22 | 2019-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2019050428A (ja) * | 2010-06-25 | 2019-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US10283627B2 (en) | 2009-05-29 | 2019-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR20190058722A (ko) * | 2011-01-28 | 2019-05-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치 |
| KR20190077596A (ko) * | 2010-12-03 | 2019-07-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
| US10373983B2 (en) | 2016-08-03 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| KR20190125252A (ko) * | 2011-03-28 | 2019-11-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| US10490553B2 (en) | 2009-10-29 | 2019-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10505049B2 (en) | 2009-12-04 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device has an oxide semiconductor layer containing a c-axis aligned crystal |
| KR20200008065A (ko) * | 2010-04-02 | 2020-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR20200038324A (ko) * | 2010-03-08 | 2020-04-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법 |
| US11049733B2 (en) | 2010-02-26 | 2021-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
-
2006
- 2006-12-07 KR KR1020060124165A patent/KR20080052107A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (105)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100877153B1 (ko) * | 2007-01-09 | 2009-01-09 | 한국전자통신연구원 | 전자소자용 ＺｎＯ 반도체막 형성방법 및 상기 반도체막을포함하는 박막 트랜지스터 |
| US10483288B2 (en) | 2008-07-10 | 2019-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| US9006965B2 (en) | 2008-07-10 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| US10916567B2 (en) | 2008-07-10 | 2021-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| US11631702B2 (en) | 2008-07-10 | 2023-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| US10529741B2 (en) | 2008-07-10 | 2020-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| US10937897B2 (en) | 2008-07-31 | 2021-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR101493305B1 (ko) * | 2008-07-31 | 2015-02-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
| KR101467962B1 (ko) * | 2008-07-31 | 2014-12-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9087745B2 (en) | 2008-07-31 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9111804B2 (en) | 2008-07-31 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9496406B2 (en) | 2008-07-31 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11296121B2 (en) | 2008-07-31 | 2022-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8624237B2 (en) | 2008-07-31 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9793416B2 (en) | 2008-08-08 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR101470300B1 (ko) * | 2008-08-08 | 2014-12-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9236456B2 (en) | 2008-08-08 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8946703B2 (en) | 2008-08-08 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9166058B2 (en) | 2008-08-08 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9437748B2 (en) | 2008-08-08 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US10205030B2 (en) | 2008-08-08 | 2019-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9954006B2 (en) | 2008-09-12 | 2018-04-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same |
| US11024763B2 (en) | 2008-09-12 | 2021-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9502445B2 (en) | 2008-09-12 | 2016-11-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same |
| US10181545B2 (en) | 2008-09-12 | 2019-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US10211240B2 (en) | 2008-10-22 | 2019-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR101023338B1 (ko) * | 2008-11-04 | 2011-03-18 | 서울대학교산학협력단 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| US10158005B2 (en) | 2008-11-07 | 2018-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR20140135674A (ko) * | 2008-11-13 | 2014-11-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9559212B2 (en) | 2008-11-13 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8766530B2 (en) | 2008-12-01 | 2014-07-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
| US8304981B2 (en) | 2008-12-01 | 2012-11-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
| US11158654B2 (en) | 2008-12-25 | 2021-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9768280B2 (en) | 2008-12-25 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR20100075735A (ko) * | 2008-12-25 | 2010-07-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| US10720451B2 (en) | 2008-12-25 | 2020-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10483290B2 (en) | 2008-12-25 | 2019-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR20150018480A (ko) * | 2008-12-25 | 2015-02-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
| KR20190018657A (ko) * | 2008-12-25 | 2019-02-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US8207530B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductor and thin film transistor including the same |
| US10283627B2 (en) | 2009-05-29 | 2019-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9647131B2 (en) | 2009-09-24 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device |
| US10490553B2 (en) | 2009-10-29 | 2019-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US11133419B2 (en) | 2009-11-28 | 2021-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US11710795B2 (en) | 2009-11-28 | 2023-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor with c-axis-aligned crystals |
| US10608118B2 (en) | 2009-11-28 | 2020-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR20180099934A (ko) * | 2009-11-28 | 2018-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US11342464B2 (en) | 2009-12-04 | 2022-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising first and second insulating layer each has a tapered shape |
| US10861983B2 (en) | 2009-12-04 | 2020-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer containing a c-axis aligned crystal |
| US11728437B2 (en) | 2009-12-04 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer containing a c-axis aligned crystal |
| US10505049B2 (en) | 2009-12-04 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device has an oxide semiconductor layer containing a c-axis aligned crystal |
| US9991265B2 (en) | 2009-12-25 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10553589B2 (en) | 2009-12-25 | 2020-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN103985760A (zh) * | 2009-12-25 | 2014-08-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| US11825665B2 (en) | 2009-12-25 | 2023-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US11456296B2 (en) | 2009-12-25 | 2022-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR20110078069A (ko) * | 2009-12-30 | 2011-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 평판형 표시장치 제조방법 |
| KR20110078596A (ko) * | 2009-12-31 | 2011-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 |
| US9865744B2 (en) | 2010-01-22 | 2018-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9991288B2 (en) | 2010-02-05 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11101295B2 (en) | 2010-02-05 | 2021-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11469255B2 (en) | 2010-02-05 | 2022-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11749686B2 (en) | 2010-02-05 | 2023-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US10615179B2 (en) | 2010-02-05 | 2020-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11049733B2 (en) | 2010-02-26 | 2021-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US11682562B2 (en) | 2010-02-26 | 2023-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR20200038324A (ko) * | 2010-03-08 | 2020-04-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법 |
| US10749033B2 (en) | 2010-03-08 | 2020-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US10608116B2 (en) | 2010-04-02 | 2020-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US11411121B2 (en) | 2010-04-02 | 2022-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR20200008065A (ko) * | 2010-04-02 | 2020-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR20130091667A (ko) * | 2010-06-11 | 2013-08-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2019050428A (ja) * | 2010-06-25 | 2019-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR20190065996A (ko) * | 2010-06-25 | 2019-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 반도체 장치 |
| KR20120003379A (ko) * | 2010-07-02 | 2012-01-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR20120008464A (ko) * | 2010-07-16 | 2012-01-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
| KR20120024397A (ko) * | 2010-08-06 | 2012-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR20180042832A (ko) * | 2010-11-05 | 2018-04-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| KR20190077596A (ko) * | 2010-12-03 | 2019-07-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
| US10916663B2 (en) | 2010-12-03 | 2021-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
| KR20120076062A (ko) * | 2010-12-29 | 2012-07-09 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
| KR20120099341A (ko) * | 2011-01-26 | 2012-09-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 |
| US10069014B2 (en) | 2011-01-26 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR20190058722A (ko) * | 2011-01-28 | 2019-05-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치 |
| KR20190125252A (ko) * | 2011-03-28 | 2019-11-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR20120114169A (ko) * | 2011-04-06 | 2012-10-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| US10388799B2 (en) | 2011-04-22 | 2019-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor Device |
| KR20120120065A (ko) * | 2011-04-22 | 2012-11-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US10249651B2 (en) | 2011-04-27 | 2019-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| KR20120121846A (ko) * | 2011-04-27 | 2012-11-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR20130006345A (ko) * | 2011-07-08 | 2013-01-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US9660092B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer |
| KR20140063832A (ko) * | 2011-09-23 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR20140086978A (ko) * | 2011-09-27 | 2014-07-08 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 박막 트랜지스터, 및 화상 표시 장치 |
| CN107068765A (zh) * | 2011-10-14 | 2017-08-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| US9188867B2 (en) | 2011-10-19 | 2015-11-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Solution composition for passivation layer, thin film transistor array panel, and manufacturing method for thin film transistor array panel |
| US9470978B2 (en) | 2011-10-19 | 2016-10-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Solution composition for passivation layer, thin film transistor array panel, and manufacturing method for thin film transistor array panel |
| US8890139B2 (en) | 2011-10-19 | 2014-11-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Solution composition for passivation layer, thin film transistor array panel, and manufacturing method for thin film transistor array panel |
| US8912027B2 (en) | 2012-07-24 | 2014-12-16 | Samsung Display Co., Ltd | Display device and method of manufacturing the same |
| US9773787B2 (en) | 2015-11-03 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device |
| US11404447B2 (en) | 2016-08-03 | 2022-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US10700098B2 (en) | 2016-08-03 | 2020-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US11676971B2 (en) | 2016-08-03 | 2023-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US10373983B2 (en) | 2016-08-03 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| KR20190016529A (ko) * | 2019-02-08 | 2019-02-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20080052107A (ko) | 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터 | |
| TWI406418B (zh) | 薄膜電晶體及其製造方法 | |
| JP5467728B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP5137146B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| EP2195849B1 (en) | Oxide semiconductor device including insulating layer and display apparatus using the same | |
| CN109768082B (zh) | 具有氢阻挡层的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示设备 | |
| KR101035357B1 (ko) | 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광소자 | |
| CN102097486B (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法以及有机电致发光设备 | |
| JP5371467B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法 | |
| KR101980196B1 (ko) | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 | |
| JP5339792B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ、その製造方法、およびそれを用いた表示装置 | |
| US10204973B2 (en) | Display device and thin-film transistors substrate | |
| KR20080074889A (ko) | 반도체 박막, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터 | |
| JP2010040645A (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタの製造方法及び該製造方法によって製造された薄膜電界効果型トランジスタ | |
| KR20120021454A (ko) | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 | |
| US9153651B2 (en) | Thin film transistor and method for manufacturing the same | |
| JP7080842B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP6756875B1 (ja) | ディスプレイ用酸化物半導体薄膜、ディスプレイ用薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット | |
| JP5553868B2 (ja) | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 | |
| CN108258021B (zh) | 薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置 | |
| WO2019107043A1 (ja) | 酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット | |
| KR20100047036A (ko) | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR20200057372A (ko) | 도핑된 주석 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |