JP5339792B2 - 薄膜電界効果型トランジスタ、その製造方法、およびそれを用いた表示装置 - Google Patents
薄膜電界効果型トランジスタ、その製造方法、およびそれを用いた表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5339792B2 JP5339792B2 JP2008173862A JP2008173862A JP5339792B2 JP 5339792 B2 JP5339792 B2 JP 5339792B2 JP 2008173862 A JP2008173862 A JP 2008173862A JP 2008173862 A JP2008173862 A JP 2008173862A JP 5339792 B2 JP5339792 B2 JP 5339792B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- field effect
- effect transistor
- gate electrode
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 86
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 64
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 17
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 10
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 161
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 19
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 8
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-2-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=CC=C1 XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNWNNQTUZYVQRK-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-1h-pyrrolo[2,3-c]pyridine-2-carboxylic acid Chemical compound BrC1=NC=C2NC(C(=O)O)=CC2=C1 NNWNNQTUZYVQRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002574 CR-39 Polymers 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282376 Panthera tigris Species 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004556 carbazol-9-yl group Chemical group C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3N(C12)* 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(Cl)Cl QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- VYMDGNCVAMGZFE-UHFFFAOYSA-N phenylbutazonum Chemical compound O=C1C(CCCC)C(=O)N(C=2C=CC=CC=2)N1C1=CC=CC=C1 VYMDGNCVAMGZFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
これらFPDは、ガラス基板上に設けた非晶質シリコン薄膜や多結晶シリコン薄膜を活性層に用いる電界効果型薄膜トランジスタ(以後の説明で、Thin Film Transistor、もしくはTFTと記載する場合がある)のアクティブマトリクス回路により駆動されている。
しかし、上述のシリコン薄膜を用いるトランジスタの製造は、比較的高温の熱工程を要し、一般的に耐熱性の低い樹脂基板上に直接形成することは困難である。
この問題を改良する手段として、アモルファス酸化物半導体のキャリア濃度を低減すること、例えば、1018/cm3未満にするとTFTは動作し、1016/cm3未満で良好なON/OFF比を持つTFTが得られること、さらに良好な低いオフ電流特性を持たせるには、キャリア濃度を1016/cm3未満にすることが好ましいことが開示されている(例えば、特許文献1参照)。
<1> 基板上に、少なくとも、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 2 Scm −1 未満である活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 −9 Scm −1 以上10 −2 Scm −1 以下である抵抗部を有し、前記抵抗部の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比(前記活性層の電気伝導度/前記抵抗部の電気伝導度)が10 2 以上10 8 以下であり、前記抵抗部と前記ゲート電極とが互いに平面状重なりを有していない薄膜電界効果型トランジスタ。
<2> 前記活性層の電気伝導度が10 −4 Scm −1 以上である<1>に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<3> 前記抵抗部の膜厚が前記活性層の膜厚と同等もしくは厚い<1>又は<2>に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<4> 前記抵抗部の酸素濃度が前記活性層の酸素濃度より高い<1>〜<3>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<5> 前記活性層の電気伝導度が10−1Scm−1以上である<1>〜<4>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<6> 前記抵抗部の前記ゲート電極に近い端部と前記ゲート電極の前記抵抗部に近い端部との平面上の距離が0nm以上100nm以下である<1>〜<5>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<7> 前記抵抗部の前記ゲート電極に近い端部と前記ゲート電極の前記抵抗部に近い端部との平面上の距離が実質的に0nmである<1>〜<6>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<8> 前記基板がフレキシブル基板である<1>〜<7>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<9> 透明基板上に、少なくとも、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 2 Scm −1 未満である活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、かつ電気伝導度が10 −9 Scm −1 以上10 −2 Scm −1 以下である抵抗部を有し、前記抵抗部の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比(前記活性層の電気伝導度/前記抵抗部の電気伝導度)が10 2 以上10 8 以下であり、前記抵抗部と前記ゲート電極とが互いに平面状重なりを有しない位置に配置されている薄膜電界効果型トランジスタの製造方法であって、少なくとも、パターニングされた前記ゲート電極を形成する工程と、該パターニングされた前記ゲート電極をマスクとして利用してパターニングされた前記抵抗部を形成する工程と、を有する薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
<10> 前記活性層の電気伝導度が10 −4 Scm −1 以上である<9>に記載の薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
<11> 透明基板上に、少なくとも、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 2 Scm −1 未満である活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 −9 Scm −1 以上10 −2 Scm −1 以下である抵抗部を有し、前記抵抗部の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比(前記活性層の電気伝導度/前記抵抗部の電気伝導度)が10 2 以上10 8 以下であり、記抵抗部と前記ゲート電極が互いに平面状重なりを有しない位置に配置されている薄膜電界効果型トランジスタの製造方法であって、少なくとも、パターニングされた前記ゲート電極を形成する工程と、該パターニングされた前記ゲート電極をマスクとして利用してパターニングされた前記抵抗部、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、を有する薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
<12> 前記活性層の電気伝導度が10 −4 Scm −1 以上である<11>に記載の薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
<13> 透明基板上に、少なくとも、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 2 Scm −1 未満である活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 −9 Scm −1 以上10 −2 Scm −1 以下である抵抗部を有し、前記抵抗部の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比(前記活性層の電気伝導度/前記抵抗部の電気伝導度)が10 2 以上10 8 以下であり、前記抵抗部と前記ゲート電極が互いに平面状重なりを有しない位置に配置されている薄膜電界効果型トランジスタの製造方法であって、少なくとも、パターニングされた前記抵抗部を形成する工程と、該パターニングされた前記抵抗部をマスクとして利用して、又は前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして利用してパターニングされた前記ゲート電極部を形成する工程と、を有する薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
<14> 前記活性層の電気伝導度が10 −4 Scm −1 以上である<13>に記載の薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
<15> 1対の電極、及び該1対の電極間に介在する発光層を有する発光素子と、該発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備えた表示装置であって、前記電界効果型トランジスタが、<1>〜<8>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタである表示装置。
<16> 1対の電極、及び該1対の電極間に介在する発光層を有する発光素子と、該発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備えた表示装置であって、前記電界効果型トランジスタが、<9>〜<14>のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によって製造された電界効果型トランジスタである表示装置。
しかしながら、これを例えば表示装置の駆動回路に用いる場合、移動度、ON/OFF比の観点から駆動回路を動作するには性能がまだ不十分であった。活性層に用いられるアモルファス酸化物半導体は、キャリア濃度が下がると電子移動度が下がる傾向があるので、良好なOFF特性と、高移動度を両立するTFTを形成することが困難であった。
本発明のTFTは、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を順次有し、ゲート電極に電圧を印加して、活性層に流れる電流を制御し、ソース電極とドレイン電極間の電流をスイッチングする機能を有するアクテイブ素子である。TFT構造として、スタガ構造及び逆スタガ構造いずれをも形成することができる。
好ましくは、活性層の酸化物半導体の酸素濃度が抵抗層の酸化物半導体の酸素濃度より低い。
好ましくは、前記酸化物半導体がIn、GaおよびZnからなる群より選ばれる少なくとも1種若しくはこれらの複合酸化物を含む。より好ましくは、前記酸化物半導体が前記InおよびZnを含有し、前記抵抗層のZnとInの組成比(Inに対するZnの比率Zn/Inで表す)が前記活性層のZn/In比より大きい。好ましくは、抵抗層のZn/In比が活性層のZn/In比より3%以上大きく、さらに好ましくは、10%以上大きい。
好ましくは、前記基板が可撓性樹脂基板である。
上記構成は、後述するように、スタガ構造(以後の説明で、トップゲート構造と記載する場合がある)、逆スタガ構造(以後の説明で、ボトムゲート構造と記載する場合がある)とも製造可能である。逆スタガ構造の場合は、パターニングされたゲート電極をマスクとして用いて抵抗部、ソース、ドレイン電極をパターニングすることにより、抵抗部のゲート電極に近い端部とゲート電極の抵抗部に近い端部との平面上の距離が実質的に0mmである構成を精度よく製造することができる。スタガ構造の場合、パターニングされた抵抗部またはソース電極及びドレイン電極をマスクとして用いてゲート電極をパターニングすることにより、抵抗部のゲート電極に近い端部とゲート電極の抵抗部に近い端部との平面上の距離が実質的に0mmである構成を精度よく製造することができる。
基板上に、ゲート電極を成膜パターニングした後(図9a)、ゲート絶縁膜を成膜(図9b)、さらには活性層を成膜し、ポジレジストを塗布形成し(図9c)、この段階でゲート電極をマスクとして基板側から前記ポジレジストを露光し現像する(図9d)。該露光は直進性の強いレーザー光をスキャンすることで行うこともできる。レジストは抵抗層を形成される部分を含む露光部分では除去される(図9e)。レジストパターンのうち抵抗部に対応する部分の端部は先に形成されている前記ゲート電極の端部と一致する。ついで活性層をエッチング、レジストを剥離する(図9f、g)。これにより活性層端部とゲート電極端部が一致する。レジスト剥離後、リフトオフ工程にて、抵抗部、ソース電極、ドレイン電極を作製する。再度、ポジレジストを塗布形成し(図9h)、同様にゲート電極をマスクとして露光、現像する(図9i)。レジストは抵抗層形成領域が除去される。この後、抵抗層、ソース、ドレイン電極を成膜した後(図9j)、レジストを剥離する(図9k)。この結果、ゲート電極と抵抗部、およびソース、ドレイン電極が平面状に重なりを生じない自己整合型のトランジスタが形成される。
基板上に活性層を成膜パパターニングする(図10a)。ついでリフトオフ工程にて抵抗部 、ソース電極、ドレイン電極をパターニングする。具体的にはレジスト塗布し(図10b)、露光、現像した後(図10c)、抵抗部、ソース電極、ドレイン電極を成膜し(図10d)、レジストを剥離することでパターニングされた抵抗部、ソース電極、ドレイン電極が形成される(図10e)。抵抗部とソース電極、ドレイン電極は、全く同一にパターニングされる。次いでゲート絶縁膜を成膜する(図10f)。ゲート電極の形成は、抵抗部(即ちソース電極、ドレイン電極)をマスクにして、リフトオフ工程で形成する。具体的にはレジストを塗布し(図10g)、抵抗部またはソース電極及びドレイン電極をマスクとして基板側から露光し、現像する。レジストはゲートを形成する部分が除去される。この後ゲート電極を成膜(図10h)、残りのレジストを剥離することでゲート電極と抵抗部、ソース電極、ドレイン電極が平面状に重なりを生じない自己整合型のトランジスタを形成できる(図10i)。
本発明に用いられる活性層には、アモルファス酸化物半導体が用いられる。アモルファス酸化物半導体は、低温で成膜可能である為に、プラスティックのような可撓性のある樹脂基板に作製が可能である。低温で作製可能な良好なアモルファス酸化物半導体としては、少なくともInを含む酸化物、InとGaを含む酸化物、InとZnを含む酸化物、In、Ga及びZnを含有する酸化物であり、組成構造としては、InGaO3(ZnO)m(mは6未満の自然数)のものが好ましいことが知られている。これらは、キャリアが電子のn型半導体である。もちろん、ZnO・Rh2O3、CuGaO2、SrCu2O2のようなp型酸化物半導体を活性層に用いても良い。特開2006−165529に開示されている酸化物半導体を用いることもできる。
本発明においては、活性層と該活性層とソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間に該活性層より電気抵抗率の高い抵抗部を有する。
好ましくは、抵抗層の電気伝導度に対する活性層の電気伝導度の比率(活性層の電気伝導度/抵抗層の電気伝導度)は、101以上1010以下であり、より好ましくは、102以上108以下である。好ましくは、前記活性層の電気伝導度が10−4Scm−1以上102Scm−1未満である。より好ましくは10−1Scm−1以上102Scm−1未満である。
抵抗層の電気伝導度は、好ましくは10−2Scm−1以下、より好ましくは10−9Scm−1以上10−3Scm−1以下である。
電気伝導度の調整手段としては、活性層及び抵抗層が酸化物半導体である場合は下記の手段を挙げることが出来る。
(1)酸素欠陥による調整
酸化物半導体において、酸素欠陥ができると、キャリア電子が発生し、電気伝導度が大きくなることが知られている。よって、酸素欠陥量を調整することにより、酸化物半導体の電気伝導度を制御することが可能である。酸素欠陥量を制御する具体的な方法としては、成膜中の酸素分圧、成膜後の後処理時の酸素濃度と処理時間等がある。ここでいう後処理とは、具体的に100℃以上の熱処理、酸素プラズマ、UVオゾン処理がある。これらの方法の中でも、生産性の観点から成膜中の酸素分圧を制御する方法が好ましい。成膜中の酸素分圧を調整することにより、酸化物半導体の電気伝導度の制御ができることは、特開2006−165529に開示されており、本手法を利用することができる。
酸化物半導体の金属組成比を変えることにより、電気伝導度が変化することが知られている。例えば、InGaZn1−XMgXO4において、Mgの比率が増えていくと、電気伝導度が小さくなることが、特開2006−165529に開示されている。また、(In2O3)1−X(ZnO)Xの酸化物系において、Zn/In比が10%以上では、Zn比率が増加するにつれ、電気伝導度が小さくなることが報告されている(「透明導電膜の新展開II」シーエムシー出版1、P.34−35)。これら組成比を変える具体的な方法としては、例えば、スパッタによる成膜方法においては、組成比が異なるターゲットを用いる。または、多元のターゲットにより、共スパッタし、そのスパッタレートを個別に調整することにより、膜の組成比を変えることが可能である。
酸化物半導体に、Li,Na,Mn,Ni,Pd,Cu,Cd,C,N,P等の元素を不純物として添加することにより、電子キャリア濃度を減少させること、つまり電気伝導度を小さくすることが可能であることが、特開2006−165529に開示されている。不純物を添加する方法としては、酸化物半導体と不純物元素とを共蒸着により行う、成膜された酸化物半導体膜に不純物元素のイオンをイオンドープ法により行う等がある。
上記(1)〜(3)においては、同一酸化物半導体系での電気伝導度の調整方法を述べたが、もちろん酸化物半導体材料を変えることにより、電気伝導度を変えることができる。例えば、一般的にSnO2系酸化物半導体は、In2O3系酸化物半導体に比べて電気伝導度が小さいことが知られている。このように酸化物半導体材料を変えることにより、電気伝導度の調整が可能である。特に電気伝導度の小さい酸化物材料としては、Al2O3、Ga2O3、ZrO2、Y2O3、Ta2O3、MgO、HfO3等の酸化物絶縁体材料が知られており、これらを用いることも可能である。
電気伝導度を調整する手段としては、上記(1)〜(4)の方法を単独に用いても良いし、組み合わせても良い。
活性層及び抵抗層の成膜方法は、酸化物半導体の多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが良い。気相成膜法の中でも、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法(PLD法)が適している。さらに、量産性の観点から、スパッタリング法が好ましい。
また、膜厚は触針式表面形状測定により求めることができる。組成比は、RBS(ラザフォード後方散乱)分析法により求めることができる。
本発明に於ける抵抗部は、活性層とドレイン電極またはソース電極の少なくとも一方との間に配され、ゲート電極と平面上重ならない位置に配置される。本発明に用いられる抵抗部は、電気伝導度としては10−2Scm以下が好ましく、より好ましくは10−9Scm以下である。
好ましくは、抵抗部がアモルファス酸化物よりなる。抵抗部に用いられるアモルファス酸化物は、少なくともInを含有する。より好ましくは、InとGaを含有又はInとZnを含有するアモルファス酸化物である。さらに好ましくは、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物である。
抵抗層の膜厚が活性層の膜厚より厚いことが好ましい。より好ましくは、抵抗層の膜厚/活性層の膜厚比が1を超え100以下さらに好ましくは1を超え10以下である。活性層の膜厚は1nm以上100nm以下が好ましく、より好ましくは2.5nm以上30nm以下である。抵抗層の膜厚は5nm以上500nm以下が好ましくより好ましくは10nm以上100nm以下である。本発明に於ける活性層の膜厚は、作成した素子断面のHRTEM(High Resolution TEM)写真撮影により測定することができる。
本発明におけるゲート電極としては、例えば、Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Au、Ag等の金属、Al−Nd、APC等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられる。
ゲート電極の厚みは、10nm以上1000nm以下とすることが好ましい。
ゲート絶縁膜としては、SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、Y2O3、Ta2O5、HfO2等の絶縁体、又はそれらの化合物を少なくとも二つ以上含む混晶化合物が用いられる。また、ポリイミドのような高分子絶縁体もゲート絶縁膜として用いることができる。
本発明におけるソース電極及びドレイン電極材料として、例えば、Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Au、Ag等の金属、Al−Nd、APC等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられる。特に好ましくは、IZOである。
ソース電極及びドレイン電極の厚みは、10nm以上1000nm以下とすることが好ましい。
本発明に用いられる基板は特に限定されることはなく、例えばYSZ(ジルコニア安定化イットリウム)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テルスルホン、ポリアリレ−ト、アリルジグリコ−ルカ−ボネ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の合成樹脂等の有機材料、などが挙げられる。前記有機材料の場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、低吸湿性等に優れていることが好ましい。
必要によって、TFT上に保護絶縁膜を設けても良い。保護絶縁膜は、活性層または抵抗層の半導体層を大気による劣化から保護する目的や、TFT上に作製される電子デバイスとを絶縁する目的がある。
必要によって、TFTの後処理として、熱処理を行っても良い。熱処理としては、温度100℃以上で、大気下または窒素雰囲気下で行う。熱処理を行う工程としては、半導体層を成膜後でも良いし、TFT作製工程の最後に行っても良い。熱処理を行うことにより、TFTの特性の面内バラつきが抑制される、駆動安定性が向上する等の効果がある。
次に、図面を用いて、詳細に本発明のTFTの構造を説明する。なお、図中、破線はゲート電極と抵抗部との平面上の重なり関係を明らかにするための補助線である。
図1は、本発明のTFTの一例を示す逆スタガ(ボトムゲート)構造の一例を示す断面模式図である。基板1がプラスチックフィルムなどの可撓性基板の場合、基板1の少なくとも一方の面に絶縁層6を配し、その上にゲート電極2、ゲート絶縁膜3、パターン化された活性層4、パターン化された抵抗部7−1,7−2を積層して有し、その表面にソース電極5−1とドレイン電極5−2が設置される。平面上、抵抗部7−1,7−2のゲート電極2に近い端部とゲート電極2の抵抗部7−1,7−2に近い端部が重なり合っていない(図中の破線で境界線を示す)。
本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、液晶やEL素子を用いた画像表示装置、特に平面薄型表示装置(Flat Panel Display:FPD)に好ましく用いられる。より好ましくは、基板に有機プラスチックフィルムのような可撓性基板を用いたフレキシブル表示装置に用いられる。特に、本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、移動度が高いことから有機EL素子を用いた表示装置、フレキシブル有機EL表示装置に最も好ましく用いられる。
本発明のTFTは、液晶やEL素子を用いた画像表示装置、特にFPDのスイッチング素子、駆動素子として用いることができる。特に、フレキシブルFPD装置のスイッチング素子、駆動素子として用いるのが適している。さらに本発明の電界効果型薄膜トランジスタを用いた表示装置は、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、TVモニター、あるいは一般照明を含む広い分野で幅広い分野で応用される。
また、本発明のTFTは、表示装置以外にも、有機プラスチックフィルムのような可撓性基板上に本発明の電界効果型薄膜トランジスタを形成し、ICカードやIDタグなどに幅広く応用が可能である。
1.活性層及び抵抗層の作製
<条件1>
InGaZnO4の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして、RFマグネトロンスパッタ真空蒸着法により、Ar流量12sccm、O2流量0.2sccm、RFパワー200W、圧力0.4Paの条件で行った。
<条件2>
条件1と同様に、但しO2流量を0.6sccmに変更して行った。
<条件3>
条件1と同様に、但しO2流量を1.4sccmに変更して行った。
<条件4>
条件1と同様に、但しO2流量を1.5sccmに変更して行った。
<条件5>
条件1と同様に、但しO2流量を1.8sccmに変更して行った。
物性測定用サンプルの電気伝導度は、サンプルの測定されたシート抵抗と膜厚から計算し求めた。ここで、シート抵抗をρ(Ω/□)、膜厚をd(cm)とすると、電気伝導度σ(Scm−1)は、σ=1/(ρ*d)として算出される。
本実施例において、物性測定用サンプルのシート抵抗107Ω/□未満の領域ではロレスタ−GP(三菱化学社製)、シート抵抗107Ω/□以上の領域ではハイテスタ−UP(三菱化学社製)を用いて20℃の環境下で行った。物性測定用サンプルの膜厚測定には触針式表面形状測定器DekTak−6M(ULVAC社製)を用いた。
物性測定用サンプルのキャリア濃度の測定には、ResiTest8300型(東陽テクニカ社製)を用いてホール効果測定を行うことにより求めた。ホール効果測定は20℃の環境下で行った。尚、ホール効果測定を行うことにより、キャリア濃度だけではなく、キャリアのホール移動度も求めることができる。
物性測定用サンプルの組成比のRBS(ラザフォード後方散乱)分析により、組成比を求めた。
上記のアモルファス半導体材料およびアモルファス酸化物を用いて、本発明および比較のTFT素子を作成した。製造工程は図9に概略断面図で示される。
<ゲート電極の形成>
基板としては、無アルカリガラス板(コーニング社、品番NO.1737)を用いた。純水15分→アセトン15分→純水15分の順で超音波洗浄を行った前記基板上に、DCマグネトロンスパッタリング蒸着法(スパッタリング条件:スパッタガスAr=12sccm、DCパワー380W、圧力0.4Pa)により、ゲート電極としてのMo薄膜(厚み40nm)を形成した。ゲート電極Moのパターニングには、フォトリソソグラフィー法でパターニングを行った。
次にゲート電極上に、下記のゲート絶縁膜の形成を行った。
ゲート絶縁膜:SiO2をRFマグネトロンスパッタ真空蒸着法(条件:ターゲットSiO2、成膜温度54℃、スパッタガスAr/O2=12/2sccm、RFパワー400W、成膜圧力0.4Pa)にて200nm形成し、ゲート絶縁膜を設けた。ゲート絶縁膜SiO2のパターニングには、スパッタ時にシャドウマスクを用いることにより行った。
ゲート絶縁膜上に、前記活性層及び抵抗層作製条件のいずれかを用いて活性層及び抵抗層を設けた(各条件を表2に示した)。
パターニングは活性層を成膜し、ポジレジストを塗布形成し、この段階でゲート電極をマスクとして基板側から前記ポジレジストを露光し現像した。レジストは抵抗層を形成される部分を含む露光部分では除去される。レジストパターンのうち抵抗部に対応する部分の端部は先に形成されている前記ゲート電極の端部と一致した。ついで活性層をエッチング、レジストを剥離する。これにより活性層端部とゲート電極端部が一致する。レジスト剥離後、再度、ポジレジストを塗布形成し、同様にゲート電極をマスクとして露光、現像した。レジストは抵抗層形成領域が除去される。この後、抵抗層を成膜しレジストを剥離する。ゲート電極と抵抗部が平面状に重なりを生じない自己整合型のトランジスタを形成できる。
次いで、抵抗層の上にソース電極及びドレイン電極としてITOを40nmの厚みにRFマグネトロンスパッタ(条件:成膜温度43℃、スパッタガスAr=12sccm、RFパワー40W、成膜圧力0.4Pa)にて、蒸着した。尚、ソース電極およびドレイン電極のパターニングには、リフトオフにより行った。以上により、チャネル長L=40μm、チャネル幅W=200μmの逆スタガ構造(図3)の本発明のTFT素子1,2および比較のTFT素子1,2を作製した。
得られた各TFT素子について、飽和領域ドレイン電圧Vd=10V(ゲート電圧−10V≦Vg≦15V)でのTFT伝達特性の測定を行い、TFTの性能を評価した。TFT伝達特性の測定は、半導体パラメータ・アナライザー4156C(アジレントテクノロジー社製)を用いて行った。各パラメータと本発明に於けるその定義は下記の通りである。
・TFTの閾値電圧(Vth):電流値が50nAとなるときのゲート電圧である。
・OFF電流(Ioff):閾値電圧より5V低いゲート電圧におけるドレイン電流値である。単位は[A]である。
・ON電流(Ion):閾値電圧より5V高いゲート電圧におけるドレイン電流である。
・キャリア移動度:電界効果移動度を測定した。
飽和領域における電界効果移動度μは、TFT伝達特性から次式で求められる。
μ=(2L/W*Cox)*(∂Id1/2/∂Vg)
ここで、Lはチャネル長、Wはチャネル幅、Coxはゲート絶縁膜の静電容量、Idはドレイン電流、Vgはゲート電圧を示す。
特に好ましくは、本発明の素子2が高い電界効果移動度、且つ高いON/OFF比を示し、最も優れた性能を示した。
1.本発明のTFT素子3の作製
本発明のTFT素子1の作製において、基板にはポリエチレンナフタレートフィルムの両面に下記バリア機能を持つ絶縁層を有するバリア付きフイルムを用いた。その他はTFT素子1の作製と同様にして、本発明のTFT素子3を作製した。
実施例1と同様に、TFT素子性能を評価した結果を表2に示した。
その結果、本発明のTFT素子3は、ガラス上に作製した本発明のTFT素子1と同等の電界移動度、ON/OFF比を示した。このことより、本発明のTFT素子は、有機プラスチックフィルムからなる可撓性基板上においても高移動度、高ON/OFF比を示すことがわかった。
実施例1のTFT素子1においてソース、ドレイン電極および抵抗部とゲート電極との重なり(図8のd、d’で表される)変えた素子サンプルを作成した。d、d’が正の数値は、抵抗部とゲート電極との重なりが無く、間隙を有することを意味する(図8aに示される状態)。d、d’が負の数値は、抵抗部とゲート電極との重なり合っていることを意味する(図8bに示される状態であり、この場合のd、d’の絶対値は重なり巾を意味する)。比較の素子11、12が重なりを有する比較例である。
さらに、容量−電圧測定を行い、寄生容量を求め、表3に示した。容量−電圧測定には4294A(アジレント・テクノロジー社製)を用いた。
1.本発明のTFT素子作製
下記に従って、本発明によるトップゲート型TFTを作製した。本実施のTFT素子の断面構造は図6、製造工程は図10に示した。
実施例1と同様に無アルカリガラス板(コーニング社 品番NO.1737)を用い、活性層を成膜パターニングする。成膜条件は実施例1と同様である。ついでリフトオフ工程にて抵抗部、ソース電極、ドレイン電極をパターニングする。具体的にはレジスト塗布し、露光、現像した後、抵抗部、ソース電極、ドレイン電極を成膜し、レジストを剥離することで抵抗部、ソース電極、ドレイン電極をパターニングする。このときの成膜条件は実施例1と同様の条件である。抵抗部とソース電極、ドレイン電極は、全く同一にパターニングされる。パターニング後、ゲート絶縁膜を成膜する。ゲート電極の形成は、ソース電極、ドレイン電極をマスクにしリフトオフ工程で形成する。具体的にはレジストを塗布し、ソース電極、ドレイン電極をマスクとして基板側から露光し、現像する。レジストはゲート電極を形成する部分が除去される。この後ゲート電極を成膜、残りのレジストを剥離することでゲート電極と抵抗部が平面状に重なりを生じない自己整合型のトランジスタを形成できる。ゲート絶縁膜、ゲート電極の成膜条件は実施例1と同様の条件である。ソース・ドレイン電極にはMoを用いた。
実施例1と同様に、TFT素子性能を評価した結果、電解移動度が7.5cm2/Vs、ON/OFF比が4.2×106であった。トップゲート構造のTFTでも高移動度、高ON/OFF比が得られた。
1.有機EL表示装置の作製
(有機EL素子部の作製)
無アルカリガラス板(コーニング社 品番NO.1737)を用い、図11に示した回路構成を実施例1で示したTFTを用い作製した。有機EL素子の表示部に用いた下部電極は、実施例1のTFTのソース電極を延長し、陽極とした。
洗浄後、順次、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、および電子注入層を設けた。
正孔注入層:4,4',4''−トリス(2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(2−TNATAと略記する)および2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4−TCNQと略記する)を2−TNATAに対して1質量%含有する層、厚み160nm。
正孔輸送層:N,N'−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−[1,1'−ビフェニル]−4,4'−ジアミン(α−NPDと略記する)、厚み10nm。
発光層:1,3−bis(carbazol−9−yl)benzene(mCPと略記する)および白金錯体Pt−1をmCPに対して13質量%含有する層、厚み60nm。
正孔ブロック層:aluminium (III) bis(2−methyl−8−quinolinato)−4−pnenylphenolate(BAlqと略記する)、厚み40nm。
電子輸送層:トリス(8−ヒドロキシキノニナート)アルミニウム(Alq3と略記する)、厚み10nm。
電子注入層:LiF、厚み1nm。
素子サイズが1mm×1mmとなるようにシャドウマスクによりパターニングしてAlを厚み100nmに蒸着し、陰極とした。
上部電極上に、保護絶縁膜として500nmのSiON膜をイオンプレーティング法により成膜した。
Pt−1
得られた有機EL素子と実施例1で作製したTFTとを組みあわせて等価回路を構成し、種々の条件下で駆動試験を行った。
その結果、本発明のTFTを用いると連続して長安定した発光が得られた。
2、12、22、32、42、52、62、72:ゲート電極
3、13,23、33、43,53、63、73:ゲート絶縁膜
4、14、24、34、44、54、64、74:活性層
5−1、15−1、25−1、35−1、45−1、55−1、65−1、75−1:ソース電極
5−2、15−2、25−2、35−2、45−2、55−2、65−2、75−2:ドレイン電極
6、16,26、36、46,56、6、66,76:絶縁層
7−1、7−2、17−1、17−2,27−1、27−2、37−1、37−2、47−1、47−2,57−1、57−2、67−1、67−2、77−1、77−2,:抵抗層
Claims (16)
- 基板上に、少なくとも、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 2 Scm −1 未満である活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 −9 Scm −1 以上10 −2 Scm −1 以下である抵抗部を有し、
前記抵抗部の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比(前記活性層の電気伝導度/前記抵抗部の電気伝導度)が10 2 以上10 8 以下であり、
前記抵抗部と前記ゲート電極とが互いに平面状重なりを有していない
薄膜電界効果型トランジスタ。 - 前記活性層の電気伝導度が10 −4 Scm −1 以上である請求項1に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記抵抗部の膜厚が前記活性層の膜厚と同等もしくは厚い請求項1又は請求項2に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記抵抗部の酸素濃度が前記活性層の酸素濃度より高い請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記活性層の電気伝導度が10−1Scm−1以上である請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記抵抗部の前記ゲート電極に近い端部と前記ゲート電極の前記抵抗部に近い端部との平面上の距離が0nm以上100nm以下である請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記抵抗部の前記ゲート電極に近い端部と前記ゲート電極の前記抵抗部に近い端部との平面上の距離が実質的に0nmである請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記基板がフレキシブル基板である請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 透明基板上に、少なくとも、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 2 Scm −1 未満である活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 −9 Scm −1 以上10 −2 Scm −1 以下である抵抗部を有し、前記抵抗部の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比(前記活性層の電気伝導度/前記抵抗部の電気伝導度)が10 2 以上10 8 以下であり、前記抵抗部と前記ゲート電極とが互いに平面状重なりを有しない位置に配置されている薄膜電界効果型トランジスタの製造方法であって、
少なくとも、パターニングされた前記ゲート電極を形成する工程と、該パターニングされた前記ゲート電極をマスクとして利用してパターニングされた前記抵抗部を形成する工程と、を有する
薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記活性層の電気伝導度が10 −4 Scm −1 以上である請求項9に記載の薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
- 透明基板上に、少なくとも、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 2 Scm −1 未満である活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 −9 Scm −1 以上10 −2 Scm −1 以下である抵抗部を有し、前記抵抗部の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比(前記活性層の電気伝導度/前記抵抗部の電気伝導度)が10 2 以上10 8 以下であり、前記抵抗部と前記ゲート電極が互いに平面状重なりを有しない位置に配置されている薄膜電界効果型トランジスタの製造方法であって、
少なくとも、パターニングされた前記ゲート電極を形成する工程と、該パターニングされた前記ゲート電極をマスクとして利用してパターニングされた前記抵抗部、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、を有する
薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記活性層の電気伝導度が10 −4 Scm −1 以上である請求項11に記載の薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
- 透明基板上に、少なくとも、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 2 Scm −1 未満である活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に、In、Ga及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体からなり、電気伝導度が10 −9 Scm −1 以上10 −2 Scm −1 以下である抵抗部を有し、前記抵抗部の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比(前記活性層の電気伝導度/前記抵抗部の電気伝導度)が10 2 以上10 8 以下であり、前記抵抗部と前記ゲート電極が互いに平面状重なりを有しない位置に配置されている薄膜電界効果型トランジスタの製造方法であって、
少なくとも、パターニングされた前記抵抗部を形成する工程と、該パターニングされた前記抵抗部をマスクとして利用して、又は前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして利用してパターニングされた前記ゲート電極部を形成する工程と、を有する薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記活性層の電気伝導度が10 −4 Scm −1 以上である請求項13に記載の薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
- 1対の電極、及び該1対の電極間に介在する発光層を有する発光素子と、該発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備えた表示装置であって、前記電界効果型トランジスタが、請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタである表示装置。
- 1対の電極、及び該1対の電極間に介在する発光層を有する発光素子と、該発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備えた表示装置であって、前記電界効果型トランジスタが、請求項9〜請求項14のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法によって製造された薄膜電界効果型トランジスタである表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008173862A JP5339792B2 (ja) | 2008-07-02 | 2008-07-02 | 薄膜電界効果型トランジスタ、その製造方法、およびそれを用いた表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008173862A JP5339792B2 (ja) | 2008-07-02 | 2008-07-02 | 薄膜電界効果型トランジスタ、その製造方法、およびそれを用いた表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010016126A JP2010016126A (ja) | 2010-01-21 |
JP5339792B2 true JP5339792B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=41701975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008173862A Active JP5339792B2 (ja) | 2008-07-02 | 2008-07-02 | 薄膜電界効果型トランジスタ、その製造方法、およびそれを用いた表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5339792B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3217137B2 (ja) * | 1992-07-28 | 2001-10-09 | 株式会社日立製作所 | 映像信号記録装置、再生装置及び伝送装置 |
KR102628681B1 (ko) | 2010-02-05 | 2024-01-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR101791713B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2017-10-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치 |
KR101780748B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2017-09-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 복조회로 및 복조회로를 이용한 rfid 태그 |
JP5609224B2 (ja) * | 2010-04-09 | 2014-10-22 | 大日本印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ基板 |
WO2011126076A1 (ja) * | 2010-04-09 | 2011-10-13 | 大日本印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ基板 |
WO2011142371A1 (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6470352B2 (ja) * | 2012-10-18 | 2019-02-13 | 出光興産株式会社 | 酸化物半導体薄膜 |
JP5656966B2 (ja) * | 2012-12-05 | 2015-01-21 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP5615894B2 (ja) * | 2012-12-25 | 2014-10-29 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 薄膜トランジスタの製造方法、アクチュエーターの製造方法及び光学デバイスの製造方法、並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド |
JP6151070B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2017-06-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 |
JP6235426B2 (ja) * | 2014-07-10 | 2017-11-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6662038B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2020-03-11 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法、表示素子、表示装置、システム |
WO2021166067A1 (ja) * | 2020-02-18 | 2021-08-26 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板および表示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60160170A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPS615578A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Nec Corp | 薄膜トランジスタ |
JPS63258072A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
JPH0611060B2 (ja) * | 1987-08-21 | 1994-02-09 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2004006686A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | ZnO半導体層の形成方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子 |
JP2004235180A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006165259A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層型電子部品 |
JP5015470B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-08-29 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタ及びその製法 |
-
2008
- 2008-07-02 JP JP2008173862A patent/JP5339792B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010016126A (ja) | 2010-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5339792B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ、その製造方法、およびそれを用いた表示装置 | |
JP5467728B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
JP5322530B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタの製造方法及び該製造方法によって製造された薄膜電界効果型トランジスタ | |
JP5345349B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ | |
JP4982620B1 (ja) | 電界効果型トランジスタの製造方法、並びに、電界効果型トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びx線センサ | |
JP5191409B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 | |
JP5345456B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ | |
JP5258475B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ | |
US8884272B2 (en) | Amorphous oxide semiconductor material, field-effect transistor, and display device | |
JP5137146B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP5371467B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法 | |
KR101634101B1 (ko) | 박막 트랜지스터의 제조 방법, 박막 트랜지스터, 표시 장치, 센서 및 x 선 디지털 촬영 장치 | |
JP2010103451A (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた電界発光装置 | |
JP2009212497A5 (ja) | ||
KR101661834B1 (ko) | 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 | |
JP5274165B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
US20220140114A1 (en) | Method for manufacturing oxide semiconductor thin film transistor | |
TWI520224B (zh) | 場效電晶體的製造方法、顯示裝置的製造方法、x射線攝影裝置的製造方法以及光感測器的製造方法 | |
JP2010045159A (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2010073880A (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
JP5489435B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ | |
JP5489429B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ | |
JP2010045243A (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130515 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130806 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5339792 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |