JP5191409B2 - 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 - Google Patents
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Description
これらFPDは、ガラス基板上に設けた非晶質シリコン薄膜や多結晶シリコン薄膜を活性層に用いる電界効果型薄膜トランジスタ(以後の説明で、Thin Film Transistor、もしくはTFTと記載する場合がある)のアクティブマトリクス回路により駆動されている。
しかし、上述のシリコン薄膜を用いるトランジスタの製造は、比較的高温の熱工程を要し、一般的に耐熱性の低い樹脂基板上に直接形成することは困難である。
そこで、低温での成膜が可能なアモルファス酸化物、例えば、In−Ga−Zn−O系アモルファス酸化物を半導体薄膜を用いるTFTの開発が活発に行われている(例えば、特許文献1、非特許文献1参照)。
アモルファス酸化物半導体を用いたTFTは、室温成膜が可能であり、フイルム上に作製が可能であるので、フイルム(フレキシブル)TFTの活性層の材料として最近注目を浴びている。特に、東工大・細野らにより、a−IGZOを用いたTFTは、PEN基板上でも電界効果移動度が約10cm2/Vsとガラス上のa−Si系TFTよりも高移動度が報告されて、特にフイルムTFTとして注目されるようになった(例えば、非特許文献2参照)。
また、その薄膜電界効果型トランジスタを用いた新規な表示装置を提供することにある。
<1> 基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、
前記活性層が、In、GaおよびZnからなる群より選ばれる少なくとも1種若しくはこれらの複合酸化物を含むn型酸化物半導体層であって、
前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に、抵抗層として、In、GaおよびZnからなる群より選ばれる少なくとも1種若しくはこれらの複合酸化物を含むn型酸化物半導体層を有し、
前記活性層の酸素濃度が前記抵抗層の酸素濃度より低く、
前記活性層の電気伝導度が10 −4 Scm −1 以上10 2 Scm −1 未満であり、且つ、前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率(活性層の電気伝導度/抵抗層の電気伝導度)が、10 1 以上10 10 以下であり、
前記抵抗層と前記活性層との間の電気伝導度が連続的に変化していることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
<2> 前記活性層が前記ゲート絶縁膜と接し、前記抵抗層が前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方と接していることを特徴とする<1>に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<3> 前記抵抗層の膜厚が前記活性層の膜厚より厚いことを特徴とする<2>に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<4> 前記活性層が、In、GaおよびZnからなる群より選ばれる少なくとも1種若しくはこれらの複合酸化物を含むn型アモルファス酸化物半導体層であることを特徴とする<1>〜<3>のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<5> 前記抵抗層が、In、GaおよびZnからなる群より選ばれる少なくとも1種若しくはこれらの複合酸化物を含むn型アモルファス酸化物半導体層であることを特徴とする<1>〜<4>のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<6> 前記活性層および前記抵抗層がInおよびZnを含有し、前記抵抗層のZnとInの組成比(Inに対するZnの比率Zn/Inで表す)が前記活性層の組成比Zn/Inより大きいことを特徴とする<1>〜<5>のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<7> 前記活性層の電気伝導度が10−1Scm−1以上102Scm−1未満であることを特徴とする<1>〜<6>のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<8> 前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率(前記活性層の電気伝導度/前記抵抗層の電気伝導度)が、102以上108以下であることを特徴とする<1>〜<7>のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
<9> 前記基板が可撓性樹脂基板であることを特徴とする<1>〜<8>のいずれか1項に記載の薄膜電界効果トランジスタ。
<10> <1>〜<9>のいずれか1項に記載の薄膜電界効果トランジスタを用いた表示装置。
それは、従来の技術では、OFF電流を低減させる為に、活性層の電子キャリア濃度を1018/cm3未満にする必要があった。活性層に用いられるアモルファス酸化物半導体は、電子キャリア濃度が下がると電子移動度が下がる傾向があるので、良好なOFF特性と、高移動度を両立するTFTを形成することが困難であったからである。
本発明の薄膜電界効果型トランジスタは、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を順次有し、ゲート電極に電圧を印加して、活性層に流れる電流を制御し、ソース電極とドレイン電極間の電流をスイッチングする機能を有するアクテイブ素子である。TFT構造として、スタガ構造及び逆スタガ構造いずれをも形成することができる。
好ましくは、前記基板上に少なくとも前記抵抗層と前記活性層を層状に有し、前記活性層の層が前記ゲート絶縁膜と接し、前記抵抗層の層が前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方と接する。
前記活性層の電気伝導度は10−4Scm−1以上102Scm−1未満である。より好ましくは10−1Scm−1以上102Scm−1未満である。前記抵抗層の電気伝導度は、好ましくは10−2Scm−1以下、より好ましくは10−9Scm−1以上10−3Scm−1未満であり、前記活性層の電気伝導度より小さい。より好ましくは、抵抗層の電気伝導度に対する活性層の電気伝導度の比率(活性層の電気伝導度/抵抗層の電気伝導度)が、102以上108以下である。
また、動作安定性の観点から、抵抗層の膜厚が活性層の膜厚より厚いことが好ましい。
より好ましくは、抵抗層の膜厚/活性層の膜厚の比が1を超え100以下、さらに好ましくは1を超え10以下である。
また、抵抗層と活性層の間の電気伝導度が連続的に変化している態様も好ましい。
活性層の酸化物半導体の酸素濃度は、抵抗層の酸化物半導体の酸素濃度より低い。
前記酸化物半導体は、In、GaおよびZnからなる群より選ばれる少なくとも1種若しくはこれらの複合酸化物を含む。より好ましくは、前記酸化物半導体が前記InおよびZnを含有し、前記抵抗層のZnとInの組成比(Inに対するZnの比率Zn/Inで表す)が前記活性層のZn/In比より大きい。好ましくは、抵抗層のZn/In比が活性層のZn/In比より3%以上大きく、さらに好ましくは、10%以上大きい。
好ましくは、前記基板が可撓性樹脂基板である。
次に、図面を用いて、詳細に本発明における薄膜電界効果型トランジスタの構造を説明する。
図1は、参考の薄膜電界効果型トランジスタであって、逆スタガ構造の一例を示す模式図である。基板1がプラスチックフィルムなどの可撓性基板の場合、基板1の一方の面に絶縁層6を配し、その上にゲート電極2、ゲート絶縁膜3、活性層4−1、抵抗層4−2を積層して有し、その表面にソース電極5−1とドレイン電極5−2が設置される。活性層4−1はゲート絶縁膜3に接し、抵抗層4−2はソース電極5−1およびドレイン電極5−2に接する。ゲート電極に電圧が印加されていない状態での活性層4−1の電気伝導度が抵抗層4−2の電気伝導度より大きくなるように、活性層4−1および抵抗層4−2の組成が決定される。ここで、活性層には、特開2006−165529号公報に開示されている酸化物半導体、例えばIn−Ga−Zn−O系の酸化物半導体を用いる。これらの酸化物半導体は、電子キャリア濃度が高いほど、電子移動度が高くなることが知られている。つまり、電気伝導度が大きいほど、電子移動度が高い。
前記参考の薄膜電界効果型トランジスタにおける構造によれば、薄膜電界効果型トランジスタがゲート電極に電圧が印加されたONの状態では、チャネルとなる活性層が大きい電気伝導度を有しているため、トランジスタの電界効果移動度は高くなり、高ON電流が得られる。OFFの状態では抵抗層の電気伝導度が小さい為に、抵抗層の抵抗が高いことから、OFF電流が低く保たれるために、ON/OFF比特性が極めて改良される。
活性層4はその厚み方向に特に電気伝導度の分布を有していない。従来の構成では、OFF電流を低減するために、活性層4の抵抗値を下げる必要がある為に、活性層4のキャリア濃度を下げる必要があった。特開2006−165529号公報によれば、良好なON/OFF比を得るには、活性層4のアモルファス酸化物半導体の伝導度を低減する為に、電子キャリア濃度を1018/cm3未満、より好ましくは1016/cm3未満にすることが開示されている。しかし、特開2006−165529号公報の図2に示されるように、In−Ga−Zn−O系の酸化物半導体では、電子キャリア濃度を下げると膜の電子移動度が減少しまう。
その為に、TFTの電界効果移動度で10cm2/Vs以上を得ることができず、充分なON電流を得ることができない。そのため、ON/OFF比も充分な特性が得られない。
また、膜の電子移動度を上げるために、活性層4の酸化物半導体の電子キャリア濃度を上げると、活性層4の電気伝導度が増し、OFF電流が増加し、ON/OFF比特性は悪くなる。
ゲート電極に電圧が印可されてチャネルが形成されON状態になった場合、チャネルとなる活性層4−51が大きい電気伝導度を有しているため、トランジスタの電界効果移動度は高くなり、高ON電流が得られる。ゲート電極に電圧が印可されておらず、チャネルが形成されていないOFF状態では、電気抵抗の大きな抵抗層4−52aおよび4−52bによって、OFF電流が低く保たれるために、ON/OFF比特性が極めて改良される。
ゲート電極に電圧が印可されてチャネルが形成されON状態になった場合、チャネルとなる活性層4−61が大きい電気伝導度を有しているため、トランジスタの電界効果移動度は高くなり、高ON電流が得られる。ゲート電極に電圧が印可されておらず、チャネルが形成されていないOFF状態では、電気抵抗の大きな抵抗層4−62によって、OFF電流が低く保たれるために、ON/OFF比特性が極めて改良される。尚、図10において、ソース電極5−61とドレイン電極5−62とが入れ替わった構成(ドレイン電極5−62と抵抗層4−62とが接続された構成)でももちろん良い。
ゲート電極に電圧が印可されてチャネルが形成されON状態になった場合、チャネルとなる活性層4−71が大きい電気伝導度を有しているため、トランジスタの電界効果移動度は高くなり、高ON電流が得られる。ゲート電極に電圧が印可されておらず、チャネルが形成されていないOFF状態では、電気抵抗の大きな抵抗層4−72aおよび4−72bによって、OFF電流が低く保たれるために、ON/OFF比特性が極めて改良される。
ゲート電極に電圧が印可されてチャネルが形成されON状態になった場合、チャネルとなる活性層4−81が大きい電気伝導度を有しているため、トランジスタの電界効果移動度は高くなり、高ON電流が得られる。ゲート電極に電圧が印可されておらず、チャネルが形成されていないOFF状態では、電気抵抗の大きな抵抗層4−82によって、OFF電流が低く保たれるために、ON/OFF比特性が極めて改良される。尚、図12において、ソース電極5−81とドレイン電極5−82とが入れ替わった構成(ドレイン電極5−82と抵抗層4−82とが接続された構成)でももちろん良い。
ゲート電極に電圧が印可されてチャネルが形成されON状態になった場合、チャネルとなる活性層4−91が大きい電気伝導度を有しているため、トランジスタの電界効果移動度は高くなり、高ON電流が得られる。ゲート電極に電圧が印可されておらず、チャネルが形成されていないOFF状態では、電気抵抗の大きな抵抗層4−92aおよび4−92bによって、OFF電流が低く保たれるために、ON/OFF比特性が極めて改良される。
ゲート電極に電圧が印可されてチャネルが形成されON状態になった場合、チャネルとなる活性層4−101が大きい電気伝導度を有しているため、トランジスタの電界効果移動度は高くなり、高ON電流が得られる。ゲート電極に電圧が印可されておらず、チャネルが形成されていないOFF状態では、電気抵抗の大きな抵抗層4−102によって、OFF電流が低く保たれるために、ON/OFF比特性が極めて改良される。尚、図14において、ソース電極5−101とドレイン電極5−102とが入れ替わった構成(ソース電極5−101と抵抗層4−102とが接続された構成)でももちろん良い。
ゲート電極に電圧が印可されてチャネルが形成されON状態になった場合、チャネルとなる活性層4−111が大きい電気伝導度を有しているため、トランジスタの電界効果移動度は高くなり、高ON電流が得られる。ゲート電極に電圧が印可されておらず、チャネルが形成されていないOFF状態では、電気抵抗の大きな抵抗層4−112aおよび4−112bによって、OFF電流が低く保たれるために、ON/OFF比特性が極めて改良される。
ゲート電極に電圧が印可されてチャネルが形成されON状態になった場合、チャネルとなる活性層4−121が大きい電気伝導度を有しているため、トランジスタの電界効果移動度は高くなり、高ON電流が得られる。ゲート電極に電圧が印可されておらず、チャネルが形成されていないOFF状態では、電気抵抗の大きな抵抗層4−122によって、OFF電流が低く保たれるために、ON/OFF比特性が極めて改良される。尚、図16において、ソース電極5−121とドレイン電極5−122とが入れ替わった構成(ドレイン電極5−122と抵抗層4−122とが接続された構成)でももちろん良い。
本発明における活性層及び抵抗層の電気伝導度について説明する。
電気伝導度とは、物質の電気伝導のしやすさを表す物性値であり、物質のキャリア濃度n、キャリア移動度μとすると物質の電気伝導度σは以下の式で表される。
σ=neμ
活性層又は抵抗層がn型半導体である時はキャリアは電子であり、キャリア濃度とは電子キャリア濃度を、キャリア移動度とは電子移動度を示す。同様に又は抵抗層がp型半導体ではキャリアは正孔であり、キャリア濃度とは、正孔キャリア濃度を、キャリア移動度とは正孔移動度を示す。尚、物質のキャリア濃度とキャリア移動度とは、ホール測定により求めることができる。
厚みが分かっている膜のシート抵抗を測定することにより、膜の電気伝導度を求めることができる。半導体の電気伝導度は温度より変化するが、本文記載の電気伝導度は、室温(20℃)での電気伝導度を示す。
ゲート絶縁膜としては、SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、Y2O3、Ta2O5、HfO2等の絶縁体、又はそれらの化合物を少なくとも二つ以上含む混晶化合物が用いられる。また、ポリイミドのような高分子絶縁体もゲート絶縁膜として用いることができる。
本発明に用いられる活性層及び抵抗層には、酸化物半導体を用いる。特にアモルファス酸化物半導体がさらに好ましい。酸化物半導体、特にアモルファス酸化物半導体は、低温で成膜可能である為に、プラスティックのような可撓性のある樹脂基板に作製が可能である。低温で作製可能な良好なアモルファス酸化物半導体としては、特開2006−165529号公報に開示されているような、Inを含む酸化物、InとZnを含む酸化物、In、Ga及びZnを含有する酸化物であり、組成構造としては、InGaO3(ZnO)m(mは6未満の自然数)のものが好ましいことが知られている。これらは、キャリアが電子のn型半導体である。
もちろん、活性層及び抵抗層には酸化物半導体だけではなく、Si、Geなどの無機半導体、GaAs等の化合物半導体、ペンタセン、ポリチオフェン等の有機半導体材料、カーボンナノチューブ等にも適応可能である。
本発明における活性層は、ゲート絶縁膜に近接し、ソース電極及びドレイン電極に近接する抵抗層より高い電気伝導度を有することを特徴とする。
抵抗層の電気伝導度に対する活性層の電気伝導度の比率(活性層の電気伝導度/抵抗層の電気伝導度)は、101以上1010以下であり、より好ましくは、102以上108以下である。好ましくは、前記活性層の電気伝導度が10−4Scm−1以上102Scm−1未満である。より好ましくは10−1Scm−1以上102Scm−1未満である。
抵抗層の電気伝導度は、好ましくは10−2Scm−1以下、より好ましくは10−9Scm−1以上10−3Scm−1以下である。
抵抗層の膜厚が活性層の膜厚より厚いことが好ましい。より好ましくは、抵抗層の膜厚/活性層の膜厚比が1を越え100以下、さらに好ましくは1を越え10以下である。
活性層の膜厚は、1nm以上100nm以下が好ましく、より好ましくは2.5nm以上30nm以下である。抵抗層の膜厚は、5nm以上500nm以下が好ましく、より好ましくは10nm以上100nm以下である。
電気伝導度の調整手段としては、活性層及び抵抗層が酸化物半導体である場合は下記の手段を挙げることが出来る。
酸化物半導体において、酸素欠陥ができると、キャリア電子が発生し、電気伝導度が大きくなることが知られている。よって、酸素欠陥量を調整することにより、酸化物半導体の電気伝導度を制御することが可能である。酸素欠陥量を制御する具体的な方法としては、成膜中の酸素分圧、成膜後の後処理時の酸素濃度と処理時間等がある。ここでいう後処理とは、具体的に100℃以上の熱処理、酸素プラズマ、UVオゾン処理がある。これらの方法の中でも、生産性の観点から成膜中の酸素分圧を制御する方法が好ましい。成膜中の酸素分圧を調整することにより、酸化物半導体の電気伝導度の制御ができることは、特開2006−165529号公報に開示されており、本手法を利用することができる。
酸化物半導体の金属組成比を変えることにより、電気伝導度が変化することが知られている。例えば、InGaZn1−XMgXO4において、Mgの比率が増えていくと、電気伝導度が小さくなることが、特開2006−165529号公報に開示されている。また、(In2O3)1−X(ZnO)Xの酸化物系において、Zn/In比が10%以上では、Zn比率が増加するにつれ、電気伝導度が小さくなることが報告されている(「透明導電膜の新展開II」シーエムシー出版 P.34−35)。これら組成比を変える具体的な方法としては、例えば、スパッタによる成膜方法においては、組成比が異なるターゲットを用いる。または、多元のターゲットにより、共スパッタし、そのスパッタレートを個別に調整することにより、膜の組成比を変えることが可能である。
酸化物半導体に、Li,Na,Mn,Ni,Pd,Cu,Cd,C,N,又はP等の元素を不純物として添加することにより、電子キャリア濃度を減少させること、つまり電気伝導度を小さくすることが可能であることが、特開2006−165529号公報に開示されている。不純物を添加する方法としては、酸化物半導体と不純物元素とを共蒸着により行う、成膜された酸化物半導体膜に不純物元素のイオンをイオンドープ法により行う等がある。
上記(1)〜(3)においては、同一酸化物半導体系での電気伝導度の調整方法を述べたが、もちろん酸化物半導体材料を変えることにより、電気伝導度を変えることができる。例えば、一般的にSnO2系酸化物半導体は、In2O3系酸化物半導体に比べて電気伝導度が小さいことが知られている。このように酸化物半導体材料を変えることにより、電気伝導度の調整が可能である。特に電気伝導度の小さい酸化物材料としては、Al2O3、Ga2O3、ZrO2、Y2O3、Ta2O3、MgO、又はHfO3等の酸化物絶縁体材料が知られており、これらを用いることも可能である。
電気伝導度を調整する手段としては、上記(1)〜(4)の方法を単独に用いても良いし、組み合わせても良い。
活性層及び抵抗層の成膜方法は、酸化物半導体の多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが良い。気相成膜法の中でも、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法(PLD法)が適している。さらに、量産性の観点から、スパッタリング法が好ましい。
また、膜厚は触針式表面形状測定により求めることができる。組成比は、RBS(ラザフォード後方散乱)分析法により求めることができる。
本発明におけるゲート電極としては、例えば、Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Au、またはAg等の金属、Al−Nd、APC等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられる。
ゲート電極の厚みは、10nm以上1000nm以下とすることが好ましい。
本発明におけるソース電極及びドレイン電極材料として、例えば、Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Au、またはAg等の金属、Al−Nd、APC等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられる。
ソース電極及びドレイン電極の厚みは、10nm以上1000nm以下とすることが好ましい。
本発明に用いられる基板は特に限定されることはなく、例えばYSZ(ジルコニア安定化イットリウム)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テルスルホン、ポリアリレ−ト、アリルジグリコ−ルカ−ボネ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の合成樹脂等の有機材料、などが挙げられる。前記有機材料の場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れていることが好ましい。
必要によって、TFT上に保護絶縁膜を設けても良い。保護絶縁膜は、活性層または抵抗層の半導体層を大気による劣化から保護する目的や、TFT上に作製される電子デバイスとを絶縁する目的がある。
必要によって、TFTの後処理として、熱処理を行っても良い。熱処理としては、温度100℃以上で、大気下または窒素雰囲気下で行う。熱処理を行う工程としては、半導体層を成膜後でも良いし、TFT作製工程の最後に行っても良い。熱処理を行うことにより、TFTの特性の面内バラつきが抑制される、駆動安定性が向上する等の効果がある。
本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、液晶やEL素子を用いた画像表示装置、特に平面薄型表示装置(Flat Panel Display:FPD)に好ましく用いられる。より好ましくは、基板に有機プラスチックフィルムのような可撓性基板を用いたフレキシブル表示装置に用いられる。特に、本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、移動度が高いことから有機EL素子を用いた表示装置、フレキシブル有機EL表示装置に最も好ましく用いられる。
本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、液晶やEL素子を用いた画像表示装置、特にFPDのスイッチング素子、駆動素子として用いることができる。特に、フレキシブルFPD装置のスイッチング素子、駆動素子として用いるのが適している。さらに本発明の電界効果型薄膜トランジスタを用いた表示装置は、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、TVモニター、あるいは一般照明を含む広い分野で幅広い分野で応用される。
また、本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、表示装置以外にも、有機プラスチックフィルムのような可撓性基板上に本発明の電界効果型薄膜トランジスタを形成し、ICカードやIDタグなどに幅広く応用が可能である。
1.活性層及び抵抗層の作製
<条件1>
InGaZnO4の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして、RFマグネトロンスパッタ真空蒸着法により、Ar流量12sccm、O2流量0.2sccm、RFパワー200W、圧力0.4Paの条件で行った。
<条件2>
条件1と同様に、但しO2流量を0.6sccmに変更して行った。
<条件3>
条件1と同様に、但しO2流量を1.4sccmに変更して行った。
<条件4>
条件1と同様に、但しO2流量を1.5sccmに変更して行った。
<条件5>
条件1と同様に、但しO2流量を1.8sccmに変更して行った。
物性測定用サンプルの電気伝導度は、サンプルの測定されたシート抵抗と膜厚から計算し求めた。ここで、シート抵抗をρ(Ω/□)、膜厚をd(cm)とすると、電気伝導度σ(Scm−1)は、σ=1/(ρ*d)として算出される。
本参考例において、物性測定用サンプルのシート抵抗107Ω/□未満の領域ではロレスタ−GP(三菱化学社製)、シート抵抗107Ω/□以上の領域ではハイテスタ−UP(三菱化学社製)を用いて20℃の環境下で行った。物性測定用サンプルの膜厚測定には触針式表面形状測定器DekTak−6M(ULVAC社製)を用いた。
物性測定用サンプルのキャリア濃度の測定には、ResiTest8300型(東陽テクニカ社製)を用いてホール効果測定を行うことにより求めた。ホール効果測定は20℃の環境下で行った。尚、ホール効果測定を行うことにより、キャリア濃度だけではなく、キャリアのホール移動度も求めることができる。
物性測定用サンプルの組成比のRBS(ラザフォード後方散乱)分析により、組成比を求めた。
参考のTFT素子1,2および比較のTFT素子1,2を作製した。参考のTFT素子1、2および比較のTFT素子1,2の断面構造を図20に示す。
基板としては、無アルカリガラス板(コーニング社、品番NO.1737)を用いた。純水15分→アセトン15分→純水15分の順で超音波洗浄を行った前記基板上に、SnO2含有率が10質量%である酸化インジウム錫(ITO)タ−ゲット(インジウム:錫=95:5(モル比))を用いて、RFマグネトロンスパッタ(条件:成膜温度43℃、スパッタガスAr=12sccm、RFパワー40W、成膜圧力0.4Pa)により、ゲート電極としてのITO薄膜(厚み30nm)を形成した。ゲート電極ITOのパターニングには、スパッタ時にシャドウマスクを用いることにより行った。
ゲート絶縁膜:SiO2をRFマグネトロンスパッタ真空蒸着法(条件:ターゲットSiO2、成膜温度54℃、スパッタガスAr/O2=12/2sccm、RFパワー400W、成膜圧力0.4Pa)にて200nm形成し、ゲート絶縁膜を設けた。ゲート絶縁膜SiO2のパターニングには、スパッタ時にシャドウマスクを用いることにより行った。
得られた各TFT素子について、飽和領域ドレイン電圧Vd=40V(ゲート電圧−20V≦Vg≦40V)でのTFT伝達特性の測定を行い、TFTの電界効果移動度およびON/OFF比を評価した。TFT伝達特性の測定は、半導体パラメータ・アナライザー4156C(アジレントテクノロジー社製)を用いて行った。
図5は、これらの素子のTFT伝達特性を示す電流−電圧特性曲線である。横軸はゲート電圧Vg、縦軸はドレイン電流Idである。
飽和領域における電界効果移動度μは、TFT伝達特性から次式で求められる。
μ=(2L/W*Cox)*(∂Id1/2/∂Vg)
ここで、Lはチャネル長、Wはチャネル幅、Coxはゲート絶縁膜の静電容量、Idはドレイン電流、Vgはゲート電圧を示す。
ON/OFF比はTFT伝達特性からドレイン電流Idにおける最大値Idmaxと最小値Idminとの比Idmax/Idminから求めた。
1.参考のTFT素子3の作製
参考のTFT素子1の作製において、ゲート電極をITO30nmよりMo40nmに変更し、さらに抵抗層を参考例1の抵抗層作製条件5にて作製し、また活性層と抵抗層の厚みをそれぞれ30nmおよび20nmへと変更して、参考のTFT素子3を作製した。Moの成膜には、DCマグネトロンスパッタリング蒸着法(スパッタリング条件:DCパワー380W、スパッタガスAr=12sccm、圧力0.4Pa)にて行った。
参考例1と同様に、TFT素子性能を評価した結果を表2に示した。
その結果、参考のTFT素子3は、さらに電界効果移動度が大きくかつON/OFF比が高く、参考のTFT素子1,2より優れた性能を示した。しかし、TFT伝達特性の測定を繰り返し行うと、参考のTFT素子1,2の方が、参考のTFT素子3よりON/OFF比の劣化が少なく、より耐久性に優れていた。
1.参考のTFT素子4の作製
参考のTFT素子1の作製において、基板にはポリエチレンナフタレートフィルムの両面に下記バリア機能を持つ絶縁層を有するバリア付きフイルムを用いた。前記バリアフイルム上に形成するゲート電極をITO30nmよりMo40nmに変更し、参考のTFT素子4を作製した。Moの成膜は参考例2と同様の条件にて行った。
絶縁層:SiONを500nmの厚みに蒸着した。SiONの蒸着にはRFマグネトロンスパッタリング蒸着法(スパッタリング条件:ターゲットSi3N4、RFパワー400W、ガス流量Ar/O2=12/3sccm、成膜圧力0.45Pa)を用いた。
参考例1と同様に、TFT素子性能を評価した結果を表2に示した。
その結果、参考のTFT素子4は、ガラス上に作製した参考のTFT素子1と同等の電界移動度、ON/OFF比を示した。このことより、参考のTFT素子は、有機プラスチックフィルムからなる可撓性基板上においても高移動度、高ON/OFF比を示すことがわかった。
1.参考のTFT素子の作製
下記に従って、参考のトップゲート型TFT素子を作製した。本参考例のTFT素子の断面構造は図21に示す。
参考例1と同様に無アルカリガラス板(コーニング社、品番NO.1737)を用い、この上にソース電極およびドレイン電極としてITO(厚み40nm)を形成した。ITOの成膜方法は参考例1と同条件で行った。また、ソース電極およびドレイン電極のパターニングは、参考例1と同様のシャドウマスクを用いて行った。
以上により、チャネル長L=200μm、チャネル幅W=1000μmのトップゲート型TFT素子を得た。
参考例1と同様に、TFT素子性能を評価した結果、電界効果移動度が17.7cm2/Vs、ON/OFF比が3×106であった。トップゲート型TFTでも高移動度、高ON/OFF比が得られた。
参考例3における活性層及び抵抗層の調製を下記に変更した以外は参考例1と同様にしてTFT素子を作製した。下記条件によれば、ゲート絶縁膜に隣接した活性層の電気伝導性が大きく、ソース電極およびドレイン電極に隣接した抵抗層の電気伝導性が小さく、その間の領域の電気伝導性が連続的に変化した構成が形成される。本実施例のTFT素子の断面構造は図22に示す。
InGaZnO4をターゲットとして用いて、参考例1におけると同じスパッタリング装置を用いて、連続した活性層と抵抗層を作製した。スパッタリング条件は、RFパワー200W、スパッタガスAr流量12sccm、圧力0.4Paで、酸素流量を0.6sccmから1.8sccmまで連続的に変化させながら、膜厚が50nmになるまで成膜した。
作製したTFT素子を参考例1と同様に評価した所、移動度8.9cm2/Vs、ON/OFF比1.0×106という良いTFT特性を示した。
2,12,22,32,72,132,142:ゲート電極
3,13,15,23,33,43,53,63,73,83,93,103,113,123,133,143:ゲート絶縁膜
4,14:活性層
4−1,4−11,4−21,4−31,4−41,4−51,4−61,4−71,4−81,4−91,4−101,4−111,4−121,4−131,4−142:活性層
4−2,4−12,4−22,4−32a,4−32b,4−42,4−52a,4−52b,4−62,4−72a,4−72b,4−82,4−92a,4−92b,4−102,4−112a,4−112b,4−122,4−132,4−142:抵抗層
5−1,5−11,5−21,16,5−31,5−42,5−51,5−61,5−71,5−81,5−91,5−101,5−111,5−121,5−131,5−141:ソース電極
5−2,5−12,5−22,17,5−32,5−42,5−52,5−62,5−72,5−82,5−92,5−102,5−112,5−122,5−132,5−142:ドレイン電極
6,16,26,36,76,:絶縁層
7:高酸素濃度層(比較例)
8.低酸素濃度層(比較例)
200:スイッチングTFT
300:液晶素子
400:信号電極線
500:ゲート電極線
600:コンデンサ
Claims (10)
- 基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、
前記活性層が、In、GaおよびZnからなる群より選ばれる少なくとも1種若しくはこれらの複合酸化物を含むn型酸化物半導体層であって、
前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に、抵抗層として、In、GaおよびZnからなる群より選ばれる少なくとも1種若しくはこれらの複合酸化物を含むn型酸化物半導体層を有し、
前記活性層の酸素濃度が前記抵抗層の酸素濃度より低く、
前記活性層の電気伝導度が10 −4 Scm −1 以上10 2 Scm −1 未満であり、且つ、前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率(活性層の電気伝導度/抵抗層の電気伝導度)が、10 1 以上10 10 以下であり、
前記抵抗層と前記活性層との間の電気伝導度が連続的に変化していることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 - 前記活性層が前記ゲート絶縁膜と接し、前記抵抗層が前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方と接していることを特徴とする請求項1に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記抵抗層の膜厚が前記活性層の膜厚より厚いことを特徴とする請求項2に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記活性層が、In、GaおよびZnからなる群より選ばれる少なくとも1種若しくはこれらの複合酸化物を含むn型アモルファス酸化物半導体層であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記抵抗層が、In、GaおよびZnからなる群より選ばれる少なくとも1種若しくはこれらの複合酸化物を含むn型アモルファス酸化物半導体層であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記活性層および前記抵抗層がInおよびZnを含有し、前記抵抗層のZnとInの組成比(Inに対するZnの比率Zn/Inで表す)が前記活性層の組成比Zn/Inより大きいことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記活性層の電気伝導度が10−1Scm−1以上102Scm−1未満であることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率(前記活性層の電気伝導度/前記抵抗層の電気伝導度)が、102以上108以下であることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
- 前記基板が可撓性樹脂基板であることを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の薄膜電界効果トランジスタ。
- 請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の薄膜電界効果トランジスタを用いた表示装置。
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