CN102667910B - 液晶显示设备和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明为了减少液晶显示设备的功耗并且抑制液晶显示设备的显示劣化。为了抑制由诸如温度的外部因素引起的显示劣化。将其沟道形成区是使用氧化物半导体层形成的晶体管用于设置在每个像素中的晶体管。注意，通过利用高纯度氧化物半导体层，该晶体管在室温下的断态电流可以是10aA/μm或更小，并且在85℃下的断态电流可以是100aA/μm或更小。结果，可以减少液晶显示设备的功耗并且可以抑制显示劣化。此外，如上所述，该晶体管在高达85℃的温度下的断态电流可以是100aA/μm或更小。因此，可以抑制由诸如温度的外部因素引起的液晶显示设备的显示劣化。

Description

液晶显示设备和电子设备
技术领域
本发明涉及液晶显示设备以及包括该液晶显示设备的电子设备。
背景技术
液晶显示设备被广泛地用于各种显示设备，从诸如电视机的大型显示设备到诸如移动电话的小型显示设备。因此，对液晶显示设备的研发意图实现成本的降低或者提供高附加值的液晶显示设备。尤其是近些年来，在全球环境中受到日益关注，由此，研发消耗较少功率的液晶显示设备也受到了更多关注。
在专利文献1中公开了用于减少液晶显示设备中的功耗的方法。具体地，公开了一种液晶显示设备，其中，在全部的扫描线和数据信号线均处于非选择状态的非活动期间中时，所有数据信号线均与数据信号驱动器电分离，从而获得高阻抗状态。
【参考文献】
【专利文献1】日本公开专利申请号2001-312253。
发明内容
液晶显示设备通常包括具有布置成矩阵形式的多个像素的像素部分。像素包括：晶体管，该晶体管控制图像信号的输入；液晶元件，根据图像信号输入向该液晶元件施加电压；以及，辅助电容器，该辅助电容器存储施加至该液晶元件的电压。该液晶元件包括根据施加的电压改变其排列的液晶材料。通过控制液晶材料的排列，可以控制每个像素的显示。
在专利文献1所公开的液晶显示设备中，在非活动期间，图像信号没有被输入至包括在像素部分中的每个像素。也就是，在图像信号被保持在每个像素中时，用于控制图像信号的输入的晶体管被长时间地保持在截止状态。因此，图像信号经由晶体管的泄漏对每个像素的显示的影响变得明显。具体地，减少了施加至液晶元件的电压，由此包括该液晶元件的像素的显示劣化(改变)变得明显。
此外，图像信号经由晶体管的泄漏的量根据该晶体管的操作温度变化。具体地，图像信号经由晶体管的泄漏的量随着操作温度的上升而增加。因此，对于专利文献1公开的液晶显示设备来说，当其在环境变化显著的室外使用时，难以保持均匀的显示质量。
因此，本发明的实施例的一个目的是减少液晶显示设备的功耗并且抑制显示劣化(显示质量的下降)。
本发明的实施例的一个目的是提供一种液晶显示设备，其中，由于诸如温度之类的外部因素所导致的显示劣化(显示质量的下降)得到了抑制。
上述问题可以通过使用其沟道形成区是使用氧化物半导体层形成的晶体管作为要提供在每个像素中的晶体管来解决。注意，该氧化物半导体层是通过全面地去除将成为电子提供者(施主)的杂质(氢、水等等)而被高度纯净化的氧化物半导体层。在具有10μm的沟道长度的晶体管中，在室温下，沟道宽度中每微米的断态电流可以是10aA(1×10-17A)或更少(该值由10aA/μm表示)。
此外，该氧化物半导体层的带隙为2.0eV或更大，优选地为2.5eV或更大，更优选地为3.0eV或更大。而且，提高氧化物半导体层的纯度可以使得该氧化物半导体层的导电类型尽可能地接近于本征。因此，在该氧化物半导体层中，可以抑制由于热激励引起的载流子的产生。由此，可以降低晶体管的断态电流随着操作温度的上升而增加的量。具体地，在具有10μm的沟道长度的晶体管中，在85℃下，沟道宽度中每微米的断态电流可以是100aA(1×10-16A)或更少(该值由100aA/μm表示)。
具体地，本发明的一个实施例是包括布置成矩阵形式的多个像素的液晶显示设备，并且，每个像素包括：晶体管，该晶体管的开关由扫描线驱动器电路控制；液晶元件，该液晶元件具有图像信号从信号线驱动器电路经由晶体管被输入至其的一个端子以及公共电势被供给至其的另一个端子，使得根据该图像信号施加电压；以及，电容器，该电容器存储施加至液晶元件的电压。液晶显示设备进一步包括控制电路，该控制电路控制扫描线驱动器电路和信号线驱动器电路的操作并且选择图像信号至每个像素的输入。在该液晶显示设备中，晶体管包括沟道形成区，该沟道形成区包括氧化物半导体层。在该液晶显示设备中，在截止状态中图像信号经由晶体管的泄漏的量小于该图像信号经由液晶元件的泄漏的量。
在作为本发明的一个实施例的液晶显示设备中，将其沟道形成区是使用氧化物半导体层形成的晶体管用作设置在每个像素中的晶体管。注意，通过使用高纯度的氧化物半导体层，在室温下，晶体管的断态电路可以是10aA/μm或更少，而在85℃下，断态电流可以是100aA/μm或更少。因此，可以减少图像信号经由晶体管的泄漏的量，也就是，可以抑制当图像信号至包括在晶体管中的像素的写入频率降低时发生的显示劣化(变化)。由此，可以减少液晶显示设备的功耗并且可以抑制显示劣化(显示质量的下降)。
此外，如上所述，在高达85℃的温度下，晶体管的断态电流可以是100aA/μm或更少。也就是，该晶体管是如下晶体管，其中，伴随着操作温度的上升而出现的断态电流的增加相当细微。因此，通过使用这种晶体管作为提供在液晶显示设备的每个像素中的晶体管，可以降低诸如温度之类的外部因素对像素中图像信号的泄漏的影响。也就是，该液晶显示设备是如下液晶显示设备，其中，即使当该液晶显示设备被用于环境变化显著的室外时，也可以抑制显示劣化(显示质量的下降)。
附图说明
图1A和图1B示出了根据实施例1的液晶显示设备。
图2示出了根据实施例1的液晶显示设备。
图3A至图3C示出了根据实施例1的液晶显示设备。
图4A至图4D示出了根据实施例2的晶体管。
图5A和5B均示出了根据实施例3的液晶显示设备。
图6A至6F均示出了根据实施例4的电子设备。
图7是示出根据示例1的晶体管的初始特性的图表。
图8A和8B是根据示例1的用于晶体管的试验元件的俯视图。
图9A和9B是示出根据示例1的用于晶体管的试验元件的Vg-Id特性的图表。
具体实施例
下面参照附图描述本发明的实施例。注意，本发明并不局限于下述描述，并且本领域技术人员可容易地理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以做出各种改变和修改。因此，本发明不应该被局限于对下述实施例的描述。
注意，取决于晶体管的结构和运行条件等，该晶体管的源极端子和漏极端子是可变化的。因此，在本文件中，作为晶体管的源极和漏极的端子中的一个端子被称为第一端子，而作为晶体管的源极和漏极的端子中的另一个端子被称为第二端子，以进行区分。
注意，在某些情况下，出于简洁的目的，附图中或实施例中图示的每个结构的区域或层的尺寸和厚度等被夸大。因此，本发明的实施例不局限于这些比例。此外，在本说明书中，诸如“第一”、“第二”和“第三”之类的序数词被用于避免组成部件之间的混淆，并且这些序数词并没有在数字上限制这些组成部件。
(实施例1)
在本实施例中，将描述有源矩阵液晶显示设备的示例。具体地，参照图1A和1B，图2以及图3A至3C，描述可以选择图像信号至像素部分的输入的有源矩阵液晶显示设备。
下面，参照图1A和1B，描述本实施例的液晶显示设备的结构示例。图1A和1B示出了液晶显示设备的结构示例。图1A中示出的液晶显示设备包括控制电路10、扫描线驱动器电路11、信号线驱动器电路12、和像素部分13。像素部分13包括布置成矩阵形式的多个像素14。图1B示出了多个像素14中的一个像素的结构示例。图1B中示出的像素14包括：晶体管15，该晶体管15具有电连接至扫描线驱动器电路11的栅极端子和电连接至信号线驱动器电路12的第一端子；液晶元件16，该液晶元件16具有电连接至晶体管15的第二端子的一个端子以及电连接至供给公共电势(Vcom)的布线的另一个端子；以及，电容器17，该电容器17具有电连接至晶体管15的第二端子和液晶元件16的所述一个端子的一个端子以及电连接至供给公共电势(Vcom)的布线的另一个端子。
在本实施例的液晶显示设备中，晶体管15的开关由扫描线驱动器电路11控制，并且图像信号从信号线驱动器电路12经由晶体管15输入至液晶元件16。注意，液晶元件16包括插入在该一个端子和该另一个端子之间的液晶层。将对应于图像信号和公共电势(Vcom)之间的电势差的电压施加至该液晶层。通过该电压，该液晶层的排列状态得到了控制。在本实施例的液晶显示设备中，使用该排列来控制每个像素14的显示。注意，提供电容器17，以存储施加至该液晶元件16的电压。
此外，在本实施例的液晶显示设备中，扫描线驱动器电路11和信号线驱动器电路12的操作由控制电路10控制，由此可以选择图像信号至像素部分13的输入。
接下来，将描述本实施例的液晶显示设备的组成部件的具体示例。
<控制电路10>
图2示出了控制电路10的结构示例。图2示出的控制电路10包括信号生成电路20、存储器电路21、比较电路22、选择电路23、以及显示控制电路24。
信号生成电路20是生成用于操作扫描线驱动器电路11和信号线驱动器电路12的信号以及用于形成像素部分13中的图像的信号的电路。具体地，信号生成电路20是如下电路，该电路生成并且输出：输入至在像素部分13中布置成矩阵形式的多个像素的图像信号(数据，Data)，用于控制扫描线驱动器电路11或信号线驱动器电路12的操作的信号(例如，起始脉冲信号(SP)、时钟信号(CK)、等等)，作为电源电势的高电源电势(Vdd)和低电源电势(Vss)，等等。在图2示出的控制电路10中，信号生成电路20将图像信号(数据)输出至存储器电路21，并且将用于控制扫描线驱动器电路11或信号线驱动器电路12的操作的信号输出至显示控制电路24。在从信号生成电路20输出至存储器电路21的图像信号(数据)是模拟信号的情况下，可以通过A/D转换器等将该图像信号(数据)转换成数字信号。
存储器电路21包括存储从用于在像素部分13中形成第一图像的图像信号至用于在像素部分13中形成第n个(n是大于或等于2的自然数)图像的图像信号的图像信号的多个存储器25。注意，例如，可以使用诸如动态随机存取存储器(DRAM)或静态随机存取存储器(SRAM)之类的存储器元件来形成每个存储器25。没有特别地限制存储器25的数目，只要存储器25为在像素部分13中形成的每个图像存储图像信号即可。此外，存储在多个存储器25中的图像信号由比较电路22和选择电路23选择性地读取。
比较电路22是如下电路，该电路选择性地读取存储在存储器电路21中的用于形成第k个图像(k是大于或等于1并且小于n的自然数)的图像信号以及用于形成第(k+1)个图像的图像信号，比较这些图像信号，并且检测这些图像信号之间的差异。注意，第k个图像和第(k+1)个图像是相继地显示在像素部分13中的图像。在通过由比较电路12进行的图像信号之间的比较检测到差异的情况下，则认为要使用这些图像信号形成的两个图像是运动图像。另一方面，在通过由比较电路12进行的图像信号之间的比较没有检测到差异的情况下，则认为要使用这些图像信号形成的两个图像是静止图像。也就是，比较电路22是如下电路：根据由比较电路22进行的差异的检测，确定用于形成相继显示的图像的图像信号是用于显示运动图像的图像信号还是用于显示静止图像的图像信号的电路。注意，可以将比较电路22设置为当差异超过一定水平时检测该差异。
选择电路23是基于比较电路22检测的差异选择图像信号至像素部分的输出的电路。具体地，选择电路23是输出比较电路22从其检测到差异的用于形成图像的图像信号但是不输出比较电路22从其没有检测到差异的用于形成图像的图像信号的电路。
显示控制电路24是控制诸如起始脉冲信号(SP)、时钟信号(CK)、高电源电势(Vdd)和低电源电势(Vss)之类的控制信号至扫描线驱动器电路11和信号线驱动器电路12的供给的电路。具体地，在图像被比较电路22认为是运动图像的情况下(在检测到相继显示的图像之间的差异的情况下)，从选择电路23供给的图像信号(数据)被输出至信号线驱动器电路12，并且控制信号(起始脉冲信号(SP)、时钟信号(CK)、高电源电势(Vdd)、低电源电势(Vss)，等等)被供给至扫描线驱动器电路11和信号线驱动器电路12。另一方面，在图像被比较电路22认为是静止图像的情况下(在没有检测到相继显示的图像之间的差异的情况下)，不从选择电路23供给图像信号(数据)，并且控制信号(起始脉冲信号(SP)、时钟信号(CK)、高电源电势(Vdd)、低电源电势(Vss)，等等)没有被供给至扫描线驱动器电路11和信号线驱动器电路12。也就是，在图像被比较电路22认为是静止图像的情况下(在没有检测到相继显示的图像之间的差异的情况下)，扫描线驱动器电路11和信号线驱动器电路12的操作被完全停止。注意，如果图像被比较电路认为是静止图像的期间较短，则可以继续高电源电势(Vdd)和低电源电势(Vss)的供给。注意，“高电源电势(Vdd)和低电源电势(Vss)的供给”意味着给定布线的电势被固定到高电源电势(Vdd)或低电源电势(Vss)。也就是，该布线的给定电势被改变至高电源电势(Vdd)或低电源电势(Vss)。由于电势的变化伴随着功耗，所以高电源电势(Vdd)或低电源电势(Vss)的供给的频繁终止和再起动可能会导致功耗的增加。在这种情况下，优选的是，持续地供给高电源电势(Vdd)和低电源电势(Vss)。注意，在前面的描述中，“没有供给信号”意味着不同于预定电势的电势被供给至供给该信号的布线或者该布线处于浮动状态。
在控制电路10中，如上所述地控制扫描线驱动器电路11和信号线驱动器电路12的操作。因此，可以减少液晶显示设备的功耗。
<晶体管15>
晶体管15是其沟道形成区是使用氧化物半导体层形成的晶体管。氧化物半导体层是通过有意地去除诸如氢、水、羟基、或氢化物(也被称为氢化合物)之类的引起氧化物半导体层的变化的杂质并且通过供给氧而被高度纯净化且具有电i型(本征的)氧化物半导体层，以抑制电特性的变化，所供给的氧是作氧化物半导体的主要成分且在去除杂质的步骤中被减少。注意，氧化物半导体层的带隙为2eV或更大，优选地为2.5eV或更大，更优选地为3.0eV或更大。
此外，该高纯度氧化物半导体中的载流子的数目很小(接近于零)，并且，载流子密度小于1×1014/cm3，优选地小于或等于1×1012/cm3。也就是，尽可能地降低氧化物半导体层的载流子密度，使其几乎接近于零。由于氧化物半导体层中存在极少的载流子，所以断态电流可以较低。断态电流的量越少，越好。因此，在前面提到的晶体管中，在室温下，每微米沟道宽度(W)的断态电流可以是10aA/μm(1×10-17A/μm)或更小，并且，在85℃下，每微米沟道宽度(W)的断态电流可以是100aA/μm(1×10-16A/μm)或更小。通常，在包括非晶硅的晶体管中，室温下的断态电流是1×10-13A/μm或更多。此外，由于不存在pn结也不存在热载流子劣化，因此晶体管的电特性没有受到不利的影响。因此，可以延长每个像素14的图像信号保持期间。也就是，可以增加静止图像中的图像信号的重写间隔。例如，图像信号的写入间隔可以是10秒或更长，优选地是30秒或更长，更优选地是一分钟或更长且短于10分钟。增加写入间隔使得可以增强抑制功耗的效果。
注意，断态电流在晶体管中流动的难度可以被称为断态电阻率。断态电阻率是指当晶体管处于截止状态时沟道形成区的电阻率，并且可以根据断态电流计算断态电阻率。
具体地，可以利用欧姆定律根据断态电流和漏电压来计算晶体管处于截止状态时的电阻(断态电阻R)，这将得到断态电阻率ρ，即，利用公式(R：断态电阻)根据沟道形成区的截面面积A和沟道形成区的长度L(该长度对应于源电极和漏电极之间的距离)可以计算该断态电阻率ρ。
此处，可以根据公式A＝dW(d：沟道形成区的厚度，W：沟道宽度)获得截面面积A。另外，沟道形成区的长度L是沟道长度L。以这种方式，可以根据断态电流计算出断态电阻率。
本实施例中的包括氧化物半导体层的晶体管的断态电阻率优选地为1×1011Ω·cm或更大，更优选地为1×1012Ω·cm或更大。
将如上所述的氧化物半导体层(其通过显著地去除包含在该氧化物半导体层中的氢而被高度纯净化)用于晶体管的沟道形成区中，由此可以得到具有极少量的断态电流的晶体管。此外，在电路设计中，当晶体管处于截止状态时，该氧化物半导体层可以被看作是绝缘体。而且，与包括非晶硅层的晶体管相比，包括氧化物半导体层的晶体管在导通状态下预期具有更高的电流供给能力。
当执行设计等时，假定在室温下包括低温多晶硅层的晶体管的断态电流大约是包括氧化物半导体层的晶体管的断态电流的10000倍。因此，在将包括氧化物半导体层的晶体管与包括低温多晶硅层的晶体管进行比较的情况下，当它们的存储电容相等或者基本相等(大约为0.1pF)时，该包括氧化物半导体层的晶体管的电压保持期间大约是该包括低温多晶硅的晶体管的电压保持期间的10000倍。作为示例，当每秒60帧地显示运动图像时，针对一个信号写入，包括氧化物半导体层的晶体管的保持期间大约为160秒，其是包括低温多晶硅层的晶体管的保持期间的10000倍。以这种方式，甚至可以通过较少频率的图像信号的写入在显示部分上执行静止图像显示。
长保持期间可以使图像信号至像素的供给的频率减少。特别地，对于如上所述的液晶显示设备，使用上述晶体管是非常有效的，其中，可以选择性地将图像信号输入至像素部分。也就是，尽管存在很长时间图像信号没有被输入至液晶显示设备的像素的可能性，但是可以通过将上述晶体管用作用于控制图像信号至像素的输入的晶体管来抑制像素中的显示劣化(变化)。
此外，当晶体管用作用于控制图像信号至像素的输入的开关时，可以减小设置在像素中的电容器的尺寸。因此，像素的孔径比较高，并且，例如，可以高速地将图像信号输入至像素。
<液晶元件16和电容器17>
当上述晶体管用作用于控制图像信号的输入的晶体管15时，优选的是，使用具有高比电阻率的物质作为包括在液晶元件16中的液晶材料。此处，将参照图3A至3C描述使用具有高比电阻率的物质的原因。图3A至3C是用于示出设置有包括非晶硅层的晶体管的像素中的泄漏的图像信号的路径和设置有包括上述氧化物半导体层的晶体管的像素中的泄漏的图像信号的路径的示意图。
如图1B所示，像素包括晶体管15、液晶元件16、以及电容器17。当晶体管15处于截止状态时，像素等同于图3A中示出的电路。也就是，像素等同于其中晶体管15被假定为是电阻器(RTr-Off)并且液晶元件16被假定为是电阻器(RLC)和电容器(CLC)的电路。当将图像信号输入至像素时，图像信号被存储在电容器17(CS)和液晶元件16的电容器(CLC)中。当在此之后使晶体管15进入截止状态时，图像信号经由晶体管15和液晶元件16被泄漏，如图3B和3C所示。图3B是示出在晶体管15是包括非晶硅层的晶体管的情况下的泄漏的图像信号的示意图，图3C是示出在晶体管15是包括氧化物半导体层的晶体管的情况下的泄漏的图像信号的示意图。包括非晶硅层的晶体管的断态电阻小于液晶元件的电阻。因此，图像信号主要是经由包括非晶硅层的晶体管被泄漏，如图3B所示(即，图像信号主要是经由图3B中的路径A和路径B被泄漏)。另一方面，包括高纯度氧化物半导体层的晶体管的断态电阻大于液晶元件的电阻。因此，图像信号主要是经由液晶元件被泄漏，如图3C所示(即，图像信号主要是经由图3C中的路径C和路径D被泄漏)。
也就是，尽管液晶显示设备的每个像素中的晶体管的特性常规上是每个像素中的图像信号保持特性中的速率控制点，在包括高纯度氧化物半导体层的晶体管被用作每个像素中的晶体管的情况下，其中的速率控制点被转换到液晶元件的电阻。因此，优选的是使用具有高比电阻率的物质作为包括在液晶元件16中的液晶材料。
具体地，在其像素设置有包括高纯度氧化物半导体层的晶体管的液晶显示设备中，液晶材料的比电阻率优选地是1×1012Ω·cm或更大，更优选地是1×1013Ω·cm以上，再优选地是1×1014Ω·cm以上。在液晶元件是使用液晶材料形成的情况下，由于杂质从定向膜或密封剂进入的可能性，电阻率是1×1011Ω·cm或更大，更优选地是1×1012Ω·cm以上。在本说明书中，比电阻率的值是在20℃下测量的。
在静止图像显示的保持期间，液晶元件16的另一个端子可以处于浮动状态，而无需将公共电势(Vcom)供给至该端子。具体地，可以在该端子和供给公共电势(Vcom)的电源之间设置开关。可以在写入期间打开该开关，由此可以从电源供给公共电势(Vcom)。于是，可以在剩余保持期间关闭该开关，由此使该端子进入浮动状态。优选的是，也将上述的包括高纯度氧化物半导体层的晶体管用于该开关。通过使液晶元件16的另一个端子进入浮动状态，可以降低由于不规则脉冲等引起的像素14中的显示劣化(变化)。理由如下所述。当处于截止状态的晶体管15的第一端子的电势被不规则脉冲改变时，液晶元件16的一个端子的电势也被容性耦合改变。此时，在公共电势(Vcom)被供给至液晶元件16的另一个端子的情况下，电势的变化直接关联到施加至液晶元件16的电压的变化。另一方面，在液晶元件的另一个端子处于浮动状态的情况下，该液晶元件的另一个端子的电势也被容性耦合改变。结果，即使当晶体管15的第一端子的电势被不规则脉冲改变，也可以减少施加至液晶元件16的电压的变化。因此，可以降低像素14中的显示劣化(变化)。
考虑到每个像素中的晶体管的断态电流等，确定电容器17(CS)的电容。但是，在如上所述的包括高纯度氧化物半导体层的晶体管被用于像素中的晶体管的情况下，设计电容器17所需的条件被显著地改变。下面使用具体的数值来描述该内容。
通常，在包括非晶硅层的晶体管被用于像素中的晶体管的情况下，断态电阻大约是1×1012Ω，并且液晶元件的电阻大约是1×1015Ω。因此，在包括高纯度氧化物半导体层的晶体管被用于像素中的晶体管的情况下，像素中的图像信号的泄漏的量可以被减少至大约1/1000。也就是，电容器17(CS)的电容可以被减少至大约1/1000，或者，像素中静止图像显示中的图像信号的重写频率可以被减少至大约1/1000。例如，在每秒60次地执行图像信号的写入的情况下，写入频率可以被减少至大约每15秒一次。此外，通过使用具有大约50fF的电容的元件作为电容器17，可以将图像信号保持在像素中大约30秒。作为示例，为了将图像信号保持在每个像素中5秒至5分钟(包括5秒和5分钟)，电容器17(CS)的电容优选地是0.5pF或更大，优选地是1pF或更大。注意，上述描述中的各种数值是估计值。
注意，实施例1的内容或部分内容可以自由地与实施例2、3和4的内容或部分内容或者示例1的内容或部分内容组合。
(实施例2)
在本实施例中，将参照图4A至4D描述实施例1中的晶体管的示例。
图4A至4D示出了用于制造实施例1中的晶体管的方法和具体结构的示例。注意，图4A至4D中示出的薄膜晶体管410具有称为沟道蚀刻型的底栅结构并且也被称为反交错薄膜晶体管。尽管在图4A至4D中示出了单栅极薄膜晶体管，如果需要也可以形成包括多个沟道形成区的多栅极薄膜晶体管。
下面，参照图4A至4D，描述用于在衬底400上形成薄膜晶体管410的方法。
首先，在具有绝缘表面的衬底400上形成导电膜，然后，通过第一光刻步骤形成栅电极层411。注意，可以通过喷墨法形成在该步骤中使用的抗蚀剂掩模。通过喷墨法形成抗蚀剂掩模不需要光掩模；因此，可以降低制造成本。
虽然对于能够用作具有绝缘表面的衬底400的衬底没有特别的限制，但是该衬底需要具有足够的耐热性以抵抗稍后执行的热处理。例如，可以使用由钡硼硅酸盐玻璃和铝硼硅酸盐玻璃等制成的玻璃衬底。在使用玻璃衬底且稍后执行的热处理温度高的情况下，优选使用其应变点高于或等于730℃的玻璃衬底。
此外，可以在衬底400和栅电极层411之间设置用作基膜的绝缘膜。该基膜具有阻止杂质元素从衬底400扩散的功能，并且可以使用氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜和氧氮化硅膜中的一个或多个将该基膜形成为具有单层结构或具有叠层结构。
可以使用诸如钼、钛、铬、钽、钨、铝、铜、钕或钪之类的金属材料，或者包含任何这些金属材料作为其主要成分的合金材料将栅电极层411形成为具有单层结构或具有叠层结构。
例如，作为栅电极层411的两层结构，以下结构是优选的：钼层堆叠在铝层上的结构，钼层堆叠在铜层上的结构，氮化钛层或氮化钽层堆叠在铜层上的结构，或堆叠有氮化钛层和钼层的结构。作为三层结构，优选的是，钨层或氮化钨层、铝和硅的合金层或铝和钛的合金层、以及氮化钛层或钛层的三层结构。
接下来，在栅电极层411上形成栅极绝缘层402。
通过等离子体CVD法、溅射法等，使用氧化硅层、氮化硅层、氧氮化硅层、氮氧化硅层、以及氧化铝层中的一个或多个，可以将栅极绝缘层402形成为具有单层结构或具有叠层结构。例如，可以通过等离子体CVD法使用包含硅烷(SiH4)、氧气和氢气的沉积气体形成氧氮化硅层。此外，可以将诸如氧化铪(HfOx)或氧化钽(TaOx)的高介电材料用作该栅极绝缘层。将栅极绝缘层402形成为具有100nm至500nm(包括100nm和500nm)的厚度；在栅极绝缘层402被形成为具有叠层结构的情况下，例如，具有50nm至200nm(包括50nm和200nm)的厚度的第一栅极绝缘层和具有5nm至300nm(包括5nm和300nm)的厚度的第二栅极绝缘层堆叠在一起。
此处，通过等离子体CVD法，形成厚度为100nm或更小的氧氮化硅层作为该栅极绝缘层402。
而且，作为栅极绝缘层402，可以利用高密度等离子体装置形成氧氮化硅膜。此处，高密度等离子体装置是指可以实现大于或等于1×1011/cm3的等离子体密度的装置。例如，通过施加3kW至6kW的微波功率生成等离子体，从而形成绝缘膜。
硅烷气体(SiH4)、一氧化二氮气体(N2O)和稀有气体被引入腔室作为源气体以在10Pa至30Pa的气压下生成高密度等离子体，并且在具有绝缘表面的衬底(诸如玻璃衬底)上形成绝缘膜。在此之后，停止供应硅烷气体(SiH4)，并且通过在不暴露至空气的情况下引入一氧化二氮气体(N2O)和稀有气体，对绝缘膜的表面进行等离子体处理。至少在形成绝缘膜之后执行通过引入一氧化二氮气体(N2O)和稀有气体而在绝缘膜的表面上执行的等离子体处理。通过上述制作工艺形成的绝缘膜具有薄的厚度并且对应于即使其厚度小于100nm也能确保其可靠性的绝缘膜。
在形成栅极绝缘层402的过程中，被引入到腔室中的硅烷气体(SiH4)与一氧化二氮气体(N2O)的流量比在1∶10到1∶200的范围内。此外，作为引入到腔室中的稀有气体，可以使用氦气、氩气、氪气、氙气等等。尤其是，优选使用较便宜的氩气。
此外，由于利用高密度等离子体CVD装置形成的绝缘膜可具有一定的厚度，所以绝缘膜具有很好的阶梯覆盖。而且，对于利用高密度等离子体CVD装置形成的绝缘膜，可以精确地控制薄膜的厚度。
通过上述制作工艺形成的绝缘膜与利用传统平行板等离子体CVD装置形成的绝缘膜存在很大的差异。在利用相同的蚀刻剂而比较蚀刻速度的情况下，通过上述制作工艺形成的绝缘膜的蚀刻速度低于利用传统平行板等离子体CVD装置形成的绝缘膜的蚀刻速度10％或更多或20％或更多。因此，可以说，利用高密度等离子体CVD装置形成的绝缘膜是致密膜。
在稍后步骤中成为本征的(i型)或者基本本征的氧化物半导体层(高纯度氧化物半导体层)对界面态以及界面电荷极其敏感；由此，氧化物半导体层和栅极绝缘层之间的界面很重要。因此，与高纯度氧化物半导体层接触的栅极绝缘层需要具有更高的质量。因此，由于可以形成具有高耐压和高质量的致密的绝缘膜，所以优选地采用利用微波(2.45GHz)的高密度等离子体CVD装置。当高纯度氧化物半导体层和高质量栅极绝缘层彼此紧密接触时，可以降低界面态密度并且获得有利的界面特性。重要的是，栅极绝缘层和氧化物半导体层之间具有较低的界面态密度，并且栅极绝缘层具有有利的界面以及有利的膜质量。
然后，在栅极绝缘层402上形成厚度为2nm至200nm(包括2nm和200nm)的氧化物半导体膜430。注意，在通过溅射法形成氧化物半导体膜430之前，优选地通过反向溅射去除附着在栅极绝缘层402的表面的粉末物质(也被称为颗粒或灰尘)，在该反向溅射中，引入氩气体并且产生等离子体。在反向溅射法中，无需将电压施加至靶侧，使用RF电源在氩气气氛中将电压施加至衬底侧，以改变衬底表面。注意，可以使用氮气气氛、氦气气氛、氧气气氛等代替氩气气氛。
作为氧化物半导体膜430，可以采用以下膜：基于In-Ga-Zn-O的氧化物半导体膜，基于In-Sn-O的氧化物半导体膜，基于In-Sn-Zn-O的氧化物半导体膜，基于In-Al-Zn-O的氧化物半导体膜，基于Sn-Ga-Zn-O的氧化物半导体膜，基于Al-Ga-Zn-O的氧化物半导体膜，基于Sn-Al-Zn-O的氧化物半导体膜，基于In-Zn-O的氧化物半导体膜，基于Sn-Zn-O的氧化物半导体膜，基于Al-Zn-O的氧化物半导体膜，基于In-O的氧化物半导体膜，基于Sn-O的氧化物半导体膜，或基于Zn-O的氧化物半导体膜。在本实施例中，通过溅射法使用基于In-Ga-Zn-O的金属氧化物靶形成氧化物半导体膜430。图4A示出了该阶段的截面图。或者，可以在稀有气体(典型地，氩气)气氛、氧气气氛或者包含稀有气体(典型地，氩气)和氧气的混合气氛中通过溅射法形成氧化物半导体膜430。注意，在使用溅射法的情况下，可以使用含有大于或等于2wt％并小于或等于10wt％的SiO2的靶来执行沉积，并且使氧化物半导体膜430包括抑制结晶的SiOx(X＞0)，使得在执行热处理用于稍后过程中执行的脱氢或脱水时可以抑制结晶。
此处，使用包含In，Ga和Zn(In2O3∶Ga2O3∶ZnO＝1∶1∶1(摩尔比)，In∶Ga∶Zn＝1∶1∶0.5(原子比))的金属氧化物靶，执行膜沉积。沉积条件设定如下：衬底和靶之间的距离为100mm，气压为0.2Pa，直流(DC)电功率为0.5kW，并且，气氛为氧气和氩气的混合气氛(氩气∶氧气＝30sccm∶20sccm并且氧气的流速是40％)。注意，脉冲直流(DC)电源是优选的，因为可以减少沉积时形成的粉末物质并且可以使膜厚度均匀。基于In-Ga-Zn-O的膜被形成为具有5nm至200nm的厚度(包括5nm和200nm在内)。在本实施例中，作为氧化物半导体膜，通过溅射法使用基于In-Ga-Zn-O的金属氧化物靶，形成厚度为20nm的基于In-Ga-Zn-O的膜。对于包含In，Ga和Zn的金属氧化物靶，可以使用具有In∶Ga∶Zn＝1∶1∶1(原子比)或In∶Ga∶Zn＝1∶1∶2(原子比)的组成成分比的靶。
溅射法的示例包括：使用高频电源作为溅射电源的RF溅射法，DC溅射法，以及以脉冲的方式施加偏压的脉冲DC溅射法。RF溅射法主要用于形成绝缘膜的情况，而DC溅射法主要用于形成金属膜的情况。
此外，还存在多源溅射装置，在该装置中设置了多个不同材料的靶。利用该多源溅射装置，可以形成多个堆叠在同一腔室中的不同材料的膜，或者可以在同一腔室中通过放电同时形成一层不同种材料的膜。
而且，还存在具有设置在腔室内的磁体系统的溅射装置，该溅射装置用于磁控溅射法；或者还存在用于ECR溅射的溅射装置，其中，在不使用辉光放电的情况下使用利用微波产生的等离子体。
更进一步地，作为使用溅射法的沉积法，还存在反应溅射法，在该反应溅射法中，靶物质和溅射气体成分在沉积期间相互发生化学反应，从而形成它们的化合物薄膜；以及偏压溅射法，在该偏压溅射法中，在沉积期间也向衬底施加电压。
接下来，通过第二光刻步骤，将氧化物半导体膜430加工成岛状氧化物半导体层。注意，可通过喷墨法形成在该步骤中使用的抗蚀剂掩模。通过喷墨法形成抗蚀剂掩模不需要光掩模；因此，可以降低制造成本。
接下来，使氧化物半导体层脱水或脱氢。用于脱水或脱氢的第一热处理的温度高于或等于400℃并且低于或等于750℃，优选地高于或等于400℃并且低于衬底的应变点。此处，衬底被放入电炉中，该电炉是一种热处理装置，在氮气气氛中在450℃下对氧化物半导体层执行热处理1小时，然后，使氧化物半导体层不暴露至空气中，从而阻止了水和氢进入氧化物半导体层；因此，获得了氧化物半导体层431(参见图4B)。
注意，热处理装置不限于电炉，其可以包括通过来自诸如电阻加热元件的加热元件的热传导或热辐射来加热待加工对象的设备。例如，可以使用诸如GRTA(气体快速热退火)装置或LRTA(灯快速热退火)装置的RTA(快速热退火)装置。LRTA装置是一种用于通过诸如碘钨灯、金属卤化灯、氙弧灯、炭弧灯、高压钠汽灯或高压汞灯发射的光的辐射(电磁波)来加热待加工对象的装置。GRTA装置是一种用于使用高温气体的热处理的装置。对于该气体，可以使用通过热处理不会和待加工对象发生反应的惰性气体，例如氮气或者诸如氩气之类的稀有气体。
例如，对于第一热处理，可以执行GRTA：将衬底移入至已经加热至650℃-700℃温度的惰性气体中，加热几分钟，并从已加热至高温的惰性气体中移出。通过GRTA，能够实现短时间的高温热处理。
注意，在第一热处理中，优选的是，在氮气气氛或者诸如氦、氖或氩之类的稀有气体气氛中不包含水和氢等。优选的是，将引入到热处理装置中的氮或诸如氦、氖或氩之类的稀有气体的纯度设置为6N(99.9999％)或更高，优选地为7N(99.99999％)或更高(即，杂质浓度为1ppm或更低，优选地0.1ppm或更低)。
可以在还未被加工成岛状氧化物半导体层的氧化物半导体膜上执行第一热处理。在这种情况下，在第一热处理之后，将衬底从热处理装置中抽出，然后进行第二光刻步骤。
可以在以下任何一个时刻执行用于使氧化物半导体层脱水或脱氢的热处理：形成氧化物半导体层之后；在氧化物半导体层上形成源电极层和漏电极层之后；以及，在源电极层和漏电极层上形成保护性绝缘膜之后。
此外，当在栅极绝缘层402中形成开口部分时，可以在使氧化物半导体膜430经受脱水或脱氢处理之前或之后，执行形成该开口部分的步骤。
注意，氧化物半导体膜430的蚀刻不局限于湿蚀刻，也可以使用干蚀刻。
对于用于干蚀刻的蚀刻气体，优选地可以使用包含氯(基于氯的气体，诸如氯气(Cl2)，氯化硼(BCl3)，氯化硅(SiCl4)，或者四氯化碳(CCl4))的气体。
或者，可以使用包含氟(基于氟的气体，诸如，四氟化碳(CF4)，六氟化硫(SF6)，三氟化氮(NF3)或三氟甲烷(CHF3))的气体、溴化氢(HBr)、氧(O2)或者添加了诸如氦(He)或氩(Ar)的稀有气体的任何这些气体等。
作为干蚀刻法，可以使用平行板反应离子蚀刻(RIE)法或感应耦合等离子体(ICP)蚀刻法。为了将膜蚀刻成期望的形状，适当地调整蚀刻条件(施加到线圈状电极的电功率的量，施加到衬底侧的电极的电功率的量，衬底侧的电极的温度等)。
作为用于湿蚀刻的蚀刻剂，可以使用磷酸、乙酸和硝酸的混合溶液等。或者，可以使用(KANTOCHEMICALCO.，INC.生产的)ITO07N。
湿蚀刻后的蚀刻剂连同被蚀刻的材料一起通过清洗被去除。包含蚀刻剂和蚀刻掉的材料的废液可以被纯净化并且材料可以被重新使用。当包含在氧化物半导体层中的诸如铟之类的材料在蚀刻后从废液中被收集并被重新使用时，可以有效地使用资源并降低成本。
根据材料适当地调整蚀刻条件(诸如蚀刻剂、蚀刻时间和温度)使得可以将材料蚀刻成期望的形状。
接下来，在栅极绝缘层402和氧化物半导体层431上形成金属导电膜。该金属导电膜可以通过溅射法或真空蒸发法来形成。作为金属导电膜的材料，给出了如下示例：从铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钽(Ta)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)中选取的元素；包含任何这些元素作为其成分的合金；包含任何这些元素的组合的合金，等等。或者，可以使用从锰(Mn)、镁(Mg)、锆(Zr)、铍(Be)和钇(Y)中选取的一个或多个材料。此外，该金属导电膜可以具有单层结构或者具有包括两个或多个层的叠层结构。例如，可以给出如下示例：包括硅的铝膜的单层结构，铜膜的单层结构，或包括铜作为主要成分的膜，其中钛膜堆叠在铝膜之上的两层结构，其中铜膜形成在氮化钽膜或氮化铜膜上的两层结构，以及，其中铝膜堆叠在钛膜上并且另一钛膜又堆叠在该铝膜上的三层结构，等等。或者，可以使用包含铝(Al)以及从钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、钼(Mo)、铬(Cr)、钕(Nd)和钪(Sc)中选择的一种或多种元素的膜、合金膜或氮化物膜。
如果在形成金属导电膜之后执行热处理，则优选的是该金属导电膜具有足以抵抗热处理的耐热性。
执行第三光刻步骤。在金属导电膜上形成抗蚀剂掩模并且选择性地执行蚀刻，使得形成源电极层415a和漏电极层415b。然后，去除抗蚀剂掩模(参见图4C)。
注意，适当地调节材料和蚀刻条件使得氧化物半导体层431没有被金属导电膜的蚀刻去除。
注意，在第三光刻步骤中，在某些情况下，仅蚀刻部分氧化物半导体层431，由此形成具有槽(凹陷部分)的氧化物半导体层。或者，可以通过喷墨法形成在该步骤中使用的抗蚀剂掩模。通过溅射法形成抗蚀剂掩模不需要光掩模；因此，可以降低制造成本。
为了减少光刻步骤中使用的光掩模的数量并且减少光刻步骤的数量，可以利用多色调掩模来执行蚀刻步骤，该多色调掩模是曝光掩模，光可透射通过该曝光掩模，从而具有多个强度。由于利用多色调掩模形成的抗蚀剂掩模具有多个厚度并且可以通过执行灰化而进一步地改变该抗蚀剂掩模的形状，因此可以在多个蚀刻步骤中使用该抗蚀剂掩模以提供不同的图案。因此，通过使用一个多色调掩模就可以形成对应于至少两种或多种不同图案的抗蚀剂掩模。由此，可以减少曝光掩模的数量，并且也可以减少对应的光刻步骤的数量，从而可以实现过程的简化。
接下来，使用诸如一氧化二氮(N2O)、氮气(N2)、或氩气(Ar)的气体执行等离子体处理。通过该等离子体处理，吸附在氧化物半导体层的暴露的表面上的水等被去除。可以使用氧气和氩气的混合气体执行该等离子体处理。
在该等离子体处理之后，形成氧化物绝缘层416而不被暴露至空气，该氧化物绝缘层416用作保护性绝缘膜并与部分氧化物半导体层接触。
适当地通过溅射法等可以将氧化物绝缘层416形成为具有至少1nm或更大的厚度，通过该方法，诸如水或氢的杂质不会混入氧化物绝缘层416中。当氧化物绝缘层416中包含氢时，导致氢进入该氧化物半导体层，从而使氧化物半导体层431的背沟道具有较低的电阻(具有n型传导率)并且形成寄生沟道。因此，重要的是，采用其中未使用氢的形成方法，以形成含有尽可能少的氢的氧化物绝缘层416。
在此，通过溅射法沉积厚度为200nm的氧化硅膜作为氧化物绝缘层416。沉积中的衬底温度可以高于或等于室温且低于或等于300℃，并且在该实施例中该温度为100℃。可以在稀有气体(典型地，氩气)气氛、氧气气氛或稀有气体(典型地，氩气)和氧气的气氛中执行通过溅射法的氧化硅膜的形成。作为靶，可以使用氧化硅靶或硅靶。例如，可以在包括氧气和氮气的气氛中，使用硅靶，通过溅射法来形成氧化硅膜。
接下来，优选地在惰性气体气氛中或在氧气气氛中执行第二热处理(优选地在高于或等于200℃且低于或等于400℃的温度下，例如在高于或等于250℃且低于或等于350℃的温度下)。例如，在氮气气氛中在250℃下执行第二热处理1小时。通过第二热处理，在部分氧化物半导体层(沟道形成区)与氧化物绝缘层416相接触时加热该部分氧化物半导体层。由此，氧气被供给至该部分氧化物半导体层(沟道形成区)。
通过上述步骤，氧化物半导体层经受用于脱水或脱氢的热处理，然后，选择性地使部分氧化物半导体层(沟道形成区)处于氧过量的状态。结果，与栅电极层411重叠的沟道形成区413成为i型，并且与源电极层415a重叠的源区414a以及与漏电极层415b重叠的漏区414b按照自对准的方式被形成。相应地，形成薄膜晶体管410。
在85℃下2×106V/cm的12个小时的栅偏压-温度应力测试(BT测试)中，如果杂质被添加到氧化物半导体，杂质和氧化物半导体的主要成分之间的键被高电场(B：偏压)和高温度(T：温度)断开，并且生成的悬空键引起阀值电压(Vth)的偏离。另一方面，通过尽可能多地去除氧化物半导体中的杂质(尤其是氢和水等等)并且使用高密度等离子体CVD装置，可以获得如上所述的高耐压的高质量致密绝缘膜并且实现氧化物半导体膜和栅极绝缘膜之间的良好界面特性；因此，可以获得即使在BT测试中也稳定的晶体管。
此外，可以在空气中在100℃到200℃(包括100℃和200℃)的温度下执行热处理一个小时到三十个小时(包括一个小时和三十个小时)。此处，可以在150℃下执行该热处理十个小时。可以在固定的加热温度下执行该热处理。或者，可以重复地多次执行如下加热温度的变化：加热温度从室温增加至100℃到200℃的温度，然后下降至室温。又或者，可以在降低的气压下形成氧化物绝缘膜之前执行该热处理。当在降低的气压下执行热处理时，可以缩短热处理的时间。通过该热处理，在氧化物绝缘层中从氧化物半导体层取出氢。
通过在氧化物半导体层的与漏电极层415b重叠的部分中形成漏区414b，可以增强薄膜晶体管的可靠性。具体地，通过形成漏区414b，可以实现如下结构，在该结构中，从漏电极层415b经由漏区414b到沟道形成区413改变传导率。
此外，在氧化物半导体层的厚度为15nm或更小的情况下，在整个厚度方向形成氧化物半导体层中的源区或漏区。在氧化物半导体层的厚度为30nm至50nm(包括30nm和50nm)的情况下，在部分氧化物半导体层中，即，在氧化物半导体层的与源电极层或漏电极层相接触的区域以及在该区域的附近，降低电阻并且形成源区或漏区，同时可以使氧化物半导体层中接近栅极绝缘层的区域成为i型区域。
可以在氧化物绝缘层416上进一步形成保护性绝缘层。例如，通过RF溅射法形成氮化硅膜。由于RF溅射法具有高生产率，因此优选地将该RF溅射法用作保护性绝缘层的膜形成法。作为保护性绝缘层，利用不包含诸如水气、氢离子和OH-的杂质且阻挡这些杂质自外部进入的无机绝缘膜；例如，使用氮化硅膜、氮化铝膜、氮氧化硅膜、氧氮化铝膜等。在本实施例中，作为保护性绝缘层，利用氮化硅膜形成保护性绝缘层403(参见图4D)。
注意，实施例2的内容或部分内容可以自由地与实施例1、3和4的内容或部分内容或者示例1的内容或部分内容组合。
(实施例3)
在本实施例中，参照图5A和5B，描述具有触摸面板功能的在实施例1中描述的液晶显示设备的结构。
图5A是本实施例的液晶显示设备的示意图。图5A示出了如下结构，在该结构中，触摸面板单元502堆叠在液晶显示设备501上，并且两者通过壳体503而附接在一起，其中液晶显示设备501是实施例1中的液晶显示设备。作为触摸面板单元502，适当地可以使用电阻式触摸传感器、表面电容式触摸传感器、投射电容式触摸传感器、等等。
单独地制造液晶显示面板501和触摸面板单元502并且如图5A所示地堆叠二者，由此可以降低具有触摸面板功能的液晶显示设备的制造成本。
图5B示出了具有触摸面板功能的液晶显示设备的结构，其不同于图5A中所示出的。图5B所示出的液晶显示设备504包括多个像素505，该多个像素505每一个均包括光传感器506和液晶元件507。因此，没有必要堆叠触摸面板单元502，这不同于图5A所示出的。由此，可以使液晶显示设备变薄。而且，可以在相同的衬底上制造扫描线驱动器电路508、信号线驱动器电路509、和光传感器电路510，作为像素505。因此，也可以减小液晶显示设备的尺寸。注意，可以使用非晶硅形成该光传感器506，并且将该光传感器堆叠在包括氧化物半导体的晶体管上。
包括氧化物半导体层的晶体管被用在具有触摸面板功能的液晶显示设备中，由此可以改善静止图像中的图像保持特性。此外，可以通过停止静止图像显示中的驱动器电路部分的操作来降低功耗。
注意，实施例3的内容或部分内容可以自由地与实施例1、2和4的内容或部分内容或者示例1的内容或部分内容组合。
(实施例4)
在实施例4中，参照图6A至6F，描述其上安装有实施例1的液晶显示设备的电子设备的示例。注意，根据实施例1的液晶显示设备被用于电子设备的显示部分。
图6A示出了便携式计算机，该便携式计算机包括主体2201、壳体2202、显示部分2203、键盘2204、等等。将实施例1中的液晶显示设备用于便携式计算机的显示部分不仅对减少功耗具有深远的影响，而且对缓解由长期使用所引起的视觉疲累也具有深远的影响，理由如下。便携式计算机的显示主要是通过用户的操作来改变。也就是，在用户的多个操作之间的间隔期间，便携式计算机显示静止图像。此外，通常，在液晶显示设备中执行反转驱动，以抑制液晶材料的劣化。如果该反转驱动是在显示静止图像的期间被执行，则用户会识别到图像的闪烁。该闪烁加重了用户的视觉疲累。但是，通过使用如实施例1中所描述的液晶显示设备，可以在每个像素中较长时间地保持图像信号，由此可以减少在静止图像显示期间用户所识别到的闪烁。因此，可以说，将实施例1中描述的液晶显示设备用于便携式计算机等对缓解用户的视觉疲累具有深远的影响。
图6B示出了个人数字助理(PDA)，该个人数字助理(PDA)包括具有显示部分2213、外部接口2215、操作按钮2214等等的主体2211。包括用于操作的触笔2212作为附件。
图6C示出了作为电子纸的示例的电子书阅读器2220。该电子书阅读器2220包括两个壳体，即，壳体2221和壳体2223。壳体2221和壳体2223通过轴部分2237彼此连接在一起，其中电子书阅读器2220可以沿着该轴部分2237打开和合上。利用该结构，可以如同纸质书一样地使用该电子书阅读器2220。
显示部分2225并入在壳体2221中，而显示部分2227并入在壳体2223中。显示部分2225和显示部分2227可以显示一个图像或者显示不同的图像。在其中显示部分彼此显示不同的图像的结构中，例如，右侧显示部分(图6C中的显示部分2225)可以显示文本，而左侧显示部分(图6C中的显示部分2227)可以显示图像。
此外，在图6C中，壳体2221设置有操作部分等。例如，壳体2221设置有电源2231、操作键2233、扬声器2235、等等。利用操作键2233，可以翻页。注意，也可以在壳体的其上设置有显示部分的表面上设置键盘、指示设备、等等。而且，也可以在壳体的后表面或侧表面上设置外部连接端子(耳机端子、USB端子、可以连接至诸如AC适配器和USB电缆之类的各种电缆的端子)、记录介质插入部分、等等。此外，电子书阅读器2220可以具有电子词典的功能。
电子书阅读器2220可以被配置为无线接收和发射数据。通过无线通信，可以从电子书服务商购买并下载需要的书籍数据等。
注意，电子纸可以用于各个领域中的电子设备，只要它们显示信息即可。例如，除了电子书阅读器，电子纸还可以用于诸如火车之类的交通工具中的海报和广告、诸如信用卡之类的各种卡上的显示、等等。
图6D示出了移动电话。该移动电话包括两个壳体，即，壳体2240和壳体2241。壳体2241设置有显示面板2242、扬声器2243、麦克风2244、指示设备2246、相机镜头2247、外部连接端子2248、等等。壳体2240设置有对移动电话进行充电的太阳能电池2249、外部存储卡槽2250、等等。天线并入壳体2241中。
显示面板2242具有触摸面板功能。在图6D中，用虚线示出了多个操作键2245，该多个操作键2245被显示为图像。注意，移动电话包括升压电路，用于将太阳能电池2249输出的电压增大至每个电路所需要的电压。此外，除了上述结构，移动电话还可以包括非接触式IC芯片、小型记录设备、等等。
显示面板2242的显示方向根据应用模式适当地改变。此外，相机镜头2247和显示面板2242设置在同一个表面上，因此，其可以用作视讯电话。扬声器2243和麦克风2244可以用于视频电话、录音、播放声音、等等，以及语音电话。此外，可以滑动处于图6D示出的状态中的壳体2240和壳体2241，使得壳体2240和壳体2241彼此重叠；因此，可以减少便携式电话的尺寸，这使得便携式电话适合于携带。
外部连接端子2248可以连接至AC适配器或者诸如USB电缆的各种电缆，这可以实现对移动电话进行充电，并且可以实现数据通信。此外，通过将记录介质插入外部存储卡槽2250，可以保存并且移动大量数据。此外，除了上述功能，还可以提供红外通信功能、电视接收功能、等等。
图6E示出了数字照相机，该数字照相机包括主体2261、显示部分(A)2267、目镜2263、操作开关2264、显示部分(B)2265、电池2266、等等。
图6F示出了电视机2270，该电视机包括并入在壳体2271中的显示部分2273。显示部分2273可以显示图像。此处，壳体2271由架子2275支撑。
可以通过壳体2271的操作开关或者单独的遥控器2280操作电视机2270。利用遥控器2280的操作键2279来控制频道和音量，使得可以控制显示在显示部分2273上的图像。此外，遥控器2280可以具有显示部分2227，在该显示部分2227中，显示从遥控器2280输出的信息。
注意，电视机2270优选地设置有接收器、调制解调器、等等。利用该接收器，可以接收一般的电视广播。此外，当电视机经由调制解调器通过有线或无线连接至通信网络时，可以执行单向(从发射器到接收器)数据通信或者双向(在发射器和接收器之间)数据通信。
注意，实施例4的内容或部分内容可以自由地与实施例1、2和3的内容或部分内容或者示例1的内容或部分内容组合。
(示例1)
在本示例中，下面将描述使用试验元件组(也被称为TEG)的断态电流的测量的值。
图7示出了具有L/W＝3μm/10000μm的晶体管的初始特性，其中，均具有L/W＝3μm/50μm的200个晶体管并联连接。此外，图8A示出了俯视图，而图8B示出了部分放大的俯视图。图8B中的点线所包围的区域是具有L/W＝3μm/50μm且Lov＝1.5μm的一个级的晶体管。此处，LOV表示在沟道长度方向中源极或漏极与氧化物半导体层重叠的区域的长度。为了测量晶体管的初始特性，在如下条件，即，衬底温度设定为室温，源极和漏极之间的电压(此后，漏极电压或Vd)设定为10V，并且源极和栅极之间的电压(此后，栅极电压或Vg)从-20V变化到+20V，测量源极-漏极电流(此后被称为漏极电流或Id)的变化特性，即Vg-Id特性。注意，图7示出了在-20V至+5V范围内的Vg。
如图7中所示，具有10000μm的沟道宽度W的晶体管在Vd是1V和10V处具有1×10-13A或更低的断态电流，其小于或等于测量设备(半导体参数分析器，由AgilentTechnologiesInc.制造的Agilent4156C)的分辨率(100fA)。也就是说，在沟道长度为3μm的情况下，沟道宽度中晶体管的每微米的估计断态电流是10aA/μm或更小。此外，在沟道长度为3μm或更大的情况下，晶体管的估计断态电流是10aA/μm或更小
描述制造用于测量的晶体管的方法。
首先，通过CVD法在玻璃衬底上形成氮化硅层，作为基膜，并且，在该氮化硅层上形成氧氮化硅层。通过溅射法在该氧氮化硅层上形成钨层，作为栅电极层。此处，选择性地将该钨层蚀刻成栅电极层。
然后，通过CVD法在栅电极层上形成厚度为100nm的氧氮化硅层作为栅极绝缘层。
然后，使用基于In-Ga-Zn-O的金属氧化物靶(1n2O3∶Ga2O3∶ZnO的摩尔比率是1∶1∶2)通过溅射法在栅极绝缘层上形成厚度为50nm的氧化物半导体层。此处，选择性地将该氧化物半导体层蚀刻成岛状氧化物半导体层。
然后，在氮气气氛中，在450℃下，在干净的烤炉中，对氧化物半导体层执行第一热处理一个小时。
然后，通过溅射法在氧化物半导体层上形成钛层(厚度为150nm)作为源电极层和漏电极层。此处，选择性地蚀刻该源电极层和该漏电极层，使得均具有3μm的沟道长度L和50μm的沟道宽度W的200个晶体管并联连接，从而获得具有L/W＝3μm/10000μm的晶体管。
接下来，通过反应溅射法形成厚度为300nm的氧化硅层作为保护性绝缘层，以与氧化物半导体层接触。此处，充当保护性层的氧化硅层被选择性地蚀刻，以在栅电极层、源电极层和漏电极层上形成开口。在此之后，在氮气气氛中，在250℃下，执行第二热处理一个小时。
然后，在测量Vg-Id特性之前，在150℃下，执行热处理10个小时。
通过上述过程，制造了底栅型晶体管。
如图7所示，晶体管具有大约1×10-13A的断态电流的原因是：在上述过程中，可以充分地降低氧化物半导体层中氢的浓度。氧化物半导体层中的氢的浓度是1×1016/cm3或更低。注意，该氧化物半导体层中的氢的浓度是通过二次离子质谱法(SIMS)测量的。
尽管描述了使用基于In-Ga-Zn-O的氧化物半导体的示例，但是示例1并不局限于此。也可以采用其它氧化物半导体材料，诸如：基于In-Sn-Zn-O的氧化物半导体，基于Sn-Ga-Zn-O的氧化物半导体，基于Al-Ga-Zn-O的氧化物半导体，基于Sn-Al-Zn-O的氧化物半导体，基于In-Zn-O的氧化物半导体，基于In-Sn-O的氧化物半导体，基于Sn-Zn-O的氧化物半导体，基于Al-Zn-O的氧化物半导体，基于In-O的氧化物半导体，基于Sn-O的氧化物半导体，或基于Zn-O的氧化物半导体。此外，作为氧化物半导体材料，也可以使用混合有2.5wt％至10wt％的AlOx的基于In-Al-Zn-O的氧化物半导体或者混合有2.5wt％至10wt％的SiOx的基于In-Zn-O的氧化物半导体。
载流子测量设备所测量的氧化物半导体层的载流子浓度小于1×1014/cm3或更低，优选地小于1×1012/cm3或更低。换句话说，可以使氧化物半导体层的载流子浓度尽可能地接近零。
晶体管还可以具有大于或等于10nm且小于或等于1000nm的沟道长度L，这使得电路运行速度提高；并且断态电路极低，这又使得功耗被进一步地降低。
此外，在电路设计中，当晶体管处于截止状态时，氧化物半导体层可以被看作是绝缘体。
在此之后，评估本示例中制造的晶体管的断态电流的温度特性。考虑到使用了薄膜晶体管的终端产品的环境阻力和性能维护等，温度特性是重要的。应该理解，少量的变化是优选的，这增大了产品设计的自由度。
对于温度特性，在如下条件下使用恒温腔室获得Vg-Id特性，该条件是：设置有晶体管的衬底保持在-30℃、0℃、25℃、40℃、60℃、80℃、100℃、以及120℃的各个恒温下，漏极电压设定为6V，并且栅极电压从-20V变化到+20V。
图9A示出在上述温度下测量的且彼此重叠的Vg-Id特性，而图9B示出了图9A中点线所包围的断态电流的范围的放大视图。图表中箭头所示的最右侧曲线是在-30℃处获得的曲线；最左侧曲线是在120℃处获得的曲线；并且，在其它温度处获得的曲线位于这两条曲线之间。难以观察到开态电流的温度依赖性。另一方面，如在图9B的放大视图中清楚示出的，除了在-20V的栅极电压附近，断态电流在所有温度处均低于或等于1×10-12A(接近测量设备的分辨率)，并且没有观察到其温度依赖性。换句话说，即使是在120℃的高温处，也将断态电流保持为低于或等于1×10-12A，并且，如果沟道宽度W是10000μm，可以看出断态电流相当小。也就是说，在沟道长度为3μm的情况下，沟道宽度中晶体管的每微米的估计断态电流是100aA/μm或更小。此外，在沟道长度为3μm或更大的情况下，晶体管的估计断态电流是100aA/μm或更小。此外，图9A和图9B中的数据显示在-30℃至120℃(包括-30℃和120℃)处根据本示例制造的晶体管的断态电流是100Aa/μm或更小。此外，自然地估计出在85℃处的断态电流是100aA/μm。也就是说，图9A和图9B中的数据显示：在对其中在本示例中制造的晶体被用作每个像素中的晶体管的液晶显示设备执行在85℃处的恒温保存试验(preservationtest)的情况下，减少了像素中的图像信号的泄漏并且抑制了显示劣化(变化)。
如上所述的包括纯净化的氧化物半导体(纯净化的OS)的晶体管几乎没有显示断态电流对温度的依赖性。可以说，当氧化物半导体被纯净化时，该氧化物半导体不显示温度依赖性，因为导电类型变得极其接近于本征型并且费米能级位于禁带的中间。这也是源于以下实事，即，氧化物半导体具有较大的能隙并且包括很少量的热激励的载流子。此外，源区和漏区处于退化的状态，这也是没有显示温度依赖性的因素。晶体管主要是由从退化的源区注入到氧化物半导体的载流子操作，并且上述特性(断态电流对温度的依赖性)可以通过载流子浓度对温度的依赖性来解释。
上述结果显示，在其载流子密度小于1×1014/cm3，优选地小于或等于1×1012/cm3的晶体管中，室温下的断态电流是10aA/μm或更小，在85℃处的断态电流是100aA/μm或更小。此外，该结果还显示，通过使用该晶体管作为在液晶显示设备的每个像素中所包括的晶体管，可以减少液晶显示设备的功耗并且可以抑制液晶显示设备的显示劣化(显示质量的下降)。此外，该结果还显示，可以提供其中由诸如温度之类的外部因素引起的显示劣化(变化)被减少的液晶显示设备。
本申请基于2009年12月18日向日本专利局提交的日本专利申请序列号2009-288312以及2010年4月13日向日本专利局提交的日本专利申请序列号2010-092111，其全部内容通过引用结合于此。

Claims (5)

1.一种液晶显示设备，包括：
布置成矩阵形式的多个像素，所述多个像素中的每个像素包括：
晶体管；
液晶元件，所述液晶元件电连接至所述晶体管，所述液晶元件包括端子，所述端子被配置为经由所述晶体管被供应以图像信号；以及
电容器，所述电容器被配置为存储施加至所述液晶元件的电压；
其中，所述晶体管包括沟道形成区，所述沟道形成区包括氧化物半导体层，
其中，在所述晶体管的截止状态中所述图像信号经由所述晶体管的泄漏的量小于所述图像信号经由所述液晶元件的泄漏的量，并且
其中当所述晶体管的源极与所述晶体管的漏极之间的电压为6V，所述晶体管的栅极电压为-10V，所述晶体管的沟道长度为3μm或更大，并且设置有所述晶体管的衬底的温度为-30℃至120℃，包括端值时，所述晶体管的每微米沟道宽度的断态电流小于或等于1×10-16A/μm。
2.根据权利要求1的液晶显示设备，
其中，所述氧化物半导体层是基本上本征的。
3.根据权利要求1的液晶显示设备，
其中，包括在所述液晶元件中的液晶材料的比电阻率在1×1014Ω·cm以上。
4.根据权利要求1的液晶显示设备，
其中，所述电容器的电容是1pF或更大。
5.一种电子设备，包括根据权利要求1的液晶显示设备。
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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8330492B2 (en) 2006-06-02 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP5730529B2 (ja) 2009-10-21 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102275522B1 (ko) * 2009-12-18 2021-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR102008754B1 (ko) 2010-01-24 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
WO2011089853A1 (en) * 2010-01-24 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI493518B (zh) * 2012-02-01 2015-07-21 Mstar Semiconductor Inc 以顯示面板實現觸控螢幕的方法與相關裝置
CN102629591B (zh) 2012-02-28 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器
WO2013146333A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touchscreen, driving method thereof, and touchscreen module
KR102025722B1 (ko) * 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
US9134864B2 (en) 2012-05-31 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device with controller and touch panel for rapid restoration from power-saving mode
KR102099262B1 (ko) * 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
KR20140013931A (ko) * 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
US9984644B2 (en) 2012-08-08 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for driving the same
KR102114212B1 (ko) 2012-08-10 2020-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2014034235A1 (ja) * 2012-08-30 2014-03-06 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその駆動方法
US9535277B2 (en) 2012-09-05 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Conductive oxide film, display device, and method for forming conductive oxide film
US9569992B2 (en) 2012-11-15 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving information processing device, program, and information processing device
WO2014077295A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2014084153A1 (en) 2012-11-28 2014-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6205249B2 (ja) 2012-11-30 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 情報処理装置の駆動方法
US20140184484A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9245650B2 (en) * 2013-03-15 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TWI636309B (zh) * 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
TWI507948B (zh) * 2013-08-28 2015-11-11 Au Optronics Corp 具有觸控功能之基板以及採用此基板之顯示器
JP2015102596A (ja) * 2013-11-21 2015-06-04 ラピスセミコンダクタ株式会社 表示デバイスの駆動装置
JP6462208B2 (ja) * 2013-11-21 2019-01-30 ラピスセミコンダクタ株式会社 表示デバイスの駆動装置
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP2016006640A (ja) 2014-05-30 2016-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 検知器、入力装置、入出力装置
JP6518133B2 (ja) 2014-05-30 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 入力装置
US9455281B2 (en) 2014-06-19 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, touch panel module, and display device
JP2016066065A (ja) 2014-09-05 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および電子機器
JP6564665B2 (ja) 2014-10-02 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入力装置、及び入出力装置
KR102500994B1 (ko) 2014-10-17 2023-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
WO2016087999A1 (ja) 2014-12-01 2016-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、該表示装置を有する表示モジュール、及び該表示装置または該表示モジュールを有する電子機器
US9933872B2 (en) 2014-12-01 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
KR102494418B1 (ko) * 2015-04-13 2023-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 패널, 데이터 처리 장치, 및 표시 패널의 제조방법
CN106155404A (zh) * 2015-04-27 2016-11-23 上海和辉光电有限公司 显示装置
US10684500B2 (en) 2015-05-27 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
TWI576815B (zh) 2015-12-10 2017-04-01 矽創電子股份有限公司 電源供應系統及方法
WO2017103731A1 (en) 2015-12-18 2017-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
KR102295315B1 (ko) 2016-04-15 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
KR102365490B1 (ko) 2016-07-13 2022-02-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입출력 패널, 입출력 장치, 반도체 장치
US10679545B2 (en) 2016-08-17 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Operation method of display device
US10620689B2 (en) * 2016-10-21 2020-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and operation method thereof
WO2018073690A1 (en) 2016-10-21 2018-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, display device, display module, and electronic device
JP2018072821A (ja) 2016-10-26 2018-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその動作方法
WO2019186320A1 (ja) 2018-03-30 2019-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び表示装置の駆動方法
JP7084770B2 (ja) * 2018-04-27 2022-06-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7429431B2 (ja) * 2020-02-27 2024-02-08 国立研究開発法人産業技術総合研究所 情報処理装置および情報処理装置の駆動方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5124768A (en) * 1982-04-13 1992-06-23 Seiko Epson Corporation Thin film transistor and active matrix assembly including same
CN101123194A (zh) * 2006-08-09 2008-02-13 佳能株式会社 干蚀刻氧化物半导体膜的方法

Family Cites Families (225)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3638003A (en) 1968-09-12 1972-01-25 Heller & Co Walter E Credit-accumulating arrangement
US4205518A (en) * 1975-09-27 1980-06-03 Citizen Watch Co., Ltd. Voltage conversion system for electronic timepiece
JPS58178564A (ja) * 1982-04-13 1983-10-19 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ
US5736751A (en) * 1982-04-13 1998-04-07 Seiko Epson Corporation Field effect transistor having thick source and drain regions
JP2622661B2 (ja) * 1982-04-13 1997-06-18 セイコーエプソン株式会社 液晶表示パネル
US5698864A (en) 1982-04-13 1997-12-16 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a liquid crystal device having field effect transistors
US6294796B1 (en) 1982-04-13 2001-09-25 Seiko Epson Corporation Thin film transistors and active matrices including same
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63186216A (ja) * 1987-01-28 1988-08-01 Nec Corp アクテイブマトリツクス液晶表示器
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH023988A (ja) * 1988-06-20 1990-01-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の電極構造
US5162901A (en) * 1989-05-26 1992-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto
US5247375A (en) * 1990-03-09 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Display device, manufacturing method thereof and display panel
JPH0772821B2 (ja) * 1990-06-25 1995-08-02 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の製造方法
TW222345B (en) * 1992-02-25 1994-04-11 Semicondustor Energy Res Co Ltd Semiconductor and its manufacturing method
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
KR970010685B1 (ko) * 1993-10-30 1997-06-30 삼성전자 주식회사 누설전류가 감소된 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
EP0820644B1 (en) 1995-08-03 2005-08-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3625598B2 (ja) * 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US7663607B2 (en) * 2004-05-06 2010-02-16 Apple Inc. Multipoint touchscreen
CN1089624C (zh) * 1998-06-09 2002-08-28 中国石油化工集团公司 催化裂化再生烟气管道混合燃烧技术
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) * 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP3462135B2 (ja) * 1999-01-14 2003-11-05 シャープ株式会社 二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並びに表示装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP3766926B2 (ja) 2000-04-28 2006-04-19 シャープ株式会社 表示装置の駆動方法およびそれを用いた表示装置ならびに携帯機器
EP1296174B1 (en) 2000-04-28 2016-03-09 Sharp Kabushiki Kaisha Display unit, drive method for display unit, electronic apparatus mounting display unit thereon
US7266595B1 (en) 2000-05-20 2007-09-04 Ciena Corporation Accessing network device data through user profiles
US7111053B1 (en) 2000-05-20 2006-09-19 Ciena Corporation Template-driven management of telecommunications network via utilization of operations support services clients
US7143153B1 (en) 2000-11-09 2006-11-28 Ciena Corporation Internal network device dynamic health monitoring
US20020057018A1 (en) * 2000-05-20 2002-05-16 Equipe Communications Corporation Network device power distribution scheme
US7240364B1 (en) * 2000-05-20 2007-07-03 Ciena Corporation Network device identity authentication
US7222147B1 (en) * 2000-05-20 2007-05-22 Ciena Corporation Processing network management data in accordance with metadata files
US20020001307A1 (en) * 2000-05-20 2002-01-03 Equipe Communications Corporation VPI/VCI availability index
US7225244B2 (en) 2000-05-20 2007-05-29 Ciena Corporation Common command interface
US6880086B2 (en) * 2000-05-20 2005-04-12 Ciena Corporation Signatures for facilitating hot upgrades of modular software components
US20020116485A1 (en) * 2001-02-21 2002-08-22 Equipe Communications Corporation Out-of-band network management channels
US6658579B1 (en) 2000-05-20 2003-12-02 Equipe Communications Corporation Network device with local timing systems for automatic selection between redundant, synchronous central timing systems
US7039046B1 (en) * 2000-05-20 2006-05-02 Ciena Corporation Network device including central and distributed switch fabric subsystems
US7130870B1 (en) 2000-05-20 2006-10-31 Ciena Corporation Method for upgrading embedded configuration databases
US6639910B1 (en) 2000-05-20 2003-10-28 Equipe Communications Corporation Functional separation of internal and external controls in network devices
US6760339B1 (en) * 2000-05-20 2004-07-06 Equipe Communications Corporation Multi-layer network device in one telecommunications rack
US6332198B1 (en) 2000-05-20 2001-12-18 Equipe Communications Corporation Network device for supporting multiple redundancy schemes
US7054272B1 (en) * 2000-07-11 2006-05-30 Ciena Corporation Upper layer network device including a physical layer test port
US6868092B1 (en) * 2000-05-20 2005-03-15 Ciena Corporation Network device with embedded timing synchronization
US6658580B1 (en) 2000-05-20 2003-12-02 Equipe Communications Corporation Redundant, synchronous central timing systems with constant master voltage controls and variable slave voltage controls
US6934749B1 (en) * 2000-05-20 2005-08-23 Ciena Corporation Tracking distributed data retrieval in a network device
AU2001261711A1 (en) 2000-05-20 2001-12-03 Equipe Communications Corporation Time synchronization within a distributed processing system
US6654903B1 (en) 2000-05-20 2003-11-25 Equipe Communications Corporation Vertical fault isolation in a computer system
US20020118031A1 (en) * 2001-02-27 2002-08-29 Equipe Communications Corporation Connector test card
US6876652B1 (en) * 2000-05-20 2005-04-05 Ciena Corporation Network device with a distributed switch fabric timing system
US20030120822A1 (en) * 2001-04-19 2003-06-26 Langrind Nicholas A. Isolated control plane addressing
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
JP2002098990A (ja) 2000-09-21 2002-04-05 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3674488B2 (ja) * 2000-09-29 2005-07-20 セイコーエプソン株式会社 表示コントロール方法、表示コントローラ、表示ユニット及び電子機器
JP4554798B2 (ja) * 2000-10-30 2010-09-29 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR20020038482A (ko) * 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7263597B2 (en) * 2001-04-19 2007-08-28 Ciena Corporation Network device including dedicated resources control plane
JP2003058114A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子およびその駆動方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
WO2003040441A1 (en) * 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4083486B2 (ja) * 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
US7049190B2 (en) * 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
US7189992B2 (en) 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
JP2004022625A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
KR100587370B1 (ko) * 2003-10-29 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치
KR100987859B1 (ko) * 2003-11-03 2010-10-13 엘지디스플레이 주식회사 다결정실리콘 액정표시소자 및 그 제조방법
US20050195149A1 (en) * 2004-03-04 2005-09-08 Satoru Ito Common voltage generation circuit, power supply circuit, display driver, and common voltage generation method
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
KR20070116888A (ko) 2004-03-12 2007-12-11 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) * 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) * 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
JP4385912B2 (ja) * 2004-10-01 2009-12-16 日本ビクター株式会社 液晶表示装置
US7298084B2 (en) * 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
JP5118811B2 (ja) * 2004-11-10 2013-01-16 キヤノン株式会社 発光装置及び表示装置
BRPI0517568B8 (pt) * 2004-11-10 2022-03-03 Canon Kk Transistor de efeito de campo
JP5053537B2 (ja) * 2004-11-10 2012-10-17 キヤノン株式会社 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
US7829444B2 (en) * 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7453065B2 (en) * 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
JP5118810B2 (ja) 2004-11-10 2013-01-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
EP1815530B1 (en) * 2004-11-10 2021-02-17 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7863611B2 (en) * 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US7608531B2 (en) * 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI412138B (zh) * 2005-01-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
US8847861B2 (en) * 2005-05-20 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device, method for driving the same, and electronic device
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) * 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
WO2007026764A1 (ja) 2005-09-01 2007-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) * 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP5116225B2 (ja) * 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4560502B2 (ja) 2005-09-06 2010-10-13 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP5064747B2 (ja) * 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
EP1998375A3 (en) * 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101358954B1 (ko) * 2005-11-15 2014-02-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 다이오드 및 액티브 매트릭스 표시장치
KR101221951B1 (ko) * 2005-12-28 2013-01-15 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
TWI292281B (en) * 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) * 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) * 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) * 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) * 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
US8243027B2 (en) 2006-06-09 2012-08-14 Apple Inc. Touch screen liquid crystal display
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
US7863612B2 (en) 2006-07-21 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
JP4609797B2 (ja) * 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) * 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) * 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
TWM313819U (en) * 2006-10-27 2007-06-11 Heng-Lan Tsau Integrated structure of a touch panel and a liquid crystal display
US7772021B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP5305630B2 (ja) 2006-12-05 2013-10-02 キヤノン株式会社 ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
WO2008069255A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
KR101146574B1 (ko) * 2006-12-05 2012-05-16 캐논 가부시끼가이샤 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치
US8207944B2 (en) * 2006-12-19 2012-06-26 3M Innovative Properties Company Capacitance measuring circuit and method
KR101303578B1 (ko) * 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
JP5508662B2 (ja) * 2007-01-12 2014-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8207063B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
TWI478347B (zh) * 2007-02-09 2015-03-21 Idemitsu Kosan Co A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP4727684B2 (ja) * 2007-03-27 2011-07-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) * 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
JPWO2008136505A1 (ja) * 2007-05-08 2010-07-29 出光興産株式会社 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US8193045B2 (en) * 2007-05-31 2012-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method of thin film transistor using oxide semiconductor
WO2009014289A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for preparing succinic acid using sucrose as a carbon source
JP5143514B2 (ja) 2007-09-21 2013-02-13 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示装置及び表示装置の製造方法
TWI350474B (en) * 2007-09-29 2011-10-11 Au Optronics Corp Capacitive touch panel with low impedance and method of manufacturing capacitive touch panels with low impedance
JP2009099887A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP5357493B2 (ja) * 2007-10-23 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5489446B2 (ja) * 2007-11-15 2014-05-14 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP5489445B2 (ja) 2007-11-15 2014-05-14 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP5213422B2 (ja) 2007-12-04 2013-06-19 キヤノン株式会社 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
WO2009075281A1 (ja) * 2007-12-13 2009-06-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5215158B2 (ja) * 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
KR100936874B1 (ko) * 2007-12-18 2010-01-14 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법
TWI374379B (en) * 2007-12-24 2012-10-11 Wintek Corp Transparent capacitive touch panel and manufacturing method thereof
JP5061366B2 (ja) * 2008-01-04 2012-10-31 Ｎｅｃカシオモバイルコミュニケーションズ株式会社 ヒンジ構造、及び折り畳み式電子機器
WO2009093625A1 (ja) 2008-01-23 2009-07-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 電界効果型トランジスタ及びその製造方法、それを用いた表示装置、並びに半導体装置
JP2009206508A (ja) * 2008-01-31 2009-09-10 Canon Inc 薄膜トランジスタ及び表示装置
KR100963003B1 (ko) * 2008-02-05 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
JP5305696B2 (ja) 2008-03-06 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の処理方法
US7749820B2 (en) * 2008-03-07 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof
JP4555358B2 (ja) 2008-03-24 2010-09-29 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
JP2009267399A (ja) 2008-04-04 2009-11-12 Fujifilm Corp 半導体装置，半導体装置の製造方法，表示装置及び表示装置の製造方法
US7998801B2 (en) * 2008-04-25 2011-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor having altered semiconductor layer
JP5305730B2 (ja) 2008-05-12 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の製造方法ならびにその製造装置
JP5305731B2 (ja) 2008-05-12 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の閾値電圧の制御方法
US8455371B2 (en) 2008-05-22 2013-06-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target, method for forming amorphous oxide thin film using the same, and method for manufacturing thin film transistor
US9666719B2 (en) * 2008-07-31 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI495108B (zh) * 2008-07-31 2015-08-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
KR100975204B1 (ko) * 2008-08-04 2010-08-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
JP4623179B2 (ja) * 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) * 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
KR101634411B1 (ko) * 2008-10-31 2016-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 표시 장치 및 전자 장치
KR101515468B1 (ko) 2008-12-12 2015-05-06 삼성전자주식회사 표시장치 및 그 동작방법
JPWO2010070832A1 (ja) * 2008-12-15 2012-05-24 出光興産株式会社 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット
US8217913B2 (en) * 2009-02-02 2012-07-10 Apple Inc. Integrated touch screen
CN101840936B (zh) * 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
JP5185155B2 (ja) * 2009-02-24 2013-04-17 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 液晶表示装置
JP2010243707A (ja) 2009-04-03 2010-10-28 Asahi Glass Co Ltd 液晶光学変調装置、光強度変調装置および光ヘッド装置
TWI397184B (zh) * 2009-04-29 2013-05-21 Ind Tech Res Inst 氧化物半導體薄膜電晶體
JP5195650B2 (ja) 2009-06-03 2013-05-08 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置、制御方法および電子機器
TWI494828B (zh) * 2009-07-29 2015-08-01 Cando Corp 具降低感測結構可視性之電容式觸控面板
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP2011070092A (ja) 2009-09-28 2011-04-07 Sharp Corp 液晶表示装置
JP5730529B2 (ja) * 2009-10-21 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102369024B1 (ko) * 2009-10-29 2022-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011070892A1 (en) * 2009-12-08 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102329671B1 (ko) * 2009-12-18 2021-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102275522B1 (ko) 2009-12-18 2021-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR101887837B1 (ko) * 2009-12-18 2018-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2011086871A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102742001B (zh) * 2010-02-05 2017-03-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101814222B1 (ko) * 2010-02-12 2018-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 장치
US8830424B2 (en) * 2010-02-19 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having light-condensing means
US20110267303A1 (en) 2010-05-02 2011-11-03 Acer Incorporated Capacitive touch panel
JP5248653B2 (ja) 2010-05-27 2013-07-31 富士フイルム株式会社 導電シート及び静電容量方式タッチパネル
US8605059B2 (en) * 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
JP5993141B2 (ja) * 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR102279459B1 (ko) * 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5124768A (en) * 1982-04-13 1992-06-23 Seiko Epson Corporation Thin film transistor and active matrix assembly including same
CN101123194A (zh) * 2006-08-09 2008-02-13 佳能株式会社 干蚀刻氧化物半导体膜的方法

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Publication number Publication date
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