JP2011186451A - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011186451A JP2011186451A JP2011025593A JP2011025593A JP2011186451A JP 2011186451 A JP2011186451 A JP 2011186451A JP 2011025593 A JP2011025593 A JP 2011025593A JP 2011025593 A JP2011025593 A JP 2011025593A JP 2011186451 A JP2011186451 A JP 2011186451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- transistor
- layer
- potential
- period
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3614—Control of polarity reversal in general
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3655—Details of drivers for counter electrodes, e.g. common electrodes for pixel capacitors or supplementary storage capacitors
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
- G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
- G09G3/3688—Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0297—Special arrangements with multiplexing or demultiplexing of display data in the drivers for data electrodes, in a pre-processing circuitry delivering display data to said drivers or in the matrix panel, e.g. multiplexing plural data signals to one D/A converter or demultiplexing the D/A converter output to multiple columns
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/08—Details of timing specific for flat panels, other than clock recovery
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0209—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display
- G09G2320/0214—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display with crosstalk due to leakage current of pixel switch in active matrix panels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0247—Flicker reduction other than flicker reduction circuits used for single beam cathode-ray tubes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
- G09G2330/023—Power management, e.g. power saving using energy recovery or conservation
Abstract
【解決手段】表示装置の各画素に設けられるトランジスタとして、酸化物半導体層を具備するトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層を高純度化することで、当該トランジスタのオフ電流を少なくすることが可能である。そのため、当該トランジスタのオフ電流によるデータ信号の値の変動を抑制することができる。すなわち、当該トランジスタが設けられた画素へのデータ信号の書き込み頻度を低減した場合(休止期間が長期化した場合)における表示の劣化(変化)を抑制することができる。加えて、休止期間において信号線に供給される交流の駆動信号の周波数を低減した場合における表示のちらつきを抑制することができる。
【選択図】図2
Description
はじめに、アクティブマトリクス型の表示装置の一例について説明する。具体的には、1画面を走査する走査期間と、該走査期間に続き且つ該走査期間よりも長い休止期間とが設けられたアクティブマトリクス型の液晶表示装置の一例について図1〜図6を参照して説明する。なお、当該走査期間は、マトリクス状に配列された複数の画素の全てに対して、データ信号の入力が1回行われる期間であり、当該休止期間は、マトリクス状に配列された複数の画素の全てに対して、データ信号の入力が行われない期間である。
次いで、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタのオフ電流を求めた結果について説明する。
次いで、上述した表示装置の動作の一例について、図2を参照して説明する。なお、図2においては、図1(B)に示す信号線104の電位(V(104))、走査線105の電位(V(105))、トランジスタ111が酸化物半導体層を具備するトランジスタである場合におけるノードAの電位(A(OS))、共通電位(Vcom)、及びトランジスタ111が酸化物半導体層を具備するトランジスタである場合における液晶素子113に印加される電圧(V(113)(OS))を模式的に示している。加えて、図2においては、トランジスタ111がアモルファスシリコン層を具備するトランジスタである場合におけるノードAの電位(A(a−Si))、及びトランジスタ111がアモルファスシリコン層を具備するトランジスタである場合における液晶素子113に印加される電圧(V(113)(a−Si))を、比較のために、模式的に示している。
上述した表示装置は、本発明の一態様であり、当該表示装置と異なる点を有する表示装置も本発明には含まれる。
以下では、上述した表示装置において、走査期間においてデータ信号を信号線に供給し、且つ休止期間において交流の駆動信号を供給するための構成の具体例について図6を参照して説明する。
以下では、トランジスタ111に適用可能なトランジスタの具体例について図7を参照して説明する。
以下では、本明細書で開示される表示装置を搭載した電子機器の例について図8を参照して説明する。
102 信号線駆動回路
103 走査線駆動回路
104 信号線
105 走査線
107 画素
111 トランジスタ
112 容量素子
113 液晶素子
120 基板
121 ゲート層
122 ゲート絶縁層
123 酸化物半導体層
124a ソース層
124b ドレイン層
125 絶縁層
126 保護絶縁層
400 基板
402 ゲート絶縁層
403 保護絶縁層
410 トランジスタ
411 ゲート層
413 チャネル形成領域
414a ソース領域
414b ドレイン領域
415a ソース層
415b ドレイン層
416 酸化物絶縁層
430 酸化物半導体膜
431 酸化物半導体層
510 トランジスタ
511 絶縁層
520 トランジスタ
530 トランジスタ
531 絶縁層
532a 配線層
532b 配線層
600 コントローラ
601 データ信号生成回路
602 駆動信号生成回路
603 基準クロック信号生成回路
604 分周回路
605 スイッチ
606 スイッチ
800 測定系
802 容量素子
804 トランジスタ
805 トランジスタ
806 トランジスタ
808 トランジスタ
2201 本体
2202 筐体
2203 表示部
2204 キーボード
2211 本体
2212 スタイラス
2213 表示部
2214 操作ボタン
2215 外部インターフェイス
2220 電子書籍
2221 筐体
2223 筐体
2225 表示部
2227 表示部
2231 電源
2233 操作キー
2235 スピーカー
2237 軸部
2240 筐体
2241 筐体
2242 表示パネル
2243 スピーカー
2244 マイクロフォン
2245 操作キー
2246 ポインティングデバイス
2247 カメラ用レンズ
2248 外部接続端子
2249 太陽電池セル
2250 外部メモリスロット
2261 本体
2263 接眼部
2264 操作スイッチ
2265 表示部(B)
2266 バッテリー
2267 表示部(A)
2270 テレビジョン装置
2271 筐体
2273 表示部
2275 スタンド
2277 表示部
2279 操作キー
2280 リモコン操作機
Claims (7)
- 1画面を走査する走査期間においてデータ信号が供給され、前記走査期間に続き且つ前記走査期間よりも長い休止期間において前記データ信号よりも周波数が低い交流の駆動信号が供給される信号線と、
前記走査期間に含まれる1水平走査期間において選択信号が供給され、前記1水平走査期間以外の期間において非選択信号が供給される走査線と、
ゲートが前記走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記信号線に電気的に接続された、酸化物半導体層を具備するトランジスタが設けられた画素と、を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記信号線の電位を制御する信号線駆動回路と、
前記信号線駆動回路に対して、前記データ信号又は前記駆動信号を選択的に出力するコントローラと、を有し、
前記コントローラが、
前記データ信号を生成するデータ信号生成回路と、
前記駆動信号を生成する駆動信号生成回路と、
前記コントローラの出力信号として、前記走査期間において前記データ信号を選択し、前記休止期間において前記駆動信号を選択するスイッチと、を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項2において、
前記コントローラが、
前記データ信号と周波数が等しい第1のクロック信号を生成する基準クロック生成回路と、
前記第1のクロック信号を分周することで、前記駆動信号と周波数が等しい第2のクロック信号を生成する分周回路と、
前記信号線駆動回路内で用いられるクロック信号として、前記走査期間において前記第1のクロック信号を選択し、前記休止期間において前記第2のクロック信号を選択するクロック信号選択用スイッチと、を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記駆動信号の電圧の変動が、前記データ信号の電圧変動範囲内にあることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記画素に、
一方の端子が前記トランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の端子が共通電位線に電気的に接続された容量素子と、
一方の端子が前記トランジスタのソース及びドレインの他方並びに前記容量素子の一方の端子に電気的に接続され、他方の端子が前記共通電位線に電気的に接続された液晶素子と、が設けられ、
前記共通電位線の電位が、前記走査期間において前記データ信号と逆の極性を有する共通電位線用駆動信号となり、前記休止期間において固定電位を有する信号となることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記画素に、
一方の端子が前記トランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の端子が共通電位を供給する配線に電気的に接続された容量素子と、
一方の端子が前記トランジスタのソース及びドレインの他方並びに前記容量素子の一方の端子に電気的に接続され、他方の端子が前記共通電位を供給する配線に電気的に接続された液晶素子と、が設けられ、
前記共通電位が、前記走査期間において前記データ信号と逆の極性を有する第1の共通電位線用駆動信号となり、前記休止期間において前記駆動信号と同じ極性を有する第2の共通電位線用駆動信号となることを特徴とする表示装置。 - 請求項6において、
前記駆動信号と前記第2の共通電位線用駆動信号が、同一の信号であることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011025593A JP2011186451A (ja) | 2010-02-12 | 2011-02-09 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010029446 | 2010-02-12 | ||
JP2010029446 | 2010-02-12 | ||
JP2011025593A JP2011186451A (ja) | 2010-02-12 | 2011-02-09 | 表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015078880A Division JP2015165311A (ja) | 2010-02-12 | 2015-04-08 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011186451A true JP2011186451A (ja) | 2011-09-22 |
JP2011186451A5 JP2011186451A5 (ja) | 2014-02-27 |
Family
ID=44367641
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011025593A Withdrawn JP2011186451A (ja) | 2010-02-12 | 2011-02-09 | 表示装置 |
JP2015078880A Withdrawn JP2015165311A (ja) | 2010-02-12 | 2015-04-08 | 表示装置 |
JP2016227341A Withdrawn JP2017068274A (ja) | 2010-02-12 | 2016-11-23 | 表示装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015078880A Withdrawn JP2015165311A (ja) | 2010-02-12 | 2015-04-08 | 表示装置 |
JP2016227341A Withdrawn JP2017068274A (ja) | 2010-02-12 | 2016-11-23 | 表示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9704446B2 (ja) |
JP (3) | JP2011186451A (ja) |
KR (4) | KR102129413B1 (ja) |
CN (1) | CN102741915B (ja) |
TW (1) | TWI528349B (ja) |
WO (1) | WO2011099359A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012033176A1 (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-15 | 三菱化学株式会社 | 発光装置、照明システム及び照明方法 |
WO2013080931A1 (en) * | 2011-11-30 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
US9524690B2 (en) | 2014-01-21 | 2016-12-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Gate driving circuit and display apparatus including the same |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014041344A (ja) | 2012-07-27 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の駆動方法 |
TWI600959B (zh) * | 2013-01-24 | 2017-10-01 | 達意科技股份有限公司 | 電泳顯示器及其面板的驅動方法 |
KR102031580B1 (ko) | 2013-05-10 | 2019-11-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 표시 장치 제어 방법 |
TWI484466B (zh) * | 2013-05-24 | 2015-05-11 | Au Optronics Corp | 顯示面板的驅動方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002182619A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-06-26 | Sharp Corp | 表示装置の駆動方法およびそれを用いた表示装置 |
WO2004040544A1 (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-13 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 電圧生成回路 |
JP2009158663A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Hitachi Ltd | 酸化物半導体装置およびその製造方法 |
JP2010016163A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
Family Cites Families (127)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0772821B2 (ja) | 1990-06-25 | 1995-08-02 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH04137394A (ja) | 1990-09-27 | 1992-05-12 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 放電灯点灯装置 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH06140631A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | 電界効果型薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JPH08106358A (ja) * | 1994-08-10 | 1996-04-23 | Fujitsu Ltd | タブレット機能付き液晶表示装置、アクティブマトリクス型液晶表示装置及びタブレット機能付き液晶表示装置の駆動方法 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH09243996A (ja) * | 1996-03-11 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置、液晶表示システム及びコンピュータシステム |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4371511B2 (ja) * | 1999-12-17 | 2009-11-25 | 三菱電機株式会社 | デジタル同期回路 |
US20010052887A1 (en) | 2000-04-11 | 2001-12-20 | Yusuke Tsutsui | Method and circuit for driving display device |
JP4424872B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2010-03-03 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の駆動方法及び駆動回路 |
CN1220098C (zh) | 2000-04-28 | 2005-09-21 | 夏普株式会社 | 显示器件、显示器件驱动方法和装有显示器件的电子设备 |
JP4212791B2 (ja) | 2000-08-09 | 2009-01-21 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置ならびに携帯電子機器 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4487024B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-06-23 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置の駆動方法および液晶表示装置 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
DE102004018571A1 (de) * | 2004-04-16 | 2005-11-03 | Polysius Ag | Anlage und Verfahren zur Herstellung von Zementklinker |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
BRPI0517560B8 (pt) | 2004-11-10 | 2018-12-11 | Canon Kk | transistor de efeito de campo |
JP5138163B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4687259B2 (ja) | 2005-06-10 | 2011-05-25 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
TWI281845B (en) * | 2005-06-21 | 2007-05-21 | Yuan Deng Metals Ind Co Ltd | Shielding case and the manufacturing method thereof |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101112655B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
JP5395994B2 (ja) | 2005-11-18 | 2014-01-22 | 出光興産株式会社 | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5332156B2 (ja) * | 2006-10-10 | 2013-11-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電源回路、駆動回路、電気光学装置、電子機器及び対向電極駆動方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
JP5177999B2 (ja) | 2006-12-05 | 2013-04-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
US8129714B2 (en) | 2007-02-16 | 2012-03-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Semiconductor, semiconductor device, complementary transistor circuit device |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
JPWO2008139860A1 (ja) | 2007-05-07 | 2010-07-29 | 出光興産株式会社 | 半導体薄膜、半導体薄膜の製造方法、および、半導体素子 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
US8461583B2 (en) | 2007-12-25 | 2013-06-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same |
KR101174768B1 (ko) | 2007-12-31 | 2012-08-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치의 데이터 인터페이스 장치 및 방법 |
JP5305731B2 (ja) | 2008-05-12 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の閾値電圧の制御方法 |
JP5202094B2 (ja) | 2008-05-12 | 2013-06-05 | キヤノン株式会社 | 半導体装置 |
JP5250322B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2013-07-31 | 富士フイルム株式会社 | 金属酸化物膜とその製造方法、及び半導体装置 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP2010140919A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Hitachi Ltd | 酸化物半導体装置及びその製造方法並びにアクティブマトリクス基板 |
KR101515468B1 (ko) | 2008-12-12 | 2015-05-06 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 및 그 동작방법 |
-
2011
- 2011-01-19 WO PCT/JP2011/051375 patent/WO2011099359A1/en active Application Filing
- 2011-01-19 KR KR1020197013703A patent/KR102129413B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-19 KR KR1020127023370A patent/KR20130023203A/ko active Application Filing
- 2011-01-19 KR KR1020177037302A patent/KR20180001594A/ko active Application Filing
- 2011-01-19 KR KR1020207018446A patent/KR102197415B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-19 CN CN201180009087.3A patent/CN102741915B/zh active Active
- 2011-02-08 US US13/022,879 patent/US9704446B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-09 TW TW100104280A patent/TWI528349B/zh active
- 2011-02-09 JP JP2011025593A patent/JP2011186451A/ja not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-04-08 JP JP2015078880A patent/JP2015165311A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-11-23 JP JP2016227341A patent/JP2017068274A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-06-28 US US15/636,153 patent/US10032422B2/en active Active
-
2018
- 2018-07-19 US US16/039,515 patent/US10157584B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002182619A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-06-26 | Sharp Corp | 表示装置の駆動方法およびそれを用いた表示装置 |
WO2004040544A1 (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-13 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 電圧生成回路 |
JP2009158663A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Hitachi Ltd | 酸化物半導体装置およびその製造方法 |
JP2010016163A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012033176A1 (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-15 | 三菱化学株式会社 | 発光装置、照明システム及び照明方法 |
WO2013080931A1 (en) * | 2011-11-30 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
US9478704B2 (en) | 2011-11-30 | 2016-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
US10002580B2 (en) | 2011-11-30 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
US9524690B2 (en) | 2014-01-21 | 2016-12-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Gate driving circuit and display apparatus including the same |
US10134352B2 (en) | 2014-01-21 | 2018-11-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Gate driving circuit and display apparatus including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102741915A (zh) | 2012-10-17 |
JP2017068274A (ja) | 2017-04-06 |
JP2015165311A (ja) | 2015-09-17 |
KR20180001594A (ko) | 2018-01-04 |
KR102197415B1 (ko) | 2020-12-31 |
KR20130023203A (ko) | 2013-03-07 |
CN102741915B (zh) | 2015-12-16 |
TW201142800A (en) | 2011-12-01 |
US20110199364A1 (en) | 2011-08-18 |
KR102129413B1 (ko) | 2020-07-02 |
KR20190053308A (ko) | 2019-05-17 |
US20180322835A1 (en) | 2018-11-08 |
US10032422B2 (en) | 2018-07-24 |
US9704446B2 (en) | 2017-07-11 |
WO2011099359A1 (en) | 2011-08-18 |
US10157584B2 (en) | 2018-12-18 |
KR20200079570A (ko) | 2020-07-03 |
US20170301300A1 (en) | 2017-10-19 |
TWI528349B (zh) | 2016-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6598956B2 (ja) | トランジスタ | |
JP6810197B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5713729B2 (ja) | 表示装置 | |
US10157584B2 (en) | Display device and driving method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140110 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140902 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141008 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150203 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20150410 |