JP2018072821A - 表示装置およびその動作方法 - Google Patents

Abstract

【課題】タッチセンサユニットによる高い検出精度と滑らかな入力とを両立した表示装置を提供する。
【解決手段】表示ユニットとタッチセンサユニットを有する表示装置であり、表示装置は、表示領域の全領域を書き換える通常表示と、表示領域の一部領域を書き換える部分ＩＤＳ駆動と、表示領域の全領域を書き換えないＩＤＳ駆動の、３つの動作モードを有する。タッチセンサユニットによる検出動作は、表示領域の書き換え動作と異なるタイミングで行うことで高い検出精度を確保し、通常表示の場合より、部分ＩＤＳ駆動およびＩＤＳ駆動の場合、検出動作に割り当てる期間を長くすることで滑らかな入力が可能となる。
【選択図】図８

Description

本発明の一形態は、表示装置およびその動作方法に関する。また、本発明の一形態は半導体装置に関する。

なお本発明の一形態は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一形態は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。

そのため、より具体的に本明細書等で開示する本発明の一形態の技術分野としては、表示装置、半導体装置、電子機器、それらの駆動方法、または、それらの製造方法を一例としてあげることができる。なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。例えば、集積回路、集積回路を備えたチップや、パッケージにチップを収納した電子部品、集積回路を備えた電子機器は、半導体装置の一例である。

表示ユニットと、タッチセンサユニットを組み合わせた表示装置が、使用されている。表示ユニットの表示領域に、タッチセンサユニットの検出領域を重ねることで、表示領域において画像の表示を行うとともに、使用者が、表示領域のどの位置を指し示したかを情報として得ることができる。使用者は、指やスタイラス等を用いて入力を行う。

一方、表示ユニットの画素に、酸化物半導体を用いたトランジスタを適用することができる。酸化物半導体を用いたトランジスタは、オフ電流が非常に小さいため、表示ユニットが静止画を表示する際のリフレッシュ頻度を少なくすることができる。本明細書等において、上述のリフレッシュ頻度を少なくする技術を、「アイドリングストップ」または「ＩＤＳ駆動」と呼称する（特許文献１、特許文献２）。ＩＤＳ駆動は、表示ユニットの消費電力を低減することができる。

特開２０１１‐１４１５２２号公報 特開２０１１‐１４１５２４号公報

表示ユニットが画像を書き換える頻度は、１秒間に約６０回（「フレーム周波数が６０Ｈｚ」ともいう。）のものが多い一方で、タッチセンサユニットには手書き入力等滑らかな入力が求められており、タッチセンサユニットの検出動作は、１秒間に８０回、より好ましくは１００回以上が必要とされている。

また、表示ユニットが画像を書き換えるタイミングで、タッチセンサユニットが検出動作を行うと、ノイズの影響を受けて、タッチセンサユニットの検出精度が悪化する問題がある。本発明の一形態は、タッチセンサユニットの検出精度と、タッチセンサユニットによる滑らかな入力とを両立した、表示装置を提供することを課題の一つとする。

本発明の一形態は、新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一形態は、タッチセンサユニットの検出精度と、タッチセンサユニットによる滑らかな入力とを両立した、新規な駆動方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一形態は、新規な表示装置を使用した、電子機器を提供することを課題の一つとする。

なお、本発明の一形態は、必ずしも上記の課題の全てを解決する必要はなく、少なくとも一つの課題を解決できるものであればよい。また、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。これら以外の課題は、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から自ずと明らかになるものであり、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一形態は、複数の画素と、ゲートドライバと、タッチセンサユニットとを有する表示装置の動作方法である。第１の期間と、第２の期間とを有し、第１の期間においてタッチセンサユニットがタッチを検出し、第２の期間においてタッチセンサユニットがタッチの検出を停止する。画素は、反射素子と発光素子とを有し、ゲートドライバは、第２の期間において、複数の画素のうち一部の画素に信号を供給し、残りの画素には信号を供給しない表示装置の動作方法である。

また、上記形態において、第１の期間および第２の期間は、１フレーム期間に含まれることが好ましい。

また、上記形態において、複数の画素は、チャネル形成領域にポリシリコンを有するトランジスタを含むことが好ましい。

また、上記形態において、複数の画素は、ＳＲＡＭを有する回路構成であることが好ましい。

また、本発明の一形態は、アプリケーションプロセッサと、表示ユニットと、タッチセンサユニットとを有する表示装置である。アプリケーションプロセッサは、第１の期間と第２の期間とに分けて制御する機能を有し、第１の期間は、表示ユニットが画像を書き換える期間であり、第２の期間は、タッチセンサユニットが検出を行う期間である。表示ユニットは、表示領域の全領域を書き換える第１のモードと、表示領域の一部領域を書き換える第２のモードと、表示領域の全領域を書き換えない第３のモードとを有する。第２のモードおよび第３のモードにおいて、第１のモードと比べて、第２の期間が長いことを特徴とする。

本発明の一形態は、新規な表示装置を提供することができる。または、タッチセンサユニットの検出精度と、タッチセンサユニットによる滑らかな入力とを両立した、表示装置を提供することができる。

または、本発明の一形態は、タッチセンサユニットの検出精度と、タッチセンサユニットによる滑らかな入力とを両立した、新規な駆動方法を提供することができる。または、本発明の一形態は、新規な表示装置を使用した、電子機器を提供することができる。

なお本発明の一形態の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一形態は、上記列挙した効果、および他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。従って本発明の一形態は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。

表示装置の構成例を示すブロック図。 タッチセンサユニットの構成例を示すブロック図。 表示ユニットの構成例を示すブロック図。 ゲートドライバの構成例を示す回路図。 シフトレジスタの構成例を示す回路図。 ゲートドライバの動作例を示すタイミングチャート。 通常表示の動作例を示すタイミングチャート。 タブレット型情報端末の形態および使用例を示す外観図。 部分ＩＤＳ駆動の動作例を示すタイミングチャート。 部分ＩＤＳ駆動の動作例を示すタイミングチャート。 ＩＤＳ駆動の動作例を示すタイミングチャート。 電子機器の動作例を示すフローチャート。 情報端末の使用例とゲートドライバに入力される信号の様子。 情報端末の動作例を示すフローチャート。 情報端末の使用例とゲートドライバに入力される信号の様子（発光型素子の場合）。 タッチセンサユニットの構成例を示す上面図と投影図。 タッチセンサユニットの構成例を示す上面図と投影図。 表示ユニットの画素の構成を説明する模式図。 表示ユニットの画素の構成を説明する断面図。 表示ユニットの構成を説明する上面図および断面図。 表示ユニットの構成を説明する断面図。 表示ユニットの構成を説明する断面図。 表示ユニットの画素の構成を説明する下面図。 表示ユニットの画素回路を説明する回路図。 表示ユニットの反射膜の構成を説明する上面図。 表示ユニットの画素と副画素を説明する上面図。 表示ユニットの画素の構成を説明する断面図。 画素の構成例を示す回路図。 画素の構成例を示す回路図。 画素の構成例を示す回路図。 表示装置の構成例を示す断面模式図。 表示装置の構成例を示す断面模式図。 表示装置の構成例を示す断面模式図。 表示装置の構成例を示す断面模式図。 表示装置の構成例を示す断面模式図。 表示装置の構成例を示す断面図。 表示装置の構成例を示す断面図。 情報処理装置の構成を説明する図。 情報処理装置の構成を説明する図。 ソースドライバの構成例を示すブロック図。 表示装置の構成例を示すブロック図。

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる形態で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、以下に示される複数の実施の形態は、適宜組み合わせることが可能である。

なお、実施の形態において説明する表示装置は、表示ユニット、タッチセンサユニット等によって構成される。したがって、表示装置を半導体装置、電子機器などと言い換える場合がある。

また、図面等において、大きさ、層の厚さ、領域等は、明瞭化のため誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。

また、図面等において、同一の要素または同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あるいは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

また、本明細書等において、「上」や「下」などの配置を示す用語は、構成要素の位置関係が、「直上」または「直下」であることを限定するものではない。例えば、「ゲート絶縁層上のゲート電極」の表現であれば、ゲート絶縁層とゲート電極との間に他の構成要素を含むものを除外しない。

また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。

また、本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。

また、本明細書等において、「電気的に接続」とは、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、容量素子、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。

また、本明細書等において、「電圧」とは、ある電位と基準の電位（例えば、グラウンド電位）との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧、電位、電位差を、各々、電位、電圧、電圧差と言い換えることが可能である。

また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む、少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域、またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域、またはソース電極）の間にチャネル形成領域を有しており、チャネル形成領域を介して、ソースとドレインとの間に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル形成領域とは、電流が主として流れる領域をいう。

また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。

また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。つまり、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低いときのドレイン電流、という場合がある。

上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合がある。

また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインの間に流れる電流を指す場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、表示ユニットと、タッチセンサユニットと、を有する表示装置について説明する。特に、表示ユニットが画像を書き換える動作と、タッチセンサユニットの検出動作との関係について説明する。

＜＜表示装置＞＞
図１は、表示装置の構成例を示すブロック図である。表示装置５０は、表示ユニット６０、タッチセンサユニット７０、およびアプリケーションプロセッサ８０、を有する。

＜表示ユニット＞
表示ユニット６０は、画素アレイ６１、ゲートドライバ６２、ゲートドライバ６３、およびソースドライバＩＣ６４を有する。

画素アレイ６１は、複数の画素１０を有し、それぞれの画素１０はトランジスタを用いて駆動されるアクティブ型の素子である。また、画素アレイ６１は、表示ユニット６０の表示領域を形成し、画像を表示する機能を有する。画素アレイ６１のより具体的な構成例については、実施の形態４乃至６にて説明する。

ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、画素１０を選択するためのゲート線を駆動する機能を有する。ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、どちらか一方のみでもよい。なお、図１の例では、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、画素アレイ６１と共に同一基板上に設けられている例を示しているが、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３を専用ＩＣとすることもできる。

ソースドライバＩＣ６４は、画素１０に、データ信号を供給するソース線を駆動する機能を有する。ここでは、ソースドライバＩＣ６４の実装方式は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式としているが、実装方式に特段の制約はなく、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）方式、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式などでもよい。後述する、タッチセンサユニット７０のＩＣの実装方式についても同様である。

なお、画素１０に使用されるトランジスタは、チャネル形成領域を有する半導体層がポリシリコンで形成されるトランジスタ（ＰＳトランジスタ）である。ＰＳトランジスタは、チャネル長を長くすること、または２つのチャネル形成領域を有するトランジスタとし、当該トランジスタを同じゲートで駆動するダブルゲート構造とすることで、オフ電流を小さくすることができる。

ＰＳトランジスタは、半導体層に添加する不純物元素を選択することで、ｐチャネル型およびｎチャネル型の双方を有する回路構成をとり得る。例えば画素の回路構成にＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）を有する構成とすることができる。

画素１０に、オフ電流が小さいトランジスタを用いること、あるいは画素にＳＲＡＭを有することで、表示ユニット６０が画像を書き換える必要がない場合（すなわち静止画を表示している場合）、一時的にゲートドライバ６２、ゲートドライバ６３、およびソースドライバＩＣ６４を、停止することができる（上述した、「アイドリングストップ」または「ＩＤＳ駆動」）。

＜タッチセンサユニット＞
図１に示す、タッチセンサユニット７０は、センサアレイ７１、およびタッチセンサＩＣ７２を有する。

センサアレイ７１は、タッチセンサユニット７０が検出できる領域を形成し、表示装置５０の使用者は、この領域に指やスタイラス等を用いて入力を行う。センサアレイ７１は、画素アレイ６１と重なる領域に配置され、表示装置５０は、表示ユニット６０の表示領域において画像の表示を行うとともに、使用者が、表示領域のどの位置を指し示したかを情報として得ることができる。

図２は、タッチセンサユニット７０の構成例を示すブロック図である。ここでは、タッチセンサユニット７０が投影型静電容量方式（相互容量方式）のタッチセンサユニットである例を示す。

センサアレイ７１は、配線ＣＬおよび配線ＭＬを有し、配線ＣＬおよび配線ＭＬが重畳すること、または、配線ＣＬおよび配線ＭＬが近接して配置されること、で形成される複数の容量４０４を有する。

図２は、一例として、配線ＣＬをＣＬ（１）乃至ＣＬ（６）の６本の配線、配線ＭＬをＭＬ（１）乃至ＭＬ（６）の６本の配線として示しているが、配線の数はこれに限定されない。なお、配線ＣＬはパルス電圧が与えられる配線であり、配線ＭＬは電流の変化を検知する配線である。

センサアレイ７１に、被検知体（指やスタイラス等）の近接または接触を検知すると、容量４０４の容量値が変化し、タッチセンサユニット７０はタッチを検出する。

センサアレイ７１は、配線ＣＬおよび配線ＭＬを介して、タッチセンサＩＣ７２に電気的に接続されている。タッチセンサＩＣ７２は、駆動回路４０２と検出回路４０３を有する。

駆動回路４０２は、配線ＣＬを介して、センサアレイ７１に電気的に接続される。駆動回路４０２は、信号Ｔｘを出力する機能を有する。駆動回路４０２としては、例えばシフトレジスタ回路とバッファ回路を組み合わせた構成を用いることができる。

検出回路４０３は、配線ＭＬを介して、センサアレイ７１に電気的に接続される。検出回路４０３は、信号Ｒｘを検出し、タッチセンサユニット７０でタッチが行われたことを検知する。例えば、検出回路４０３として、増幅回路と、アナログデジタル変換回路（ＡＤＣ：Ａｎａｌｏｇ−Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）を有する構成を用いることができる。検出回路４０３は、センサアレイ７１から出力されるアナログ信号を、デジタル信号に変換して、アプリケーションプロセッサ８０に出力する機能を有する。

なお、タッチセンサユニット７０のより具体的な構成例については、実施の形態２にて説明する。

＜アプリケーションプロセッサ＞
アプリケーションプロセッサ８０は、ソースドライバＩＣ６４、およびタッチセンサＩＣ７２に、電気的に接続されている。

アプリケーションプロセッサ８０は、表示ユニット６０に表示する画像データを、ソースドライバＩＣ６４に供給する機能を有する。また、アプリケーションプロセッサ８０は、表示ユニット６０に現在表示している画像データと、次に表示する画像データの差分を計算する機能を有する。

また、アプリケーションプロセッサ８０は、表示ユニット６０が画像を書き換えるタイミング、およびタッチセンサユニット７０が検出動作を行うタイミングを指示する機能を有する。表示ユニット６０が画像を書き換えるタイミングは、アプリケーションプロセッサ８０からソースドライバＩＣ６４に伝えられ、ソースドライバＩＣ６４は、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３の動作を制御する機能を有する。タッチセンサユニット７０が検出動作を行うタイミングは、アプリケーションプロセッサ８０からタッチセンサＩＣ７２に伝えられる。

なお、図１に示すブロック図において、ゲートドライバ６２、６３を駆動するための信号は、ソースドライバＩＣ６４を経由しなくてもよい。その場合のブロック図を図４１に示す。

図４１において、アプリケーションプロセッサ８０はタイミングコントローラ８１０を経由して、ソースドライバＩＣ６４ａ乃至ソースドライバＩＣ６４ｄ、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３へ信号を供給している。なお、タイミングコントローラ８１０は、アプリケーションプロセッサ８０に含まれてもよい。

図４１に示す構成は、複数のソースドライバＩＣを有する。ソースドライバＩＣの数は画素アレイ６１の画素数に応じて設ければよい。

図４１に示す構成は、例えば、４Ｋ（３８４０×２１６０）や８Ｋ（７６８０×４３２０）など、画素アレイ６１の画素数が大きくなるほど好ましい。ソースドライバＩＣの数を複数にし、且つ、ゲートドライバを制御する機能をソースドライバＩＣの外に設けられた回路が有することで、ソースドライバＩＣは端子の数を少なくすることができる。ソースドライバＩＣの端子の数が多いと、ソースドライバＩＣを基板に圧着する際に、ソースドライバＩＣに加える力が大きくなり、ソースドライバＩＣが破損してしまうという問題がある。そのため、図４１に示す構成にすることで、ソースドライバＩＣの破損を防ぐことができる。

＜画素アレイ＞
図３は、表示ユニット６０の構成例を示すブロック図である。

画素アレイ６１は、複数の画素１０（１，１）乃至画素１０（ｍ，ｎ）と、ソース線ＳＬ（１）乃至ソース線ＳＬ（ｍ）と、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（ｎ）を有する。ここで、ｍおよびｎは１以上の整数であり、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数である。なお、図３において、電源線や容量を形成するための定電位線等は省略している。

ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（ｎ）を介して画素アレイ６１と電気的に接続され、ソースドライバＩＣ６４は、ソース線ＳＬ（１）乃至ソース線ＳＬ（ｍ）を介して画素アレイ６１と電気的に接続される。

また、矢印Ｃ１で示す方向に配設される一群の画素１０（ｉ，１）乃至画素１０（ｉ，ｎ）は、ソース線ＳＬ（ｉ）と電気的に接続され、矢印Ｒ１で示す方向に配設される一群の画素１０（１，ｊ）乃至画素１０（ｍ，ｊ）は、ゲート線ＧＬ（ｊ）と電気的に接続される。

ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、ゲート線ＧＬ（ｊ）を駆動し、画素１０（１，ｊ）乃至画素１０（ｍ，ｊ）を選択する。ソースドライバＩＣ６４は、ソース線ＳＬ（１）乃至ソース線ＳＬ（ｍ）を介して、アプリケーションプロセッサ８０から供給された画像データのデータ信号を、画素１０（１，ｊ）乃至画素１０（ｍ，ｊ）に供給する。この動作を、ゲート線ＧＬ（１）からゲート線ＧＬ（ｎ）まで繰り返すことで、表示ユニット６０は、画素アレイ６１に画像を表示することができる。

なお、画素１０には、液晶、電子ペーパー、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等、様々な表示素子を適用することができる。また、例えば、反射型素子として適用することができる液晶素子と、発光型素子として適用することができる有機ＥＬ素子を組み合わせた、ハイブリッド型素子を画素１０に適用することができる。

また、例えば、反射型素子として適用することができる液晶素子と、光源（例えばＬＥＤ）と液晶を組みあわせた透過型液晶を組み合わせた、ハイブリッド型素子を画素１０に適用してもよい。

＜ゲートドライバ＞
図４は、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３に適用可能な、ゲートドライバの構成例を示す回路図である。

図４（Ａ）に示すゲートドライバは、シフトレジスタＳＲをｎ個と、シフトレジスタＳＲ_ＤＵＭを２個有し、外部からスタートパルスＳＰ、クロック信号ＣＬＫ１乃至ＣＬＫ４、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４、リセット信号ＲＥＳが入力される。また、図４（Ａ）に示すゲートドライバは、出力端子ＯＵＴ＿１乃至ＯＵＴ＿ｎ＋２を有し、出力端子ＯＵＴ＿１乃至ＯＵＴ＿ｎは、上述したゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（ｎ）に、それぞれ電気的に接続されている。

図４（Ｂ）に示すシフトレジスタＳＲは、入力端子ＣＬＩＮ１乃至ＣＬＩＮ３、ＰＷＩＮ、ＬＩＮ、ＲＩＮ、ＲＥＳＩＮを有し、出力端子ＳＲＯＵＴ、ＯＵＴを有する。入力端子ＣＬＩＮ１乃至ＣＬＩＮ３には、図４（Ａ）に示すように、クロック信号ＣＬＫ１乃至ＣＬＫ４のいずれかが入力され、入力端子ＰＷＩＮには、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４のいずれかが入力され、入力端子ＲＥＳＩＮには、リセット信号ＲＥＳが入力される。

シフトレジスタＳＲの出力端子ＯＵＴは、ゲートドライバの出力端子ＯＵＴ＿１乃至ＯＵＴ＿ｎにそれぞれ電気的に接続されている。また、ｊを１以上ｎ以下の整数とし、ゲートドライバの出力端子ＯＵＴ＿ｊに電気的に接続されるシフトレジスタＳＲを、ｊ番目のシフトレジスタＳＲと呼ぶと、ｊ番目のシフトレジスタＳＲの入力端子ＬＩＮは、ｊ−１番目のシフトレジスタＳＲの出力端子ＳＲＯＵＴに、ｊ番目のシフトレジスタＳＲの入力端子ＲＩＮは、ｊ＋２番目のシフトレジスタＳＲの出力端子ＳＲＯＵＴに、それぞれ電気的に接続される。ただし、１番目のシフトレジスタＳＲの入力端子ＬＩＮにはスタートパルスＳＰが入力され、ｎ−１番目とｎ番目のシフトレジスタＳＲの入力端子ＲＩＮは、ｎ＋１番目とｎ＋２番目のシフトレジスタＳＲ_ＤＵＭの出力端子ＳＲＯＵＴに、それぞれ電気的に接続される。

図４（Ｃ）に示すシフトレジスタＳＲ_ＤＵＭは、入力端子ＲＩＮがない以外はシフトレジスタＳＲと同様のため、説明を援用する。

図５（Ａ）は、シフトレジスタＳＲの構成例を示す回路図である。図５（Ａ）において、回路１００はトランジスタ１０１乃至１０９を有し、回路１１０はトランジスタ１１１乃至１１３を有し、回路１２０はトランジスタ１２１乃至１２３を有する。

トランジスタ１０１乃至１０９、トランジスタ１１１乃至１１３、およびトランジスタ１２１乃至１２３は、ＰＳトランジスタであり、図５（Ａ）ではシングルゲートトランジスタとして図示したが、バックゲートを有するデュアルゲートトランジスタでもよい。また、トランジスタ１０１乃至１０９、トランジスタ１１１乃至１１３、およびトランジスタ１２１乃至１２３がＰＳトランジスタであることで、トランジスタの電界効果移動度が大きいため、回路面積を縮小することができる。

図５（Ａ）では、ｎチャネル型の一方のみでシフトレジスタを構成する回路図を図示したが、トランジスタをＰＳトランジスタとすることで、ｎチャネル型およびｐチャネル型の双方の極性のトランジスタを用いてシフトレジスタを構成できる、すなわちＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ＭＯＳ）の構成とすることができるため、トランジスタ数の削減を図ることができる。

同様に、シフトレジスタＳＲ_ＤＵＭの構成例を示す回路図を、図５（Ｂ）に示す。

図６は、スタートパルスＳＰ、クロック信号ＣＬＫ１乃至ＣＬＫ４、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４、および出力端子ＯＵＴ＿１乃至ＯＵＴ＿ｎの波形を示すタイミングチャートである。

期間Ｐ１では、スタートパルスＳＰ、クロック信号ＣＬＫ１乃至ＣＬＫ４、およびパルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４に応じて、出力端子ＯＵＴ＿１乃至ＯＵＴ＿ｎからは、順にパルスが出力される。

一方、期間Ｐ２では、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４を、一定期間Ｌレベルに固定している。図６の例では、出力端子ＯＵＴ＿１、ＯＵＴ＿２、ＯＵＴ＿ｎ−１、およびＯＵＴ＿ｎからパルスが出力され、出力端子ＯＵＴ＿ｊ、ＯＵＴ＿ｊ＋１からはパルスが出力されない。

期間Ｐａ、期間Ｐｃでは、期間Ｐ１と同様に、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４によるトグル動作を行い、期間Ｐｂでは、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４をＬレベルとすることで、所定の出力端子にのみパルスを出力することができる（後述する、部分ＩＤＳ駆動）。

このように、図４（Ａ）に示すゲートドライバは、出力端子ＯＵＴ＿１乃至ＯＵＴ＿ｎに、順にパルスを出力すること、および、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４を制御することで、所定の出力端子にのみパルスを出力することができる。

＜＜タイミングチャート＞＞
次に、表示ユニット６０が画像を書き換える動作と、タッチセンサユニット７０の検出動作との関係について説明する。表示ユニット６０が画像を書き換える動作については、表示領域の全領域を書き換える第１のモード（以下、「通常表示」と呼ぶ。）と、表示領域の一部領域を書き換える第２のモード（以下、「部分ＩＤＳ駆動」と呼ぶ。）と、表示領域の全領域を書き換えない第３のモード（以下、「ＩＤＳ駆動」と呼ぶ。）とに分けて、説明する。

＜通常表示＞
通常表示は、全表示領域を使った動画表示など、表示領域の全領域を書き換える必要がある場合に適用される。ここでは、説明をわかりやすくするため、表示ユニット６０が画像を書き換える頻度は、１秒間に約６０回（フレーム周波数が６０Ｈｚ）であるとする。また、画素アレイ６１が有する画素１０（１，１）乃至画素１０（ｍ，ｎ）について、ｎ＝１８の場合を説明する。

表示ユニット６０が画像を書き換える期間を、期間Ｐｄとすると、図７に示すように、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（１８）を駆動し、順にパルスを出力する。期間Ｐｄは、画像の書き換えを行っているため、例えば、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（１８）が駆動されることによるノイズ、ソース線ＳＬ（１）乃至ソース線ＳＬ（ｍ）にデータ信号が供給されることによるノイズ、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３が動作することによるノイズ等があり、タッチセンサユニット７０が検出動作を行うタイミングとしては好適ではない。

そこで、期間Ｐｄとは別の期間Ｐｔを設け、期間Ｐｔにおいて、タッチセンサユニット７０は検出動作を行う。また、期間Ｐｏは、表示ユニット６０による画像の書き換え、および、タッチセンサユニット７０による検出動作、のどちらも行っていない期間である。期間Ｐｏは、アプリケーションプロセッサ８０や、表示装置５０以外の機器とのタイミングを合わせるため等に必要となる場合があるが、必要ない場合は設けなくてもよい。

表示装置５０は、期間Ｐｄ、期間Ｐｔ、期間Ｐｏ合わせて、１／６０秒（約１６．６ｍｓ）となるように設計を行う。

＜部分ＩＤＳ駆動＞
部分ＩＤＳ駆動は、表示領域の一部で動画を表示する場合など、表示領域の一部領域を書き換える必要がある場合に適用される。例えば、図８は、表示装置５０を、タブレット型情報端末９０に適用した例である。

図８は、タブレット型情報端末９０の形態例および使用例を示す外観図である。タブレット型情報端末９０は、入力領域を兼ねる表示領域９１を有し、指やスタイラス等を使って、文字や絵などを入力することができる。表示領域９１には、本発明の一形態である表示装置５０が適用されている。

図８は、タブレット型情報端末９０の使用者が文字を学習する例を示している。タブレット型情報端末９０に、イラスト９２、枠９３および枠９４が表示されている。枠９３には手本となる文字が表示されている。使用者は、スタイラス９５を使って、枠９３で表示されている文字を枠９４の中に書き込む。タブレット型情報端末９０には、枠９３の中の文字と関連したイラスト９２が表示される。

この場合、画像を書き換える必要があるのは、枠９４の中のみである。ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、枠９４にかかわる領域のみ、ゲート線ＧＬを駆動すればよい（図８では、点線で示した領域Ａ１）。図７で示したタイミングチャートは、例えば、図９のようになる。

図９では、パルス幅制御信号ＰＷＣ１乃至ＰＷＣ４を制御することで、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（９）、および、ゲート線ＧＬ（１６）乃至ゲート線ＧＬ（１８）に、パルスが出力されていない。ゲート線ＧＬ（１０）乃至ゲート線ＧＬ（１５）にのみ、通常表示と同様のパルスが出力されている。このような駆動方法を、部分ＩＤＳ駆動と呼ぶ。

図９において、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（９）にパルスが出力されていないため、タッチセンサユニット７０が検出動作を行う期間Ｐｔを、増やすことができる。図１０に、期間Ｐｔと同じ長さの期間Ｐｔ２を確保した例を示す。この場合、１／６０秒（約１６．６ｍｓ）の時間の中に、タッチセンサユニット７０が２回検出動作を行うことができるため、１秒間に１２０回の検出動作が可能である。したがって、滑らかな入力が可能であり、手書き入力等に好適である。

また、図９において、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（９）と同様、ゲート線ＧＬ（１６）乃至ゲート線ＧＬ（１８）にもパルスが出力されていない。そのため、期間Ｐｔ２は、分割して確保することもできる。

期間Ｐｔ２では、画像を書き換える必要がないため、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（１８）が駆動されることによるノイズ、ソース線ＳＬ（１）乃至ソース線ＳＬ（ｍ）にデータ信号が供給されることによるノイズがなく、タッチセンサユニット７０が検出動作を行う期間として好適である。

期間Ｐｔ２においても、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３に、クロック信号ＣＬＫ１乃至ＣＬＫ４が供給されているので、さらに検出精度をあげたい場合は、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３のシフトレジスタＳＲおよびＳＲ_ＤＵＭを、クロック信号を使用しないデコーダ回路とすることもできる。

＜ＩＤＳ駆動＞
ＩＤＳ駆動は、全表示領域で静止画を表示している場合など、表示領域の全領域を書き換える必要がない場合に適用される。図７で示されるタイミングチャートから、表示ユニット６０が画像を書き換える期間Ｐｄが必要なくなるため、タイミングチャートは、例えば、図１１のように示される。

図１１では、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は停止しており、ゲート線ＧＬ（１）乃至ゲート線ＧＬ（１８）にパルスは出力されていない。この場合、１／６０秒（約１６．６ｍｓ）の時間の中に、期間Ｐｏを除いて、自由に期間Ｐｔおよび期間Ｐｔ２を設定でき、滑らかな入力が可能である。必要であれば、さらに、タッチセンサユニット７０が検出動作を行う期間を増やすこともできる。

ＩＤＳ駆動は、静止画を表示している限り画像を書き換える必要はないが、実際には、オフ電流が低いトランジスタを用いた画素１０が電荷を保持できる時間、画素１０の表示素子が液晶素子である場合の反転駆動等を考慮する必要がある。

ＩＤＳ駆動および部分ＩＤＳ駆動は、さらに、表示ユニットの消費電力を低減することができるため、携帯型情報端末に好適である。

＜＜フローチャート＞＞
次に、表示装置５０を適用した電子機器が、電源をＯＮされてから、３つの動作モード（通常表示、部分ＩＤＳ駆動、ＩＤＳ駆動）を切り替える様子を、図１２のフローチャートを用いて説明する。

表示装置５０を適用した電子機器が、電源をＯＮされる（ステップＳ１）と、まずはフレーム周波数が６０Ｈｚの通常表示を行う（ステップＳ２）。しばらくして起動動作が終わると、全表示領域の書き換えが不要か否かの判断を行う（ステップＳ３）。全表示領域の書き換えが不要か否かの判断は、アプリケーションプロセッサ８０が、現在表示している画像データと、次に表示する画像データの差分を計算することで行うことができる。

全表示領域の書き換えが不要の場合、ＩＤＳ駆動に移行し（ステップＳ４）、全表示領域の書き換えが不要ではない場合、一部表示領域の書き換えが不要か否かの判断を行う（ステップＳ５）。一部表示領域の書き換えが不要か否かの判断は、ステップＳ３と同様、アプリケーションプロセッサ８０が行う。一部表示領域の書き換えが不要の場合、部分ＩＤＳ駆動に移行する（ステップＳ６）。ＩＤＳ駆動、または部分ＩＤＳ駆動の場合、タッチを検出すると（ステップＳ７）、もう一度、全表示領域の書き換えが不要か否かの判断を行う（ステップＳ３）。

また、ステップＳ３において全表示領域の書き換えが不要ではない、かつ、ステップＳ５において一部表示領域の書き換えが不要ではない、と判断されると、通常表示を行う（ステップＳ２）。

次に、表示装置５０を適用した電子機器が情報端末であり、情報端末に静止画のテキスト（文字）が表示され、使用者が気になった部分にマークを残す動作を、図１３と図１４を用いて説明する。

図１３は、表示装置５０を適用した情報端末の使用例と、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３に入力される信号の様子を示している。信号は、クロック信号ＣＬＫ１乃至ＣＬＫ４のいずれか一つを代表してＣＬＫと、パルス幅制御信号ＰＷＣ１、ＰＷＣ２を示している。図１４は、図１３で示した情報端末の動作を説明するフローチャートである。

図１３（Ａ）は、アプリケーションを起動した直後である（図１４、ステップＳ１１）。通常表示であり、クロック信号ＣＬＫ、およびパルス幅制御信号ＰＷＣ１、ＰＷＣ２は、トグル動作を行っている。

図１３（Ｂ）では、静止画のテキストが表示されているため、ＩＤＳ駆動に変更される（図１４、ステップＳ１２）。ＩＤＳ駆動では、クロック信号ＣＬＫ、およびパルス幅制御信号ＰＷＣ１、ＰＷＣ２は、Ｌレベルに固定され、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は停止している。

図１３（Ｃ）では、スタイラスでのタッチが検出される（図１４、ステップＳ１３）。部分ＩＤＳ駆動に変更され（図１４、ステップＳ１４）、クロック信号ＣＬＫがトグル動作を行う（図１３（Ｄ））。スタートパルスＳＰも入力され、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は動作を開始するが、しばらくは、パルス幅制御信号ＰＷＣ１、ＰＷＣ２はＬレベルである（図１４、ステップＳ１６、Ｓ１７）。入力されたスタートパルスＳＰが、シフトレジスタをシフトし、書き換えが必要な領域のＫ行前まで来ると、タッチセンサユニット７０は動作を停止する（図１４、ステップＳ１７、Ｓ１８）。Ｋは回路構成にもよるが、少なくとも１以上の整数である。

スタートパルスＳＰが、書き換えが必要な領域までシフトすると、パルス幅制御信号ＰＷＣ１、ＰＷＣ２もトグル動作を行い、ゲートドライバ６２およびゲートドライバ６３は、ゲート線ＧＬにパルスを出力する。そして、画素１０に画像データのデータ信号が書き込まれる（図１４、ステップＳ１９、Ｓ２０）。

書き換えが必要な領域の書き換え動作が終了すると、パルス幅制御信号ＰＷＣ１、ＰＷＣ２はＬレベルとなり、タッチセンサユニット７０は動作を再開する。スタートパルスＳＰがシフトレジスタの最終段までシフトすると、ＲＥＳ信号により、シフトレジスタはリセットされる（図１４、ステップＳ２１、Ｓ２２、Ｓ２３）。

次のタッチが検出されると（図１４、ステップＳ１５）、図１４のステップＳ１４から同じ動作を繰り返し、次のタッチが検出されなければ、再び、ＩＤＳ駆動に変更される（図１４、ステップＳ１２）。

以上のように、表示装置５０を適用した電子機器は、３つの動作モード（通常表示、部分ＩＤＳ駆動、ＩＤＳ駆動）を、適宜切り替えることができる。表示装置５０は、ノイズの影響が少ないタイミングで、タッチセンサユニット７０による精度の高い検出動作を行い、部分ＩＤＳ駆動およびＩＤＳ駆動時は、滑らかな入力を可能とする。また、部分ＩＤＳ駆動およびＩＤＳ駆動時は、書き換え動作による消費電力を低減することができる。

なお、図１３の使用例において、表示装置５０の表示例は、例えば、画素１０に透過型もしくは反射型の液晶素子を適用した場合である。

また、図１３の使用例は、画素１０に、反射型素子と発光型素子を組み合わせたハイブリッド型素子を適用してもよい。その場合、静止画のテキストを反射型素子を用いて、マークを発光型素子を用いて、表示してもよい。静止画のテキストを表示している反射型素子を、ＩＤＳ駆動とすることができる。

また、画素１０に有機ＥＬ等の発光型素子を適用した場合も同様の動作を行うことができ、上述した、精度の高い検出、滑らかな入力、書き換え動作による消費電力の低減が可能である。この場合、発光に要する消費電力は、発光型素子の発光している面積が影響する。したがって、図１３の使用例は、図１５のように背景を黒（発光しない）とし、必要な部分のみを光らせる構成が好ましい。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態に記載のタッチセンサユニット７０の構成例について、図１６および図１７を用いて説明を行う。

タッチセンサユニット７０のより具体的な構成例について、図１６および図１７を用いて説明を行う。

図１６（Ａ）はタッチセンサユニット７０の上面図である。図１６（Ｂ）および図１６（Ｃ）は、図１６（Ａ）の一部を説明する投影図である。

図１７（Ａ）は、制御線および検知信号線の隣接部の上面図である。図１７（Ｂ）は、隣接部に生じる電界を模式的に説明する投影図である。

タッチセンサユニット７０はセンサアレイ７１を有する。センサアレイ７１は、配線ＣＬ（ｇ）、配線ＭＬ（ｈ）および導電膜を備える。（図１６（Ａ）参照）。なお、ｇ及びｈは２以上の整数である。

例えば、複数の領域に分割された導電膜をセンサアレイ７１に用いることができる（図１６（Ａ）参照）。これにより、同一の電位または異なる電位を、複数の領域のそれぞれに供給することができる。

具体的には、配線ＣＬ（ｇ）に用いることができる導電膜と、配線ＭＬ（ｈ）に用いることができる導電膜と、に分割された導電膜をセンサアレイ７１に用いることができる。また、複数の領域に分割された導電膜のそれぞれに、例えば、櫛歯状の形状を備える導電膜を用いることができる（図１７、電極ＣＥ（１）、電極ＭＥ（１）および電極ＭＥ（２）参照）。これにより、分割された導電膜を検知素子の電極に用いることができる。

例えば、配線ＣＬ（１）に用いることができる導電膜と、配線ＭＬ（１）に用いることができる導電膜と、配線ＭＬ（２）に用いることができる導電膜と、に分割された導電膜は、隣接部Ｘ０において互いに隣接する（図１６（Ａ）、図１６（Ｃ）、または図１７参照）。

検知素子４７５（ｇ，ｈ）は、配線ＣＬ（ｇ）および配線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される（図１６（Ａ）参照）。

配線ＣＬ（ｇ）は信号Ｔｘを供給する機能を備え、配線ＭＬ（ｈ）は、信号Ｒｘを供給される機能を備える。

配線ＭＬ（ｈ）は、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を含む（図１６（Ｂ）参照）。導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）は、配線ＣＬ（ｇ）と重なる領域を備える。

なお、検知素子４７５（ｇ，ｈ）は絶縁膜を備える。絶縁膜は、配線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、配線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の短絡を防止することができる。

電極ＣＥ（１）は、配線ＣＬ（１）に電気的に接続され、電極ＭＥ（１）は、配線ＭＬ（１）に電気的に接続される（図１７参照）。

同様に、電極ＣＥ（ｇ）は、配線ＣＬ（ｇ）に電気的に接続され、電極ＭＥ（ｈ）は、配線ＭＬ（ｈ）に電気的に接続される。

検知素子４７５（１、１）は、電極ＣＥ（１）と電極ＭＥ（１）の間に形成される容量値の変化を読み取ることで、タッチを検出する（図１７参照）。

同様に、検知素子４７５（ｇ、ｈ）は、電極ＣＥ（ｇ）と電極ＭＥ（ｈ）の間に形成される容量値の変化を読み取ることで、タッチを検出する。

同一の工程で形成することができる導電膜を、配線ＣＬ（１）および電極ＣＥ（１）に用いることができる。同一の工程で形成することができる導電膜を、配線ＭＬ（１）および電極ＭＥ（１）に用いることができる（図１７参照）。

同様に、同一の工程で形成することができる導電膜を、配線ＣＬ（ｇ）および電極ＣＥ（ｇ）に用いることができる。同一の工程で形成することができる導電膜を、配線ＭＬ（ｈ）および電極ＭＥ（ｈ）に用いることができる。

例えば、透光性を備える導電膜を、電極ＣＥ（ｇ）および電極ＭＥ（ｈ）に用いることができる。または、画素と重なる領域に開口部や櫛歯状の形状を備える導電膜を、電極ＣＥ（ｇ）および電極ＭＥ（ｈ）に用いることができる。これにより、表示パネルの表示を遮ることなく、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態に記載のソースドライバＩＣ６４の構成例について、図４０を用いて説明を行う。

図４０（Ａ）、（Ｂ）はソースドライバＩＣ６４の構成例を示すブロック図である。図４０（Ａ）、（Ｂ）に示すソースドライバＩＣ６４は、反射型素子と発光素子を有するハイブリッド型素子を画素１０に用いた場合のブロック図である。

図４０（Ａ）に示すソースドライバＩＣ６４は、制御回路８０１と、ドライバ８０２と、フレームメモリ８０３と、フレームメモリ８０４と、ゲートドライバ信号生成回路８０６と、ゲートドライバ信号生成回路８０７と、を有する。

制御回路８０１は、アプリケーションプロセッサ８０から信号を受け取り、ソースドライバＩＣ６４に含まれる各種回路へ信号を供給する機能を有する。なお、制御回路８０１が、アプリケーションプロセッサ８０から受け取る信号のインターフェース規格として、ＭＩＰＩ（Ｍｏｂｉｌｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＳＰＩ（Ｓｅｒｉａｌ Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）などが挙げられる。

ドライバ８０２は、画素アレイ６１へ画像信号を供給する機能を有する。

フレームメモリ８０３は、画像信号を一時的に保存する機能を有する。

ゲートドライバ信号生成回路８０６はゲートドライバ６２へ信号を供給し、ゲートドライバ信号生成回路８０７はゲートドライバ６３へ信号を供給する機能を有する。

ゲートドライバ信号生成回路８０６またはゲートドライバ信号生成回路８０７の一方は、画素１０が有する反射型素子を駆動するための信号を生成し、ゲートドライバ信号生成回路８０６またはゲートドライバ信号生成回路８０７の他方は、画素１０が有する発光素子を駆動するための信号を生成する機能を有する。

ソースドライバＩＣ６４は、図１に示すタッチセンサＩＣ７２としての機能を含んでいてもよい。その場合のブロック図を図４０（Ｂ）に示す。

図４０（Ｂ）に示すソースドライバＩＣ６４は、図４０（Ａ）のブロック図に、図２に示す駆動回路４０２と検出回路４０３を加えている。このようにタッチセンサＩＣ７２をソースドライバＩＣ６４に含めることで、表示装置の製造コストを低減することができる。

駆動回路４０２と検出回路４０３を１つのＩＣに含めた場合、これら２つの回路は、互いに離れた位置に配置されることが好ましい。駆動回路４０２が検出回路４０３の近くに配置されると、駆動回路４０２から発生するノイズによって、検出回路４０３の検出感度が低下し、タッチ検出が困難になる場合がある。そのため、駆動回路４０２と検出回路４０３は、ゲートドライバ信号生成回路８０６、ゲートドライバ信号生成回路８０７およびドライバ８０２等の回路を間に介して、配置されることが好ましい。

ここで、ゲートドライバ６２は液晶素子を駆動し、ゲートドライバ６３は発光素子を駆動すると仮定する。すなわち、ゲートドライバ信号生成回路８０６は液晶素子を駆動するための信号を生成し、ゲートドライバ信号生成回路８０７は発光素子を駆動するための信号を生成すると仮定する。このとき、駆動回路４０２はゲートドライバ信号生成回路８０６の近くに配置し、検出回路４０３はゲートドライバ信号生成回路８０７の近くに配置することが好ましい。

一般的に、発光素子の駆動電圧は液晶素子の駆動電圧よりも低い。そのため、ゲートドライバ信号生成回路８０７が出力する電圧の振幅は、ゲートドライバ信号生成回路８０６が出力する電圧の振幅よりも低い。ゲートドライバ信号生成回路８０７から発生するノイズは、ゲートドライバ信号生成回路８０６から発生するノイズよりも小さいと言える。そのため、検出回路４０３は、ゲートドライバ信号生成回路８０６よりも、ゲートドライバ信号生成回路８０７の近くに配置することが好ましい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態に記載の表示ユニット６０に適用することが可能な、表示ユニット７００について図１８乃至図２６を用いて説明を行う。

図１８は、表示ユニット７００の構成を説明する図である。図１８（Ａ）は画素の投影図であり、図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）に示す画素の構成の一部を説明する分解立体図である。また、図１８（Ｃ）は画素の構成の一部を説明する、図１８（Ａ）に示す切断線Ｙ１−Ｙ２における断面図である。図１８（Ｄ）は図１８（Ａ）に示す画素を説明する上面図である。

図１９は、表示ユニット７００の構成を説明する図である。図１９（Ａ）は図１８（Ａ）に示す切断線Ｙ１−Ｙ２における画素の断面図であり、図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）に示す画素の一部の構成を説明する断面図である。

図２０は表示ユニット７００の構成を説明する図である。図２０（Ａ）は表示ユニット７００の上面図であり、図２０（Ｂ）は図２０（Ａ）に示す表示ユニット７００の画素の一部を説明する上面図である。図２０（Ｃ）は図２０（Ａ）に示す表示ユニット７００の断面の構成を説明する模式図である。

図２１および図２２は表示ユニット７００の構成を説明する断面図である。図２１（Ａ）は図２０（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図２０（Ｂ）の切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図２１（Ｂ）および図２１（Ｃ）はいずれも図２１（Ａ）の一部を説明する図である。

図２２は図２０（Ｂ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、図２０（Ａ）の切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図である。

図２３は図２０（Ａ）に示す表示ユニット７００に用いることができる画素の一部を説明する下面図である。

図２４（Ａ）、（Ｂ）は表示ユニット７００が備える画素回路の構成を説明する回路図である。

図２５は表示ユニット７００の反射膜の構成を説明する上面図である。

＜表示パネルの構成例１＞
本実施の形態で説明する表示ユニット７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）を有する（図２０（Ａ）参照）。

《画素の構成例１．》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、機能層５２０、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える（図２０（Ａ）参照）。

機能層５２０は画素回路５３０（ｉ，ｊ）を含み、機能層５２０は第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の構成例１．》
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２、液晶材料を含む層７５３および反射膜７５１Ｂを備える（図１８（Ｂ）および図１９（Ａ）参照）。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、反射膜７５１Ｂが反射する光を制御する機能を備える。

第２の電極７５２は、液晶材料を含む層７５３の厚さ方向と交差する方向の電界を、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に形成するように配置される（図１８（Ｂ）および図１９（Ａ）参照）。例えば、櫛歯状の形状を第２の電極７５２に用いることができる。これにより、液晶材料を含む層７５３の厚さ方向と交差する方向の電界を、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に形成することができる。または、例えば、ＶＡ−ＩＰＳ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードで動作する表示素子を第１の表示素子に用いることができる。

なお、櫛歯状の形状を備える第２の電極７５２が行列状に配設された導電膜の外観を図２６（Ｂ）に示す。

反射膜７５１Ｂは、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない形状を備える（図１９（Ａ）参照）。例えば、光を遮らない領域７５１Ｈを備える形状を反射膜７５１Ｂに用いることができる。なお、反射膜７５１Ｂは、厚さ方向に凹凸を備える。例えば、第２の電極７５２の形状に沿って生じる凹凸を、厚さ方向の凹凸に用いることができる。これにより、反射膜７５１Ｂは入射した光をさまざまな方向に反射することができる。または、入射した光を乱反射することができる。または、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の視野角を広げることができる。

《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例１．》
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は光を射出する機能を備え、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設される（図１９（Ａ）参照）。

これにより、第１の表示素子を用いて、反射膜が反射する光の強度を制御して、表示をすることができる。または、第２の表示素子を用いて、第１の表示素子を用いた表示を補うことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《画素の構成例２．》
また、本実施の形態で説明する表示ユニット７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）が光学素子５６０および被覆膜５６５を備える。

《光学素子の構成例１．》
光学素子５６０は透光性を備え、光学素子５６０は第１の領域５６０Ａ、第２の領域５６０Ｂおよび第３の領域５６０Ｃを備える（図１８（Ｂ）、図１８（Ｃ）および図１９（Ｂ）参照）。

第１の領域５６０Ａは光を供給される領域を含む。例えば、第１の領域５６０Ａは第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）から光を供給される。

第２の領域５６０Ｂは被覆膜５６５と接する領域を含む。

第３の領域５６０Ｃは光の一部を射出する機能を備え、第３の領域は第１の領域５６０Ａの光を供給される領域の面積以下の面積を備える。

《被覆膜の構成例》
被覆膜５６５は光に対する反射性を備え、被覆膜５６５は光の一部を反射して第３の領域５６０Ｃに供給する機能を備える。例えば、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を第３の領域５６０Ｃに向けて反射することができる。具体的には、実線の矢印で図示するように、第１の領域５６０Ａから光学素子５６０に入射した光の一部は、第２の領域５６０Ｂに接する被覆膜５６５によって反射され、第３の領域５６０Ｃから射出することができる（図１９（Ｂ）参照）。

《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の構成例２．》
反射膜７５１Ｂは、第３の領域５６０Ｃが射出する光を遮らない形状を備える。

これにより、第１の表示素子を用いて、反射膜が反射する光の強度を制御して、表示をすることができる。または、第２の表示素子を用いて、第１の表示素子を用いた表示を補うことができる。または、第１の領域に供給した光を、効率よく第３の領域から射出することができる。または、第１の領域に供給される光を集光して、第３の領域から射出することができる。例えば、第２の表示素子に発光素子を用いる場合、発光素子の面積を第３の領域の面積より広くすることができる。または、第３の領域より広い面積の発光素子が供給する光を第３の領域に集光することができる。または、第３の領域が射出する光の強度を保ちながら、発光素子に流す電流の密度を下げることができる。または、発光素子の信頼性を高めることができる。例えば、有機ＥＬ素子または発光ダイオードを発光素子に用いることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《画素の構成例３．》
また、画素７０２（ｉ，ｊ）は、機能層５２０の一部と、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、を有する（図２０（Ｃ）参照）。

《機能層５２０》
機能層５２０は、第１の導電膜、第２の導電膜、絶縁膜５０１Ｃおよび画素回路５３０（ｉ，ｊ）を含む。また、機能層５２０は、光学素子５６０および被覆膜５６５を含む（図２１（Ａ）参照）。なお、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、例えばトランジスタＭを含む。

機能層５２０は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える（図２１（Ｃ）参照）。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域は３０μｍ未満、好ましくは１０μｍ未満、さらに好ましくは５μｍ未満の厚さを備える。

これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけることができる。または、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いる表示と第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いる表示との間に生じる視差を少なくすることができる。または、隣接する画素、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）を用いる表示が、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いる表示によって乱されにくくすることができる。または、隣接する画素、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）を用いる表示色と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いる表示色の混合が起こりにくくすることができる。または、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光の減衰を抑制することができる。または、表示パネルの重量を軽くすることができる。または、表示パネルの厚さを薄くすることができる。または、表示パネルを曲げやすくすることができる。

また、機能層５２０は、絶縁膜５２８、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５１８および絶縁膜５１６を含む。

《画素回路》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図２４（Ａ）参照）。

これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。具体的には、反射型の表示素子を第１の表示素子に用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する第２の表示素子を用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、絶縁膜を用いて、第１の表示素子および第２の表示素子の間または第１の表示素子および画素回路の間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。

例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図２４（Ａ）参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図２２および図２４（Ａ）参照）。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１を含む（図２４（Ａ）参照）。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ２を含む。

例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。

容量素子Ｃ１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。

例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。

トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。

なお図２４（Ａ）では、トランジスタＭにｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を図示している。当該構成とすることで、駆動トランジスタのソース側の電圧を、アノード線ＡＬの固定電圧に設定できるため、安定した動作を図ることができる。

なお図２４（Ａ）では、画素に書き込まれるデータの保持をスイッチＳＷ１またはＳＷ２をオフにして、電荷を保持することで実現する構成を示したが、他の構成でもよい。例えば図２４（Ｂ）に図示するように、画素のデータの保持するノードにＳＲＡＭを設け、当該データを保持する構成としてもよい。ＳＲＡＭを有する画素の回路構成は、ＰＳトランジスタを用いて半導体層に添加する不純物元素を選択し、ｐチャネル型およびｎチャネル型の双方を有する回路構成をとることで実現できる。ＳＲＡＭを有する画素の回路構成とすることにより、スイッチＳＷ１またはＳＷ２のオフ電流を小さくすることが難しい場合であっても、一時的にゲートドライバー等を停止させて画像を表示し続ける、所謂ＩＤＳ駆動をすることができる。

なお図２４（Ａ）では、一例となる回路構成を示しているが、本実施の形態はこれに限定されない。例えば、１つの画素に４つ以上のトランジスタあるいは３つ以上の容量素子を有する回路構成とすることもでき、別途の配線がさらに形成されて、多様な回路構成としてもよい。図２４（Ｂ）についても同様である。

容量素子Ｃ２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。

なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極７５２を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、第１の表示素子７５０を駆動することができる。

また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５２を導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

《絶縁膜５０１Ｃ》
絶縁膜５０１Ｃは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える（図２２参照）。

《第１の導電膜》
第１の導電膜は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。具体的には、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、電極７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。

《第２の導電膜》
第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。

ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。

第２の導電膜は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を、第２の導電膜に用いることができる。

《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例２．》
また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図２１（Ａ）および図２４（Ａ）参照）。第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、機能層５２０に向けて光を射出する機能を備える。第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、例えば、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において当該第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印を用いて図中に示す（図２２参照）。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印を用いて図中に示す（図２１（Ａ）参照）。

これにより、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、表示パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。または、第１の表示素子が反射する光が表現する物体色と、第２の表示素子が射出する光が表現する光源色とを掛け合わせることができる。または、物体色および光源色を用いて絵画的な表示をすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

例えば、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、電極５５１（ｉ，ｊ）と、電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える（図２１（Ａ）参照）。

電極５５２は、電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

発光性の材料を含む層５５３（ｊ）は、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の間に挟まれる領域を備える。

電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、電極５５２は、導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図２４（Ａ）参照）。

《絶縁膜５２１、絶縁膜５２８、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６等》
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える（図２１（Ａ）参照）。

例えば、積層膜を絶縁膜５２１に用いることができる。例えば、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂおよび絶縁膜５２１Ｃの積層膜を絶縁膜５２１に用いることができる。

絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の短絡を防止する。

なお、単層の膜または積層膜を絶縁膜５１８に用いることができる。

絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

また、表示ユニット７００は、絶縁膜５０１Ｂを有することができる。絶縁膜５０１Ｂは、開口部５９２Ｂを備える（図２１（Ａ）参照）。

開口部５９２Ｂは、導電膜５１１Ｂと重なる領域を備える。

＜表示パネルの構成例２＞
本実施の形態で説明する表示ユニット７００は、色相が異なる色を表示する機能を備える複数の画素を備えることができる。または、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を用いて、それぞれの画素では表示できない色相の色を、加法混色により表示することができる。

なお、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。具体的には、画素７０２（ｉ，ｊ）を副画素と言い換えることができ、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図２６（Ａ）参照）。

例えば、青色を表示する副画素、緑色を表示する副画素および赤色を表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。

また、例えば、シアンを表示する副画素、マゼンタを表示する副画素およびイエローを表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。

また、例えば、白色を表示する副画素等を上記の一組に加えて、画素に用いることができる。

また、例えば、シアンを表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と青色を表示する第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える副画素、イエローを表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ＋１）と緑色を表示する第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）を備える副画素およびマゼンタを表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ＋２）と赤色を表示する第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を備える副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。これにより、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）乃至第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ＋２）を用いる表示を、明るくすることができる。または、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）乃至第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を用いる表示を、鮮やかにすることができる。

＜表示パネルの構成例３＞
また、本実施の形態で説明する表示ユニット７００は、機能層７２０、端子５１９Ｂ、基板５７０、基板７７０、接合層５０５、封止材７０５、構造体ＫＢ１、機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ等を備える（図２１（Ａ）または図２２参照）。

《機能層７２０》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、機能層７２０を有する。機能層７２０は、基板７７０および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。機能層７２０は、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、着色膜ＣＦ１と、を有する（図２１（Ａ）または図２２参照）。

遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。

着色膜ＣＦ１は、基板７７０および第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。なお、機能層７２０および基板７７０の間に接合層７７０Ｂを用いることができる。接合層７７０Ｂは、機能層７２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。

絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。

単層または積層膜を絶縁膜７７１に用いることができる。例えば、絶縁膜７７１Ａおよび絶縁膜７７１Ｂを絶縁膜７７１に用いることができる。

《端子５１９Ｂ》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｂを有する（図２１（Ａ）参照）。

端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂを備える。端子５１９Ｂは、例えば、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。

《基板５７０、基板７７０》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基板５７０と、基板７７０と、を有する。

基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に機能層５２０を挟む領域を備える。

基板７７０は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。例えば、複屈折が抑制された材料を当該領域に用いることができる。

《接合層５０５、封止材７０５、構造体ＫＢ１》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。

接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。

封止材７０５は、機能層５２０および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。

構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。

《機能膜７７０ＰＡ、機能膜７７０ＰＢ、機能膜７７０Ｄ等》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、機能膜７７０ＰＡと、機能膜７７０ＰＢと、機能膜７７０Ｄと、を有する。

機能膜７７０ＰＡおよび機能膜７７０ＰＢは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。これにより、例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。

＜構成要素の例＞
以下、表示ユニット７００の各構成要素について説明を行う。

《基板５７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０等に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０等に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。

また、紙または木材などを基板５７０等に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基板を基板５７０等に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

《基板７７０》
例えば、基板５７０に用いることができる材料を基板７７０に用いることができる。例えば、基板５７０に用いることができる材料から選択された透光性を備える材料を、基板７７０に用いることができる。または、片側の表面に、例えば１μｍ以下の反射防止膜が形成された材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した材料を基板７７０に用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。または、基板５７０に用いることができる材料から選択された複屈折が抑制された材料を、基板７７０に用いることができる。

例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。

例えば、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等の樹脂フィルムを、基板７７０に好適に用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。

また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｄを第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。

《構造体ＫＢ１》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。

《接合層５０５、接合層７７０Ｂ》
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５または接合層７７０Ｂに用いることができる。

《絶縁膜５２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、低吸湿性などの特性において優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜５２１等に好適に用いることができる。

これにより、例えば絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

《光学素子５６０》
光学素子５６０は光軸Ｚを備える（図１８（Ｃ）参照）。光軸Ｚは第１の領域５６０Ａの可視光が供給される領域の中心および第３の領域５６０Ｃの中心を通る。また、第２の領域５６０Ｂは、光軸Ｚと直交する平面に対し４５°以上の傾きθ、好ましくは７５°以上８５°以下の傾きθを有する傾斜部を備える。例えば、図示されている第２の領域５６０Ｂは光軸Ｚと直交する平面に対し約６０°の傾きを全体に備える。

また、第２の領域５６０Ｂは、当該傾斜部を第１の領域５６０Ａの可視光を供給される領域の端から０．０５μｍ以上０．２μｍ以下の範囲に備える。なお、第１の領域５６０Ａに第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が接する場合、第１の領域５６０Ａの可視光が供給される領域は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の可視光を供給することができる領域の面積と等しい。例えば、図示されている第２の領域５６０Ｂの傾斜部は、第１の領域の可視光を供給される領域の端から距離ｄにある。

また、第１の領域５６０Ａの可視光が供給される領域は、画素７０２（ｉ，ｊ）の面積の１０％より大きい面積を備える（図１８（Ｄ）参照）。

第３の領域５６０Ｃは、画素７０２（ｉ，ｊ）の面積の１０％以下の面積を備える。

反射膜７５１Ｂは、画素７０２（ｉ，ｊ）の面積の７０％以上の面積を備える。

第１の領域５６０Ａの可視光が供給される領域の面積および反射膜７５１Ｂの面積の和は、画素７０２（ｉ，ｊ）の面積より大きい。

例えば、横２７μｍ縦８１μｍの矩形の画素は、２１８７μｍ^２の面積を備える。第１の領域５６０Ａの３２４μｍ^２の面積に可視光を供給する。また、第３の領域５６０Ｃは８１μｍ^２の面積を備え、反射膜７５１Ｂは１８９４μｍ^２の面積を備える。

この構成において、第１の領域５６０Ａの可視光が供給される領域の面積は、画素の面積の約１４．８％に相当する。

反射膜７５１Ｂの面積は、画素の面積の約８６．６％に相当する。

第１の領域５６０Ａの可視光が供給される領域の面積および反射膜７５１Ｂの面積の和は、２２１８μｍ^２である。

これにより、第２の領域は、第１の領域にさまざまな角度で入射する光を集光することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

なお、複数の材料を光学素子５６０に用いることができる。例えば、屈折率の差が０．２以下の範囲になるように選択された複数の材料を光学素子５６０に用いることができる。これにより、光学素子の内部における反射または散乱を抑制することができる。または、光の損失を抑制することができる。

また、さまざまな形状を光学素子５６０に用いることができる。例えば、円または多角形を光学素子５６０の光軸と直交する切断面の形状に用いることができる。または、平面または曲面を光学素子５６０の第２の領域５６０Ｂに用いることができる。

《被覆膜５６５》
単層の膜または積層膜を被覆膜５６５に用いることができる。例えば、透光性を備える膜および反射性を備える膜を積層した材料を被覆膜５６５に用いることができる。

例えば、酸化物膜、フッ化物膜、硫化物膜等の無機材料を、上記透光性を備える膜に用いることができる。

例えば、金属を、上記反射性を備える膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を被覆膜５６５に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。また、誘電体の多層膜を、上記反射性を備える膜に用いることができる。

《絶縁膜５２８》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

《絶縁膜５０１Ｂ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。

例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。

《絶縁膜５０１Ｃ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂまたは導電膜５１１Ｂ等に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。

《第１の導電膜、第２の導電膜》
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。

また、電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。

また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。

《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。例えば、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウエッティング方式などを用いる表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１電極と、第２電極と、液晶材料を含む層と、を有する。液晶材料を含む層は、第１電極および第２電極の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。

《液晶材料を含む層７５３》
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。

例えば、ネガ型の液晶材料を、液晶材料を含む層に用いることができる。

例えば、１．０×１０^１３Ω・ｃｍ以上、好ましくは１．０×１０^１４Ω・ｃｍ以上、さらに好ましくは１．０×１０^１５Ω・ｃｍ以上の固有抵抗率を備える液晶材料を、液晶材料を含む層７５３に用いる。これにより、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の透過率の変動を抑制することができる。または、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）のチラツキを抑制することができる。または、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の書き換える頻度を低減することができる。

《電極７５１（ｉ，ｊ）》
例えば、配線等に用いる材料を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

《反射膜》
例えば、可視光を反射する材料を上記反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。

反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、第１の表示素子７５０を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。

反射膜は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｈが形成される形状を備える（図２５（Ａ）乃至図２５（Ｃ）参照）。

例えば、単数または複数の開口部を備える形状を反射膜に用いることができる。具体的には、多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を領域７５１Ｈに用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を領域７５１Ｈに用いることができる。

反射膜の総面積に対する領域７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。

また、反射膜の総面積に対する領域７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。または、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の信頼性が損なわれてしまう場合がある。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図２５（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図２５（Ｂ）参照）。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る行方向に延びる直線上に配設される（図２５（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に設けられた領域７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。

または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図２５（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。

このように配置された光を遮らない領域に重なるように第２の表示素子を配設することにより、一の画素に隣接する他の画素の第２の素子を、一の画素の第２の表示素子から遠ざけることができる。または、一の画素に隣接する他の画素の第２の表示素子に、一の画素の第２の表示素子が表示する色とは異なる色を表示する表示素子を配設することができる。または、異なる色を表示する複数の表示素子を、隣接して配設する際に生じる難易度を軽減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

または、領域７５１Ｈが形成されるように、端部が短く切除されたような形状を反射膜に用いることができる（図２５（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された形状を用いることができる。

《電極７５２》
例えば、配線等に用いることができる材料を、電極７５２に用いることができる。例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、透光性を備える材料を、電極７５２に用いることができる。

例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤー等を電極７５２に用いることができる。

具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを電極７５２に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、電極７５２に用いることができる。

《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理された材料または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。

例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。

《着色膜ＣＦ１》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１を例えばカラーフィルターに用いることができる。

例えば、青色の光を透過する材料、緑色の光を透過する材料または赤色の光を透過する材料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１を透過する光のスペクトルの幅を狭くすることができ、表示を鮮やかにすることができる。

また、例えば、青色の光を吸収する材料、緑色の光を吸収する材料または赤色の光を吸収する材料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。具体的には、イエローの光を透過する材料、マゼンタの光を透過する材料またはシアンの光を透過する材料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１に吸収される光のスペクトルの幅を狭くすることができ、表示を明るくすることができる。

《遮光膜ＢＭ》
例えば、光の透過を抑制する材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。

具体的には、顔料または染料を含む樹脂を遮光膜ＢＭに用いることができる。例えば、カーボンブラックを分散した樹脂を遮光膜に用いることができる。

または、無機化合物、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光膜ＢＭに用いることができる。具体的には、黒色クロム膜、酸化第２銅を含む膜、塩化銅または塩化テルルを含む膜を遮光膜ＢＭに用いることができる。

《絶縁膜７７１》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜７７１に用いることができる。例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。または、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜７７１に用いることができる。

《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。

具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。

《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（Ｑｕａｂｔｕｍｎ Ｄｏｔ ＬＥＤ）等を、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、発光性の有機化合物を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、量子ドットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。

例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、電極５５２に用いることができる。

《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。

例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。

なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。

《トランジスタ》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。

例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。

例えば、ポリシリコンを半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

例えば、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図２１（Ａ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。

導電膜５０４は、半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、ポリシリコンで形成された厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。

＜表示パネルの構成例４＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図２７を参照しながら説明する。

図２７は、本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図２７（Ａ）は図１８（Ａ）に示す切断線Ｙ１−Ｙ２に相当する位置における画素の断面図であり、図２７（Ｂ）は図２７（Ａ）に示す画素の一部の構成を説明する断面図である。

本構成例で説明する表示パネルの構成は、ゲスト・ホスト液晶モードを用いて駆動することができる液晶素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いる点が異なる他は、図１９を参照しながら説明する表示パネルと同様の構成を備える。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

本実施の形態で説明する表示パネルは、ゲスト・ホスト液晶モードを用いて駆動することができる液晶素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いる。これにより、偏光板を用いることなく反射型の表示パネルを提供することができる。または、表示パネルの表示を明るくすることができる。

《液晶材料を含む層７５３》
例えば、ネマチック液晶、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステリック相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。

また、例えば、二色性色素を液晶材料を含む層７５３に用いることができる。なお、二色性色素を含む液晶材料をゲスト・ホスト液晶という。

具体的には、分子の長軸方向に大きな吸光度を備え、長軸方向と直交する短軸方向に小さな吸光度を備える材料を、二色性色素に用いることができる。好ましくは、１０以上の二色性比を備える材料を二色性色素に用いることができ、より好ましくは、２０以上の二色性比を備える材料を二色性色素に用いることができる。

例えば、アゾ系色素、アントラキノン系色素、ジオキサジン系色素等を、二色性色素に用いることができる。

また、ホモジニアス配向した二色性色素を含む二層の液晶層を、配向方向が互いに直交するように重ねた構造を、液晶材料を含む層に用いることができる。これにより、全方位について光を吸収しやすくすることができる。または、コントラストを高めることができる。

また、相転移型ゲスト・ホスト液晶や、ゲスト・ホスト液晶を含む液滴を高分子に分散した構造を、液晶材料を含む層７５３に用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態に記載の画素１０の回路構成例について図２８乃至図３０を用いて説明を行う。

液晶素子を駆動する画素の回路構成の一例について、図２８（Ａ）に示す。図２８（Ａ）に示す画素３００は、トランジスタ３０１、容量素子３０２、および液晶素子３０３を有する。

本明細書等において、画素とは、例えば、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとする。よって、一例としては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。従って、そのときは、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるカラー表示装置の場合には、画像の最小単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との三画素から構成されるものとする。この場合、ＲＧＢのそれぞれの画素は副画素と呼び、ＲＧＢの画素を併せて画素と呼ぶ。

トランジスタ３０１のゲートは、ゲート線ＧＬに接続される。トランジスタ３０１のソース又はドレインの一方は、ソース線ＳＬに接続される。トランジスタ３０１のソース又はドレインの他方は、容量素子３０２および液晶素子３０３に接続される。

容量素子３０２の一方の電極は、トランジスタ３０１および液晶素子３０３に接続される。容量素子３０２の他方の電極は、容量線ＣＳＬに接続される。

液晶素子３０３の一方の電極は、トランジスタ３０１および容量素子３０２に接続される。液晶素子３０３の他方の電極は、共通電位線ＶＣＯＭＬ（コモン線）に接続される。

トランジスタ３０１は、オフ動作時（非導通状態時）にソースとドレインの間に流れる電流（オフ電流）を小さくすることが好ましい。例えば、チャネル形成領域を有する半導体層に低温ポリシリコンを適用したトランジスタとすることが好ましい。低温ポリシリコンを有するトランジスタは、チャネル長を長くすること、または２つのチャネル形成領域を有するトランジスタとし、当該トランジスタを同じゲートで駆動するダブルゲート構造とすることで、オフ電流を小さくすることができる。

次いで、発光素子を駆動する画素の回路構成の一例について、図２８（Ｂ）、（Ｃ）に示す。図２８（Ｂ）に示す画素３１０は、トランジスタ３１１、トランジスタ３１２、容量素子３１３、および発光素子３１４を有する。

トランジスタ３１１のゲートは、ゲート線ＧＬに接続される。トランジスタ３１１のソース又はドレインの一方は、ソース線ＳＬに接続される。トランジスタ３０１のソース又はドレインの他方は、トランジスタ３１２および容量素子３１３に接続される。

トランジスタ３１２のゲートは、トランジスタ３１１および容量素子３１３に接続される。トランジスタ３１２のソース又はドレインの一方は、アノード線ＡＬに接続される。トランジスタ３１２のソース又はドレインの他方は、発光素子３１４に接続される。また図２８（Ｂ）において、スイッチとして機能するトランジスタ３１１をｎチャネル型、駆動トランジスタとして機能するトランジスタ３１２をｐチャネル型として図示している。当該構成とすることで、電界効果移動度の高いｎチャネル型をスイッチとして用い、駆動トランジスタのソース側の電圧をアノード線ＡＬの電圧に設定できるため、安定した動作を図ることができる。

容量素子３１３の一方の電極は、トランジスタ３１１およびトランジスタ３１２に接続される。容量素子３１３の他方の電極は、容量線ＣＳＬに接続される。

発光素子３１４の一方の電極は、トランジスタ３１２に接続される。発光素子３１４の他方の電極は、カソード線ＣＬに接続される。

トランジスタ３１１は、オフ動作時（非導通状態時）にソースとドレインの間に流れる電流（オフ電流）を小さくすることが好ましい。例えば、チャネル形成領域を有する半導体層に低温ポリシリコンを適用したトランジスタとすることが好ましい。低温ポリシリコンを有するトランジスタは、チャネル長を長くすること、または２つのチャネル形成領域を有するトランジスタとし、当該トランジスタを同じゲートで駆動するダブルゲート構造とすることで、オフ電流を小さくすることができる。

図２８（Ｃ）では、図２８（Ｂ）とは異なる回路構成を有する画素３１０Ａを図示している。図２８（Ｃ）に示す画素３１０Ａは、トランジスタ３１１、トランジスタ３１２、容量素子３１３、および発光素子３１４の他、トランジスタ３１５を有する。図２８（Ｃ）の回路構成とすることで、画素ごとによる、トランジスタの閾値電圧のばらつきを補正することができる。

オフ電流を小さくする構成とし、トランジスタ３０１、３１１のオフ状態を保持することで、画素３００、３１０に書き込んだ画像データ（ビデオ電圧）を保持することができる。そのため、画素３００、３１０への画像データを長期間保持することが可能になり、静止画像を表示している間、画像データのリフレッシュ頻度を少なくすることができる。すなわち、画素３００、３１０はＩＤＳ駆動が可能になる。その結果、表示装置の消費電力を低減することが可能になる。加えて、タッチ検出時におけるＳ／Ｎ比の向上を図ることができる。

なお図２８（Ａ）では１つの画素に１つのトランジスタ及び１つの容量素子を備えた１Ｔ−１Ｃの回路構成、あるいは図２８（Ｂ）では１つの画素に２つのトランジスタ及び１つの容量素子を備えた２Ｔ−１Ｃ構造の回路構成を示しているが、本実施の形態はこれに限定されない。１つの画素に３つ以上のトランジスタ及び２つ以上の容量素子を有する回路構成とすることもでき、別途の配線がさらに形成されて、多様な回路構成としてもよい。あるいは画素の回路構成にＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）を有する構成としてもよい。

一例として、液晶素子を駆動する画素の回路構成において、ＳＲＡＭを有する回路構成について図２９（Ａ）に示す。図２９（Ａ）に示す画素３２０は、トランジスタ３２１、トランジスタ３２２、トランジスタ３２３、ＳＲＡＭ３２４、および液晶素子３２５を有する。

トランジスタ３２１のゲートは、ゲート線ＧＬに接続される。トランジスタ３２１のソース又はドレインの一方は、ソース線ＳＬに接続される。トランジスタ３２１のソース又はドレインの他方は、トランジスタ３２２およびＳＲＡＭ３２４に接続される。

ＳＲＡＭ３２４は、ｐチャネル型とｎチャネル型のトランジスタを２つずつ有している。ｐチャネル型トランジスタのソースは高電圧側電源線ＶＤＤＬに接続される。ｎチャネル型トランジスタのソースは低電圧側電源線ＶＳＳＬに接続される。図２９（Ａ）に図示するように、対になったｐチャネルとｎチャネル型のトランジスタのドレインは互いに接続され、もう一対のｐチャネルとｎチャネル型のトランジスタのゲートに接続される。ＳＲＡＭ３２４は、ソース線ＳＬから書き込まれる入力信号と、当該入力信号の反転信号を別々の端子で保持する。ＳＲＡＭ３２４の入力信号を保持する端子を入力端子と、反転信号を保持する端子を反転入力端子という。

なおＳＲＡＭ３２４は、１ビットの信号を保持することができる。多ビットの信号によってより多くの階調を表示させる場合、面積階調等の別の方式と組み合わせる構成とすればよい。または画素内に複数のＳＲＡＭを設け、デジタルアナログ変換回路等によってアナログ信号に変換し、多くの階調を表示させる構成としてもよい。

トランジスタ３２２のゲートは、トランジスタ３２１およびＳＲＡＭ３２４の入力端子に接続される。トランジスタ３２２のソース又はドレインの一方は、信号線ＶＬＣ１に接続される。トランジスタ３２２のソース又はドレインの他方は、トランジスタ３２３および液晶素子３２５に接続される。

トランジスタ３２３のゲートは、ＳＲＡＭ３２４の反転入力端子に接続される。トランジスタ３２３のソース又はドレインの一方は、信号線ＶＬＣ２に接続される。トランジスタ３２３のソース又はドレインの他方は、トランジスタ３２２および液晶素子３２５に接続される。

液晶素子３２５の一方の電極は、トランジスタ３２２および３２３に接続される。液晶素子３２５の他方の電極は、信号線ＶＣＯＭに接続される。

なお信号線ＶＬＣ１および信号線ＶＬＣ２には、異なる電圧が与えられる。ＳＲＡＭ３２４に保持される入力信号に応じていずれか一方の電圧が液晶素子３２５に与えられる。信号線ＶＬＣ１および信号線ＶＬＣ２の電圧を交互に液晶素子３２５に与えることで液晶素子３２５の反転駆動を行うことができる。

次いで発光素子を駆動する画素の回路構成において、ＳＲＡＭを有する回路構成について図２９（Ｂ）に示す。図２９（Ｂ）に示す画素３３０は、トランジスタ３３１、トランジスタ３３２、ＳＲＡＭ３３３、および発光素子３３４を有する。

トランジスタ３３１のゲートは、ゲート線ＧＬに接続される。トランジスタ３３１のソース又はドレインの一方は、ソース線ＳＬに接続される。トランジスタ３３１のソース又はドレインの他方は、ＳＲＡＭ３３３に接続される。

ＳＲＡＭ３３３は、ｐチャネル型とｎチャネル型のトランジスタを２つずつ有している。ｐチャネル型トランジスタのソースは高電圧側電源線ＶＤＤＬに接続される。ｎチャネル型トランジスタのソースは低電圧側電源線ＶＳＳＬに接続される。図２９（Ｂ）に図示するように、対になったｐチャネルとｎチャネル型のトランジスタのドレインは互いに接続され、もう一対のｐチャネルとｎチャネル型のトランジスタのゲートに接続される。ＳＲＡＭ３３３は、ソース線ＳＬから書き込まれる入力信号と、当該入力信号の反転信号を別々の端子で保持する。ＳＲＡＭ３３３の入力信号を保持する端子を入力端子と、反転信号を保持する端子を反転入力端子という。

なおＳＲＡＭ３３３は、１ビットの信号を保持することができる。多ビットの信号によってより多くの階調を表示させる場合、面積階調等の別の方式と組み合わせる構成とすればよい。または画素内に複数のＳＲＡＭを設け、デジタルアナログ変換回路等によってアナログ信号に変換し、多くの階調を表示させる構成としてもよい。

トランジスタ３３２のゲートは、ＳＲＡＭ３３３の反転入力端子に接続される。トランジスタ３３２のソース又はドレインの一方は、アノード線ＡＬに接続される。トランジスタ３３２のソース又はドレインの他方は、発光素子３３４に接続される。トランジスタ３３２のゲートは、ＳＲＡＭ３３３の入力端子に接続される構成でもよい。

発光素子３３４の一方の電極は、トランジスタ３３２に接続される。発光素子３３４の他方の電極は、カソード線ＣＬに接続される。

画素３２０、３３０は、トランジスタ３２１、３３１でのオフ電流を小さくすることなく、書き込んだ画像データ（ビデオ電圧）を保持することができる。そのため、画素３２０、３３０への画像データを長期間保持することが可能になり、静止画像を表示している間、画像データのリフレッシュ頻度を少なくすることができる。すなわち、画素３２０、３３０はＩＤＳ駆動が可能になる。その結果、表示装置の消費電力を低減することが可能になる。加えて、タッチ検出時におけるＳ／Ｎ比の向上を図ることができる。

なお図２９（Ａ）では液晶素子３２５を駆動するための画素の回路構成にＳＲＡＭ３２４を有する構成の一例を図示したが、その他の構成でもよい。例えば図３０（Ａ）に図示する画素３４０Ａのようにトランジスタ３２１、ＳＲＡＭ３２４、および液晶素子３２５を有する回路構成とすることもできる。あるいは、図３０（Ｂ）に図示する画素３４０Ｂのようにトランジスタ３２１、ＳＲＡＭ３２４、および液晶素子３２５を有する回路構成において、トランジスタ３２６をインバータループ内に追加することもできる。

なお図２９（Ｂ）では発光素子３３４を駆動するための画素の回路構成にＳＲＡＭ３３３を有する構成の一例を図示したが、その他の構成でもよい。例えば図３０（Ｃ）に図示する画素３５０Ａのようにトランジスタ３３１、ＳＲＡＭ３３３、および発光素子３３４を有する回路構成とすることもできる。あるいは、図３０（Ｄ）に図示する画素３５０Ｂのようにトランジスタ３３１、ＳＲＡＭ３３３、および発光素子３３４を有する回路構成において、トランジスタ３３５をインバータループ内に追加することもできる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態に記載の表示装置５０の構成例について図３１乃至図３７を用いて説明を行う。

図３１乃至図３３に、表示装置５０の断面模式図を示す。なお、図３１乃至図３３に示す断面模式図は、タッチセンサの動作を説明する上で必要な構成要素のみが描かれている。例えば、基板４１１上にトランジスタなどの素子が設けられる場合もあるが、ここでは省略することにする。

図３１（Ａ）に示す表示装置５０は、基板４１１、基板４１２、ＦＰＣ４１３、配線４１４、液晶素子４２０、着色膜４３１、電極４４１等を有する。

液晶素子４２０は、電極４２１、電極４２２及び液晶４２３により構成される。電極４２１上には絶縁膜４２４を介して電極４２２が配置されている。電極４２１は液晶素子４２０のコモン電極として機能し、電極４２２は画素電極として機能する。

電極４２１および電極４２２は、液晶４２３の厚さ方向（図中Ａ１‐Ａ２方向）と交差する電界を形成するように配置される。液晶４２３としては、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、またはＶＡ−ＩＰＳ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードで動作する液晶材料を用いることができる。

タッチセンサは、基板４１２側に設けられた電極４４１と、液晶素子４２０の一対の電極の一方として機能する電極４２１との間に形成される容量を利用して検出することができる。

電極４４１は基板４１２の表示面側（基板４１１と反対側）の面に設けられる。また、電極４４１は、基板４１２側に設けられたＦＰＣ４４３と電気的に接続される。電極４２１は、配線４１４を介して基板４１１側に取り付けられたＦＰＣ４１３と電気的に接続する。

図３１（Ａ）に示す表示装置５０は、電極４２１を画素電極、電極４２２をコモン電極とし、電極４４１と電極４２２との間に形成される容量を利用して、タッチ検出を行ってもよい。その場合の模式図を図３１（Ｂ）に示す。

図３１（Ａ）に示す表示装置５０は、電極４４１を基板４１２と液晶４２３の間に設けてもよい。その場合の模式図を図３１（Ｃ）に示す。

図３１（Ｂ）に示す表示装置５０は、電極４４１を基板４１２と液晶４２３の間に設けてもよい。その場合の模式図を図３１（Ｄ）に示す。

図３１（Ａ）乃至図３１（Ｄ）に示す構成とすることで、液晶素子４２０の一方の電極を、タッチセンサの一対の電極の一方と兼ねることができる。よって、工程を簡略化することができ、製造コストを低減することができる。

図３１（Ａ）に示す表示装置５０は、電極４４１およびＦＰＣ４４３を設けない構成でもよい。その場合の模式図を図３２（Ａ）に示す。

図３２（Ａ）において、液晶素子４２０のコモン電極として機能する電極４２１ａ及び電極４２１ｂが、タッチセンサの一対の電極としても機能する。

図３２（Ａ）に示す表示装置５０は、電極４２２をコモン電極としてもよい。その場合の模式断面図を図３２（Ｂ）に示す。図３２（Ｂ）において、電極４２２ａ及び電極４２２ｂが、タッチセンサの一対の電極として機能する。

図３２（Ａ）または図３２（Ｂ）に示す構成とすることで、タッチセンサの一対の電極の両方を、液晶素子４２０の一方の電極で兼ねることができる。よって、図３１（Ａ）、（Ｂ）の場合よりも、より工程を簡略化することができる。

図３１（Ａ）に示す表示装置５０は、電極４４１だけでタッチセンサの一対の電極を形成してもよい。その場合の断面模式図を図３３（Ａ）に示す。

図３３（Ａ）において、基板４１２上に設けられた電極４４１ａ及び電極４４１ｂが、タッチセンサの一対の電極として機能する。

図３３（Ａ）に示す表示装置５０は、電極４４１ａおよび電極４４１ｂを基板４１２と液晶４２３の間に設けてもよい。その場合の断面模式図を図３３（Ｂ）に示す。

図３３（Ａ）または図３３（Ｂ）の場合、電極４４１ａ及び電極４４１ｂは、液晶素子４２０の電極（電極４２１、電極４２２）から遠ざけられている。そのため、電極４４１ａと電極４４１ｂが形成する電界と、液晶素子４２０が形成する電界が干渉することはない。また、電極４４１ａ及び電極４４１ｂは、基板４１１上に形成された配線やトランジスタなど、ノイズの発生源となり得るものから遠ざけられている。そのため、図３３（Ａ）または図３３（Ｂ）に示す表示装置５０は、タッチ検出の感度を高めることができる。

図３３（Ａ）または図３３（Ｂ）のようにタッチセンサの電極を設けた場合、液晶４２３として、基板４１１に対して垂直方向に電界を印加することで表示を行う液晶を用いることができる。その場合の断面模式図を図３４（Ａ）、（Ｂ）に示す。

図３４（Ａ）、（Ｂ）において、液晶４２３を上下に挟むように、電極４２１および電極４２２が設けられている。この場合も、電極４４１ａと電極４４１ｂが形成する電界と、液晶素子４２０が形成する電界が干渉することはない。液晶４２３として、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ））モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードなどを用いることができる。

図３３（Ａ）または図３３（Ｂ）のようにタッチセンサの電極を設けた場合、表示素子としてＥＬ素子を用いることができる。その場合の断面模式図を図３５（Ａ）乃至（Ｃ）に示す。

図３５（Ａ）に示す表示装置５０は、図３３（Ａ）に示す液晶素子４２０を、ＥＬ素子４６３に置き替えたものである。同様に、図３５（Ｂ）に示す表示装置５０は、図３３（Ｂ）に示す液晶素子４２０を、ＥＬ素子４６３に置き替えたものである。

図３５（Ａ）、（Ｂ）において、ＥＬ素子４６３は、電極４６４、ＥＬ層４６５、電極４６６を有する。電極４６４は、ＥＬ素子４６３の陽極または陰極の一方としての機能を有し、電極４６６は、ＥＬ素子４６３の陽極または陰極の他方としての機能を有する。また、電極４６６は反射膜としての機能を有し、電極４６４は可視光を透過する機能を有する。ＥＬ層４６５は発光層を有し、電極４６４と電極４６６の間に電圧を印加すると、ＥＬ層４６５に電流が流れ、ＥＬ層４６５が発光する。ＥＬ層４６５が呈する光は、着色膜４３１及び基板４１２を介して、外部に取り出される。

図３５（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置５０は、電極４４１ａおよび電極４４１ｂを基板４１１に設けてもよい。その場合の断面模式図を図３５（Ｃ）に示す。この場合、電極４６４は反射膜としての機能を有し、電極４６６は可視光を透過する機能を有する。ＥＬ層４６５が呈する光は、着色膜４３１及び基板４１１を介して、外部に取り出される。なお、図３５（Ｃ）において、電極４４１ａおよび電極４４１ｂは、基板４１１とＥＬ素子４６３の間に設けてもよい。

図３５（Ａ）乃至（Ｃ）において、電極４４１ａと電極４４１ｂが形成する電界は、ＥＬ素子４６３によって遮られることはない。そのため、タッチセンサは、感度の高いタッチ検出を行うことができる。

次に、図３６および図３７を用いて表示装置５０のより具体的な構成例について説明を行う。

図３６に示す断面図は、図３２（Ａ）に示す表示装置５０の断面模式図をより詳細に説明した図である。

図３６に示す表示装置は電極６２５を有しており、電極６２５はＦＰＣ４１３が有する端子と、異方性導電層６２６を介して、電気的に接続されている。また、電極６２５は、絶縁層６２４に形成された開口において配線４１４と電気的に接続されている。電極６２５は、第１の電極４２２と同じ導電層から形成されている。

また、第１の基板４１１上に設けられた画素１０とゲートドライバ６２は、トランジスタを複数有しており、図３６では、画素１０に含まれるトランジスタ６０１と、ゲートドライバ６２に含まれるトランジスタ６０２とを例示している。図３６では、トランジスタ６０１およびトランジスタ６０２上に、絶縁層６２４が設けられている。

《トランジスタ６０１、６０２》
トランジスタ６０１およびトランジスタ６０２は、基板４１１上に絶縁層６２１が設けられ、絶縁層６２１上に半導体層６１２が設けられ、半導体層６１２上に絶縁層６２２が設けられ、絶縁層６２２上に電極６１７が設けられている。また、半導体層６１２と接するように電極６１０および電極６１１が設けられている。電極６１０及び電極６１１は、配線４１４と同じ導電層で形成されている。

トランジスタ６０１およびトランジスタ６０２において、電極６１７はゲート電極（トップゲート）としての機能を有し、電極６１０はソース電極またはドレイン電極の一方としての機能を有し、電極６１１はソース電極またはドレイン電極の他方としての機能を有する。

トランジスタ６０１及びトランジスタ６０２はトップゲートの他、バックゲートを有することで、オン電流を増大させる構成とすることもできる。また、トランジスタの閾値を制御することができる。

トランジスタ６０１およびトランジスタ６０２において、半導体層６１２はチャネル形成領域としての機能を有する。半導体層６１２として、ポリシリコンなどを用いればよい。

ポリシリコンは、スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等によりアモルファスシリコン膜を形成した後、結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）によって結晶化を行った結晶構造を有する。

トランジスタ６０１、６０２としてＰＳトランジスタを用いることで、トランジスタ６０１、６０２は、オフ状態における電流値（オフ電流値）を低くするとともに、オン状態における電流値（オン電流値）を大きくすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、画像信号等のデータの書き込み時間を短くできる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。

《液晶素子４２０》
図３６は、表示素子として液晶素子を用いた液晶表示パネルの一例である。図３６において、表示素子である液晶素子４２０は、第１の電極４２２、第２の電極４２１、及び液晶４２３を含む。なお、液晶４２３を挟持するように配向膜６３１、配向膜６３２が設けられている。第２の電極４２１は、液晶材料を含む層の厚さ方向と交差する方向の電界を、第１の電極４２２との間に形成するように配置される。

例えば、液晶４２３として、ＦＦＳモード、ＶＡ−ＩＰＳモード、ＩＰＳモード、で動作する液晶材料を用いることができる。

《基板４１１》
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板４１１等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板４１１等に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板４１１等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板４１１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板４１１等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板４１１等に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板４１１等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板４１１等に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板４１１等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板４１１等に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板４１１等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板４１１等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板４１１等に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板４１１等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板４１１等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板４１１等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板４１１等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板４１１等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板４１１等に用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル樹脂等を基板４１１等に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。

また、紙または木材などを基板４１１等に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基板を基板４１１等に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板４１１等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

《基板４１２》
例えば、基板４１１に用いることができる材料を基板４１２に用いることができる。例えば、基板４１１に用いることができる材料から選択された透光性を備える材料を、基板４１２に用いることができる。または、片側の表面に、例えば１μｍ以下の反射防止膜が形成された材料を基板４１２に用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した材料を基板４１２に用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。または、基板４１１に用いることができる材料から選択された複屈折が抑制された材料を、基板４１２に用いることができる。

例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板４１２に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。

例えば、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等の樹脂フィルムを、基板４１２に好適に用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。

《着色膜４３１、遮光膜６３０、絶縁層６２９》
基板４１２の基板４１１側の面には、着色膜４３１、遮光膜６３０、絶縁層６２９等が設けられている。

着色膜４３１は、所定の色の光を透過する機能を有する。すなわち、着色膜４３１はカラーフィルタとしての機能を有する。

遮光膜６３０は光の透過を抑制する機能を有する。すなわち、遮光膜６３０はブラックマトリクスとしての機能を有する。具体的には、顔料または染料を含む樹脂を遮光膜６３０に用いることができる。例えば、カーボンブラックを分散した樹脂を遮光膜６３０に用いることができる。または、無機化合物、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光膜６３０に用いることができる。具体的には、黒色クロム膜、酸化第２銅を含む膜、塩化銅または塩化テルルを含む膜を遮光膜６３０に用いることができる。

絶縁層６２９は、着色膜４３１、遮光膜６３０等に含まれる不純物が液晶４２３に拡散することを防ぐオーバーコートとしての機能を有する。また、着色膜４３１および遮光膜６３０に基づく凹凸を平坦にする機能を有する。

《その他の構成要素》
スペーサ６３３は絶縁層を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、絶縁層６２９と絶縁層６２４との間の距離（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。

シール材６２７には、ガラスフリットなどのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることができる。また、シール材６２７に乾燥剤が含まれていてもよい。

必要に応じて、基板４１２に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板などの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

図３７に示す断面図は、図３５（Ｂ）に示す表示装置５０の断面模式図をより詳細に説明した図である。なお、図３６と図３７で重複する部分は符号を同じくし、説明を省略する。

図３７は、表示素子としてＥＬ素子などの発光素子を用いた表示パネルの一例である。以下、ＥＬ素子４６３は有機ＥＬ素子として説明を行う。

《ＥＬ素子４６３》
図３７において、ＥＬ素子４６３は、画素１０に設けられたトランジスタ６０１と電気的に接続している。なおＥＬ素子４６３の構成は、第１の電極４６６、ＥＬ層４６５、第２の電極４６４の積層構造であるが、この構成に限定されない。ＥＬ素子４６３から取り出す光の方向などに合わせて、ＥＬ素子４６３の構成は適宜変えることができる。

隔壁６６１は、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、第１の電極４６６上に開口部を形成し、その開口部の側面が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。

ＥＬ層４６５は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。

また、ＥＬ素子４６３をマイクロキャビティ構造とすることで、色純度の高い光を取り出すことができる。また、マイクロキャビティ構造とカラーフィルタを組み合わせることで、映り込みが低減し、表示画像の視認性を高めることができる。

第１の電極４６６、第２の電極４６４は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、インジウム錫酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。

また、第１の電極４６６、第２の電極４６４はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）などの金属、またはその合金、もしくはその金属窒化物から一種以上を用いて形成することができる。

また、第１の電極４６６、第２の電極４６４として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、もしくは、アニリン、ピロールおよびチオフェンの２種以上からなる共重合体またはその誘導体等が挙げられる。

ＥＬ素子４６３が光を外部に取り出すため、少なくとも第１の電極４６６または第２の電極４６４の一方が透明であればよい。図３７は、基板４１２から光を取り出すため、第２の電極４６４が透明であることが好ましい。

ＥＬ素子４６３に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極４６４および隔壁６６１上に保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）などを形成することができる。また、第１の基板４１１、第２の基板４１２、及びシール材６２７によって封止された空間には充填材６２８が設けられ密封されている。このように、外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。

充填材６２８としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル樹脂、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）などを用いることができる。また、充填材６２８に乾燥剤が含まれていてもよい。

《その他の構成要素》
基板４１２の基板４１１側の面には、着色膜４３１、遮光膜６３０、配線６３４、配線６６２、電極４４１ａ、電極４４１ｂ、絶縁層６６３、等が設けられている。また、配線６３４はＦＰＣ４４３が有する端子と、異方性導電層６５４を介して、電気的に接続されている。

配線６３４と電極４４１ａ、４４１ｂは、同じ導電性材料を用いて同時に形成される。

図３６と同様に、必要に応じて、基板４１２に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板などの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、上記実施の形態に記載の表示装置を適用することが可能な情報処理装置について、図３８および図３９を参照しながら説明する。

図３８および図３９は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図３８（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図３８（Ｂ）乃至図３８（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図３９（Ａ）乃至図３９（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。

＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０とを、有する（図３８（Ａ）参照）。

演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。

入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。

入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。

具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、音声入力装置、視線入力装置などを、入力部５２４０に用いることができる。

表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、上記実施の形態に記載の表示装置５０を表示部５２３０に用いることができる。

検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。

具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。

通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。

《情報処理装置の構成例１．》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図３８（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。

《情報処理装置の構成例２．》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図３８（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。

《情報処理装置の構成例３．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３８（Ｄ）参照）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。

《情報処理装置の構成例４．》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図３８（Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。

《情報処理装置の構成例５．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３９（Ａ）参照）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。

《情報処理装置の構成例６．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３９（Ｂ）参照）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。

《情報処理装置の構成例７．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３９（Ｃ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。

《情報処理装置の構成例８．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３９（Ｄ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。

《情報処理装置の構成例９．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３９（Ｅ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

Ａ１ 領域
ＡＣＦ１ 導電材料
ＡＦ１ 配向膜
ＡＦ２ 配向膜
Ｃ１ 矢印
Ｃ１ 容量素子
Ｃ２ 容量素子
ＣＦ１ 着色膜
ＣＬＩＮ１ 入力端子
ＣＬＩＮ３ 入力端子
ＣＬＫ１ クロック信号
ＣＬＫ４ クロック信号
Ｇ１ 走査線
Ｇ２ 走査線
ＫＢ１ 構造体
ＯＵＴ＿ｎ 出力端子
ＯＵＴ＿１ 出力端子
Ｐ１ 期間
Ｐ２ 期間
Ｐｔ２ 期間
ＰＷＣ１ パルス幅制御信号
ＰＷＣ４ パルス幅制御信号
Ｒ１ 矢印
Ｓ１ 信号線
Ｓ２ 信号線
ＳＷ１ スイッチ
ＳＷ２ スイッチ
ＶＣＯＭ１ 配線
ＶＣＯＭ２ 導電膜
Ｘ０ 隣接部
Ｘ１−Ｘ２ 切断線
Ｘ３−Ｘ４ 切断線
Ｘ５−Ｘ６ 切断線
Ｘ７−Ｘ８ 切断線
Ｘ９−Ｘ１０ 切断線
Ｙ１−Ｙ２ 切断線
１０ 画素
５０ 表示装置
６０ 表示ユニット
６１ 画素アレイ
６２ ゲートドライバ
６３ ゲートドライバ
６４ ソースドライバＩＣ
６４ａ ソースドライバＩＣ
６４ｄ ソースドライバＩＣ
７０ タッチセンサユニット
７１ センサアレイ
７２ タッチセンサＩＣ
８０ アプリケーションプロセッサ
９０ タブレット型情報端末
９１ 表示領域
９２ イラスト
９３ 枠
９４ 枠
９５ スタイラス
１００ 回路
１０１ トランジスタ
１０９ トランジスタ
１１０ 回路
１１１ トランジスタ
１１３ トランジスタ
１２０ 回路
１２１ トランジスタ
１２３ トランジスタ
３００ 画素
３０１ トランジスタ
３０２ 容量素子
３０３ 液晶素子
３１０ 画素
３１０Ａ 画素
３１１ トランジスタ
３１２ トランジスタ
３１３ 容量素子
３１４ 発光素子
３１５ トランジスタ
３２０ 画素
３２１ トランジスタ
３２２ トランジスタ
３２３ トランジスタ
３２４ ＳＲＡＭ
３２５ 液晶素子
３２６ トランジスタ
３３０ 画素
３３１ トランジスタ
３３２ トランジスタ
３３３ ＳＲＡＭ
３３４ 発光素子
３３５ トランジスタ
３４０Ａ 画素
３４０Ｂ 画素
３５０Ａ 画素
３５０Ｂ 画素
４０２ 駆動回路
４０３ 検出回路
４０４ 容量
４１１ 基板
４１２ 基板
４１３ ＦＰＣ
４１４ 配線
４２０ 液晶素子
４２１ 電極
４２１ａ 電極
４２１ｂ 電極
４２２ 電極
４２２ａ 電極
４２２ｂ 電極
４２３ 液晶
４２４ 絶縁膜
４３１ 着色膜
４４１ 電極
４４１ａ 電極
４４１ｂ 電極
４４３ ＦＰＣ
４６３ ＥＬ素子
４６４ 電極
４６５ ＥＬ層
４６６ 電極
４７５ 検知素子
５０１Ｂ 絶縁膜
５０１Ｃ 絶縁膜
５０４ 導電膜
５０５ 接合層
５０６ 絶縁膜
５０８ 半導体膜
５１１Ｂ 導電膜
５１２Ａ 導電膜
５１２Ｂ 導電膜
５１６ 絶縁膜
５１８ 絶縁膜
５１９Ｂ 端子
５２０ 機能層
５２１ 絶縁膜
５２１Ａ 絶縁膜
５２１Ｂ 絶縁膜
５２１Ｃ 絶縁膜
５２２ 接続部
５２８ 絶縁膜
５３０ 画素回路
６３１ 配向膜
６３２ 配向膜
５５０ 表示素子
５５１ 電極
５５２ 電極
５５３ 層
５６０ 光学素子
５６０Ａ 領域
５６０Ｂ 領域
５６０Ｃ 領域
５６５ 被覆膜
５７０ 基板
５９１Ａ 開口部
５９２Ｂ 開口部
６０１ トランジスタ
６０２ トランジスタ
６１０ 電極
６１１ 電極
６１２ 半導体層
６１７ 電極
６２１ 絶縁層
６２２ 絶縁層
６２４ 絶縁層
６２５ 電極
６２６ 異方性導電層
６２７ シール材
６２８ 充填材
６２９ 絶縁層
６３０ 遮光膜
６３３ スペーサ
６３４ 配線
６５４ 異方性導電層
６６１ 隔壁
６６２ 配線
６６３ 絶縁層
７００ 表示ユニット
７０２ 画素
７０３ 画素
７０５ 封止材
７２０ 機能層
７５０ 表示素子
７５１ 電極
７５１Ｂ 反射膜
７５１Ｈ 領域
７５２ 電極
７５３ 層
７７０ 基板
７７０Ｂ 接合層
７７０Ｄ 機能膜
７７０Ｐ 機能膜
７７０ＰＡ 機能膜
７７０ＰＢ 機能膜
７７１ 絶縁膜
７７１Ａ 絶縁膜
７７１Ｂ 絶縁膜
８０１ 制御回路
８０２ ドライバ
８０３ フレームメモリ
８０４ フレームメモリ
８０６ ゲートドライバ信号生成回路
８０７ ゲートドライバ信号生成回路
８１０ タイミングコントローラ
５２００Ｂ 情報処理装置
５２１０ 演算装置
５２２０ 入出力装置
５２３０ 表示部
５２４０ 入力部
５２５０ 検知部
５２９０ 通信部

Claims (5)

1. 複数の画素と、
   ゲートドライバと、
   タッチセンサユニットと、を有する表示装置の動作方法において、
   第１の期間と、
   第２の期間と、を有し、
   前記第１の期間において、前記タッチセンサユニットがタッチを検出し、
   前記第２の期間において、前記タッチセンサユニットがタッチの検出を停止し、
   前記画素は、反射素子と、発光素子と、を有し、
   前記ゲートドライバは、前記第２の期間において、前記複数の画素のうち、一部の画素に信号を供給し、残りの画素には信号を供給しないことを特徴とする表示装置の動作方法。
2. 請求項１において、
   前記第１の期間および前記第２の期間は、１フレーム期間に含まれることを特徴とする表示装置の動作方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記複数の画素は、チャネル形成領域にポリシリコンを有するトランジスタを含むことを特徴とする表示装置の動作方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記複数の画素は、ＳＲＡＭを有する回路構成であることを特徴とする表示装置の動作方法。
5. アプリケーションプロセッサと、
   表示ユニットと、
   タッチセンサユニットと、を有し、
   前記アプリケーションプロセッサは、第１の期間と、第２の期間と、に分けて制御する機能を有し、
   前記第１の期間は、前記表示ユニットが画像を書き換える期間であり、
   前記第２の期間は、前記タッチセンサユニットが検出を行う期間であり、
   前記表示ユニットは、表示領域の全領域を書き換える第１のモードと、表示領域の一部領域を書き換える第２のモードと、表示領域の全領域を書き換えない第３のモードと、を有し、
   前記第２のモードおよび前記第３のモードにおいて、前記第１のモードと比べて、前記第２の期間が長いことを特徴とする、表示装置。

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