JPH023988A - 半導体装置の電極構造 - Google Patents
半導体装置の電極構造Info
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- JPH023988A JPH023988A JP15206188A JP15206188A JPH023988A JP H023988 A JPH023988 A JP H023988A JP 15206188 A JP15206188 A JP 15206188A JP 15206188 A JP15206188 A JP 15206188A JP H023988 A JPH023988 A JP H023988A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はダイオードなどの半導体装置の電極構造、特に
オーミック電極構造に関するものである。
オーミック電極構造に関するものである。
第2図は、従来のpn接合ダイオードのアノード電極の
構造を示す断面図である。半絶縁性基板1上にn−半導
体結晶層2が形成されており、さらにその上の特定領域
にp型の半導体結晶層3が形成され、このp型の半導体
結晶層3の上にp型半導体とオーミック接触するp型金
属電極4が形成されている。
構造を示す断面図である。半絶縁性基板1上にn−半導
体結晶層2が形成されており、さらにその上の特定領域
にp型の半導体結晶層3が形成され、このp型の半導体
結晶層3の上にp型半導体とオーミック接触するp型金
属電極4が形成されている。
しかし、従来のこのような電極構造においては、pn接
合が素子表面に露出しているため表面リーク電流が発生
し、高い素子耐圧を得ることができないなど半導体素子
の特性に悪影響を及ぼしていた。
合が素子表面に露出しているため表面リーク電流が発生
し、高い素子耐圧を得ることができないなど半導体素子
の特性に悪影響を及ぼしていた。
本発明の課題は、このような問題点を解消することにあ
る。
る。
上記課題を解決するために本発明の電極構造は、第1の
半導体層と第2の半導体層との間に真性半導体層が設け
られており、第2の半導体層表面から真性半導体層を経
て第1の半導体層にいたるまで第2の半導体層と同一の
導電型を有するイオン注入部が形成されているものであ
る。
半導体層と第2の半導体層との間に真性半導体層が設け
られており、第2の半導体層表面から真性半導体層を経
て第1の半導体層にいたるまで第2の半導体層と同一の
導電型を有するイオン注入部が形成されているものであ
る。
第2半導体層上の金属電極と第1半導体層とがイオン注
入部を介して電気的に接続しており、しかも、第1半導
体層と第2半導体層との間に真性半導体層が介在してい
るので、第1半導体層と第2半導体層との間の表面露出
部でのリーク電流が生じ難い。。
入部を介して電気的に接続しており、しかも、第1半導
体層と第2半導体層との間に真性半導体層が介在してい
るので、第1半導体層と第2半導体層との間の表面露出
部でのリーク電流が生じ難い。。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図であり、フォト
ダイオードのアノード電極部を示すものである。InP
半絶縁性基板1上にはn−半導体結晶層としてのアンド
ープGa I nAs半導体層2が例えば1μmの膜厚
で形成されており、その表面の一部に高抵抗層としての
アンドープInP半導体層5およびp型半導体層として
のジンクドープInP半導体層3がそれぞれ例えば10
0OAの膜厚で形成されている。そして、p型1nP半
導体層3の表面からアンドープGa I nAs半導体
層2に至るp型のイオン注入部6が形成されている。p
型1nP半導体層3の上には、金−亜鉛一金からなるp
型金属電極4が形成されている。
ダイオードのアノード電極部を示すものである。InP
半絶縁性基板1上にはn−半導体結晶層としてのアンド
ープGa I nAs半導体層2が例えば1μmの膜厚
で形成されており、その表面の一部に高抵抗層としての
アンドープInP半導体層5およびp型半導体層として
のジンクドープInP半導体層3がそれぞれ例えば10
0OAの膜厚で形成されている。そして、p型1nP半
導体層3の表面からアンドープGa I nAs半導体
層2に至るp型のイオン注入部6が形成されている。p
型1nP半導体層3の上には、金−亜鉛一金からなるp
型金属電極4が形成されている。
本実施例はこのように構成されているので、アンドープ
Ga1nAs半導体層2とp型イオン注入部6との境界
部がpn接合部となり、pn接合部が表面に露出しない
。したがって、従来のような素子表面におけるリーク電
流を防ぐことができる。表面リーク電流がなくなれば、
素子耐圧が向上し、素子性能を発揮するのに十分なバイ
アス電圧を印加することが可能となる。
Ga1nAs半導体層2とp型イオン注入部6との境界
部がpn接合部となり、pn接合部が表面に露出しない
。したがって、従来のような素子表面におけるリーク電
流を防ぐことができる。表面リーク電流がなくなれば、
素子耐圧が向上し、素子性能を発揮するのに十分なバイ
アス電圧を印加することが可能となる。
下の表は、本実施例の電極構造を用いて作成したフォト
ダイオードの特性と従来の電極構造のフォトダイオード
の特性を比較したものであり、この表から表面リーク電
流を効果的に防止できるこここで、本実施例の製造方法
を簡単に説明する。
ダイオードの特性と従来の電極構造のフォトダイオード
の特性を比較したものであり、この表から表面リーク電
流を効果的に防止できるこここで、本実施例の製造方法
を簡単に説明する。
まず、InP半絶縁性基板1上にOMVPE法(有機金
属気相成長法)を用いて、アンドープGa1nAs半導
体層2、アンドープInP半導体層5およびp型1nP
半導体層3を順次形成する。ついで、メサエッチング(
ヒよりp IJI I n P半導体層3およびアンド
ープInP半導体層5の不要部分を除去する。つぎに、
p型不純物として例えばベリリウムをp型InP半導体
層3の表面からイオン注入し、不純物の活性化および結
晶性回復のためのアニール処理を行う。このアニール処
理を行うことにより、p型1nP半導体層3のp型不純
物が拡散して低抵抗の層が形成され、単にイオン庄大し
た構造よりもコンタクト抵抗が下がる。最後に、Au−
Zn−Auというp型の電極を被着し熱処理により合金
化することによりp型のオーミック電極4が形成される
。
属気相成長法)を用いて、アンドープGa1nAs半導
体層2、アンドープInP半導体層5およびp型1nP
半導体層3を順次形成する。ついで、メサエッチング(
ヒよりp IJI I n P半導体層3およびアンド
ープInP半導体層5の不要部分を除去する。つぎに、
p型不純物として例えばベリリウムをp型InP半導体
層3の表面からイオン注入し、不純物の活性化および結
晶性回復のためのアニール処理を行う。このアニール処
理を行うことにより、p型1nP半導体層3のp型不純
物が拡散して低抵抗の層が形成され、単にイオン庄大し
た構造よりもコンタクト抵抗が下がる。最後に、Au−
Zn−Auというp型の電極を被着し熱処理により合金
化することによりp型のオーミック電極4が形成される
。
なお、本実施例はフォトダイオードのアノード電極につ
いて説明したがこれに限定されるしのではない。例えば
、この実施例のフォトダイオードの場合には、アンドー
プGa I nAs半導体層2上においてアノード電極
と対向する適当な位置にカソード電極を形成することに
なるが、そのカソード電極にも本発明を適用することが
できる。すなわち、アンドープGa I nAs半導体
層2上に、高抵抗層であるアンドープInP半導体層5
を介してn型1nP半導体層を形成し、その表面から例
えばシリコンをイオン注入して、アンドープGa I
nAs半導体層2に至るn型イオン注入部を形成し、最
後にn型1nP半導体層上にn型金属として例えばAu
Ge−Ni−Auからなる電極を設ければ、カソード側
においても表面リーク電流を防止することができる。
いて説明したがこれに限定されるしのではない。例えば
、この実施例のフォトダイオードの場合には、アンドー
プGa I nAs半導体層2上においてアノード電極
と対向する適当な位置にカソード電極を形成することに
なるが、そのカソード電極にも本発明を適用することが
できる。すなわち、アンドープGa I nAs半導体
層2上に、高抵抗層であるアンドープInP半導体層5
を介してn型1nP半導体層を形成し、その表面から例
えばシリコンをイオン注入して、アンドープGa I
nAs半導体層2に至るn型イオン注入部を形成し、最
後にn型1nP半導体層上にn型金属として例えばAu
Ge−Ni−Auからなる電極を設ければ、カソード側
においても表面リーク電流を防止することができる。
以上説明したように、本発明の電極構造によれば、表面
リーク電流を防止することができるので、所望の半導体
装置のオーミック電極に適用することにより、その半導
体装置の素子耐圧の向上を図ることができる。
リーク電流を防止することができるので、所望の半導体
装置のオーミック電極に適用することにより、その半導
体装置の素子耐圧の向上を図ることができる。
第1図は、本発明の一実施例を示す断面図、第2図は、
従来の電極構造を示す断面図である。 1・・・InP半絶縁製基板、2・・・アンドープGa
I nAs半導体層、3・・・p型!nP半導体層、4
・・・p型電極、5・・・アンドープInP半導体層、
6・・・p型イオン注入層。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
塩 1) 辰 也実雄側 第】図
従来の電極構造を示す断面図である。 1・・・InP半絶縁製基板、2・・・アンドープGa
I nAs半導体層、3・・・p型!nP半導体層、4
・・・p型電極、5・・・アンドープInP半導体層、
6・・・p型イオン注入層。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
塩 1) 辰 也実雄側 第】図
Claims (1)
- 第1の半導体層上の一部に第2の半導体層を介して金属
電極が形成されている半導体装置の電極構造において、
第1の半導体層と第2の半導体層との間に真性半導体層
が設けられており、第2の半導体層表面から真性半導体
層を経て第1の半導体層にいたるまで第2の半導体層と
同一の導電型を有するイオン注入部が形成されている半
導体装置の電極構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15206188A JPH023988A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 半導体装置の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15206188A JPH023988A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 半導体装置の電極構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH023988A true JPH023988A (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=15532203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15206188A Pending JPH023988A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 半導体装置の電極構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH023988A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015222443A (ja) * | 2009-12-18 | 2015-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及び電子機器 |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP15206188A patent/JPH023988A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015222443A (ja) * | 2009-12-18 | 2015-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及び電子機器 |
US9620525B2 (en) | 2009-12-18 | 2017-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
US10256254B2 (en) | 2009-12-18 | 2019-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
US11282864B2 (en) | 2009-12-18 | 2022-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
US11798952B2 (en) | 2009-12-18 | 2023-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
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