JPH0618273B2 - ショットキバリア半導体装置 - Google Patents
ショットキバリア半導体装置Info
- Publication number
- JPH0618273B2 JPH0618273B2 JP63086277A JP8627788A JPH0618273B2 JP H0618273 B2 JPH0618273 B2 JP H0618273B2 JP 63086277 A JP63086277 A JP 63086277A JP 8627788 A JP8627788 A JP 8627788A JP H0618273 B2 JPH0618273 B2 JP H0618273B2
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- Japan
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- semiconductor region
- layer
- thin layer
- schottky barrier
- semi
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高耐圧のショットキバリア半導体装置に関す
る。
る。
従来の技術と発明が解決しようとする課題 ショットキバリアダイオードは、良好な高速応答性（高
速スイツチング特性）及び低電力損失等の利点を生かし
て、高周波整流回路等に広く利用されている。しかし、
ショットキバリアダイオードでは、バルク耐圧（ショッ
トキバリアの中央部での耐圧）に比べて周辺耐圧（ショ
ットキバリアの周辺での耐圧）が顕著に低下する現象が
認められ、このため、高耐圧のものを得るのが難しい。
速スイツチング特性）及び低電力損失等の利点を生かし
て、高周波整流回路等に広く利用されている。しかし、
ショットキバリアダイオードでは、バルク耐圧（ショッ
トキバリアの中央部での耐圧）に比べて周辺耐圧（ショ
ットキバリアの周辺での耐圧）が顕著に低下する現象が
認められ、このため、高耐圧のものを得るのが難しい。
周辺耐圧を向上する方法の１つとして、特開昭６２−４
５１７２号公報に示されているように、ショットキバリ
アとそ下部の半導体領域を半絶縁性性半導体領域で包囲
した高耐圧化構造が知られている。半絶縁性半導体領域
は半導体基板材料中にＨ（水素）等のイオンを注入して
形成される。なお、「半絶縁性半導体領域」の表記は、
用語「半絶縁性」と「半導体」との概念が重複するが、
本明細書では汎用語として使用されているように「半導
体材料から成りかつ半絶縁性を有する高抵抗な領域」を
意味する。この半絶縁性半導体領域が高耐圧化に効果的
であることは実験により確認されている。しかし、上記
の高耐圧化構造でも、バルク耐圧にする周辺耐圧の低下
は未だかなり大きく、更に改善の余地がある。
５１７２号公報に示されているように、ショットキバリ
アとそ下部の半導体領域を半絶縁性性半導体領域で包囲
した高耐圧化構造が知られている。半絶縁性半導体領域
は半導体基板材料中にＨ（水素）等のイオンを注入して
形成される。なお、「半絶縁性半導体領域」の表記は、
用語「半絶縁性」と「半導体」との概念が重複するが、
本明細書では汎用語として使用されているように「半導
体材料から成りかつ半絶縁性を有する高抵抗な領域」を
意味する。この半絶縁性半導体領域が高耐圧化に効果的
であることは実験により確認されている。しかし、上記
の高耐圧化構造でも、バルク耐圧にする周辺耐圧の低下
は未だかなり大きく、更に改善の余地がある。
そこで本発明は、半絶縁性半導体領域を含む高耐圧化構
造の周辺耐圧を向上できるショットキバリア半導体装置
を提供することを目的とする。
造の周辺耐圧を向上できるショットキバリア半導体装置
を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明によるショットキバリア半導体装置は、半導体領
域と、半導体領域にイオンを注入することにより形成さ
れかつ半導体領域の一部を包囲する半絶縁性半導体領域
と、半導体領域の一部の表面上に形成されかつ半導体領
域との間にショットキバリアを形成するバリア電極とを
備えている。バリア電極は、半導体領域との間にショッ
トキバリアを形成する金属から成り且つ半導体領域の一
部に隣接して形成された金属薄層と、半導体領域との間
にショットキバリアを形成する金属から成り且つ金属薄
層の上方に形成された金属層とを有する。金属薄層は、
半絶縁性半導体領域の表面を被覆して金属層から外側に
延在し且つ隣接するバリア電極を包囲する金属酸化物薄
層を備えている。金属酸化物薄層は金属薄層が酸化され
て形成され且つバリア電極よりもシート抵抗が大きい。
域と、半導体領域にイオンを注入することにより形成さ
れかつ半導体領域の一部を包囲する半絶縁性半導体領域
と、半導体領域の一部の表面上に形成されかつ半導体領
域との間にショットキバリアを形成するバリア電極とを
備えている。バリア電極は、半導体領域との間にショッ
トキバリアを形成する金属から成り且つ半導体領域の一
部に隣接して形成された金属薄層と、半導体領域との間
にショットキバリアを形成する金属から成り且つ金属薄
層の上方に形成された金属層とを有する。金属薄層は、
半絶縁性半導体領域の表面を被覆して金属層から外側に
延在し且つ隣接するバリア電極を包囲する金属酸化物薄
層を備えている。金属酸化物薄層は金属薄層が酸化され
て形成され且つバリア電極よりもシート抵抗が大きい。
作 用 半絶縁性半導体領域の表面に金属酸化物薄層を形成した
ので、半絶縁性半導体領域の高耐圧化構造と、相対的に
シート抵抗の大きい金属酸化物薄層の電界集中緩和作用
との相乗効果によって耐圧を著しく向上することが可能
となる。また、半絶縁性半導体領域を被覆する金属酸化
物薄層は、半導体領域との間にショットキバリアを形成
することができるとともに、半導体領域の表面状態を安
定化させる作用を有する。したがって、半絶縁性半導体
領域の表面近傍に半導体的性質が残存しても特性の不安
定性を生じない。また、この金属酸化物薄層がバリア電
極と連続するので、確実に特性安定化の作用が得られ
る。
ので、半絶縁性半導体領域の高耐圧化構造と、相対的に
シート抵抗の大きい金属酸化物薄層の電界集中緩和作用
との相乗効果によって耐圧を著しく向上することが可能
となる。また、半絶縁性半導体領域を被覆する金属酸化
物薄層は、半導体領域との間にショットキバリアを形成
することができるとともに、半導体領域の表面状態を安
定化させる作用を有する。したがって、半絶縁性半導体
領域の表面近傍に半導体的性質が残存しても特性の不安
定性を生じない。また、この金属酸化物薄層がバリア電
極と連続するので、確実に特性安定化の作用が得られ
る。
実施例 以下、本発明の実施例である電力用高耐圧ショットキバ
リアダイオード及びの製造方法を第１図〜第３図につい
て説明する。
リアダイオード及びの製造方法を第１図〜第３図につい
て説明する。
まず、第２図（Ａ）に示すように、ＧaＡs（砒化ガリウ
ム）から成る半導体基板１を用意する。半導体基板１
は、不純物濃度２×１０18cm-3、厚さ約３００μｍのｎ
＋形領域２の上に不純物濃度２×１０15cm-3、厚さ約１
５μｍのｎ形領域３をエピタキシヤル成長させた半導体
領域を有する。
ム）から成る半導体基板１を用意する。半導体基板１
は、不純物濃度２×１０18cm-3、厚さ約３００μｍのｎ
＋形領域２の上に不純物濃度２×１０15cm-3、厚さ約１
５μｍのｎ形領域３をエピタキシヤル成長させた半導体
領域を有する。
次に、第２図（Ｂ）に示すように、半導体基板１上にイ
オン注入のマスクとしてＡｌ（アルミニウム）層４を形
成した上で、半導体基板１の上面全域にＨｅ（ヘリウ
ム）を加速電圧を変えて多重にイオン注入する。この結
果、Ｈeのイオン注入によってＧaＡs結晶格子が乱れ、
Ａｌ層４の直下のｎ形領域３aを包囲するように平面的
に見て環状の半絶縁性半導体領域５が形成される。半絶
縁性半導体領域５の深さは約２μｍである。半絶縁性半
導体領域５は、比抵抗１０7〜１０9Ω−cmで絶物に近い
高抵抗層である。
オン注入のマスクとしてＡｌ（アルミニウム）層４を形
成した上で、半導体基板１の上面全域にＨｅ（ヘリウ
ム）を加速電圧を変えて多重にイオン注入する。この結
果、Ｈeのイオン注入によってＧaＡs結晶格子が乱れ、
Ａｌ層４の直下のｎ形領域３aを包囲するように平面的
に見て環状の半絶縁性半導体領域５が形成される。半絶
縁性半導体領域５の深さは約２μｍである。半絶縁性半
導体領域５は、比抵抗１０7〜１０9Ω−cmで絶物に近い
高抵抗層である。
続いて、第２図（Ｃ）に示すように、Ａｌ層４エッチン
グ除去した後、半導体基板１上にＴi（チタン）の薄層
６とＡｌ層７を形成する。Ａｌ層７は、ｎ形領域３と半
絶縁性半導体領域５の内周縁近傍をＴiの薄層６を介し
て被覆している。Ｔiの薄層６はＡｌ層７から更に半導
体基板１の周縁側に延在している。Ｔiの薄層６の厚さ
は約５０Å（０．００５μｍ）と極薄である。Ａｌ層７
の厚さは約２μｍである。また、半導体基板１の裏面全
域ににＡu（金）とＧe（ゲルマニウム）の合金とＡuと
を連続して真空蒸着し、オーミツク電極８を形成する。
グ除去した後、半導体基板１上にＴi（チタン）の薄層
６とＡｌ層７を形成する。Ａｌ層７は、ｎ形領域３と半
絶縁性半導体領域５の内周縁近傍をＴiの薄層６を介し
て被覆している。Ｔiの薄層６はＡｌ層７から更に半導
体基板１の周縁側に延在している。Ｔiの薄層６の厚さ
は約５０Å（０．００５μｍ）と極薄である。Ａｌ層７
の厚さは約２μｍである。また、半導体基板１の裏面全
域ににＡu（金）とＧe（ゲルマニウム）の合金とＡuと
を連続して真空蒸着し、オーミツク電極８を形成する。
次に、第２図（Ｄ）に示すように、空気中で２７５℃の
温度で１５分間の熱処理を施す。この結果、Ａｌ層７に
マスクされていないＴiの薄層６の一部は酸化されてチ
タン酸化物の薄層（金属酸化物薄層）９となるが、Ａｌ
層７の下部にはＴiの薄層（金属薄層）６aが残存する。
チタン酸化物の薄層９の厚さは、Ｔiの薄層６の１．５
倍程度と推定される。チタン酸化物の薄層９のシート抵
抗は約１００ＭΩ／□であり、半絶縁性の高抵抗層であ
る。Ｔiの薄層６aとＡｌ層７は単独ではともにｎ形領域
３に対してショットキバリアを形成する金属層である。
しかし、Ｔiの薄層６aとＡｌ層７が重ねられた構造にお
いて極薄のＴiの薄層６aがショットキバリアの形成にど
のように関与しているかは明らかではない。ここでは、
Ｔiの薄層６aとＡｌ層７を合わせてバリア電極１０と呼
ぶ。
温度で１５分間の熱処理を施す。この結果、Ａｌ層７に
マスクされていないＴiの薄層６の一部は酸化されてチ
タン酸化物の薄層（金属酸化物薄層）９となるが、Ａｌ
層７の下部にはＴiの薄層（金属薄層）６aが残存する。
チタン酸化物の薄層９の厚さは、Ｔiの薄層６の１．５
倍程度と推定される。チタン酸化物の薄層９のシート抵
抗は約１００ＭΩ／□であり、半絶縁性の高抵抗層であ
る。Ｔiの薄層６aとＡｌ層７は単独ではともにｎ形領域
３に対してショットキバリアを形成する金属層である。
しかし、Ｔiの薄層６aとＡｌ層７が重ねられた構造にお
いて極薄のＴiの薄層６aがショットキバリアの形成にど
のように関与しているかは明らかではない。ここでは、
Ｔiの薄層６aとＡｌ層７を合わせてバリア電極１０と呼
ぶ。
第１図に示すように、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition）又は光ＣＶＤによりシリコン酸化膜から
成る絶縁層１１を形成した後、更にＴiとＡuを連続的に
真空蒸着することにより外部接続用電極１２を形成し
て、ショットキバリアダイオードチップを完成させる。
バリア電極１０とｎ形領域３との間に主電流通路となる
ショットキバリアが形成され、バリア電極１０側がアノ
ード、オーミツク電極８側がカソードである。このよう
に製作されたショットキバリアダイオードは約２１０Ｖ
の高耐圧を得た。バルク耐圧にほとんど等しい約２３０
Ｖの耐圧が得られることもあった。チタン酸化物の薄層
９を除去した半絶縁性半導体領域５のみによる高耐圧化
構造では約１７０Ｖ、チタン酸化物の薄層９を除去しか
つ半絶縁性半導体領域５を形成しない構造（高耐圧化対
策を全く行わない構造）では約６０Ｖである。チタン酸
化物の薄層９を除去しても、接続用電極１２の周辺部１
２aが絶縁層１１を介して一般的なフィールドプレート
として作用しているが、上記のように耐圧は約１７０Ｖ
である。このことから、チタン酸化物の薄層９による電
界集中緩和作用が大きいことが明白である。
Deposition）又は光ＣＶＤによりシリコン酸化膜から
成る絶縁層１１を形成した後、更にＴiとＡuを連続的に
真空蒸着することにより外部接続用電極１２を形成し
て、ショットキバリアダイオードチップを完成させる。
バリア電極１０とｎ形領域３との間に主電流通路となる
ショットキバリアが形成され、バリア電極１０側がアノ
ード、オーミツク電極８側がカソードである。このよう
に製作されたショットキバリアダイオードは約２１０Ｖ
の高耐圧を得た。バルク耐圧にほとんど等しい約２３０
Ｖの耐圧が得られることもあった。チタン酸化物の薄層
９を除去した半絶縁性半導体領域５のみによる高耐圧化
構造では約１７０Ｖ、チタン酸化物の薄層９を除去しか
つ半絶縁性半導体領域５を形成しない構造（高耐圧化対
策を全く行わない構造）では約６０Ｖである。チタン酸
化物の薄層９を除去しても、接続用電極１２の周辺部１
２aが絶縁層１１を介して一般的なフィールドプレート
として作用しているが、上記のように耐圧は約１７０Ｖ
である。このことから、チタン酸化物の薄層９による電
界集中緩和作用が大きいことが明白である。
チタン酸化物の薄層９は、フィールドプレートとして作
用していと考えられるが、詳細なメカニズムは不明であ
る。ただし、次のような特徴を有する。チタン酸化物の
薄層９はｎ形領域３の表面の形成されたときには、ｎ形
領域３との間にショットキバリアを形成するとともに、
ｎ形領域３の表面状態を安定化させる。従って、半絶縁
性半導体領域５の表面近傍に半導体的性質が残っていた
としても問題にならない。また、チタン酸化物の薄層９
はシリコン酸化膜のような絶縁層を介さないフィールド
プレートであるから、その下部に空乏層を形成する作用
が非常に大きいし、絶縁層を形成する材質（材料の種
類、含有不純物、界面状態など）による特性の不安定性
も生じない。
用していと考えられるが、詳細なメカニズムは不明であ
る。ただし、次のような特徴を有する。チタン酸化物の
薄層９はｎ形領域３の表面の形成されたときには、ｎ形
領域３との間にショットキバリアを形成するとともに、
ｎ形領域３の表面状態を安定化させる。従って、半絶縁
性半導体領域５の表面近傍に半導体的性質が残っていた
としても問題にならない。また、チタン酸化物の薄層９
はシリコン酸化膜のような絶縁層を介さないフィールド
プレートであるから、その下部に空乏層を形成する作用
が非常に大きいし、絶縁層を形成する材質（材料の種
類、含有不純物、界面状態など）による特性の不安定性
も生じない。
要するに、本実施例では、半絶縁性半導体領域５に薄層
９を形成したので、半絶縁性半導体領域５の高耐圧化構
造と、相対的にシート抵抗の大きい薄層９の電界集中緩
和作用との相乗効果によって、約２１０〜２３０Ｖ程度
まで耐圧を著しく向上することが可能となる。また、半
絶縁性半導体領域５を被覆する薄層９は、半導体領域３
との間にショットキバリアを形全することができるとと
もに、半導体領域３の表面状態を安定化させる作用を有
する。したがって、半絶縁性半導体領域５の表面近傍に
半導体的性質が残存しても特性の不安定性を生じない。
また、薄層９がバリア電極１０と連続するので、確実に
特性安定化の作用が得られる。
９を形成したので、半絶縁性半導体領域５の高耐圧化構
造と、相対的にシート抵抗の大きい薄層９の電界集中緩
和作用との相乗効果によって、約２１０〜２３０Ｖ程度
まで耐圧を著しく向上することが可能となる。また、半
絶縁性半導体領域５を被覆する薄層９は、半導体領域３
との間にショットキバリアを形全することができるとと
もに、半導体領域３の表面状態を安定化させる作用を有
する。したがって、半絶縁性半導体領域５の表面近傍に
半導体的性質が残存しても特性の不安定性を生じない。
また、薄層９がバリア電極１０と連続するので、確実に
特性安定化の作用が得られる。
変形実施例 本発明は前記の実施例に限定されることなく、その趣旨
の範囲内において種々の変更が可能である。
の範囲内において種々の変更が可能である。
例えば、第３図に示すように、チタン酸化物の薄層９を
酸化前のＴiの薄層６（バリア電極１０の外周に延在す
るＴiの薄層６b）としてそのまま利用するとともに、Ａ
ｌ層７がｎ形領域３とほぼ同一若しくはやや内側に形成
されても、第１図の場合と同様の高耐圧が得られた。イ
オン注入のマスクとして、Ａｌ層７とその上に形成した
シリコン酸化物層等（図示せず）を形成し、Ｔiの薄層
６ｂを通過してＨeイオンを注入すると、第１図の構造
が形成される。この場合、Ｔiの薄層６bは、チタン酸化
物の薄層９と同様に、ｎ形領域３との間にショットキバ
リアを形成するとともに、ｎ形領域３の表面状態を安定
化させる作用がある。Ｔiの薄層６bのうち、ｎ形領域３
と接触する部分は補助的なバリア電極であり、バリア電
極１０の一部とみなせるものである。なお、Ｔiの薄層
６bは、極薄であるためシート抵抗約４００Ω／□の抵
抗層となっている。
酸化前のＴiの薄層６（バリア電極１０の外周に延在す
るＴiの薄層６b）としてそのまま利用するとともに、Ａ
ｌ層７がｎ形領域３とほぼ同一若しくはやや内側に形成
されても、第１図の場合と同様の高耐圧が得られた。イ
オン注入のマスクとして、Ａｌ層７とその上に形成した
シリコン酸化物層等（図示せず）を形成し、Ｔiの薄層
６ｂを通過してＨeイオンを注入すると、第１図の構造
が形成される。この場合、Ｔiの薄層６bは、チタン酸化
物の薄層９と同様に、ｎ形領域３との間にショットキバ
リアを形成するとともに、ｎ形領域３の表面状態を安定
化させる作用がある。Ｔiの薄層６bのうち、ｎ形領域３
と接触する部分は補助的なバリア電極であり、バリア電
極１０の一部とみなせるものである。なお、Ｔiの薄層
６bは、極薄であるためシート抵抗約４００Ω／□の抵
抗層となっている。
半絶縁性半導体領域５をエピタキャル成長で形成する方
法も知られているが、チタン酸化物の薄層９又はＴiの
薄層６bの少なくともいずれかの薄層による電界集中緩
和作用が顕著に発揮されるのは、半絶縁性半導体領域５
をイオン注入で形成した場合である。結晶にダメージを
与えて半絶縁性するための不純物は、Ｈe以外にＨ（水
素）やＢ（硼素）等も使用できる。
法も知られているが、チタン酸化物の薄層９又はＴiの
薄層６bの少なくともいずれかの薄層による電界集中緩
和作用が顕著に発揮されるのは、半絶縁性半導体領域５
をイオン注入で形成した場合である。結晶にダメージを
与えて半絶縁性するための不純物は、Ｈe以外にＨ（水
素）やＢ（硼素）等も使用できる。
チタン酸化物の薄層９又はＴiの薄層６bの厚さは、応力
発生を最小限にするとともに、バリア電極の主要部より
も大きいシート抵抗を与えなければならないので、１０
〜１０００Å、望ましくは２０〜３００Åに選定するの
がよい。
発生を最小限にするとともに、バリア電極の主要部より
も大きいシート抵抗を与えなければならないので、１０
〜１０００Å、望ましくは２０〜３００Åに選定するの
がよい。
薄層は、多くの半導体装置に対してＴiの薄層又はチタ
ン酸化物の薄層（TiOx）が良好な結果を示すが、半導体
領域との間にショットキバリアを形成するものであれ
ば、これら以外のものでもよい。例えば、Ｔa（タンタ
ル）薄層又はタンタル酸化物（TaOx）薄層としてもよ
い。
ン酸化物の薄層（TiOx）が良好な結果を示すが、半導体
領域との間にショットキバリアを形成するものであれ
ば、これら以外のものでもよい。例えば、Ｔa（タンタ
ル）薄層又はタンタル酸化物（TaOx）薄層としてもよ
い。
ＧaＡs、ＡｌＧaＡs（砒化アルミニウム・ガリウム）、
ＧaＰ（燐酸ガリウム）、ＩnＰ（燐化インジウム）等の
III−Ｖ族化合物を用いた半導体装置に適用して効果的
な構造であるが、他の化合物半導体装置又はＳi（シリ
コン）等の半導体装置にも適用可能である。
ＧaＰ（燐酸ガリウム）、ＩnＰ（燐化インジウム）等の
III−Ｖ族化合物を用いた半導体装置に適用して効果的
な構造であるが、他の化合物半導体装置又はＳi（シリ
コン）等の半導体装置にも適用可能である。
効 果 本発明によれば、ショットキバリアの周辺耐圧が著しく
向上し、もって高耐圧のショットキバリア半導体装置を
提供することができる。
向上し、もって高耐圧のショットキバリア半導体装置を
提供することができる。
第１図は本発明による実施例であるショットキバリアダ
イオードの断面図、第２図は第１図に示すショットキバ
リアダイオードの製造工程を示す工程図で、第２図
（Ａ）は半導体基板の断面図、第２図（Ｂ）は半絶縁性
半導体領域を形成した状態の断面図、第２図（Ｃ）はバ
リア電極を形成した状態を示す断面図、第２図（Ｄ）は
チタン酸化物の薄層を形成した状態を示す断面図、第３
図は本発明の他の実施例を示すショットキバリアダイオ
ードの断面図を示す。 ３、３a……ｎ形領域（半導体領域）、５……半絶縁性
半導体領域、６a……Ｔiの薄層、６b……Ｔiの薄層（薄
層）、７……Ａｌ層、９……チタン酸化物薄層（薄
層）、１０……バリア電極、
イオードの断面図、第２図は第１図に示すショットキバ
リアダイオードの製造工程を示す工程図で、第２図
（Ａ）は半導体基板の断面図、第２図（Ｂ）は半絶縁性
半導体領域を形成した状態の断面図、第２図（Ｃ）はバ
リア電極を形成した状態を示す断面図、第２図（Ｄ）は
チタン酸化物の薄層を形成した状態を示す断面図、第３
図は本発明の他の実施例を示すショットキバリアダイオ
ードの断面図を示す。 ３、３a……ｎ形領域（半導体領域）、５……半絶縁性
半導体領域、６a……Ｔiの薄層、６b……Ｔiの薄層（薄
層）、７……Ａｌ層、９……チタン酸化物薄層（薄
層）、１０……バリア電極、
Claims (1)
- 【請求項１】半導体領域と、該半導体領域にイオンを注
入することにより形成されかつ前記半導体領域の一部を
包囲する半絶縁性半導体領域と、前記半導体領域の前記
一部の表面上に形成されかつ前記半導体領域との間にシ
ョットキバリアを形成するバリア電極とを備えたショッ
トキバリア半導体装置において、 前記バリア電極は、前記半導体領域との間にショットキ
バリアを形成する金属から成り且つ前記半導体領域の前
記一部に隣接して形成された金属薄層と、前記半導体領
域との間にショットキバリアを形成する金属から成り且
つ前記金属薄層の上方に形成された金属層とを有し、 前記金属薄層は、前記半絶縁性半導体領域の表面を被覆
して前記金属層から外側に延在し且つ隣接する前記バリ
ア電極を包囲する金属酸化物薄層を備え、 前記金属酸化物薄層は前記金属薄層が酸化されて形成さ
れ且つ前記バリア電極よりもシート抵抗が大きいことを
特徴とするショットキバリア半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63086277A JPH0618273B2 (ja) | 1988-04-09 | 1988-04-09 | ショットキバリア半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63086277A JPH0618273B2 (ja) | 1988-04-09 | 1988-04-09 | ショットキバリア半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01259558A JPH01259558A (ja) | 1989-10-17 |
| JPH0618273B2 true JPH0618273B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=13882328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63086277A Expired - Fee Related JPH0618273B2 (ja) | 1988-04-09 | 1988-04-09 | ショットキバリア半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618273B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006203195A (ja) * | 2005-01-10 | 2006-08-03 | Velox Semiconductor Corp | 窒化ガリウム半導体デバイス用のパッケージ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1988
- 1988-04-09 JP JP63086277A patent/JPH0618273B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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