JP7465922B2 - 薄膜トランジスタ、その製造方法およびそれを含む表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ、その製造方法およびそれを含む表示装置 Download PDFInfo
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Description
120:光遮断層
125:バッファ層
130:第1アクティブ層
131:第1酸化物半導体層
132:第2酸化物半導体層
140:第2アクティブ層
151:ソース電極
152:ドレイン電極
160:ゲート電極
165:ゲート絶縁膜
Claims (24)
- 互いに離隔したソース電極およびドレイン電極、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の第1アクティブ層、および
前記第1アクティブ層と重畳するゲート電極、を含み、
前記第1アクティブ層が、前記ソース電極の側面および前記ドレイン電極の側面と接触し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記第1アクティブ層と重畳する第2アクティブ層をさらに含み、
前記第1アクティブ層が、前記ゲート電極と前記第2アクティブ層の間に配置されており、
前記第2アクティブ層が、前記第1アクティブ層よりも低い移動度を有する、薄膜トランジスタ。 - 互いに離隔したソース電極およびドレイン電極、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の第1アクティブ層、および
前記第1アクティブ層と重畳するゲート電極、を含み、
前記第1アクティブ層が、前記ソース電極の側面および前記ドレイン電極の側面と接触し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記第1アクティブ層と重畳する第2アクティブ層をさらに含み、
前記第1アクティブ層が、前記ゲート電極と前記第2アクティブ層の間に配置されており、
前記第1アクティブ層が、第1酸化物半導体層および第2酸化物半導体層を含み、
前記第1酸化物半導体層は、前記第2アクティブ層と接触し、
前記第1酸化物半導体層が、前記第2アクティブ層よりも高い移動度を有する、薄膜トランジスタ。 - 互いに離隔したソース電極およびドレイン電極、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の第1アクティブ層、および
前記第1アクティブ層と重畳するゲート電極、を含み、
前記第1アクティブ層が、前記ソース電極の側面および前記ドレイン電極の側面と接触し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記第1アクティブ層と重畳する第2アクティブ層をさらに含み、
前記第1アクティブ層が、前記ゲート電極と前記第2アクティブ層の間に配置されており、
前記第1アクティブ層が、第1酸化物半導体層および第2酸化物半導体層を含み、
前記第1酸化物半導体層は、前記第2アクティブ層と接触し、
前記第2アクティブ層が、前記第2酸化物半導体層よりも低い移動度を有する、薄膜トランジスタ。 - 前記第1アクティブ層が、前記ソース電極の上面および下面と接触せず、かつ前記ドレイン電極の上面および下面と接触しない、請求項1~3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1アクティブ層が、前記ソース電極と同一または前記ソース電極よりも薄い厚さを有する、請求項1~3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1アクティブ層の全体が、前記ゲート電極と重畳する、請求項1~3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース電極および前記ドレイン電極が、前記第1アクティブ層よりも小さいエッチングレートを有する、請求項1~3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース電極および前記ドレイン電極が、それぞれチタン(Ti)を含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1アクティブ層が、第1酸化物半導体層および第2酸化物半導体層を含む、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1酸化物半導体層が、前記第2酸化物半導体層よりも高い移動度を有する、請求項9に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1酸化物半導体層が、前記第2酸化物半導体層の側面と下面を覆う、請求項9に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第2酸化物半導体層が、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接触しない、請求項9に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第2酸化物半導体層が、前記第1酸化物半導体層の側面と下面を覆う、請求項9に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1酸化物半導体層が、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接触しない、請求項9に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第2アクティブ層が、前記ソース電極の下面および前記ドレイン電極の下面と接触する、請求項1~3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1酸化物半導体層が、前記第2酸化物半導体層よりも高い移動度を有する、請求項2または3に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1酸化物半導体層が、前記第2酸化物半導体層の側面と下面を覆う、請求項2または3に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第2酸化物半導体層が、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記第2アクティブ層と接触しない、請求項17に記載の薄膜トランジスタ。
- 請求項1~3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタを含む表示装置。
- 基板上に第2アクティブ物質層を形成すること、
前記第2アクティブ物質層上にソース電極およびドレイン電極を形成すること、
前記第2アクティブ物質層、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に第1アクティブ物質層を形成すること、および
前記第1アクティブ物質層および前記第2アクティブ物質層をパターニングして、第1アクティブ層および第2アクティブ層を形成すること、を含み、
前記第1アクティブ層が、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置され、前記第2アクティブ層と接触し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記第1アクティブ層と重畳する第2アクティブ層をさらに含み、
前記第1アクティブ層が、ゲート電極と前記第2アクティブ層の間に配置されており、
前記第2アクティブ層が、前記第1アクティブ層よりも低い移動度を有する、薄膜トランジスタの製造方法。 - 基板上に第2アクティブ物質層を形成すること、
前記第2アクティブ物質層上にソース電極およびドレイン電極を形成すること、
前記第2アクティブ物質層、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に第1アクティブ物質層を形成すること、および
前記第1アクティブ物質層および前記第2アクティブ物質層をパターニングして、第1アクティブ層および第2アクティブ層を形成すること、を含み、
前記第1アクティブ層が、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置され、前記第2アクティブ層と接触し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記第1アクティブ層と重畳する第2アクティブ層をさらに含み、
前記第1アクティブ層が、ゲート電極と前記第2アクティブ層の間に配置されており、
前記第1アクティブ層が、第1酸化物半導体層および第2酸化物半導体層を含み、
前記第1酸化物半導体層は、前記第2アクティブ層と接触し、
前記第1酸化物半導体層が、前記第2アクティブ層よりも高い移動度を有する、薄膜トランジスタの製造方法。 - 基板上に第2アクティブ物質層を形成すること、
前記第2アクティブ物質層上にソース電極およびドレイン電極を形成すること、
前記第2アクティブ物質層、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に第1アクティブ物質層を形成すること、および
前記第1アクティブ物質層および前記第2アクティブ物質層をパターニングして、第1アクティブ層および第2アクティブ層を形成すること、を含み、
前記第1アクティブ層が、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置され、前記第2アクティブ層と接触し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記第1アクティブ層と重畳する第2アクティブ層をさらに含み、
前記第1アクティブ層が、ゲート電極と前記第2アクティブ層の間に配置されており、
前記第1アクティブ層が、第1酸化物半導体層および第2酸化物半導体層を含み、
前記第1酸化物半導体層は、前記第2アクティブ層と接触し、
前記第2アクティブ層が、前記第2酸化物半導体層よりも低い移動度を有する、薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記第1アクティブ物質層および前記第2アクティブ物質層が、一緒にパターニングされる、請求項20~22のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記第1アクティブ物質層を形成することが、第1酸化物半導体物質層を形成すること、および第2酸化物半導体物質層を形成することを含む、請求項20~22のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
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