JP2012216834A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
   前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
   前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の金属酸化物膜と、
   前記第２の金属酸化物膜上に設けられた第２の絶縁膜と、を有する半導体装置。
2. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上に設けられた第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に設けられた第２の金属酸化物膜と、
   前記第２の金属酸化物膜上に設けられた第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
   前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
   前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有する半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜より厚い半導体装置。
4. 第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の金属酸化物膜と、
   前記第２の金属酸化物膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
   前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
   前記第１の金属酸化物膜、前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の金属酸化物膜上に設けられたゲート電極と、を有する半導体装置。
5. 下地絶縁膜と、
   前記下地絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
   前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
   前記第１の金属酸化物膜、前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられた第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に設けられた第２の金属酸化物膜と、
   前記第２の金属酸化物膜上に設けられた第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して前記第１の金属酸化物膜上に設けられたゲート電極と、を有する半導体装置。
6. 請求項４又は５において、
   前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜より薄い半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記第２の金属酸化物膜の膜厚は、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である半導体装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一において、
   前記第１の金属酸化物膜及び前記第２の金属酸化物膜は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有する半導体装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一において、
   前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜である半導体装置。