JP2011228691A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、金属酸化物膜と、酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
   前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁膜を有し、
   前記ゲート絶縁膜上に前記金属酸化物膜を有し、
   前記金属酸化物膜上に前記酸化物半導体膜を有し、
   前記酸化物半導体膜上に、当該酸化物半導体膜の一部に接する前記ソース電極及び前記ドレイン電極を有し、
   前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を有することを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、金属酸化物膜と、酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
   前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁膜を有し、
   前記ゲート絶縁膜上に前記金属酸化物膜を有し、
   前記金属酸化物膜上に前記酸化物半導体膜を有し、
   前記酸化物半導体膜上に、当該酸化物半導体膜の一部に接する前記ソース電極及び前記ドレイン電極を有し、
   前記酸化物半導体膜は、ガリウムを有し、
   前記金属酸化物膜は、酸化ガリウムを有することを特徴とする半導体装置。
3. ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、金属酸化物膜と、酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
   前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁膜を有し、
   前記ゲート絶縁膜上に前記金属酸化物膜を有し、
   前記金属酸化物膜上に前記酸化物半導体膜を有し、
   前記酸化物半導体膜上に、当該酸化物半導体膜の一部に接する前記ソース電極及び前記ドレイン電極を有し、
   前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを有し、
   前記金属酸化物膜は、酸化ガリウムを有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記金属酸化物膜のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップより大きいことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において
   前記金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーより高いことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において
   前記ゲート絶縁膜のエネルギーギャップは、前記金属酸化物膜のエネルギーギャップより大きいことを特徴とする半導体装置。