JP2013229588A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極と、を有し、
   前記ゲート電極の側端部は、前記ゲート絶縁膜の側端部と一致し、
   前記ゲート絶縁膜は、前記側端部を含む第１の領域と、前記側端部を含まない第２の領域とを有し、
   前記第１の領域の窒素濃度は、前記第２の領域の窒素濃度より高いことを特徴とする半導体装置。
2. 酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極と、を有し、
   前記ゲート電極の側端部は、前記ゲート絶縁膜の側端部と一致し、
   前記ゲート絶縁膜は、前記側端部を含む第１の領域と、前記側端部を含まない第２の領域とを有し、
   前記第１の領域の窒素濃度は、前記第２の領域の窒素濃度より高く、
   前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜と重なる第３の領域と、ソース電極と重なる第４の領域と、ドレイン電極と重なる第５の領域と、前記ゲート絶縁膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と重ならない第６の領域と、を有し、
   前記第６の領域の窒素濃度は、前記第３の領域乃至第５の領域の窒素濃度より高いことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記第６の領域において、前記窒素濃度は、前記ゲート電極側に向かって高いことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項２又は請求項３において、
   前記ソース電極は、前記第４の領域の側端部を覆い、
   前記ドレイン電極は、前記第５の領域の側端部を覆うことを特徴とする半導体装置。