JP2015156480A5 - トランジスタ - Google Patents

Claims (3)

1. 半導体と、
   前記半導体上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
   前記半導体と接する領域を有するソース電極と、
   前記半導体と接する領域を有するドレイン電極と、を有するトランジスタであって、
   前記半導体は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ソース電極と接する第２の領域と、前記ドレイン電極と接する第３の領域と、を有し、
   前記トランジスタのチャネル幅方向における前記第１の領域の側面は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向し、
   前記半導体は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に、前記ゲート電極と重ならず且つ前記ソース領域と重ならない第４の領域を有し、
   前記半導体は、前記第１の領域と前記第３の領域との間に、前記ゲート電極と重ならず且つ前記ドレイン領域と重ならない第５の領域を有することを特徴とするトランジスタ。
2. 酸化物半導体と、
   前記酸化物半導体上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
   前記酸化物半導体と接する領域を有するソース電極と、
   前記酸化物半導体と接する領域を有するドレイン電極と、を有するトランジスタであって、
   前記酸化物半導体は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ソース電極と接する第２の領域と、前記ドレイン電極と接する第３の領域と、を有し、
   前記トランジスタのチャネル幅方向における前記第１の領域の側面は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向し、
   前記酸化物半導体は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に、前記ゲート電極と重ならず且つ前記ソース領域と重ならない第４の領域を有し、
   前記酸化物半導体は、前記第１の領域と前記第３の領域との間に、前記ゲート電極と重ならず且つ前記ドレイン領域と重ならない第５の領域を有することを特徴とするトランジスタ。
3. 酸化物半導体と、
   前記酸化物半導体上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
   前記酸化物半導体と接する領域を有するソース電極と、
   前記酸化物半導体と接する領域を有するドレイン電極と、を有するトランジスタであって、
   前記酸化物半導体は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ソース電極と接する第２の領域と、前記ドレイン電極と接する第３の領域と、を有し、
   前記トランジスタのチャネル幅方向における前記第１の領域の側面は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向し、
   前記酸化物半導体は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に、前記ゲート電極と重ならず且つ前記ソース領域と重ならない第４の領域を有し、
   前記酸化物半導体は、前記第１の領域と前記第３の領域との間に、前記ゲート電極と重ならず且つ前記ドレイン領域と重ならない第５の領域を有し、
   前記酸化物半導体が、インジウムおよび酸素を有することを特徴とするトランジスタ。