JP2015195380A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の、第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層の開口部内に位置する、ゲート電極と、を有し、
   前記第２の酸化物半導体層と、前記ゲート電極との間に、ゲート絶縁層を有し、
   前記第２の酸化物半導体層と、前記ゲート絶縁層との間に、第３の酸化物半導体層を有し、
   チャネル幅方向の断面において、前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層と重ならない領域に位置する前記ゲート電極の底面は、前記第１の酸化物半導体層の底面より下に位置することを特徴とする半導体装置。
2. 第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の、第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜の開口部内に位置する、ゲート電極と、を有し、
   前記第２の酸化物半導体層と、前記ゲート電極との間に、ゲート絶縁膜を有し、
   チャネル幅方向の断面において、前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層と重ならない領域に位置する前記ゲート電極の底面は、前記第１の酸化物半導体層の底面より下に位置することを特徴とする半導体装置。
3. 第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の、第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜の開口部内に位置する、ゲート電極と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体層と、前記ゲート電極との間に、ゲート絶縁膜及び第２の酸化物半導体層を有し、
   チャネル幅方向の断面において、前記第１の酸化物半導体層と重ならない領域に位置する前記ゲート電極の底面は、前記第１の酸化物半導体層の底面より下に位置することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の酸化物半導体層は、第２の絶縁膜の凸部と重なる領域に配置されていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の酸化物半導体層は、インジウムを有することを特徴とする半導体装置。