CN101821797A - 显示器件及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示器件，其中信号线(108)可由多个像素(201)-(203)共用，而且从信号线(108)提供的数据可分配至由扫描线(106)、(107)从多个像素(201)-(203)中选择的期望像素。该显示器的特征在于其多个像素(201)-(203)的电路结构，该结构允许信号线(108)被相邻三个像素所共用。该电路结构导致信号线数量减少和信号线驱动电路的结构的简化，这有助于信号线驱动电路的功耗降低和小型化。

Description

显示器件及其驱动方法
技术领域
本发明涉及显示器件及其驱动方法，以及利用该显示器件的电子设备。
背景技术
显示器件用于诸如移动电话、电视接收器等等多种电子产品。研究并开发了一种显示器件的制造工艺、驱动方法等，以扩大屏幕并获得高清晰度。
通过增多像素数量来提高分辨率的显示器件产品开发非常积极。虽然显示器件的分辨率可通过增多像素数量而提高，但信号线的数量也随着像素数量的增多而增多。因此，作为针对信号线增多的解决方法，专利文献1(日本已公开专利申请No.2003-255903)公开了一种结构，其中在像素部分中设置了解码器，且信号线中的数据通过解码器电路分配，并且信号线在多个像素之间共用，藉此信号线数量得以减少。
发明内容
至于专利文献1中公开的显示器件，公开了一种结构，其中信号线中的数据基于从设置在像素部分中的解码器部分处的两条扫描线输入的信号的逻辑来分配，而且信号线由多个像素共用。然而，专利文献1中公开的显示器件的问题在于，像素中所包括的电路的复杂度取决于解码器部分中的电路。此外，因为解码器部分连接至用于选择像素的晶体管，而且除用于选择该像素的晶体管之外还必须设置解码器部分，所以引起了像素中所包括的元件数量增多的问题。
鉴于上述问题，本发明的一个目的是提供一种显示器件及其驱动方法，其能在不添加除用于选择像素的晶体管之外的电路的情况下在信号线中分配数据，而且其中信号线能在多个像素之间共用。
为解决上述问题，本发明人已经构思了一种想法，即在显示器件中，用于选择设置在像素部分中的像素的第一晶体管和第二晶体管以电串联的方式设置，而且相应的晶体管由相应的扫描线控制。具体而言，在本发明的显示器件中，设置了对应于色彩元件的多个像素，这些像素各自包括第一晶体管和第二晶体管，其中第一晶体管的第一端子连接至信号线，而第二晶体管的第一端子连接至第一晶体管的第二端子，且第二晶体管的第二端子连接至显示元件。对应于色彩元件的多个像素包括：第一像素，其中第一晶体管的栅极连接至第一扫描线，且第二晶体管的栅极连接至第二扫描线；第二像素，其中第一晶体管的栅极连接至第一扫描线，且第二晶体管的栅极连接至第一扫描线；以及第三像素，其中第一晶体管的栅极连接至第二扫描线，且第二晶体管的栅极连接至第二扫描线。因此，信号线中的数据可在无需添加除用于选择像素的晶体管之外的电路的情况下被分配，且信号线可由多个像素所共用。
注意，当晶体管用于像素时，晶体管的极性(导电类型)无特殊限制，因为该晶体管仅作为开关工作。注意通过使用具有低掺漏区(LDD区)的晶体管或具有多栅结构的晶体管作为晶体管，当晶体管处于截止状态时流过的电流可被减小。
注意，“A和B连接”的描述表示A和B电连接的状态。
注意，具有显示元件的显示器件可具有液晶元件或发光元件作为显示元件；然而，本发明不限于这些元件。例如，作为显示元件，可使用EL元件(例如包括有机和无机材料的EL元件、有机EL元件或无机EL元件)、电子发射体、电子墨水显示器、电泳元件、光栅光阀(GLV)、等离子体显示面板(PDP)、数字微反射镜器件(DMD)、压电陶瓷显示器等等。
注意，多种类型的晶体管可用作晶体管。因此，对要使用的晶体管类型并无限制。例如，可使用包括非晶硅、多晶硅、微晶(也称为半非晶)硅、单晶硅等的薄膜晶体管(TFT)。或者，可使用包括诸如ZnO、InGaZnO、SiGe、GaAs之类的化合物半导体或氧化物半导体的晶体管、以及通过减薄这些化合物半导体或氧化物半导体而获得的薄膜晶体管。因此，制造温度可降低，从而例如晶体管可在室温下制造。
注意，一个像素对应于其亮度可控的一个元件。因此，例如，一个像素意味着表示亮度的一个色彩元件。因此，在具有R(红)、G(绿)以及B(蓝)的色彩元件的彩色显示器件的情况下，图像的最小单元由R像素、G像素以及B像素的三个像素组成。注意，该色彩元件可以是除R、G以及B之外的另一色彩。例如，三个像素可包括黄、青以及品红的像素。
注意，像素可按照矩阵设置(安排)。这里，像素按照矩阵设置(安排)的描述包括像素按照纵向或横向以直线设置的情况和像素以锯齿线设置的情况。因此，例如，在利用三种色彩元件(例如R、G以及B)执行全彩显示的情况下，包括了其中像素以条状排列设置的情况和其中三种色彩元件的点以三角形排列设置的情况。
注意，晶体管是至少具有栅极、漏极以及源极三个端子的元件。晶体管包括漏区与源区之间的沟道区，而且电流能通过漏区、沟道区以及源区流动。这里，因为源极和漏极会根据晶体管的结构、工作条件等而变化，所以难以限定哪个是源极或漏极。因此，在本文档(说明书、权利要求、附图等等)中，用作源极或漏极的区域在某些情况下不称作源极或漏极。在此类情况下，例如，源极或漏极之一可称为第一端子，而另一个可称为第二端子。或者，源极和漏极中的一个可描述为第一电极，而另一个可描述为第二电极。再者，源极和漏极中的一个可描述为源区，而另一个可描述为漏区。
注意，显示元件对应于光调制元件、液晶元件、发光元件、EL元件(有机EL元件、无机EL元件，或包括有机和无机材料的EL元件)、电子发射体、电泳元件、放电元件、反光元件、光衍射元件、数字微反射镜器件(DMD)等。然而，该显示元件不限于它们。
注意，显示器件对应于具有显示元件的器件。注意，该显示器件可包括显示元件的多个像素。注意，该显示器件还可包括用于驱动多个像素的外围驱动电路。注意，用于驱动多个像素的该外围驱动电路可与多个像素在同一衬底上形成。注意，该显示器件还可包括通过引线接合或焊盘接合而设置在衬底上的外围驱动电路，即通过玻璃上芯片(COG)技术连接的IC芯片或通过TAB等连接的IC芯片。注意，该显示器件还可包括柔性印刷电路(FPC)，IC芯片、电阻器元件、电容器元件、电感器、晶体管等可附连至该FPC。注意，该显示器件还可包括通过柔性印刷电路(FPC)连接的印刷布线板(PWB)，IC芯片、电阻器元件、电容器元件、电感器、晶体管等可附连至该PWB。
根据本发明，信号线中的数据可在无需添加除用于选择像素的晶体管之外的电路的情况下被分配，且信号线可由多个像素所共用。因此，在显示质量得以保持的同时，信号线数量可减少，且信号线驱动电路的结构可简化，藉此零件成本可容易地降低，而且信号线驱动电路的大小和功耗可降低。
附图简述
图1是示出本发明的显示器件的示图。
图2是示出本发明的显示器件中包括的像素的示图。
图3A和3B是示出本发明的显示器件中包括的像素的示图。
图4A到4C是示出本发明的显示器件中包括的像素的示图。
图5是用于示出本发明的时序图。
图6是示出信号线驱动电路的结构的示图。
图7是示出信号线驱动电路的结构的示图。
图8A和8B是示出本发明的显示器件中包括的像素的示图。
图9A和9B是示出本发明的显示器件的示图。
图10A和10B是示出本发明的显示器件的示图。
图11是示出包括本发明的显示器件的电子设备的示图。
图12A到12C是示出包括本发明的显示器件的电子设备的示图。
图13A和13B是示出常规显示器件的示图。
实施本发明的最佳方式
实施方式
以下将参照附图描述本发明的实施方式。然而，本发明可以多种方式实现，而且本领域技术人员容易理解的是，这些方式和细节可以不同的方式变化，而不背离本发明的范围和精神。因此，本发明不应被解释为受限于对这些实施方式的描述。注意，在本说明书的附图中，相同的附图标记用于相同部分和具有相似功能的部分，从而其描述省略。
(实施方式1)
图1示出了显示器件的框图的结构。图1示出了本发明的显示器件中所包括的显示部分101和驱动部分102的结构。驱动部分102包括信号线驱动电路103、第一扫描线驱动电路104A以及第二扫描线驱动电路104B。在显示部分101中，多个像素105按矩阵设置。
注意，像素按照矩阵设置的描述包括像素按照纵向或横向以直线设置的情况和像素以锯齿线设置的情况。因此，例如，在利用表示三种色彩元件(例如R、G以及B)的像素执行全彩显示的情况下，包括了其中像素以条状排列设置的情况和其中表示这三种色彩元件的像素以三角形排列设置的情况。
在图1中，第一扫描信号从第一扫描线驱动电路104A提供给第一扫描线106(也称为第一布线)。此外，第二扫描信号从第二扫描线驱动电路104B提供给第二扫描线107(也称为第二布线)。此外，图像数据(以下简称为数据)从信号线驱动电路103提供给信号线108。来自第一扫描线106和第二扫描线107的扫描信号以像素105从第一扫描线106和第二扫描线107的第一行循序选择的方式来提供。此外，从第一扫描线106和第二扫描线107提供的扫描线信号逐行确定像素105处于选择状态还是未选择状态，并进一步在连接至信号线108的像素105(图1中的像素组109)中执行选择。
注意，在图1中，第一扫描线驱动电路104A连接至从G1A到GnA的n条第一扫描线106，而第二扫描线驱动电路104B连接至从G1B到GnB的n条第二扫描线107。此外，信号线驱动电路103连接至从S1到Sm的m条信号线108。在显示部分101中，多个像素105按矩阵设置。
注意像素组109中的第一像素、第二像素以及第三像素连接至信号线108。第一像素、第二像素以及第三像素对应于它们各自的R(红)、G(绿)以及B(蓝)色彩元件，而且组合用于控制亮度，从而能表示期望的色彩。注意，该色彩元件组不限于R、G以及B的组合，也可以是Y(黄)、C(青)以及M(品红)的组合。
注意，在本说明书中，一个像素表示一个色彩元件，且表示一个色彩元件的亮度。例如，在具有R、G以及B的色彩元件的彩色显示器件的情况下，图像的最小单元由R像素、G像素以及B像素的三个像素组成。
这里，图13A和13B示出常规显示器件的框图结构，以供与图1进行比较。图13A以类似于图1的方式示出显示部分1301和驱动部分1302的结构。驱动部分1302包括信号线驱动电路1303、扫描线驱动电路1304等。在显示部分1301中，多个像素1305按矩阵设置。
在图13A中，扫描信号从扫描线驱动电路1304提供至扫描线1306。此外，数据从信号线驱动电路1303提供至信号线1308。来自扫描线1306的扫描信号以像素1305从扫描线1306的第一行循序选择的方式来提供。
注意，在图13A中，扫描线驱动电路1304连接至从G1到Gn的n条扫描线1306。考虑图像的最小单元由R、G以及B的三个像素组成的情况，信号线驱动电路1303总共连接至3m条信号线：对应于R的从SR1到SRm的m条信号线，对应于G的从SG1到SGm的m条信号线，以及对应于B的从SB1到SBm的m条信号线。即，如图13B所示，信号线设置到各个色彩元件，从而数据从信号线提供至对应于色彩元件的像素，从而像素1305可表示期望的色彩。
如图13A和13B所示，因为显示器件的分辨率提高，所以信号线的数量也增多。然而，如果信号线数量能减少，显示器件的分辨率进一步提高，则能实现信号线驱动电路的低功耗。下文进一步详细描述通过为色彩元件中的每一个提供信号线来进行显示的本发明的操作。
图2示出了显示器件中的像素组109的结构。对应于R、G以及B的色彩元件的第一像素201、第二像素202以及第三像素203设置在像素组109中。此外，第一晶体管204、第二晶体管205以及显示元件206设置在第一像素201中。第一晶体管207、第二晶体管208以及显示元件209设置在第二像素202中。第一晶体管210、第二晶体管211以及显示元件212设置在第三像素203中。
此外，在第一像素201中，第一晶体管204的第一端子连接至信号线108；第一晶体管204的栅极连接至第一扫描线106；第二晶体管205的第一端子连接至第一晶体管204的第二端子；第二晶体管205的栅极连接至第二扫描线107；以及第二晶体管205的第二端子连接至显示元件206。
此外，在第二像素202中，第一晶体管207的第一端子连接至信号线108；第一晶体管207的栅极连接至第二扫描线107；第二晶体管208的第一端子连接至第一晶体管207的第二端子；第二晶体管208的栅极连接至第二扫描线107；以及第二晶体管208的第二端子连接至显示元件209。
此外，在第三像素203中，第一晶体管210的第一端子连接至信号线108；第一晶体管210的栅极连接至第一扫描线106；第二晶体管211的第一端子连接至第一晶体管210的第二端子；第二晶体管211的栅极连接至第一扫描线106；以及第二晶体管211的第二端子连接至显示元件212。
注意，晶体管是至少具有栅极、漏极以及源极三个端子的元件。这些晶体管包括漏区与源区之间的沟道区，而且电流能流过漏区、沟道区以及源区。这里，因为源极和漏极会根据晶体管的结构和工作条件等变化，所以难以限定哪个是源极或漏极。因此，在本说明书中，起源极或漏极作用的区域在某些情况下不称为源极或漏极。在此类情况下，例如，源极和漏极之一可称为第一端子，而另一端子可称为第二端子。
注意，“第一、第二、第三到第N(N是自然数)”的术语仅用于避免结构元件的混淆，而不意味着对结构元件数量的限制。
显示元件206、显示元件209以及显示元件212可包括图2中所示电路中的液晶元件或发光元件。作为显示元件，图3A和3B示出了利用液晶元件或发光元件的情况下的电路图。图3A的电路图示出了其中液晶元件301A到301C用作显示元件206、显示元件209以及显示元件212的示例。注意，优选液晶元件301A到301C分别设置有储能电容器302A到302C，而且每一个液晶元件与储能电容器并联电连接。此外，图3B的电路图示出了其中发光元件303A到303C用作显示元件的示例。注意，优选发光元件通过电阻器304A到304C连接至电源线305，其中电阻器304A到304C用于控制发光元件的发光，且以电串联的方式设置。注意，在图3B中，优选晶体管304A到304C的极性考虑发光元件303A到303C中的电流方向来确定。例如，在发光元件的阳极和晶体管如图3B所示那样连接时，p沟道晶体管是优选的。注意，包括有机和无机材料的EL元件、有机EL元件或无机EL元件可用作发光元件。在本说明书中，在液晶元件用作显示元件的假定前提下进行描述。
注意，电子发射体、电子墨水显示器、电泳元件、光栅光阀(GLV)、等离子体显示面板(PDP)、数字微反射镜器件(DMD)、压电陶瓷显示器等可用作显示元件206、显示元件209以及显示元件212。
注意，多种类型的晶体管可用作第一晶体管210和第二晶体管211。因此，对要使用的晶体管类型并无限制。例如，可使用包括非晶硅、多晶硅、微晶(也称为半非晶)硅、单晶硅等的薄膜晶体管(TFT)。或者，可使用包括诸如ZnO、InGaZnO、SiGe、GaAs之类的化合物半导体或氧化物半导体的晶体管、以及通过减薄这些化合物半导体或氧化物半导体而获得的薄膜晶体管。因此，制造温度可降低，从而例如晶体管可在室温下制成。
注意，在图2中所示的像素组109中，信号线108设置在按矩阵设置的R、G以及B像素之间；然而，本发明不限于此结构。图4A到4C示出了对应于一个像素组中的R、G以及B色彩元件之一的信号线和像素的排列示例。图4A到4C是其中R像素402A到402C、G像素403A到403C以及B像素404A到404C分别包括在像素组401A到401C中，而像素组401A到401C由信号线S1、第一扫描线G1以及第二扫描线G2控制的示图。如图4A所示，信号线S1可设置在像素402A与像素403A之间，像素402A与像素403A在像素组401A中以条形排列设置。通过采用图4A中所示的结构，信号线中的数据可输入像素中的显示元件，而无需通过引线传输。此外，如图4B所示，信号线S1可设置在像素组401B外部。优选采用图4B中所示的结构，因为用于设计电路的布局能容易地实现。此外，如图4C所示，像素可以三角形排列设置，从而信号线S1可迂回地设置，以在像素402C、像素403C以及像素404C之间穿行。图4C中所示的结构能给人眼带来包括许多曲线的自然图像等尤其平滑的印象。
接着，描述与图2中所示的作为图像的最小单元的像素组109中的R、G以及B相对应的像素的驱动方法。
图5的时序图示出了图2中的第一扫描线106(GiA)的扫描信号所选择的像素的时序、第二扫描线107(GiB)的扫描信号的时序、信号线的数据的时序以及行选择周期中的扫描信号(用于扫描显示器件的一行像素的时间)的时序。
注意，图2的电路图示出了其中n沟道晶体管用作第一晶体管和第二晶体管的情况。然后，图5的描述也用于描述在其中n沟道晶体管的导通或截止受控的情况下驱动像素。注意，当p沟道晶体管用于图2中的电路图时，扫描信号的电位可适当地改变，以使接通或切断晶体管的操作可以相同。
在图5的时序图中，假定与显示一个屏幕的图像的周期相对应的一个帧周期被设定为至少1/60秒，从而观看该图像的人不会感觉到闪烁，而且扫描线的数量为M，从而行选择周期对应于1/60M秒。例如，在显示器件具有视频图形阵列(VGA：640×480)的分辨率、且不考虑由布线等引起的信号延迟的情况下，行选择周期等于1/28800秒(≈34.72μs)。
在图5的时序图中示出的本实施方式的像素的驱动方法如下：在行选择周期中，第一扫描线和第二扫描线的扫描信号根据R、G以及B像素的数量被分成某些周期，而且第一扫描线和第二扫描线受控。接着，描述由来自第一扫描线和第二扫描线的信号控制的写入像素的顺序。注意，示出了连接至第i行中的像素的第一扫描线GiA和连接至第i行中的像素的第二扫描线GiB的选择时序。
首先，在图5中所示的第一周期501中，第一扫描线GiA的扫描信号和第二扫描线GiB的扫描信号被设定为具有高电位，从而第一像素中的第一晶体管和第二晶体管、第二像素中的第一晶体管和第二晶体管、以及第三像素中的第一晶体管和第二晶体管变成导通状态。在那时，第一到第三像素被选定，从而信号线中的数据被提供给各个显示元件。此时，应从信号线提供给第一像素中的显示元件的数据被提供给第二像素和第三像素中的显示元件。
注意，本说明书中的晶体管的“导通状态”表示晶体管的第一端子和第二端子导通的状态。此外，本说明书中的晶体管的“截止状态”表示晶体管的第一端子和第二端子不导通的状态。
接着，在图5中所示的第二周期502中，第一扫描线的扫描信号被设定为具有低电位，而第二扫描线的扫描信号被设定为具有高电位，从而在第一像素中，第一晶体管变成导通状态，而第二晶体管变成截止状态；第二像素中的第一晶体管和第二晶体管变成导通状态；以及第三像素中的第一晶体管和第二晶体管变成截止状态。在那时，信号线中的数据未提供给第一像素和第三像素中的显示元件，而仅提供给第二像素中的显示元件。
接着，在图5中所示的第三周期503中，第一扫描线的扫描信号被设定为具有高电位，而第二扫描线的扫描信号被设定为具有低电位，从而在第一像素中，第一晶体管变成截止状态，而第二晶体管变成导通状态；第二像素中的第一晶体管和第二晶体管变成截止状态；以及第三像素中的第一晶体管和第二晶体管变成导通状态。在那时，信号线中的数据未提供给第一像素和第二像素中的显示元件，而仅提供给第三像素中的显示元件。
在本实施方式中描述的显示器件中的像素的驱动方法中，作为色彩元件之一的R的数据在第一周期中输入到第一到第三像素的显示元件，如上所述。然而，在本发明中，因为行选择周期被色彩元件R、G以及B中的每一个所瓜分，而且执行扫描，所以R的数据输入至第二像素和第三像素的周期等于或小于1/180M秒。因此，即使R的数据输入至对应于色彩元件B和G的像素，操作也能在不影响图像显示的情况下进行。例如，在显示器件具有视频图形阵列(VGA：640×480)的分辨率、且不考虑由布线等引起的信号延迟的情况下，行选择周期等于1/86400秒(≈11.57μs)，这是R数据输入至对应于B和G的色彩元件的周期。例如，在显示元件是液晶元件的情况下，液晶元件花费至少几微秒来在光学上作出响应。因此，即使R的数据输入至对应于色彩元件B和G的像素，操作也能在不影响图像显示的情况下进行。
注意，在显示元件是液晶元件的情况下，R的数据提前输入至对应于色彩元件B和G的像素的显示元件，从而液晶分子的倾斜可通过施加电压而获得。因此，优选采用本驱动方法，因为当紧接着R输入的G数据输入至设置有对应于G的像素的液晶分子的显示元件时，液晶的期望取向能在短时间内获得。
接着，设置有本发明的像素结构的显示器件的优点参照信号线驱动电路(也称为源驱动器)的结构进行描述。图6是信号线驱动电路的框图。注意，图6中示出的信号线驱动电路的结构是利用线序驱动来驱动显示器件的像素的示例，而且其中液晶显示元件用作显示元件。
图6中的信号线驱动电路601包括移位寄存器602、第一闩锁电路603、第二闩锁电路604以及D/A转换电路605。
源驱动器起动脉冲(SSP)、源驱动器时钟信号(SCK)、倒相源驱动器时钟信号(SCKB)等被提供给移位寄存器602。移位寄存器602逐个选择第一闩锁电路603。注意，电平移动器电路可设置在移位寄存器602与第一闩锁电路603之间。
第一闩锁电路603的输入端子连接至移位寄存器602的输出端子和向其输入图像数据的布线。第一闩锁电路603的输出端子连接至第二闩锁电路604。
第二闩锁电路604用于存储输入至第一闩锁电路603的图像数据，且连接至输入用于控制第二闩锁电路604的信号的布线。第二闩锁电路604的输出端子连接至D/A转换电路605。
D/A转换电路605是将基于用于控制第二闩锁电路604的信号同时输出的数字图像数据转换成模拟数据的电路。D/A转换电路605的各个输出端子连接至信号线S1到Sm。
在本发明中，连接至像素的信号线数量可减少。因此，在图6中所示的信号线驱动电路的结构中，来自移位寄存器602的输出布线的数量可减少，而且第一闩锁电路603、第二闩锁电路604以及D/A转换电路605的数量可减少。换言之，在本发明的显示器件中，信号线的数量可被减少为1/3，藉此移位寄存器602、第一闩锁电路603、第二闩锁电路604以及D/A转换电路605的成本可降低。具体而言，因为D/A转换电路605必须提高输出至像素的用于驱动液晶显示元件的电压，所以D/A转换电路容易发热。然而，通过减少D/A转换电路的数量，低功耗可实现，从而发热也可忽略。
此外，图7示出了与图6中所示的信号线驱动电路的框图不同的结构。注意，图7中示出的信号线驱动电路的结构是利用线序驱动来驱动显示器件的像素的示例，而且其中液晶显示元件用作显示元件。
图7示出包括移位寄存器702、第一闩锁电路703、第二闩锁电路704以及D/A转换电路705的信号线驱动电路701和具有布线707的信号选择电路706。
源驱动器起动脉冲(SSP)、源驱动器时钟信号(SCK)、倒相源驱动器时钟信号(SCKB)等被提供给移位寄存器702。移位寄存器702逐个选择第一闩锁电路703。注意，电平移动器电路可设置在移位寄存器702与第一闩锁电路703之间。
第一闩锁电路703的输入端子连接至移位寄存器702的输出端子和输入图像数据的布线。第一闩锁电路703的输出端子连接至第二闩锁电路704。
第二闩锁电路704用于存储输入至第一闩锁电路703的图像数据，且连接至输入用于控制第二闩锁电路704的信号的布线。第二闩锁电路704的输出端子连接至D/A转换电路705。
D/A转换电路705是将基于用于控制第二闩锁电路704的信号同时输出的数字图像数据转换成模拟数据的电路。D/A转换电路705的各个输出端子连接至信号选择电路706中包括的晶体管的第一端子，且晶体管的数量对应于信号线S1到Sm的数量。
信号选择电路706是从D/A转换电路选择图像数据输出、并将选定的图像数据分配和输出至信号线的电路。作为特定示例，在信号选择电路706中，多个晶体管可设置为开关。晶体管的数量对应于信号线S1到Sm的数量，而且晶体管的导通或截止可由连接至晶体管栅极的布线707循序选择。然后，信号选择电路706选择连接至晶体管的第二端子的信号线，而且从D/A转换电路输出的图像数据被输出。
布线707是循序选择信号选择电路706中所包括的晶体管并输出用于控制导通或截止状态的信号的布线。用于循序选择晶体管的信号可从扫描线驱动电路通过布线707来提供。
在本发明中，连接至像素的信号线数量可减少。此外，在图7中所示的信号线驱动电路的结构中，图像数据可由设置在D/A转换电路705与信号线之间的信号选择电路706分配至信号线。因此，与图6中所示的信号线驱动电路的结构中的那些电路数量相比，在图7中所示的信号线驱动电路的结构中，来自移位寄存器702的输出布线的数量可进一步减少，而且第一闩锁电路703、第二闩锁电路704以及D/A转换电路705的数量可进一步减少。换言之，在本发明的显示器件中，信号线的数量可被减少为1/3，而且图像数据可由信号选择电路分配至三条信号线中，从而移位寄存器702、第一闩锁电路703、第二闩锁电路704以及D/A转换电路705的成本可降低。具体而言，因为D/A转换电路705必须提高输出至像素的用于驱动液晶显示元件的电压，所以D/A转换电路容易发热。然而，通过减少D/A转换电路的数量，低功耗可实现，这使得发热能被忽略。
本实施方式可与另一实施方式任意组合。
(实施方式2)
在本实施方式中，描述了在上述实施方式中描述的本发明的显示器件中的像素的俯视图和截面图的结构。
图8A和8B是薄膜晶体管(TFT)用作在上述实施方式中描述的第一晶体管和第二晶体管的情况下的像素的截面图和俯视图。图8A是像素的截面图，而图8B是像素的俯视图。此外，图8A中所示像素的截面图对应于图8B中所示像素的俯视图中的直线A-A’。
注意，图8A中所示TFT是利用非晶半导体或多晶半导体的上栅型TFT。然而，本发明不限于此。作为TFT的结构，可使用底栅型TFT。当制造上栅型TFT时，使用了利用非晶半导体的TFT。通过使用非晶半导体，其优势在于TFT可利用大面积衬底以低成本制造。
接着，描述了图8A中所示截面图的结构。在本实施方式中，具体而言，描述了用于在衬底上形成TFT的一面上制造元件的方法。
首先，第一绝缘膜802在衬底801上形成。第一绝缘膜802可以是诸如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜(SiOxNy)之类的绝缘膜。或者，可使用具有其中组合了至少两层以上膜的堆叠结构的绝缘膜。当通过形成第一绝缘膜802来实现本发明时，可防止由于来自衬底的杂质影响半导体层而引起的TFT特性变化；因此，可获得具有高可靠性的显示器件。注意，在不形成第一绝缘膜802而实现本发明的情况下，因为步骤数量会减少，所以制造成本可降低。此外，因为该结构简单，所以生产率可提高。
注意，具有透光性的衬底优选用作衬底801。例如，可使用石英衬底、玻璃衬底或塑料衬底。注意，衬底801可以是诸如半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底之类的光屏蔽衬底。
接着，半导体膜803在第一绝缘膜802上形成，且半导体膜803的形状通过诸如光刻法之类的方法进行处理。注意，作为用于半导体膜803的材料，硅、硅锗(SiGe)等是优选的。
接着，形成第二绝缘膜804。此时，可使用诸如溅射装置或CVD装置之类的膜形成装置。注意，作为用于第二绝缘膜804的材料，热氧化膜、氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜等是优选的。或者，可使用这些膜的层叠结构。
接着，第一导电膜805在半导体膜803和第一绝缘膜802上形成，其中第二绝缘膜804插入第一导电膜805与半导体膜803和第一绝缘膜802之间。注意，第一导电膜805还可通过利用光刻方法等来加工形状来形成。注意，作为用于第一导电膜805的材料，Mo、Ti、Al、Nd、Cr等是优选的。或者，可使用这些膜的层叠结构。再者，第一导电膜805可形成为单层或这些元素的合金的层叠结构。注意，利用第一导电膜805作为掩模，赋予导电性的杂质元素被引入半导体膜803。
接着，形成第三绝缘膜806。注意，作为用于第三绝缘膜806的材料，优选无机材料(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等)。注意，第三绝缘膜806也可通过加工形状来形成。用于加工形状的方法优选是诸如上述的光刻之类的方法。在通过蚀刻加工第三绝缘膜806时，允许半导体膜803暴露的接触孔可同时形成。
接着，第二导电膜807形成。优选在此时使用溅射方法或印刷方法。注意，用于第二导电膜807的材料可具有光透射性或反射性。注意，用于第二导电膜807的材料与第一导电膜805的材料可相似。此外，第二导电膜807可通过加工形状来形成。
接着，形成第四绝缘膜808。注意，作为用于第四绝缘膜808的材料，无机材料(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等)、有机材料等是优选的。注意，第四绝缘膜808也可通过加工形状来形成。用于加工形状的方法优选是诸如上述的光刻之类的方法。此时，允许第二导电膜807暴露的接触孔可形成。注意，第四绝缘膜808的表面优选尽可能平坦。
接着，第三导电膜809形成。优选在此时使用溅射方法或印刷方法。注意，与第二导电膜807相似，用于第三导电膜809的材料可具有光透射性或反射性。注意，用于第三导电膜809的材料与第二导电膜807的材料可相似。此外，第三导电膜809可通过加工形状来形成。作为用于加工形状的方法，可使用与第二导电膜807的方法相同的方法。注意，第三导电膜809可具有作为用于电连接至显示元件的像素电极的作用。
注意，晶体管810和电容器元件811通过上述步骤在衬底801上形成，而用于驱动晶体管的布线同时形成。
随后，显示器件的像素的布局示例参照图8B进行描述。注意，图8B示出了其中排列了在第一实施方式中描述的第一到第三像素的结构。注意，如第一实施方式中所述，第一到第三像素之间的差别在于第一与第二扫描线、以及第一与第二晶体管之间的连接不同。因此，这里，该描述聚焦于第一到第三像素中的任一个。
例如，可应用于图8B中所示的本发明的显示器件的像素作为示例包括第一扫描线851、第二扫描线852、信号线853、电容器线854、第一晶体管855、第二晶体管856、像素电极857以及电容器元件858。图8B中示出的布线859是设置用于从信号线853向第一到第三像素中的第一晶体管855的第一端子提供图像数据的布线。
第一扫描线851和第二扫描线852电连接至第一晶体管855和第二晶体管856的栅极。此时，优选第一扫描线851和第二扫描线852通过经由接触孔连接的另一布线电连接至第一晶体管855和第二晶体管856。换言之，图8A中描述的第二导电膜807层等效于第一扫描线851和第二扫描线852层，且第一导电膜805层等效于通过接触孔连接的另一布线层。
因为信号线853电连接至第一晶体管855的第一端子，所以信号线853优选通过接触孔连接至布线859。注意，因为信号线853层利用与第一扫描线851和第二扫描线852层不同的层形成，所以优选信号线853利用与图8A中所述的第一导电膜805层相同的层形成。
电容器线854利用与图8A中所述的第二导电膜807层相同的层形成，且通过接触孔电连接至第一导电膜805。此外，电连接至电容器线854的第一导电膜805与从半导体膜803延伸的区域交迭，该区域被赋予导电性且包括在第一晶体管855和第二晶体管856中。换言之，电容器元件可在第一导电膜805与半导体膜803交迭的被赋予导电性的区域中形成，且第二绝缘膜804插入第一导电膜805与半导体膜803之间。
在本发明中，连接至像素的信号线数量可减少。因此，连接至该像素中的晶体管的显示区的面积可增大。另一方面，可构想显示元件紧密设置在无信号线的部分中的相邻像素之间。然而，优选在这种情况下采用本实施方式，因为本实施方式能通过在像素相邻且无信号线的部分中延伸布线来允许形成电容器元件，所以能防止相邻像素中的显示元件之间的串扰。
本实施方式也可与另一实施方式任意组合。
(实施方式3)
在本实施方式中，本发明的显示器件的显示部分的结构参照图9A和9B进行描述。具体而言，液晶显示元件用作显示元件，而且描述了包括TFT衬底、反衬底以及插入反衬底与TFT衬底之间的液晶层的显示器件的结构。图9A是该显示器件的俯视图。图9B是沿图9A的线C-D所取的截面图。注意，图9B是其中晶体半导体膜(多晶硅膜)在衬底50100上形成为半导体膜、而且显示模式是多畴垂直取向(MVA)模式的情况下的上栅型晶体管的截面图。
图9A中所示的液晶面板包括衬底50100上的像素部分50101、第一扫描线驱动电路50105a、第二扫描线驱动电路50105b以及信号线驱动电路50106。像素部分50101、第一扫描线驱动电路50105a、第二扫描线驱动电路50105b以及信号线驱动电路50106用密封剂50516密封在衬底50100与衬底50515之间。此外，FPC 50200和IC芯片50530通过TAB方法设置在衬底50100上。
注意，与实施方式1中所述的那些电路相似的电路可用作第一扫描线驱动电路50105a、第二扫描线驱动电路50105b以及信号线驱动电路50106。
沿图9A的直线C-D所取的截面结构参照图9B进行描述。像素部分50101及其外围驱动电路部分(第一扫描线驱动电路50105a、第二扫描线驱动电路50105b以及信号线驱动电路50106)在衬底50100上形成。这里，示出了驱动电路区50525(第二扫描线驱动电路50105b)和像素区50526(像素部分50101)。
首先，绝缘膜50501作为基膜在衬底50100上形成。作为绝缘膜50501，可使用诸如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜(SiOxNy)之类的单层绝缘膜，或可使用包括这些膜中的至少两个的叠层。注意，氧化硅膜优选用于与半导体接触的部分。因此，基膜中的电子阱或晶体管特性中的滞后可被抑制。此外，优选设置包含大量氮组分的至少一层膜作为基膜。通过该膜，来自玻璃的杂质的污染可被抑制。
接着，半导体膜50502通过光刻方法、喷墨方法、印刷方法等等在绝缘膜50501上形成。
接着，绝缘膜50503作为栅绝缘膜在半导体膜50502上形成。注意，作为绝缘膜50503，可使用通过热氧化半导体膜50502形成的膜、氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅等等的单层结构或层叠结构。氧化硅膜优选用于与半导体膜50502接触的绝缘膜50503。这是因为绝缘膜50503与半导体膜50502之间的界面处的阱能级数量可在使用氧化硅膜的情况下被降低。此外，当栅电极利用Mo形成时，氮化硅膜优选用于与栅电极接触的栅绝缘膜。这是因为Mo未被氮化硅膜氧化。这里，作为绝缘膜50503，厚度为115nm的氧氮化硅膜(组分比：
Figure GPA00001102570700171
以及H＝2％)通过等离子体CVD方法形成。
接着，导电膜50504通过光刻方法、喷墨方法、印刷方法等等在绝缘膜50503上形成。注意，作为导电膜50504，可使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba、Ge等、这些元素的合金等等。或者，可使用这些元素或其合金的叠层。这里，栅电极利用Mo形成。Mo是优选的，因为它容易被蚀刻且耐热。注意，半导体膜50502利用导电膜50504或抗蚀剂作为掩模用杂质元素掺杂，以形成将作为源区和漏区的沟道形成区和杂质区。注意，杂质区中的杂质浓度可被控制，以形成高浓度杂质区和低浓度杂质区。晶体管50521中的导电膜50504被形成为具有双栅结构。当晶体管50521具有双栅结构时，晶体管50521的截止电流可降低。该双栅结构具有两个栅电极。注意，多个栅电极也可设置在晶体管中的沟道形成区上。或者，晶体管50521中的导电膜50504可具有单栅结构。此外，晶体管50519和晶体管50520可按照与晶体管50521相同的工艺来制造。
接着，作为层间膜，绝缘膜50505在绝缘膜50503上以及在绝缘膜50503上形成的导电膜50504上形成。作为绝缘膜50505，可使用有机材料、无机材料或它们的层叠结构。例如，绝缘膜50505可利用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化铝、氧氮化铝、含氮比含氧多的氮氧化铝、氧化铝、类金刚石碳(DLC)、聚硅氮烷、含氮碳(CN)、磷硅玻璃(PSG)、BPSG(硼磷硅玻璃)、氧化铝或含无机绝缘材料的其他物质形成。或者，还可使用有机绝缘材料。该有机材料可以是光敏或非光敏的材料，而且可使用聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、苯并环丁烯基聚合物、硅氧烷树脂等等。注意该硅氧烷树脂是包括Si-O-Si键的树脂。硅氧烷具有硅(Si)和氧(O)的键的骨架结构。至于取代基，可使用诸如烷基或芳香烃之类的有机基。作为取代基，可使用氟基。此外，作为取代基，可使用氟基和有机基。注意，接触孔在绝缘膜50503和绝缘膜50505中选择性地形成。例如，接触孔在各个晶体管的杂质区的上表面上形成。
接着，在绝缘膜50505上，导电膜50506通过光刻方法、喷墨方法、印刷方法等形成为漏电极、源电极以及布线。注意，作为导电膜50506的材料，可使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba、Ge等、这些元素的合金等等。或者，可使用这些元素或其合金的层叠结构。此外，在接触孔在绝缘膜50503和绝缘膜50505中形成的部分中，导电膜50506连接至晶体管的半导体膜50502的杂质区。
绝缘膜50507在绝缘膜50505上以及在绝缘膜50505上形成的导电膜50506上形成为平坦化膜。注意，绝缘膜50507优选具有高平坦性和将源自下层的不平整平坦化的能力，因此绝缘膜50507在许多情况下利用有机材料形成。注意，可使用其中有机材料在无机材料(诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅)上形成的多层结构。注意，接触孔在绝缘膜50507中选择性地形成。例如，接触孔在晶体管50521的漏电极的上表面上形成。
导电膜50508通过光刻方法、喷墨方法、印刷方法等等在绝缘膜50507上形成作为像素电极。开口部分在导电膜50508中形成。导电膜50508中形成的开口部分可具有用于MVA模式的凸出部相同的作用，因为该开口部分允许液晶分子倾斜。作为导电膜50508，可使用透光的透明电极。例如，可使用氧化锡混合于氧化铟中的氧化铟锡(ITO)膜、氧化硅混合于氧化铟锡(ITO)中的氧化铟锡硅(ITSO)膜、氧化锌混合于氧化铟中的氧化铟锌(IZO)膜、氧化锌膜、氧化锡膜等。注意，IZO是通过溅射法利用其中2wt％(重量百分比)到20wt％的氧化锌(ZnO)混合于ITO中的靶材料形成的透明导电材料，但不限于此。或者例如，在使用反射电极的情况下，可使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba、Ge等、或这些元素的合金等等。或者，还可使用其中Ti、Mo、Ta、Cr或W与Al层叠的两层结构、或其中Al插入诸如Ti、Mo、Ta、Cr以及W之类的金属之间的三层结构。
接着，绝缘膜50509在绝缘膜50507上以及在绝缘膜50507上形成的导电膜50508上形成为取向膜。
接着，密封剂50516通过喷墨方法等在像素部分50101周围形成、或在像素部分50101及其外围驱动电路部分周围形成。
接着，其上形成了导电膜50512、绝缘膜50511、凸出部50551等的衬底50515和衬底50100彼此附连，且隔离件50531插入衬底50515与衬底50100之间，以及液晶层50510设置在这两个衬底之间。注意，衬底50515用作配对衬底。隔离件50531可通过其中散布若干μm的微粒的方法或其中树脂膜在衬底的整个表面上形成并被蚀刻的方法来形成。此外，导电膜50512用作配对电极。作为导电膜50512，可使用与导电膜50508的材料相似的材料。此外，绝缘膜50511用作取向膜。
FPC 50200设置在通过各向异性导体层50517电连接至像素部分50101及其外围驱动电路部分的导电膜50518上。此外，IC芯片50530通过各向异性导体层50517设置在FPC 50200上。即，FPC 50200、各向异性导电层50517以及IC芯片50530相互电连接。
注意，各向异性导电层50517具有从FPC 50200向像素或外围电路传输信号和电位输入的功能。作为各向异性导电层50517，可使用与导电膜50506的材料相似的材料、与导电膜50504的材料相似的材料、与半导体膜50502的杂质区的材料相似的材料或包括上述层中的至少两个层或多个层的膜。
当功能电路(诸如存储器或缓冲器)在IC芯片50530中形成时，衬底的面积可有效利用。
注意，图9B示出了MVA显示模式的截面结构；然而，可利用图像垂直取向(PVA)来进行显示。在利用PVA模式的情况下，可为在衬底50515上形成的导电膜50512设置狭缝，从而液晶分子可倾斜以取向。此外，为设置有狭缝的导电膜设置了凸出部50551(也称为取向控制凸出部)，从而液晶分子可倾斜以取向。此外，作为液晶的驱动模式，不限于MVA模式或PVA模式，还可使用TN(扭曲向列)模式、IPS(共面切换)模式、FFS(边缘场切换)模式、ASM(轴对称排列微单元)模式、OCB(光学补偿双折射)模式、FLC(铁电液晶)模式、AFLC(反铁电液晶)模式等。
虽然在图9A和9B的液晶面板中，第一扫描线驱动电路50105a、第二扫描线驱动电路50105b以及信号线驱动电路50106在衬底50100上形成，对应于信号线驱动电路50106的驱动电路可在驱动器IC 50601中形成，并如图10A中的液晶面板中所示通过COG方法安装在液晶面板上。信号线驱动电路50106在驱动器IC 50601中形成，藉此能实现节电。此外，当驱动器IC 50601形成为诸如硅晶片之类的半导体芯片时，能实现图10A中的液晶面板的高速操作和低功耗。
同样，如图10B中的液晶面板所示，对应于第一扫描线驱动电路50105a、第二扫描线驱动电路50105b以及信号线驱动电路50106的驱动电路可分别在驱动器IC 50602a、驱动器IC 50602b以及驱动器IC 50601中形成，而且可通过COG方法安装在液晶面板上，其中通过COG方法能实现更低成本。
在本发明中，连接至形成上述图4A到4C中所示的显示部分的像素的信号线数量可减少。因此，连接至该像素中的晶体管的显示区面积可增大。在连接至信号线的信号线驱动电路中，元件数量、成本以及功耗可减少。
本实施方式可与另一实施方式任意组合。
(实施方式4)
在本实施方式中，描述了电子设备的示例。
图11示出了其中组合了显示面板1101和电路板1111的显示面板模块。显示面板1101包括像素部分1102、扫描线驱动电路1103以及信号线驱动电路1104。例如，电路板1111设置有控制电路1112、信号分割电路1113等。显示面板1101和电路板1111通过连接布线1114连接。FPC等可用于该连接布线。
在显示面板1101中，像素部分1102和外围驱动电路的部分(多个驱动电路中具有低工作频率的驱动电路)可利用晶体管在同一衬底上形成，而外围驱动电路的其他部分(多个驱动电路中具有高工作频率的驱动电路)可在IC芯片上形成。然后，该IC芯片可通过COG(玻璃上芯片)等安装在显示面板1101上。因此，电路板1111的面积可减小，从而可获得小显示器件。或者，IC芯片可通过利用TAB(带式自动接合)或印刷布线板而安装在显示面板1101上。因此，显示面板1101的面积可减小，从而可获得具有更窄框架的显示器件。
例如，为降低功耗，像素部分可通过利用晶体管在玻璃衬底上形成，而且所有外围电路可在IC芯片上形成。然而，该IC芯片可通过COG或TAB安装在显示面板上。
电视接收器可利用图11中所示的显示面板模块完成。
本实施方式中的各个附图中所描述的内容(或部分内容)可应用于多种电子设备。具体而言，这些内容可应用于电子设备的显示部分。作为此类电子设备的示例，可给出摄像机、数码相机、护目镜型显示器、导航系统、音频再现设备(诸如汽车音频部件和音频部件)、计算机、游戏机、便携式信息终端(诸如移动计算机、移动电话、移动游戏机以及电子书)、设置有记录介质的图像再现设备(具体而言，再现诸如数字多功能盘(DVD)之类的记录介质的内容且具有用于显示再现图像的显示器的设备)等。
图12A是包括外壳1211、支承基座1212以及显示部分1213的显示器。图12A中所示的显示器具有在显示部分上显示多种类型的信息(例如静止图像、运动图像以及文本图像)的功能。注意，图12A中所示显示器的功能不限于该功能，而且可包括多种功能。
图12B是包括主体1231、显示部分1232、图像接收部分1233、操作键1234、外部连接端口1235以及快门按钮1236的相机。图12B中所示的相机具有诸如拍摄静止图像或运动图像之类的多种功能。注意，该相机的功能不限于该功能，而且可包括多种功能。
图12C示出了包括主体1251、外壳1251、显示部分1253、键盘1254、外部连接端口1255以及指向装置1256的计算机。图12C中所示的计算机具有在显示部分上显示多种类型的信息(例如静止图像、运动图像以及文本图像)的功能。注意，该计算机的功能不限于该功能，而且可包括多种功能。
在本发明中，连接至形成上述图12A到12C中所示的显示部分的像素的信号线数量可减少。因此，连接至该像素中的晶体管的显示区面积可增大。在连接至信号线的信号线驱动电路中，元件数量、成本以及功耗可减少。
本实施方式可与另一实施方式任意组合。
本申请基于2007年10月19日向日本专利局提交的日本专利申请S/N.2007-271896，该申请的全部内容通过引用结合于此。

Claims (22)

1.一种包括像素组的显示器件，所述像素组包括：
第一到第三像素，所述第一到第三像素中的每一个包括第一和第二晶体管以及显示元件；以及
信号线、第一扫描线以及第二扫描线，
其中所述第一像素的所述第一晶体管的第一电极、所述第二像素的所述第一晶体管的第一电极、以及所述第三像素的所述第一晶体管的第一电极连接至所述信号线，
其中所述第一像素的所述第一晶体管的第二电极、所述第二像素的所述第一晶体管的第二电极、以及所述第三像素的所述第一晶体管的第二电极分别连接至所述第一像素的所述第二晶体管的第一电极、所述第二像素的所述第二晶体管的第一电极、以及所述第三像素的所述第二晶体管的第一电极，
其中所述第一像素的所述第二晶体管的第二电极、所述第二像素的所述第二晶体管的第二电极、以及所述第三像素的所述第二晶体管的第二电极分别连接至所述第一像素的所述显示元件、所述第二像素的所述显示元件以及所述第三像素的所述显示元件，
其中所述第一像素的所述第二晶体管的栅极、所述第三像素的所述第一晶体管的栅极、以及所述第三像素的所述第二晶体管的栅极连接至所述第一扫描线，以及
其中所述第一像素的所述第一晶体管的栅极、所述第二像素的所述第一晶体管的栅极、以及所述第二像素的所述第二晶体管的栅极连接至所述第二扫描线。
2.一种包括像素组的显示器件，所述像素组包括：
第一到第三像素，所述第一到第三像素中的每一个包括第一到第三晶体管以及显示元件；以及
信号线、第一扫描线、第二扫描线以电源线，
其中所述第一像素的所述第一晶体管的第一电极、所述第二像素的所述第一晶体管的第一电极、以及所述第三像素的所述第一晶体管的第一电极连接至所述信号线，
其中所述第一像素的所述第一晶体管的第二电极、所述第二像素的所述第一晶体管的第二电极、以及所述第三像素的所述第一晶体管的第二电极分别连接至所述第一像素的所述第二晶体管的第一电极、所述第二像素的所述第二晶体管的第一电极、以及所述第三像素的所述第二晶体管的第一电极，
其中所述第一像素的所述第二晶体管的第二电极、所述第二像素的所述第二晶体管的第二电极、以及所述第三像素的所述第二晶体管的第二电极分别连接至所述第一像素的所述第三晶体管的栅极、所述第二像素的所述第三晶体管的栅极、所述第三像素的所述第三晶体管的栅极，
其中所述第一像素的所述第三晶体管的第一电极、所述第二像素的所述第三晶体管的第一电极、以及所述第三像素的所述第三晶体管的第一电极连接至所述电源线，
其中所述第一像素的所述第三晶体管的第二电极、所述第二像素的所述第三晶体管的第二电极、以及所述第三像素的所述第三晶体管的第二电极分别连接至所述第一像素的所述显示元件、所述第二像素的所述显示元件、所述第三像素的所述显示元件，
其中所述第一像素的所述第二晶体管的栅极、所述第三像素的所述第一晶体管的栅极、以及所述第三像素的所述第二晶体管的栅极连接至所述第一扫描线，以及
其中所述第一像素的所述第一晶体管的栅极、所述第二像素的所述第一晶体管的栅极、以及所述第二像素的所述第二晶体管的栅极连接至所述第二扫描线。
3.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，
所述显示元件是液晶元件。
4.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，
所述第一像素的所述显示元件、所述第二像素的所述显示元件、以及所述第三像素的所述显示元件被设置成色彩元件。
5.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，
所述第一像素的所述显示元件、所述第二像素的所述显示元件、以及所述第三像素的所述显示元件分别被设置成第一色彩元件、第二色彩元件以及第三色彩元件。
6.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，
所述第一像素的所述显示元件、所述第二像素的所述显示元件、以及所述第三像素的所述显示元件分别被设置成第一色彩的元件、第二色彩的元件以及第三色彩的元件，以及
其中所述第一色彩、所述第二色彩以及所述第三色彩互不相同。
7.如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，
所述显示元件是发光元件。
8.如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，
所述第一像素的所述显示元件、所述第二像素的所述显示元件、以及所述第三像素中的所述显示元件各自被设置成色彩元件。
9.如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，
所述第一像素的所述显示元件、所述第二像素的所述显示元件、以及所述第三像素的所述显示元件分别被设置成第一色彩元件、第二色彩元件以及第三色彩元件。
10.如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，
所述第一像素的所述显示元件、所述第二像素的所述显示元件、以及所述第三像素的所述显示元件分别被设置成第一色彩的元件、第二色彩的元件以及第三色彩的元件，以及
其中所述第一色彩、所述第二色彩以及所述第三色彩互不相同。
11.一种用于驱动包括具有第一到第三像素的像素组的显示器件的方法，所述方法包括：
在第一周期中从信号线向第一到第三像素提供数据；
在第二周期中从所述信号线向所述第二像素提供数据，其中无数据被提供给所述第一和第三像素；以及
在第三周期中从所述信号线向所述第三像素提供数据，其中无数据被提供给所述第一和第二像素。
12.如权利要求11所述的显示器件，其特征在于，
所述第一到第三像素各自包括液晶元件。
13.如权利要求11所述的显示器件，其特征在于，
所述第一到第三像素各自包括发光元件。
14.如权利要求11所述的显示器件，其特征在于，
所述第一像素、所述第二像素以及所述第三像素分别被设置成第一色彩元件、第二色彩元件以及第三色彩元件。
15.如权利要求11所述的显示器件，其特征在于，
所述第一像素、所述第二像素以及所述第三像素分别被设置成第一色彩的元件、第二色彩的元件以及第三色彩的元件，以及
其中所述第一色彩、所述第二色彩以及所述第三色彩互不相同。
16.如权利要求11所述的显示器件，其特征在于，
所述第一到第三周期中的每一个等于或小于1/180M秒，其中M是为所述显示器件设置的扫描线的数量。
17.一种用于驱动包括第一到第三像素的显示器件的方法，所述方法包括：
在第一周期中将所述第一像素的第一和第二晶体管、所述第二像素的第一和第二晶体管、以及所述第三像素的第一和第二晶体管设置为导通状态；
在第二周期中将所述第一像素的所述第一晶体管和所述第二像素的所述第一和第二晶体管设置为导通状态，且将所述第一像素的所述第二晶体管和所述第三像素的所述第一和第二晶体管设置为截止状态；以及
在第三周期中将所述第一像素的所述第一晶体管和所述第二像素的所述第一和第二晶体管设置为截止状态，且将所述第一像素的所述第二晶体管和所述第三像素的所述第一和第二晶体管设置为导通状态，
其中所述第一像素中的所述第一晶体管的第一电极、所述第二像素中的所述第一晶体管的第一电极、以及所述第三像素中的所述第一晶体管的第一电极连接至信号线，以及
其中所述第一像素中的所述第一晶体管的第二电极、所述第二像素中的所述第一晶体管的第二电极、以及所述第三像素中的所述第一晶体管的第二电极分别连接至所述第一像素中的所述第二晶体管的第一电极、所述第二像素中的所述第二晶体管的第一电极、以及所述第三像素中的所述第二晶体管的第一电极。
18.如权利要求17所述的显示器件，其特征在于，
所述第一到第三像素各自包括液晶元件。
19.如权利要求17所述的显示器件，其特征在于，
所述第一到第三像素各自包括发光元件。
20.如权利要求17所述的显示器件，其特征在于，
所述第一像素、所述第二像素以及所述第三像素分别被设置成第一色彩元件、第二色彩元件以及第三色彩元件。
21.如权利要求17所述的显示器件，其特征在于，
所述第一像素、所述第二像素以及所述第三像素分别被设置成第一色彩的元件、第二色彩的元件以及第三色彩的元件，以及
其中所述第一色彩、所述第二色彩以及所述第三色彩互不相同。
22.如权利要求17所述的显示器件，其特征在于，
所述第一到第三周期中的每一个等于或小于1/180M秒，其中M是为所述显示器件设置的扫描线的数量。
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