JP2016213452A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (9)

1. 第１の導電体と、
   前記第１の導電体上の第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体上の、第２の絶縁体および第３の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上の半導体と、
   前記半導体上に接する領域を有する、第２の導電体および第３の導電体と、
   前記半導体上、前記第２の導電体上および前記第３の導電体上の第４の絶縁体と、
   前記第４の絶縁体上の第４の導電体と、を有し、
   前記第１の導電体は、前記第１の絶縁体および前記第２の絶縁体を介して、前記半導体と重なる領域を有し、
   前記第１の絶縁体は、前記第２の絶縁体の下面と接する第１の領域と、前記第３の絶縁体の下面と接する第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域における前記第１の絶縁体の膜厚は、前記第２の領域における前記第１の絶縁体の膜厚より大きく、
   前記第４の導電体は、前記第１の絶縁体、前記第２の絶縁体、前記半導体、および前記第４の絶縁体を介して、前記第１の導電体と重なる領域を有し、
   前記第３の絶縁体は、フッ素を有する半導体装置。
2. 第１の導電体と、
   前記第１の導電体上の第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体上の、第２の絶縁体および第３の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上の半導体と、
   前記半導体上に接する領域を有する、第２の導電体および第３の導電体と、
   前記半導体上の第４の絶縁体と、
   前記第４の絶縁体を介して、前記半導体と重なる領域を有する第４の導電体と、
   前記第２の導電体上および前記第３の導電体上の、開口部を有する第５の絶縁体と、を有し、
   前記第４の絶縁体は、前記第５の絶縁体の前記開口部の内壁を覆う領域を有し、
   前記第４の導電体は、前記開口部において、前記第４の絶縁体を介して、前記第５の絶縁体の側面と重なる領域を有し、
   前記第１の導電体は、前記第１の絶縁体および前記第２の絶縁体を介して、前記半導体と重なる領域を有し、
   前記第１の絶縁体は、前記第２の絶縁体の下面と接する第１の領域と、前記第３の絶縁体の下面と接する第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域における前記第１の絶縁体の膜厚は、前記第２の領域における前記第１の絶縁体の膜厚より大きく、
   前記第４の導電体は、前記第１の絶縁体、前記第２の絶縁体、前記半導体、および前記第４の絶縁体を介して、前記第１の導電体と重なる領域を有し、
   前記第３の絶縁体は、フッ素を有する半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の導電体および前記第３の導電体の各々は、平面視において、前記第４の導電体と重なる領域を有さない半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第３の絶縁体の膜厚は、前記第１の領域における前記第１の絶縁体の膜厚と前記第１の領域における前記第１の絶縁体の膜厚の差より大きい半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第３の絶縁体の膜厚は、前記第１の領域における前記第１の絶縁体の膜厚と前記第１の領域における前記第１の絶縁体の膜厚の差より小さい半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記半導体は、酸化物半導体を有する半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第２の絶縁体および前記第４の絶縁体の各々は、前記半導体を構成する酸素以外の元素一種以上から構成される酸化物を有する半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記半導体のチャネル幅方向において、前記第４の導電体は、前記半導体の側面と面する領域を有する半導体装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
   前記第４の導電体は、前記第１の導電体と電気的に接続される半導体装置。