JP2016201541A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 基板上の半導体と、
   前記半導体上の第１の導電体及び第２の導電体と、
   前記第１の導電体及び前記第２の導電体上の第１の絶縁体と、
   前記半導体上の第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上の第３の絶縁体と、
   前記第３の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、
   前記第３の絶縁体は前記第１の絶縁体の側面と接する領域を有し、
   前記半導体は、前記第１の導電体の底面と重なる第１の領域と、前記第２の導電体の底面と重なる第２の領域と、前記第３の導電体の底面と重なる第３の領域と、を有し、
   前記半導体の上面と前記第３の導電体の底面との間の長さは、前記第１の領域と前記第３の領域との間の長さよりも大きい、半導体装置。
2. 基板上の半導体と、
   前記半導体上の第１の導電体及び第２の導電体と、
   前記第１の導電体及び前記第２の導電体上の第１の絶縁体と、
   前記半導体上の第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上の第３の絶縁体と、
   前記第３の絶縁体上の第３の導電体と、
   前記第１の絶縁体及び前記第３の導電体上の第４の導電体を有し、
   前記第３の絶縁体は前記第１の絶縁体の側面と接する領域を有し、
   前記半導体は、前記第１の導電体の底面と重なる第１の領域と、前記第２の導電体の底面と重なる第２の領域と、前記第３の導電体の底面と重なる第３の領域と、を有し、
   前記半導体の上面と前記第３の導電体の底面との間の長さは、前記第１の領域と前記第３の領域との間の長さよりも大きく、
   前記第１の導電体または前記第２の導電体と、前記第４の導電体との間の長さは、前記第１の領域と前記第２の領域との間の長さよりも大きい、半導体装置。
3. 基板上の半導体と、
   前記半導体上の第１の導電体及び第２の導電体と、
   前記第１の導電体及び前記第２の導電体上の第１の絶縁体と、
   前記半導体上の第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上の第３の絶縁体と、
   前記第３の絶縁体上の第４の絶縁体と、
   前記第４の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、
   前記第４の絶縁体は前記第１の絶縁体の側面と接する領域を有し、
   前記半導体は、前記第１の導電体の底面と重なる第１の領域と、前記第２の導電体の底面と重なる第２の領域と、前記第３の導電体の底面と重なる第３の領域と、を有し、
   前記半導体の上面と前記第３の導電体の底面との間の長さは、前記第１の領域と前記第３の領域との間の長さよりも大きい、半導体装置。
4. 基板上の半導体と、
   前記半導体上の第１の導電体及び第２の導電体と、
   前記第１の導電体及び前記第２の導電体上の第１の絶縁体と、
   前記半導体上の第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上の第３の絶縁体と、
   前記第３の絶縁体上の第４の絶縁体と、
   前記第４の絶縁体上の第３の導電体と、
   前記第１の絶縁体及び前記第３の導電体上の第４の導電体を有し、
   前記第４の絶縁体は前記第１の絶縁体の側面と接する領域を有し、
   前記半導体は、前記第１の導電体の底面と重なる第１の領域と、前記第２の導電体の底面と重なる第２の領域と、前記第３の導電体の底面と重なる第３の領域と、を有し、
   前記半導体の上面と前記第３の導電体の底面との間の長さは、前記第１の領域と前記第３の領域との間の長さよりも、大きく、
   前記第１の導電体または前記第２の導電体と、前記第４の導電体との間の長さは、前記第１の領域と前記第２の領域との間の長さよりも大きい、半導体装置。
5. 請求項２または請求項４において、
   前記第１の導電体または前記第２の導電体と、前記第４の導電体との間の長さは、前記第１の領域と前記第２の領域との間の長さの１．５倍以上２倍以下である、半導体装置。