JP2015195365A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の半導体と、第３の絶縁体と、第１の導電体と、を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の半導体と、第４の絶縁体と、第２の導電体と、を有し、
   前記容量素子は、第３の導電体と、第４の導電体と、第５の絶縁体と、を有し、
   前記第１の絶縁体は、前記第１のトランジスタ上に配置され、
   前記容量素子は、前記第１の絶縁体上に配置され、
   前記第２の絶縁体は、前記容量素子上に配置され、
   前記第２のトランジスタは、前記第２の絶縁体上に配置され、
   前記第１の半導体は、前記第３の絶縁体を介して、前記第１の半導体と前記第１の導電体とが互いに重なる領域を有し、
   前記第２の半導体は、前記第４の絶縁体を介して、前記第２の半導体と前記第２の導電体とが互いに重なる領域を有し、
   前記第３の導電体は、前記第５の絶縁体を介して、前記第３の導電体と前記第４の導電体とが対向する領域を有し、
   前記第３の導電体は、前記第１の絶縁体の有する開口部を介して、前記第１の導電体と接する領域を有し、
   前記第３の導電体は、前記第２の絶縁体の有する開口部を介して、前記第２の半導体と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第５の絶縁体は、前記第４の導電体の有する元素を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の半導体は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第２の半導体は、インジウムを有することを特徴とする半導体装置。