JP2015073089A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 酸化物半導体膜及び金属酸化物膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
   前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接するゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜と接するゲート電極と、を有し、
   前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と同一表面上に形成され、
   前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と接せず、
   前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と同一材料で形成され、
   前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜より導電性が高いことを特徴とする半導体装置。
2. 酸化物半導体膜及び金属酸化物膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
   前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接するゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜と接するゲート電極と、を有し、
   前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と同一表面上に形成され、
   前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と接せず、
   前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と同一材料で形成され、
   前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜より水素濃度が高い領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜は、開口部を有する絶縁膜と接する領域を有し、
   前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と前記開口部との間に形成されていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１または請求項２において、
   前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜は、開口部を有する絶縁膜と接する領域を有し、
   前記金属酸化物膜と前記酸化物半導体膜との距離は、前記開口部と前記酸化物半導体膜との距離より短いことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４において、
   前記絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の下面、及び前記金属酸化物膜の下面と接し、
   前記絶縁膜の下に第１のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板上に形成され、且つ前記開口部を介して前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に接続されたことを特徴とする半導体装置。