JP2017005277A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層上に島状の半導体層と、
   前記半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、
   前記半導体層上にゲート電極と、
   前記半導体層と前記ゲート電極との間にゲート絶縁層と、を有し、
   前記絶縁層は、突出部を有し、
   前記絶縁層の前記突出部の上面は、前記半導体層の下面に接し、且つ、上方から見て前記半導体層よりも内側に位置し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記半導体層の上面の一部及び側面の一部を覆うように設けられ、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極と重ならない領域において、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層は、前記半導体層の上面及び側面、並びに前記絶縁層の前記突出部の側面を覆うように設けられる領域を有する、
   半導体装置。
2. 絶縁層と、
   前記絶縁層上に島状の半導体層と、
   前記半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、
   前記半導体層上にゲート電極と、
   前記半導体層と前記ゲート電極との間にゲート絶縁層と、
   前記半導体層と前記絶縁層との間に、第１の酸化物層と、
   前記半導体層と前記ゲート絶縁層との間に、第２の酸化物層と、を有し、
   前記絶縁層は、突出部を有し、
   前記絶縁層の前記突出部の上面は、前記第１の酸化物層の下面に接し、且つ、上方から見て、前記半導体層、前記第１の酸化物層、及び前記第２の酸化物層の少なくとも一よりも内側に位置し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記半導体層の上面の一部及び側面の一部を覆うように設けられ、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極と重ならない領域において、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層は、前記半導体層の上面及び側面、並びに前記絶縁層の前記突出部の側面を覆うように設けられる領域を有する、
   半導体装置。