JP2015035590A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層上の島状の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上で離間し、前記酸化物半導体層とそれぞれ電気的に接続された一対の電極と、
   前記酸化物半導体層上のゲート電極と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁層と、を有し、
   前記絶縁層は、島状の突出部を有し、
   前記絶縁層の前記突出部の上面は、前記酸化物半導体層の下面に接し、且つ、上方から見て前記酸化物半導体層よりも内側に位置し、
   前記一対の電極と重ならない領域において、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層は、前記酸化物半導体層の上面及び側面、並びに前記絶縁層の前記突出部の側面を覆うように設けられた領域を有する、半導体装置。
2. 絶縁層と、
   前記絶縁層上の島状の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上で離間し、前記酸化物半導体層とそれぞれ電気的に接続された一対の電極と、
   前記酸化物半導体層上のゲート電極と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁層と、を有し、
   前記絶縁層は、島状の突出部を有し、
   前記絶縁層の前記突出部の上面は、前記酸化物半導体層の下面に接し、且つ、上方から見て前記酸化物半導体層よりも内側に位置し、
   前記一対の電極は、前記酸化物半導体層の上面の一部及び側面の一部を覆うように設けられた領域を有し、
   前記一対の電極と重ならない領域において、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層は、前記酸化物半導体層の上面及び側面、並びに前記絶縁層の前記突出部の側面を覆うように設けられた領域を有する、半導体装置。
3. 絶縁層と、
   前記絶縁層上の島状の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上で離間し、前記酸化物半導体層とそれぞれ電気的に接続された一対の電極と、
   前記酸化物半導体層上のゲート電極と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁層と、
   前記酸化物半導体層と前記絶縁層との間の、第１の酸化物層と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート絶縁層との間の、第２の酸化物層と、を有し、
   前記第１の酸化物層は、前記酸化物半導体層が含む金属元素の少なくとも一以上を含み、
   前記第２の酸化物層は、前記酸化物半導体層が含む金属元素の少なくとも一以上を含み、
   前記絶縁層は、島状の突出部を有し、
   前記絶縁層の前記突出部の上面は、前記第２の酸化物層の下面に接し、且つ、上方から見て、前記酸化物半導体層、前記第１の酸化物層、及び前記第２の酸化物層の少なくとも一よりも内側に位置し、
   前記一対の電極と重ならない領域において、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層は、前記酸化物半導体層の上面及び側面、並びに前記絶縁層の前記突出部の側面を覆うように設けられた領域を有する、半導体装置。
4. 絶縁層と、
   前記絶縁層上の島状の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上で離間し、前記酸化物半導体層とそれぞれ電気的に接続された一対の電極と、
   前記酸化物半導体層上のゲート電極と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁層と、
   前記酸化物半導体層と前記絶縁層との間の、第１の酸化物層と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート絶縁層との間の、第２の酸化物層と、を有し、
   前記第１の酸化物層は、前記酸化物半導体層が含む金属元素の少なくとも一以上を含み、
   前記第２の酸化物層は、前記酸化物半導体層が含む金属元素の少なくとも一以上を含み、
   前記絶縁層は、島状の突出部を有し、
   前記絶縁層の前記突出部の上面は、前記第２の酸化物層の下面に接し、且つ、上方から見て、前記酸化物半導体層、前記第１の酸化物層、及び前記第２の酸化物層の少なくとも一よりも内側に位置し、
   前記一対の電極は、前記酸化物半導体層の上面の一部及び側面の一部を覆うように設けられた領域を有し、
   前記一対の電極と重ならない領域において、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層は、前記酸化物半導体層の上面及び側面、並びに前記絶縁層の前記突出部の側面を覆うように設けられた領域を有する、半導体装置。
5. 請求項３又は請求項４において、
   前記第１の酸化物層は、前記酸化物半導体層と上面形状が概略一致する島状の形状を有し、
   前記一対の電極と重ならない領域において、前記第２の酸化物層は、前記酸化物半導体層の上面及び側面、前記第１の酸化物層の側面、並びに前記絶縁層の前記突出部の側面を覆うように設けられる領域を有する、半導体装置。