JP2014017477A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 第１の酸化物絶縁層と、
   前記第１の酸化物絶縁層上の酸化物半導体積層と、
   前記酸化物半導体積層上の第２の酸化物絶縁層と、
   前記酸化物半導体積層と重なる領域を有するゲート電極層と、
   前記酸化物半導体積層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
   前記酸化物半導体積層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上に接する第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層上に接する第３の酸化物半導体層とを有し、
   前記第２の酸化物半導体層のフェルミ準位と伝導帯下端との差は、前記第１の酸化物半導体層のフェルミ準位と伝導帯下端との差よりも小さく、
   前記第２の酸化物半導体層のフェルミ準位と伝導帯下端との差は、前記第３の酸化物半導体層のフェルミ準位と伝導帯下端との差よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
2. 第１の窒化物絶縁層と、
   前記第１の窒化物絶縁層上の第１の酸化物絶縁層と、
   前記第１の酸化物絶縁層上の酸化物半導体積層と、
   前記酸化物半導体積層上の第２の酸化物絶縁層と、
   前記第２の酸化物絶縁層上の第２の窒化物絶縁層と、
   前記酸化物半導体積層と重なる領域を有するゲート電極層と、
   前記酸化物半導体積層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
   前記酸化物半導体積層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上に接する第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層上に接する第３の酸化物半導体層とを有し、
   前記第２の酸化物半導体層のフェルミ準位と伝導帯下端との差は、前記第１の酸化物半導体層のフェルミ準位と伝導帯下端との差よりも小さく、
   前記第２の酸化物半導体層のフェルミ準位と伝導帯下端との差は、前記第３の酸化物半導体層のフェルミ準位と伝導帯下端との差よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記第２の酸化物半導体層は、ｎ型の導電性を付与する不純物を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１の酸化物半導体層及び前記第３の酸化物半導体層は、ｉ型の酸化物半導体層であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれかにおいて、
   前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層及び前記第３の酸化物半導体層は端部が一致することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第３の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層の側面と接する領域と、前記第２の酸化物半導体層の側面と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。