TWI390735B - 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Description

半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
本發明係關於使用印刷法的半導體裝置、電子裝置以及半導體裝置的製造方法。
薄膜電晶體(下文中也稱作“TFT”)和採用該薄膜電晶體的電子電路是以如下方法製造的：在基板上疊層例如半導體、絕緣體、導體等各種類型的薄膜，之後適當地用光微影技術形成預定圖形。光微影技術是利用光將被稱為光掩模的電路等的圖形轉印到目標基板上的一種技術，所述電路等的圖形是在透明平板表面上用不透光的材料形成的。該技術已經廣泛應用在半導體積體電路等的製造方法中。
在應用習知光微影技術的製造方法中，僅處理用被稱作光抗蝕劑的光敏有機樹脂材料形成的掩模圖形就包括曝光、顯影、烘焙、剝離等多級處理。因此，光微影法步驟的數目越多，製造成本越不可避免地增加。為了解決上述問題，已經設法減少光微影步驟數目來製造TFT(例如，參考專利文獻1)。
[專利文件1]日本專利公開No.H11－251259
本發明的目的在於提供一種方法，該方法在製造TFT、使用TFT的電子電路、以及由TFT形成的顯示裝置以及半導體裝置中，能夠實現光微影步驟數目的減少以及製造步驟的簡化，而且即使是例如一邊長超過1m的大面積基板也能夠實現低成本和高成品率。
本發明的另一個目的在於提供一種將構成該半導體裝置、顯示裝置的佈線等的構成物形成為又複雜又微細的形狀的技術。
在本發明中，將液狀組合物向潤濕性被控制的形成區域上附著幾次，然後藉由烘焙、乾燥等來固化以形成導電層或當成形成導電層時的掩模層等的絕緣層。如將組合物分為數次釋放，則不會產生液滴的凝集等，從而可以形成為沒有斷線的穩定的圖形形狀。這樣形成的導電層、絕緣層的形狀由於之後釋放的液滴因形成區域的潤濕性不同而不留在著落位置且移動到潤濕性高的區域，所以成為穩定、連續的導電層或絕緣層。
在本發明中，如上所述地以多次釋放步驟形成連續的導電層。在第一釋放步驟中，含有導電性材料的組合物液滴附著到被形成區域，以在一條線上以一定間隔形成島形狀的第一導電層。第一導電層大致為反映液滴形狀的圓形，其中心存在於直線的第一中心線上。接著，進行第二釋放步驟，以充填介於第一導電層間的間隔體和連接第一導電層。第二釋放步驟也是在一條線上以一定間隔釋放組合物的液滴。此時，使在第二釋放步驟中釋放的液滴中心與上述第一中心線上不重疊地(不一致)、也就是錯開地釋放。因此，連接第二釋放步驟的液滴中心的第二中心線以一定間隔平行於第一中心線。
由於第一釋放步驟的液滴的第一中心線和第二釋放步驟的液滴的第二中心線以一定間隔平行，所以被形成的導電層的側端部分具有連續的波狀圖形，成為左右彎曲的導電層。因此，成為鋸齒形的佈線(導電層)。
此外，在本發明中形成的導電層(佈線)或絕緣層除了側端部分以外，膜厚也有不同厚度，並且其表面上具有反映液滴的凹凸形狀。這是因為在釋放含有導電性材料或絕緣性材料的液狀組合物之後，進行乾燥或烘焙來固化而形成導電層的緣故。使用本發明形成的掩模層也與此同樣，是具有不同膜厚且表面具有凹凸形狀的掩模層。因此，使用這樣的掩模層而被處理的導電層或絕緣層也反映掩模層的形狀。此外，其表面的凹凸部分的形狀或尺寸根據液滴組合物的粘度或去除固化溶劑時的乾燥步驟而不同。
注意，在本說明書中，半導體裝置指的是能夠應用半導體特性而工作的裝置。使用本發明，可以製造具有多層佈線層或處理器電路的晶片(以下也稱作處理器晶片)等的半導體裝置。
本發明還可應用於具有顯示功能的顯示裝置。使用本發明的顯示裝置包括發光顯示裝置或液晶顯示裝置等，所述發光顯示裝置包含互相連接的發光元件和TFT，並且在發光元件中包含產生被稱作場致發光(以下也稱作“EL”)的發光的有機物或者有機物和無機物的混合物的層插入電極之間，所述液晶顯示裝置將具有液晶材料的液晶元件當成顯示元件。
依照本發明的半導體裝置，包括：具有連續波狀形狀的側端部分的佈線，該佈線含有有機材料。
依照本發明的半導體裝置，包括：左右彎曲的佈線，該佈線含有有機材料。
依照本發明的半導體裝置，包括：閘極電極層、閘極絕緣層、半導體層、源極電極層和汲極電極層，所述閘極電極層具有連續波狀形狀的側端部分。
依照本發明的半導體裝置，包括：閘極電極層、閘極絕緣層、半導體層、源極電極層和汲極電極層，所述閘極電極層左右彎曲。
依照本發明的半導體裝置，包括：閘極電極層、間極絕緣層、半導體層、源極電極層和汲極電極層，所述源極電極層和汲極電極層具有連續波狀形狀的側端部分。
依照本發明的半導體裝置，包括：閘極電極層、間極絕緣層、半導體層、源極電極層和汲極電極層，所述源極電極層和汲極電極層左右彎曲。
依照本發明的半導體裝置的製造方法包括以下步驟，在向基板上釋放由包含導電性材料的組合物構成的多個液滴的第一釋放步驟中，將第一液滴釋放為其中心位置位於基板表面內的第一線上，在釋放多個液滴的第二釋放步驟中，將第二液滴向第一液滴之間釋放，並使其中心位置位於平行於第一線的第二線上，以形成具有連續波狀形狀的側端部分的佈線。
依照本發明的半導體製造方法包括以下步驟，在向基板上釋放由包含導電性材料的組合物構成的多個液滴的第一釋放步驟中，將第一液滴釋放為其中心位置位於基板表面內的第一線上，在釋放多個液滴的第二釋放步驟中，將第二液滴向第一液滴之間釋放，並使其中心位置位於平行於第一線的第二線上，以形成左右彎曲的佈線。
依照本發明的半導體裝置的製造方法包括以下步驟，在基板上形成導電膜，在向導電膜上釋放由包含掩模層材料的組合物構成的多個液滴的第一釋放步驟中，將第一液滴釋放為其中心位置位於基板表面內的第一線上，在釋放多個液滴的第二釋放步驟中，將第二液滴向第一液滴之間釋放，並使其中心位置位於平行於第一線的第二線上，以形成其側端部分是波狀形狀的掩模層，使用該掩模層，藉由處理導電膜，而形成佈線。
依照本發明的半導體裝置的製造方法包括以下步驟，在基板上形成導電膜，在向導電膜上釋放由包含掩模層材料的組合物構成的多個液滴的第一釋放步驟中，將第一液滴釋放為其中心位置位於基板表面內的第一線上，在釋放多個液滴的第二釋放步驟中，將第二液滴向第一液滴之間釋放，並使其中心位置位於平行於第一線的第二線上，來形成具有左右彎曲形狀的掩模層，使用該掩模層，藉由處理導電膜，而形成佈線。
根據本發明可以將構成半導體裝置、顯示裝置等的佈線等構成物穩定地形成為所希望的形狀。此外，可以降低材料的浪費和成本。因此，可以高成品率地製造具有高性能和高可靠性能的半導體裝置以及顯示裝置。
下面將藉由參考附圖來詳細說明本發明。注意，本發明不局限於以下的說明，可以以多種不同形式被執行，在不脫離本發明的宗旨及範圍的情況下各種變化和修改都是可能的，這對於所屬領域的人員來說是顯而易見的。因此，本發明不限於下文中說明的本發明的實施例模式的內容。需要注意的是，在下文中所說明的本發明的結構中，不同的附圖中相同的參考標記表示相同的部分或者具有相同功能的結構，並且不再重復說明。
實施例模式1
參照附圖1A到1C說明本發明的實施例模式。
本發明的特點在於藉由可以選擇性地形成為所希望的形狀的方法，形成為了製造半導體裝置以及顯示裝置等而必要的構成物、例如構成佈線層、電極的導電層或形成預定圖形的掩模層等中至少一個或更多，來製造半導體裝置、顯示裝置。在本發明中，構成物(也稱作圖形)是構成薄膜電晶體或顯示裝置的導電層諸如佈線層、閘極電極層、源極電極層和通道電極層等、半導體層、掩模層、絕緣層等，並且包括構成形成為預定形狀的所有構成物。作為可以選擇性地以所希望的圖形形成形成物的方法，使用液滴釋放法(根據其方式也稱作噴墨法)，該液滴釋放法可以選擇性地釋放由為特定目的而調配的組合物構成的液滴來以預定的圖形形成導電層或絕緣層等。另外，還可以使用將構成物轉印或寫成為所希望的圖形的方法，例如各種印刷法(以所希望的圖形形成的方法，例如絲網(網版)印刷、膠(平版)印刷、凸版印刷或銅版(凹版)印刷等)、分配器方法、選擇性的塗敷法等。
在本實施例模式中，將含有構成物形成材料的流動體的組合物作為液滴進行釋放，以形成為所希望的圖形。向構成物被形成的區域釋放含有形成構成物的材料的液滴，進行烘焙、乾燥等以固定形成所希望圖形的構成物。
附圖12顯示用於液滴釋放法的液滴釋放裝置的一個例子。液滴釋放機構1403的每個噴頭1405、1412連接到控制裝置1407，並且被電腦1410控制為可以描畫預先程式設計好的圖形。關於描畫的位置，例如以在基板1400上所形成的標記1411為基準進行描畫就可以。或者，以基板1400的邊緣為基準確定基準點就可以。然後基準點由成像裝置1404檢測，在影像處理機構1409變換為數位訊號，電腦1410識別此並在產生控制訊號後發送到控制裝置1407。作為成像裝置1404，可以使用利用電荷耦合元件(CCD)或互補金屬氧化物半導體的影像感測器等。當然，在基板1400上要形成的圖形的資料是存入到儲存媒體1408的，基於該資料將控制訊號送到控制裝置1407，從而可以分別控制液滴釋放機構1403的每個噴頭1405、1412。釋放的材料從材料供應源1413和1414經過管道分別供應到噴頭1405、1412。
噴頭1405內部如虛線1406所示那樣由充填液狀材料的空間和釋放嘴的噴嘴來構成。雖然附圖中沒有示出，噴頭1412也有與噴頭1405同樣的內部結構。在噴頭1412和噴頭1405的噴嘴設置為互相不同的大小的情況下，可以同時以不同的寬度描畫不同的材料。一個噴頭可以分別釋放導電性材料或有機、無機材料等而描畫，在層間膜等較大區域上描畫的情況下，為了提高生產率可以從多個噴嘴同時釋放相同的材料而描畫。在使用大型基板的情況下，噴頭1405和1412可以在基板上按箭頭方向自如地掃描，並且可以自由地設定描畫的區域，從而可以在一個基板上描畫多個相同的圖形。
在使用液滴釋放法形成導電層的情況下，釋放包含處理為粒子狀的導電性材料的組合物，然後藉由烘焙使此熔接或焊接而固化以形成導電層。如此，與藉由濺射法等形成的導電層(或絕緣層)的大部分具有柱狀結構相比，藉由釋放包含導電性材料的組合物並烘焙來形成的導電層(或絕緣層)顯示出含有大量粒界的多晶狀態的情況居多。
參照圖1用導電層的形成方法說明本發明的實施例模式的概念。圖1是導電層的俯視圖。
如圖1所示那樣，導電層形成於基板50上。因此，有必要控制導電層的被形成區域的基板50表面對於包含形成導電層的導電性材料的液狀組合物的潤濕性。可以根據形成的導電層的寬度或圖形形狀適當地設定潤濕性的程度，藉由如下所示的處理可以控制該潤濕性。在本實施例模式中，當形成導電層時，被形成區域和包含導電性材料的組合物的接觸角較佳為20°或更大，更佳為20°至40°。
固體表面的潤濕性由表面的狀態變化而變化。如形成對於液狀組合物潤濕性低的物質，其表面則成為對於液狀組合物潤濕性低的區域(下文中，稱作低潤濕性區域)，如形成對於液狀組合物潤濕性高的物質，其表面則成為對於液狀組合物潤濕性高的區域(下文中，稱作高潤濕性區域)。在本發明中，控制表面的潤濕性的處理意味著使液狀組合物附著區域成為適合於將液狀組合物形成為所希望的形狀。
潤濕性的程度還影響到接觸角的大小。液狀組合物的接觸角大的區域成為潤濕性更低的區域，接觸角小的區域成為潤濕性更高的區域。這是因為，如接觸角大，具有流動性的液狀組合物則不遍佈於區域表面上，並且排斥組合物，所以不濕潤其表面，另一方面，如接觸角小，具有流動性的液狀組合物則在表面上遍佈，從而使表面充分潤濕。因此，在潤濕性不同的區域中，表面能源也不同。就是說，潤濕性低的區域的表面能源小，潤濕性高的區域的表面能源大。
首先，顯示形成潤濕性低的物質，控制而降低被形成區域表面的潤濕性的方法。作為這種低濕潤的物質，可以採用含有氟化碳基(氟化碳鎖)的物質、或含有矽烷偶合劑的物質。矽烷偶合劑可以用化學式Rn －Si－X( 4 － n ) (n＝1，2，3)表示。這裏，R表示含有相對惰性的基、比如烷基的物質。此外，X包括可以藉由與基質表面的羥基或吸附水縮合來結合的水解基，例如鹵素、甲氧基、乙氧基或者乙酸基。
另外，藉由採用作為矽烷偶合劑的代表性實例的用R表示的具有氟烷基的氟基矽烷偶合劑(氟烷基矽烷(FAS))，可以進一步降低潤濕性。FAS的R具有用(CF3 )(CF2 )x (CH2 )y (x：從0到10的整數，y：從0到4的整數)表示的結構。在多個R或X結合到Si的情況下，R或X可以彼此完全相同或者不同。典型的FAS可以舉出氟烷基矽烷，例如十七氟四氫癸基三乙氧基矽烷、十七氟四氫癸基三氯矽烷、十三氟四氫辛基三氯矽烷、三氟丙基三甲氧基矽烷等。
作為潤濕性低的物質，矽烷偶合劑的R可以使用沒有氟化碳鎖而具有烷基的物質，例如作為有機矽烷的十八烷基三甲氧基矽烷等。
作為包含低濕潤度物質的溶液的溶劑，可以採用例如n－戊烷、n－己烷、n－庚烷、n－辛烷、n－癸烷、雙環戊烷、苯、甲苯、二甲苯、四甲基苯、茚、四氫化萘、十氫化萘、(角)鯊烯等之類的烴類溶劑或四氫呋喃等。
另外，作為控制潤濕性為低以形成低潤濕性區的組合物實例，可以採用具有氟碳(碳氟化合物)鏈的物質(氟樹脂)。作為氟樹脂的實例，可以採用聚四氟乙烯(PTFE；聚四氟乙烯樹脂)、全氟烷氧基鏈烷(PFA；四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物樹脂)、全氟乙烯丙稀共聚物(PFEP；四氟乙烯六氟丙稀共聚物樹脂)、乙烯－四氟乙烯共聚物(ETFE；四氟乙烯－乙烯共聚物樹脂)、聚偏二氟乙烯(PVDF；聚偏二氟乙烯樹脂)、聚含氯三氟乙烯(PCTFE；聚三氟氯乙烯樹脂)、乙烯－含氯三氟乙烯共聚物(ECTFE；聚三氟氯乙烯－乙烯共聚物樹脂)、聚四氟乙烯－全氟氧配位(perfluorodioxol)共聚物(TFE/PDD)、聚氟乙烯(PVF；氟乙烯樹脂)等。
此外，藉由對無機材料或有機材料進行CF4 電漿等處理來可以降低潤濕性。例如，作為有機材料可以採用這樣的材料，其中是將可溶性樹脂比如聚乙烯醇(PVA)混合到例如為H2 O的溶劑之中。此外，也可以將PVA和其他可溶性樹脂混合而使用。也可以採用有機材料(有機樹脂材料)(聚醯亞胺、丙烯酸)或矽氧烷材料。所謂矽氧烷材料相當於包括Si－O－Si鍵的樹脂。矽氧烷是用矽(Si)與氧(O)的鍵構成其骨架結構的材料。作為取代基，採用至少含氫的有機基(例如丙烯基、芳香族烴)。作為取代基，也可採用氟基。或者，作為取代基，也可採用至少含氫的有機基和氟基。
在本實施例模式中，藉由用旋轉塗覆法在基板50表面上形成FAS來調整基板50表面的潤濕性。該潤濕性是對包含構成在之後步驟中形成的導電層的導電性材料的液狀組合物的潤濕性而言的。
在形成導電層時，如藉由一次釋放來形成導電層，則液滴有可能凝集並產生被稱為凸起的液體聚集，結果使導電層斷線。在本發明中，藉由多次釋放來形成導電層。也就是說，在第一釋放步驟中，使包含導電性材料的液狀組合物散佈地附著到被形成區域，並使液滴互相不接觸。然後，藉由第二次釋放包含導電性材料的組合物，來充填在第一次釋放步驟中釋放的導電性材料的每個液滴之間，以形成連接的導電層。由於已經過了一段時間，在第一次釋放步驟中釋放的包含導電性材料的組合物被乾燥而已經固化，所以不會與在第二釋放步驟中釋放的導電性材料凝集。如此製造導電層，可以形成雖為細線但穩定的導電層。
作為第一釋放步驟，用液滴釋放法在表面的潤濕性被控制的基板50上以線狀釋放包含導電性材料的組合物的液滴來形成島狀的導電層51a至51e(參照圖1A)。島狀的導電層51a至51e反映液滴的形狀，並且連接這些導電層的中心的線是第一中心線Q1－R1。
接下來，作為第二釋放步驟，在導電層51a至51e之間釋放包含導電性材料的組合物的液滴並使該液滴中心位於離第一中心線Q1－R1有寬度d的地方(參照圖1B)。在第二釋放步驟中釋放的液滴附著到基板50之後，立即形成導電層52a至52d並且充填導電層51a至51e之間，來形成連接的導電層53(參照圖1C)。連接在第二釋放步驟中釋放的液滴中心的線是第二中心線Q2－R2，該中心線離第一中心線Q1－R1具有一定距離d，並且與第一中心線Q1－R1平行。
由於在第一釋放步驟和第二釋放步驟中，釋放的液滴的中心線是錯開的，因此導電層53為側端部分54a和54b具有連續波狀形狀的向左右彎曲的形狀。側端部分是具有振幅的波狀形狀。向左右彎曲的範圍(導電層的寬度的範圍)較佳為液滴的直徑的四倍或更小。如果連接在第一釋放步驟中釋放的導電層51a至51e和在第二釋放步驟中釋放的導電層52a至52d的中心，其線就成為不是直線而是具有以周期左右彎曲的形狀的線。這樣形成的佈線的導電層53至少具有一部分彎曲的部分，其側端部分具有凹凸。在本實施例模式中，由於導電層53的側端部分54a的凸部分和側端部分54b的凹部分、側端部分54a的凹部分和側端部分54b的凸部分分別以中心線為軸彼此對應，因此導電層53的寬度大致是相同的。
但是，有可能導電層53的寬度波動。這是因為在第一釋放步驟中釋放的包含導電性材料的組合物固化的導電層表面、和所述潤濕性被控制的基板50表面，相對於包含導電性材料的液狀組合物的潤濕性不同。第二次釋放的液狀的包含導電性材料的組合物以橫跨方式被釋放向在第一釋放步驟中形成的導電層和基板50表面雙方。容易受到表面潤濕性的影響的液狀的包含導電性材料的組合物的一部分流入到在第一釋放步驟中形成的潤濕性更高的導電層上。結果，有可能在第一釋放步驟中形成的區域的導電層寬度變粗，而在第二釋放步驟中形成的區域的導電層寬度變細。在這種情況下，也有可能形成寬度不均勻、寬度周期性地變化的導電層。
在鄰接形成如上所述的左右彎曲、側端部分具有波狀形狀的導電層的情況下，如果凸部分互相鄰接，其導電層之間的寬度就變窄，如果凹部分互相鄰接，其導電層之間的寬度就變寬，如此那樣，導電層之間的寬度就變得不均勻。此外，因為還有個導電層互相接觸的形狀不良問題，所以不容易以一定寬度形成具有微細設計的導電層、絕緣層。
使用圖2A至2C說明鄰接形成導電層的例子。在本實施例模式中，首先如圖2A所示那樣，藉由第一釋放步驟形成導電層61a至61e、導電層61f至61j。此時，使作為第一導電層的一部分的導電層61a至61e的液滴中心和作為與此鄰接的第二導電層的一部分的導電層61f至61j的液滴中心不在同一直線上。使導電層61f的中心位於導電層61a和導電層61b的中心之間，較佳的位於在將導電層61a和導電層61b的中心之間分割為三部分中的中央區域同樣寬度的線上。
接下來，如圖2B所示那樣，藉由第二釋放步驟釋放包含導電性材料的組合物來形成導電層62a至62d，並使其充填在第一釋放步驟中形成的導電層61a至61e之間，則形成第一導電層63a。與此同樣，藉由第二釋放步驟釋放包含導電性材料的組合物來形成導電層62e至62h，並使其充填在第一釋放步驟中形成的導電層61f至61j之間，則形成第二導電層63b。如圖2B所示那樣，在第二釋放步驟中，形成導電層62a至62d以及導電層62e至62h，這些導電層的中心線位於每個第一釋放步驟中形成的導電層61a至61e的中心線、以及導電層61f至61j的中心線的外側。
然後，藉由乾燥、烘焙等固化，如圖2C所示那樣，形成具有周期性連續的波狀形狀的第一導電層63a和第二導電層63b。使用本發明的釋放方法，可以使第一導電層63a和第二導電層63b形成為其凸部分是互相不鄰接的、錯開的。並可以使第一導電層63a和第二導電層63b之間的寬度為比第一導電層和第二導電層分別具有的第一釋放步驟和第二釋放步驟中的中心線之間的距離的總和更小。因此，第一導電層63a和第二導電層63b即使其寬度小也可以穩定地形成。此外，還可以藉由同樣地釋放絕緣性材料形成絕緣層。因為可以以均勻的寬度形成，所以如果使用如此形成的掩模層，就可以進行微細、正確地處理。由微細地處理可以得到所希望的形狀，所以該導電層如用作源極層、汲極層則可以縮小通道寬度。因此，可以製造能夠高速動作、具有高性能和高可靠性能的半導體裝置。當製造時，可減少因形狀不良引起的不良，所以還有生產率和成品率升高的效果。
在本實施例模式中，藉由液滴釋放裝置形成導電層53、第一導電層63a和第二導電層63b。液滴釋放裝置概括為一種裝置，其包括釋放液滴的裝置、例如具有組合物的釋放開口的噴嘴、安裝有一個或者多個噴嘴的噴頭等。包括在液滴釋放裝置內的噴嘴的直徑設定在0.02到100μm的範圍內(較佳為0.02到30μm或者更小)，從該噴嘴釋放的組合物的釋放量設定在0.001到100pl的範圍內(較佳為0.1到40pl，尤其佳為0.1到10pl或者更少)。釋放量相對於噴嘴直徑的尺寸成比例增加。此外，較佳的被處理的目標和噴嘴的釋放開口之間的距離盡可能地短，目的是將液滴滴落在所希望的位置。最好將距離適當設定為在大約0.1到3mm的範圍內(尤其佳為，0.1到1mm或者更小)。
作為從釋放開口釋放出的組合物，採用溶解或者分散在溶劑中的導電性材料。導電性材料是諸如Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W或者Al等的一種或多種金屬的微粒子或分散性奈米粒子。向所述導電性材料中可以混合Cd、Zn等的金屬硫化物，Fe、Ti、Ge、Si、Zr、Ba等的氧化物，或者鹵化銀的一種或多種的微粒子或者分散性奈米粒子。此外，作為導電性材料可以採用銦錫氧化物(ITO)、含有氧化矽的銦錫氧化物(ITSO)、有機銦、有機錫、氧化鋅、氮化鈦等，它們用作透明導電膜。導電性材料可以使用單一元素或混合多個元素的粒子。然而，作為從釋放開口被釋放的組合物，考慮到電阻率的值，較佳的將金、銀和銅材料的任一種溶解或分散在溶劑中。更佳的採用具有低電阻值的銀或銅。但是，當採用銀或銅時，作為對付雜質的對策，可以同時設置阻擋膜。可以將氮化矽膜或硼化鎳(NiB)用作阻擋層。
被釋放的組合物是將導電性材料溶解或分散到溶劑中的組合物，還包含分散劑、稱為粘合劑的熱硬化性樹脂。特別是關於粘合劑，具有防止烘焙時產生裂痕或融接狀態的不均勻的作用。因此，有可能被形成的導電層含有有機材料。含有的有機材料根據加熱溫度、環境或時間而不同。該有機材料是作用當成金屬粒子的粘合劑、溶劑、分散劑、以及覆蓋材料的有機樹脂等，可以典型地舉出聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛環氧樹脂、蜜胺樹脂、酚醛樹脂、環氧樹脂、矽樹脂、呋喃樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙基樹脂等。
此外，可以採用導電性材料的周圍被另一種導電性材料塗覆，從而形成多層的粒子。例如，可以採用一種三層結構的粒子，其中在銅的周圍塗覆硼化鎳(NiB)，然後在硼化鎳(NiB)的周圍塗敷銀。作為溶劑，可以採用諸如醋酸丁酯和醋酸乙烷的酯，諸如異丙醇和普通酒精的醇，諸如甲乙酮和丙酮的有機溶劑等或水。組合物的粘性較佳的為20mPa.s或者更小，這是為了避免釋放時的乾燥、以及使組合物平穩地從釋放開口被釋放。此外，組合物的表面張力較佳為40mN/m或者更少。然而，可以根據所採用的溶劑或用途適當調整組合物的粘性等。例如，在溶劑中溶解或者分散了ITO、有機銦或者有機錫的組合物的粘性可以設定為從5到20mPa.s，在溶劑中溶解或者分散了銀的組合物的粘性可以設定為從5到20mPa.s，以及在溶劑中溶解或者分散了金的組合物的粘性可以設定為從5到20mPa.s。
可以藉由層疊多種導電性材料形成導電層。此外，可以採用銀作為導電性材料藉由液滴釋放法形成導電層之後，可用銅等進行塗鍍。塗鍍可以藉由電鍍或者化學(無電)鍍法來實施。可以藉由將基板表面放在充滿包含塗鍍材料的溶液的容器中浸漬來實施塗鍍。還可以將基板傾斜(或者垂直)放置，並且使含塗鍍材料的溶液流過基板表面之上來進行塗鍍。當藉由垂直放置基板而塗覆溶液來實施塗鍍時，即使使用大面積基板，處理裝置也可以實現小型化是個有益效果。
儘管取決於每一噴嘴的直徑、所希望的圖形的形狀等，但導體的粒子直徑較佳為盡可能地小，這是為了避免噴嘴被塞住，以及為了製造出精細圖案，粒子直徑較佳為0.1μm或者更小。藉由電解法、霧化法、濕還原法等來形成組合物，且其粒徑一般大約為0.01到10μm。然而，當實施氣體蒸發法時，由分散劑保護的奈米粒子很微小，大約為7nm。當使用覆蓋劑覆蓋每一粒子的表面之後，奈米粒子不在溶液中凝集，並在室溫下穩定地分散到溶劑中，並且示出和液體相近的行動。因此，較佳的採用覆蓋劑。
釋放液狀組合物的步驟可以在減壓下進行。如在減壓下進行，就不會在導體的表面產生氧化膜等，所以是較佳的。在釋放組合物之後，進行乾燥和烘焙的一個或兩個步驟。乾燥和烘焙的步驟雖然都是加熱步驟，但是其目的、溫度和時間不同，例如乾燥以100℃進行3分鐘，而烘焙以200至550℃進行15至60分鐘。乾燥步驟和烘焙步驟在常壓或減壓下，藉由雷射照射、快熱退火或熱熔爐等來進行。注意，進行該加熱處理的定時或次數沒有特別的限定。為了良好地進行乾燥和烘焙的步驟，可以加熱基板。加熱的溫度儘管取決於基板等的材料的性質，但一般設定為100至800℃(較佳為200至550℃)。根據本步驟，揮發組合物中的溶劑或化學性除去分散劑的同時，藉由周圍的樹脂硬化收縮來使得奈米粒子彼此接觸，並且加速熔接和焊接。
可以將連續振蕩或者脈衝振蕩的氣體雷射器或者固體雷射器用於雷射照射。受激準分子雷射器、YAG雷射器等可以用作前者的氣體雷射器。採用摻雜有Cr、Nd等的YAG、YVO4 、GdVO4 等的晶體的雷射器可以被用作後者的固體雷射器。注意的是，涉及到雷射的吸收率，較佳的採用連續振蕩雷射器。此外，可以採用組合了脈衝振蕩和連續振蕩的雷射照射方法。然而，根據基板的耐熱性，用雷射照射的熱處理較佳為在幾微秒到幾十秒之內一進行，為的是不破壞該基板。快熱退火(RTA)藉由在惰性氣體環境中利用照射從紫外線到紅外光的紅外線燈或者鹵素燈迅速升高溫度並加熱幾微秒到幾分鐘來進行。因為即時進行該處理，實質上可以僅僅加熱位於頂部表面的薄膜，而位於下層的膜不受其影響。因此，即使是具有低耐熱性的基板比如塑膠基板也不受其影響。
另外，在藉由液滴釋放法釋放組合物來形成導電層、絕緣層等之後，為了提高其平整性，可以用壓力擠壓其表面來平坦化。作為擠壓的方法，可以用輥形物體在其表面上掃描來消除凹凸，或者可以用平板形物體垂直擠壓其表面。擠壓時，可以進行加熱步驟。此外，也可以用溶劑等軟化或溶解其表面，用氣刀消除其表面的凹凸。此外，也可以用CMP法抛光其表面。該步驟可以適用於平坦化由液滴釋放法導致在表面上產生的凹凸。
根據本發明，即使是因要實現小型化、薄膜化而密集、複雜地配置佈線等的設計，也可以穩定地形成良好形狀的所希望的圖案，並且可以提高可靠性和生產性。此外，材料的浪費也少，可以實現降低成本。因此，可以成品率高地製造具有高性能、高可靠性的半導體裝置、顯示裝置。
實施例模式2
在本實施例模式中，說明適用本發明的顯示裝置的例子。
圖6A是顯示根據本發明的顯示面板結構的俯視圖。其包括在具有絕緣表面的基板2700之上將圖素2702排列成矩陣的圖素部分2701、掃描線輸入端子2703以及訊號線輸入端子2704。可以依據各種標準確定圖素數量。XGA的使用RGB的全色顯示的圖素數量可以是1024×768×3(RGB)，UXGA的使用RGB的全色顯示的圖素數量可以是1600×1200×3(RGB)，以及完全規格高視覺的使用RGB的全色顯示的圖素數量可以是1920x1080×3(RGB)。
藉由交叉從掃描線輸入端子2703伸出的掃描線和從訊號線輸入端子2704伸出的訊號線將圖素2702配置設置為矩形。每一圖素2702設置有開關元件以及連接到其上的圖素電極。開關元件的典型實例是TFT。TFT的閘極電極被連接到掃描線，且其源極或者汲極被連接到訊號線，這樣使得每一圖素可以被從外部輸入的訊號獨立控制。
TFT包括作為其主要構成因素的半導體層、閘極絕緣層以及閘極電極層。連接到形成在半導體層的源極以及汲極區的佈線層也被包括在TFT。TFT的典型結構有頂閘型TFT，其中從基板一側順序設置半導體層、閘極絕緣層以及閘極電極層，還有底閘型TFT，其中從基板一側順序設置閘極電極層、閘極絕緣層以及半導體層。這些結構的任何一種都可以應用於本發明。
如圖6A所示那樣，向掃描線或訊號線輸入的訊號可以藉由採用COG(玻璃上帶有晶片)法將驅動器IC2751安裝在基板2700上來控制。作為另一種安裝方式，也可以採取如圖6B所示的TAB(帶式自動鍵合)法。驅動器IC可以形成在單晶半導體基板上，也可以在玻璃基板上由TFT形成電路。在圖6A和6B中，驅動器IC 2751連接到FPC(撓性印刷電路板)2750。
當設置在圖素內的TFT由結晶性高的多晶(微晶)半導體形成時，掃描線驅動電路可以在基板上形成。當設置在圖素內的TFT由具有較高遷移率的多晶(微晶)半導體、單晶半導體等形成時，可以在基板上一體形成掃描線驅動電路以及訊號線驅動電路。
用圖4、圖14A和14B來說明本實施例模式。詳細地說，對於使用本發明、具有發光元件的發光顯示裝置的製造方法進行說明。圖4是顯示裝置圖素部分的俯視圖，其中沿線A－B的截面圖示於圖14B。此外，圖14A是顯示裝置的俯視圖，並且其中沿線L－K(包括I－J)的截面圖也示於圖14B。
由硼酸鋇玻璃、硼酸鋁等形成的玻璃基板、石英基板、金屬基板、或者可以耐本製造步驟的處理溫度的塑膠基板都可以用作基板100。此外，基板100的表面藉由CMP等進行抛光以平坦化。此外，可以在基板100之上形成絕緣層。利用含有矽的氧化物材料或者氮化物材料藉由諸如CVD法、電漿CVD法、濺射法或者旋轉塗敷法由單層或者疊層形成絕緣層。不形成該絕緣層也是可以的，然而，其具有阻擋污染物從基板100進入的作用。
在基板100之上形成閘極電極層103和104。可以藉由CVD法、濺射法、液滴釋放法等來形成閘極電極層103和104。閘極電極層103和104可以由選自Ag、Au、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu的元素、以該元素為主要成分的合金材料或者化合物材料來形成。可選擇的，也可以採用以摻雜有諸如磷的雜質元素的多晶矽膜為代表的半導體膜、或者AgPdCu合金。可以採用單層結構或者層疊結構，例如，氮化鎢(WN)膜和鉬(Mo)膜的兩層結構，或者按順序層疊50nm厚的鎢膜、500nm厚的鋁和矽的合金(Al－Si)膜以及30nm厚的氮化鈦膜的三層結構。此外，在三層結構的情況下，可以採用氮化鎢代替第一導電膜的鎢，可以採用鋁和鈦的合金(Al－Ti)膜代替第二導電膜的鋁和矽的合金(Al－Si)膜，以及可以採用鈦膜代替第三導電膜的氮化鈦膜。
在需要處理閘極電極層103和104的形狀的情況下，可以在形成掩模之後藉由乾蝕刻或者濕蝕刻進行處理。可以藉由用ICP(感應耦合電漿)蝕刻法適當控制蝕刻條件(施加於線圈型電極的電功率、施加於基板側電極的電功率、基板側的電極溫度等)將電極層蝕刻為錐形形狀。要注意的是以Cl2 、BCl3 、SiCl4 和CCl4 等為代表的氯基氣體，以CF4 、SF6 和NF3 等為代表的氟基氣體，或者O2 都可以被適當用作蝕刻氣體。
藉由選擇性釋放組合物可以形成用於處理的掩模。藉由這樣選擇性地形成掩模來可以簡化處理步驟。可將諸如環氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚樹脂、酚醛清漆樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂或者聚氨酯樹脂的樹脂材料用作掩模。此外，可以採用有機材料諸如苯並環丁烯、聚對二甲苯、閃光或者透光的聚醯亞胺，由諸如矽氧烷基聚合體聚合制得的化合物材料，含有溶於水的均聚物以及溶於水的共聚物合成材料等藉由液滴釋放法形成掩模。可選擇的，可以採用市場上銷售的含有光敏材料的抗蝕劑材料，例如，可以採用典型的正性抗蝕劑諸如酚醛清漆樹脂和光敏劑萘醌二疊氮基化合物，或者負性抗蝕劑諸如基極樹脂、二苯矽烷二醇和酸生成劑。採用任何材料時，藉由調整溶劑的濃度或者添加表面活性劑等適當控制表面張力和粘性。
形成閘極電極層103和104可以藉由在形成導電膜之後，由掩模層處理為所希望的形狀來形成。
隨後，在閘極電極層103和104之上形成閘極絕緣層114。閘極絕緣層114可以由矽的氧化物材料或者氮化物材料等形成，可以是疊層或者是單層。在本實施例模式中，採用氮化矽膜、氧化矽膜的兩層結構。可選擇的，可以採用氧氮化矽膜單層、或者三層或更多層結構。最好使用具有緻密膜質的氮化矽膜。在藉由液滴釋放法形成的導電層中使用有銀、銅等的情況下，如在其上形成氮化矽膜或者NiB膜作為阻擋膜，則有防止雜質的擴散和平整表面的效果。注意的是，較佳的在反應氣體中包括稀有氣體元素諸如氬，並且使該氣體混合到要形成的絕緣膜中，目的是在較低的成膜溫度下形成具有小閘極漏電流的緻密絕緣膜。
接下來，形成半導體層。可以根據需要形成具有一導電性型的半導體層。另外，也可以藉由形成具有n型的半導體層來製造n通道型TFT的NMOS結構、藉由形成具有p型的半導體層來製造p通道型TFT的PMOS結構、由n通道型TFT和p通道型TFT而構成CMOS結構。此外，也可以為了給予導電性，將給予導電性的元素摻雜添加，並且在半導體層形成雜質區，來形成n通道型TFT和p通道型TFT。也可以藉由用PH3 氣體進行電漿處理來向半導體層給予導電性，而代替形成具有n型的半導體層。
用作形成半導體層的材料可以採用以下半導體，即利用以矽烷或者鍺烷為代表的半導體材料氣體藉由氣相生長法或者濺射法來製造的非晶形半導體(下文中也稱作“AS”)、利用光能或者熱能藉由對非晶形半導體進行結晶來形成的多晶半導體、半晶(也稱作微晶或者微晶體)半導體(下文中也稱作“SAS”)等。半導體層可以藉由各種方法(濺射法、LPCVD法或電漿CVD法等)來形成。
SAS是這樣一種半導體，其具有介於非晶形結構和晶體結構(包括單晶和多晶)之間的中間結構，且具有在自由能方面穩定的第三態，還包括具有短程序列和晶格畸變的結晶區域。在膜內至少一部分區域上可以觀察到0.5nm到20nm的結晶區域。當以矽作為主要組分時，喇曼(Raman)光譜轉換到520cm－ 1 的較低頻率側。在X－射線衍射中觀察到由矽的晶格畸變引起的衍射峰值(111)或者(220)。含有至少1原子%或者更多的氫或者鹵素用於終結懸浮鍵。藉由矽化物氣體的輝光放電分解(電漿CVD)來形成SAS。SiH4 被用作典型的矽化物氣體。此外，Si2 H6 、SiH2 Cl2 、SiHCl3 、SiCl4 、SiF4 等也可被用作矽化物氣體。此外，可以混合F2 或者GeF4 。可以用H2 或者H2 和選自He、Ar、Kr和Ne的一種或者多種稀有氣體稀釋該矽化物氣體。稀釋比率的範圍從1：2到1：1000。壓力的範圍大致從0.1Pa到133Pa，以及功頻範圍從1MHz到120MHz，較佳的從13MHz到60MHz。基板加熱溫度較佳為300℃或者更低，以及也可以在100℃到200℃的溫度形成膜。作為在形成膜時主要摻雜的雜質，理想的是，來自大氣成分的諸如氧、氮或者碳的雜質為1×102 0 cm－ 3 或者更少；尤其，氧濃度為5×101 9 cm－ 3 或者更少，較佳為1×101 9 cm－ 3 或者更少。藉由添加稀有氣體元素諸如氦、氬、氪或者氖以進一步加強晶格畸變來得到穩定性加強了的優越的SAS。此外，作為半導體層，利用氫基氣體形成的SAS層可疊層在利用氟基氣體形成的SAS層之上。
非晶半導體可以代表性地舉出氫化非晶矽，結晶半導體可以代表性地舉出多晶矽等。多晶矽包括高溫多晶矽、低溫多晶矽和添加促進結晶化的元素等而結晶化的多晶矽等，所述高溫多晶矽是以在800℃或更高的溫度下形成的以多晶矽為主要材料的所謂高溫多晶矽，所述低溫多晶矽是以在600℃或更低的溫度下形成的以多晶矽為主要材料的所謂低溫多晶矽。當然還可以採用如上所述的半結晶半導體或者在部分半導體層內含有晶相的半導體。
此外，作為半導體的材料，除了矽(Si)、鍺(Ge)等單一成分的物質之外，還可以使用化合物半導體諸如GaAs、InP、SiC、ZnSe、GaN、SiGe等。此外，也可以使用氧化鋅(ZnO)。在ZnO用於半導體層的情況下，可以將Y2 Ox 、Al2 O3 、TiO2 、這些的疊層等用作閘極絕緣層，將ITO、Au、Ti等用作閘極電極層、源極電極層、汲極電極層。此外，也可以將In或Ga等添加到ZnO中而使用。
當結晶半導體層被用作半導體層時，可以實施各種方法(雷射結晶法、熱結晶法、利用促進結晶的元素諸如鎳的熱結晶法等)作為製造該結晶半導體層的方法。也可以藉由向SAS的微晶半導體進行雷射照射使其結晶而增強結晶率。在不導入促進結晶的元素的情況下，在向非晶矽膜照射雷射之前，藉由在溫度500℃的氮環境中，加熱一個小時，來使非晶矽膜中含有的氫釋放得膜中所含的氫濃度變為1×102 0 原子/cm3 或更低。這是因為用雷射照射含有多量氫的非晶矽膜時，該膜會被破壞。
用於將金屬元素導入非晶半導體層的方法，只要能夠使得該金屬元素存在於非晶半導體層的表面或者內部便沒有特別限制。例如，可以使用濺射法、CVD法、電漿處理法(包括電漿CVD法)、吸附法或者塗敷金屬鹽溶液的方法。這些方法中，利用溶液的方法簡單方便並且由於可以容易地調整金屬元素的濃度所以有用。較佳的在氧氣環境中藉由UV光照、熱氧化法、用含有羥基的臭氧水或者過氧化氫處理等形成氧化膜，以便改善非晶半導體層表面的濕潤度，並且將水溶液散佈於非晶半導體層的整個表面上。
此外，可以組合熱處理和雷射照射以結晶非晶半導體層。可選擇的，可以多次單獨進行熱處理或雷射照射。
此外，可以藉由線狀電漿法在基板上直接形成結晶半導體層。可選擇的，可以利用線狀電漿法在基板上選擇性地形成結晶半導體層。
可以利用印刷法、分配器方法、噴塗法、旋轉塗敷法、液滴釋放法等由有機半導體材料形成半導體。在此情況下，由於不需要上述蝕刻步驟，可以減少步驟數量。將低分子量材料、高分子量材料等用作有機半導體，此外，也可以採用諸如有機色素、導電高分子量材料等材料。較佳的藉由共軛雙鍵組成構架的π－電子共軛高分子量材料作為用於本發明的有機半導體材料。代表性的，可以採用可溶的高分子量材料諸如聚噻吩、聚芴、聚(3－烷基噻吩)、聚噻吩的衍生物或者並五苯。
此外，可以用於本發明的有機半導體材料包括藉由形成可溶性的先質之後實施處理可以形成半導體層的材料。注意，作為這種有機半導體材料可以舉出聚亞噻吩基亞乙烯基、聚(2,5－噻吩基亞乙烯基)、聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚丙炔亞乙烯等。
為了將先質轉換為有機半導體，除了進行熱處理以外，還將氯化氫氣體等的發應催化劑添加到先質中。作為能夠溶解可溶性有機半導體材料的典型溶劑可以使用甲苯、二甲苯、氯苯、二氯苯、苯甲醚、氯仿、二氯甲、γ丁內酯、丁基溶纖劑、環己胺、NMP(N－甲基－2－吡咯烷酮)、環己酮、2－丁酮、二氧雜環己烷、二甲基甲醯胺(DMP)、THF(四氫呋喃)等。
在閘極絕緣層114上形成半導體層105和106。在本實施例模式中，結晶化非晶半導體層形成結晶半導體層作為半導體層105和106。在結晶化步驟中，將促進結晶化的元素(也稱為催化劑元素、金屬元素)添加到非晶半導體層，並且藉由進行熱處理(在550至750℃的溫度下進行3分鐘至24個小時)來結晶化。作為促進結晶化的元素、尤其是促進結晶化該矽的金屬元素，可以使用選自鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、鐒(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉑(Pt)、銅(Cu)以及金(Au)的一種或多種。在本實施例模式中，使用鎳。
為了從結晶半導體層中去除或減少促進結晶的元素，形成與結晶半導體層接觸的包含雜質元素的半導體層以用作吸氣裝置。可使用n型雜質元素、p型雜質元素、稀有氣體元素等作為雜質元素。例如，可使用選自磷(P)、氮(N)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)、硼(B)、氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)的一種或多種。在該實施例模式中，形成包含氬的半導體層作為包含雜質元素的半導體層，並用作吸氣裝置。含氬的半導體層形成於包含促進結晶的元素的結晶半導體層上， 並進行熱處理(在550到750℃的溫度下進行3分鐘到24小時)。結晶半導體層中包含的促進結晶元素移入含氬的半導體層，結晶半導體層中包含的促進結晶的元素被去除或減少。此後，去除用作吸氣裝置的含氬的半導體層。含作為賦予n型的雜質元素的磷(P)的n型半導體層形成於半導體層上。n型半導體層用作源極區和汲極區。在本實施例模式中，用半非晶半導體形成n型半導體層。將如上那樣形成的半導體層、n型半導體層處理為所希望的形狀，而形成半導體層105、106和n型半導體層。在半導體層105上的n型半導體層由之後的處理成為n型半導體層115a和115b。如果使用液滴釋放法形成用於處理半導體層和n型半導體層的掩模層，半導體層的形狀則反映於其側端部分是波狀形狀的形狀。
藉由利用液滴釋放法形成由絕緣體諸如抗蝕劑或者聚醯亞胺構成的掩模。利用該掩模藉由蝕刻在閘極絕緣層114的一部分上形成開口，並且露出位於下層的閘極電極層104的一部分。作為蝕刻處理，電漿蝕刻(乾蝕刻)或者濕蝕刻都可以採用。然而，電漿蝕刻適於處理大面積基板。將氟基氣體比如CF4 、NF3 或者氯基氣體比如Cl2 或者BCl3 用作蝕刻氣體，並且也可以適當添加惰性氣體諸如He或者Ar。此外，當使用大氣壓放電的蝕刻處理時，可以實施局部地放電處理，並且，不必在整個基板之上形成掩模層。
用於形成開口的處理的掩模也可以藉由選擇性地釋放組合物來形成。如此選擇性地形成掩模，使得處理步驟簡單化。可將諸如環氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚樹脂、酚醛清漆樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂或者聚氨酯樹脂的樹脂材料用作掩模。此外，可以採用有機材料諸如苯並環丁烯、聚對二甲苯、閃光或者透光的聚醯亞胺，由諸如矽氧烷基聚合體聚合製得的化合物材料，含有溶於水的均聚物以及溶於水的共聚物合成材料等藉由液滴釋放法形成掩模。可選擇的，可以採用含有光敏材料的市場上銷售的抗蝕劑材料，例如，可以採用典型的正性抗蝕劑諸如酚醛清漆樹脂和光敏劑萘醌二疊氮基化合物，或者負性抗蝕劑諸如基極樹脂和二苯矽烷二醇和酸生成劑。採用任何材料時，藉由調整溶劑的濃度或者添加表面活性劑等適當控制表面張力和粘性。
此外，在本實施例模式中，當藉由液滴釋放法形成用於處理為所希望形狀的掩模時，較佳的執行作為預處理的控制被形成區域的潤濕性的處理。藉由控制潤濕性、和釋放時的液滴直徑來可以穩定地形成為所希望的形狀(線寬等)。在使用液狀材料的情況下，該步驟可以適用於任何形成物(絕緣層、導電層、掩模層、佈線層等)的預處理。
在具有n型的半導體層上形成源極電極層或汲極電極層107、108、電極層109、源極電極層或汲極電極層110和111。
在本實施例模式中，將本發明適用於電源線112a至112c 。利用在實施例模式1所示的方法，藉由液滴釋放法來製造電源線112a至112c，使此為左右彎曲的形狀。這是因為在第一釋放步驟中釋放的液滴的中心線和在第二釋放步驟中釋放的液滴的中心線是平行而錯開地形成的。這種彎曲形狀的電源線由於可以流過比直線形狀的電源線更大的電流，所以可以供給更大電力。
為了控制被形成區域的潤濕性，在形成電源線112a至112c之前形成的物質，在形成電源線之後，可以存留殘存的部分，也可以去除不必要的部分。藉由使用氧等的灰化、蝕刻來去除。所述電源線112a至112c可以作為掩模使用。
形成源極電極層或汲極電極層107、108、電極層109、源極電極層或汲極電極層110、111之後，將半導體層、具有n型的半導體層處理為所希望的形狀。在本實施例模式中，藉由液滴釋放法形成掩模來進行處理，然而，也可以將源極電極層或汲極電極層用作掩模，蝕刻而處理半導體層、具有n型的半導體層。
作為形成源極電極層或汲極電極層以及電源線的導電材料，可以使用主要含有Ag(銀)、Au(金)、Cu(銅)、W(鎢)、Al(鋁)、Mo(鉬)等金屬粒子的組合物。此外，可以組合具有透光特性的銦錫氧化物(ITO)、由銦錫氧化物和氧化矽構成的ITSO、有機銦、有機錫、氧化鋅、氮化鈦等。
在形成於閘極絕緣層114的開口中，使源極電極層或汲極電極層108和閘極電極層104相互電連接。電極層109形成電容元件。
組合液滴釋放法使得可以比藉由旋轉塗敷法等的整個表面塗敷形成進一步防止浪費材料，降低成本。即使佈線等因要實現小型化、薄膜化而被密集、複雜地配置設計，根據本發明也可以穩定地形成。
接下來，在閘極電極層114上，形成第一電極層113。進行下面放射、上面放射和兩面放射的任何一種來從發光元件發射光。在從基板100側放射光的情況下，可以由含有銦錫氧化物(ITO)、含有氧化矽的銦錫氧化物(ITSO)、含有氧化鋅(ZnO)的銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、摻雜鎵(Ga)的ZnO、氧化錫等的組合物來形成預定的圖形，並且烘焙來形成第一電極層113。
較佳的，可以藉由濺射法由銦錫氧化物(ITO)、含氧化矽的銦錫氧化物(ITSO)、氧化鋅(ZnO)等形成第一電極層113。尤其佳的利用以含有2到10wt%的氧化矽的ITO作為靶，藉由濺射法形成的含有氧化矽的氧化銦錫。此外，可以採用其中ZnO摻雜有鎵(Ga)的導電性材料，或者含有氧化矽並且以混合有2到20 wt%的氧化鋅(ZnO)的氧化銦作為靶以形成的銦鋅氧化物(IZO)。在藉由濺射法形成第一電極層113之後，可以藉由液滴釋放法形成掩模層，並且可以藉由蝕刻形成所希望的圖形。在本實施例模式中，第一電極層113藉由液滴釋放法由具有透光型的導電性材料而形成。具體來說，利用銦錫氧化物或者由ITO和氧化矽構成的ITSO來形成。
在形成源極電極層或汲極電極層111之前，第一電極層113可以選擇性地形成在閘極絕緣層114之上。此時，在本實施例模式中，源極電極層或汲極電極層111和第一電極層113的連接結構是：源極電極層或汲極電極層111層疊在第一電極層113之上。當第一電極層113在形成源極電極層或汲極電極層111之前形成時，其可以形成在平坦的區域。因此，第一電極層113可以形成為具有更好的平坦性，這因為可以得到優良的覆蓋性並且可以充分進行諸如CMP的抛光處理。
也可以採用這種結構，其中在源極層或汲極層111之上形成作為層間絕緣層的絕緣層，由佈線層被電連接到第一電極層113。在這種情況下，開口部分(接觸孔)不是藉由去除絕緣層來形成的，而是可以在源極或汲極層111之上形成相對於絕緣層具有低潤濕性的物質。之後，當藉由塗敷法等塗敷含有絕緣體的組合物時，在除了形成有低潤濕性物質的區域之外的區域上形成絕緣層。
在藉由加熱、乾燥等來固化而形成絕緣層之後，去除具有低潤濕性的物質以形成開口部分。將佈線層形成為覆蓋開口部分，並且將第一電極層113形成為接觸到該佈線層。用這種方法，由於不需要實施蝕刻來形成開口部分，因此，可以簡化步驟。
此外，在製造頂面放射型的EL顯示面板的情況下，採用將所產生的光放射到和基板100側相反的那側的結構時，可以使用主要含有Ag(銀)、Au(金)、Cu(銅)、W(鎢)或者Al(鋁)等金屬粒子的組合物。作為其他方法，可以藉由採取濺射法形成透明導電膜或者具有光反射性的導電膜，採取液滴釋放法形成掩模圖形並組合蝕刻處理來形成第一電極層113。
採用CMP法或者利用聚乙烯醇基多孔體來清洗並抛光第一導電層113，以便平坦化其表面。此外，在用CMP法抛光之後，可以在第一電極層113的表面上實施紫外線照射或者氧電漿處理等。
根據上述步驟，完成由底閘型的TFT和第一電極層被連接到基板100來構成的用於顯示面板的TFT基板。此外，在本實施例模式中的TFT是反向交錯型。
隨後，選擇性地形成絕緣層(也稱作分隔壁或者堤)121。形成絕緣層121以在第一電極層113之上具有開口部分。在本實施例模式中，在整個表面上形成絕緣層121，並且利用抗蝕劑等的掩模進行蝕刻來處理成所希望的形狀。當選擇性地藉由液滴釋放法、印刷法或者分配器方法等直接形成絕緣層121時，不一定必須執行蝕刻處理。根據本發明的預處理，也可以將絕緣層121形成為所希望的形狀。
可以用以下材料形成絕緣層121：包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁或者其他的無機絕緣性材料；丙烯酸、甲基丙烯酸、或者其衍生物；耐熱聚合體諸如聚醯亞胺、芳香族聚醯胺、聚苯並咪唑；或者以矽氧烷基材料作為初始材料而形成的由矽、氧、氫構成的化合物中包含Si－O－Si鍵的無機矽氧烷基材料；或者有機矽氧烷基絕緣材料，其中氫和矽的結合被有機基團諸如甲基或者苯基取代。絕緣層121也可以藉由利用光敏性材料諸如丙烯酸或者聚醯亞胺，或者利用非光敏性材料來形成。較佳的絕緣層121為其曲率半徑連續變化的形狀。因此，增強了在絕緣層121之上形成的電致發光層122和第二電極層123的覆蓋率。
藉由液滴釋放法釋放組合物來形成絕緣層121之後，用一定的壓力擠壓絕緣層的表面以進行平坦化，目的是增強平整性。作為擠壓的方法，可以用輥形物體在其表面上掃描來消除凹凸，或者也可以用平板形物體垂直按壓其表面。可選擇的，可以利用溶劑等軟化或者溶化其表面，用氣刀消除表面上的凹凸。此外，也可以用CMP法抛光其表面。當液滴釋放法引起凹凸時，可以將該步驟應用於平整其表面。當藉由該步驟增強平整性時，可以防止顯示面板的顯示不均勻等；因此，可以顯示高清晰度影像。
在用於顯示面板的TFT基板的基板100之上形成發光元件。
在形成電致發光層122之前，藉由在大氣壓下以200℃的溫度實施熱處理來去除在第一電極層119和絕緣層121中或者其表面吸附的濕氣。此外，較佳的在低壓下以200到400℃的溫度，更佳的為250到350℃的溫度實施熱處理，然後藉由真空蒸發法或者在低壓下實施的液滴釋放法，不暴露於大氣中地形成電致發光層122。
作為電致發光層122，藉由使用蒸發掩模的蒸發法等選擇性地分別形成各自產生紅(R)、綠(G)和藍(B)光的材料。與濾色鏡相同，藉由液滴釋放法可以形成各自產生紅(R)、綠(G)和藍(B)光的材料(低分子量材料或高分子量材料等)。在此情況下，由於即便不使用掩模也可以進行RGB的獨立塗敷，所以是較佳的。之後，在電致發光層122之上形成第二電極層123，以完成使用發光元件具有顯示功能的顯示裝置。發光可以為三色都是從單態激發態回到基板態時的發光(熒光)、或三色都是從三重態激發態回到基板態時的發光(磷光)、或者將一色是熒光(或磷光)另外兩色是磷光(或熒光)組合。也可以將磷光只用於R，將熒光用於G和B。具體來說，形成作為電洞輸入層具有20nm厚度的銅酞箐(CuPc)膜，其上形成作為發光層具有70nm厚度的三(8－羥基喹啉)鋁(Alq)膜，這種層疊結構也可以採用。可以藉由添加熒光色素諸如二氫喹吖啶二酮、二萘嵌苯或DCM1等來控制發光色。
注意，如上所述的例子僅僅是可以用於電致發光層的有機發光材料的一個實例，絕不需要限於此。作為電致發光層的材料，可以使用有機材料(包括低分子量材料或高分子量材料)、或者有機材料和無機材料的複合材料等。可以藉由自由地組合發光層、電荷傳送層或電荷輸入層來形成電致發光層(進行發光或為發光移動載子的層)。例如，在本實施例模式中顯示將低分子量有機發光材料用於發光層的例子，也可以使用中分子量有機發光材料或高分子量有機發光材料。注意，在本說明書中，中分子量有機發光材料意味著不具有昇華性並且具有20或更少的分子量、10μm或更小的互相連鎖的分子長度的有機發光材料。此外，藉由旋轉塗敷法形成作為電洞輸入層具有20nm厚度的聚噻吩(PEDOT)膜，其上形成作為發光層具有100nm左右厚度的對苯撐亞乙烯基(PPV)膜，這樣的層疊結構是使用高分子量有機發光材料的一個實例。注意，如使用PPV的π共軛高分子量，則可以選擇紅色到藍色的發光波長。此外，作為電荷傳送層或電荷輸入層，可以使用碳化矽等的無機材料。
儘管沒有示出，設置鈍化膜以覆蓋第二電極層123是有效的。在構成顯示裝置時提供的保護膜可以具有單層結構或者多層結構。作為鈍化膜，可以採用由氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO2 )、氮氧化矽(SiON)、氧氮化矽(SiNO)、氮化鋁(AlN)、氧氮化鋁(AlON)、含氮量多於含氧量的氮氧化鋁(AlNO)、氧化鋁、金剛石形碳(DLC)或者含氮碳膜(CNx )構成的單層絕緣膜或組合上述的疊層的絕緣膜。例如，可以採用疊層諸如含氮碳膜(CNx )和氮化矽(SiN)的疊層，或者可以採用有機材料，還可以採用高分子諸如苯乙烯聚合物的疊層。此外，也可以使用矽氧烷材料。
此時，較佳的採用具有良好覆蓋性的膜作為鈍化膜，使用碳膜、尤其DLC膜是有效的。DLC膜由於可以在從室溫到100℃或者更低的溫度範圍之內形成，因此在具有低耐熱性的電致發光層之上容易地形成。可以藉由電漿CVD法(代表性的是RF電漿CVD法、微波CVD法、電子迴旋共振(ECR)CVD法、熱燈絲CVD法等)、燃燒火焰法、濺射法、離子束蒸發法、雷射蒸發法等來形成DLC膜。作為用於形成膜的反應氣體，可以使用氫氣和烴基氣體(例如CH4 、C2 H2 、C6 H6 等)。藉由輝光放電離子化該反應氣體，使該離子加速以利負自偏壓所施加的陰極相撞來形成DLC膜。此外，可以藉由採用C2 H2 氣體和N2 氣體作為反應氣體來形成CN膜。DLC膜由於具有對於氧的高阻擋效果，從而能夠抑制電致發光層的氧化，因此，可以防止在隨後進行的密封步驟中電致發光層氧化。
如圖14B所示那樣，形成密封構件136並用密封基板140實施密封。之後，可以將撓性佈線基板連接到被形成為電連接到閘極電極層103的閘極佈線層，以便利外部電連接。被形成為電連接到源極層或汲極層107的源極佈線層也相同。
在具有元件的基板100和密封基板140之間封入充填劑135來密封。與液晶材料相同，可以採用滴落法來封入充填劑。也可以充填氮等的惰性氣體代替充填劑135。此外，藉由在顯示裝置內設置乾燥劑，可以防止由發光元件的水分引起的劣化。乾燥劑可以在密封基板140側或具有元件的基板100側設置，也可以在密封構件136所形成的區域中的基板上形成凹部地設置。此外，如在對應於和顯示無關的區域諸如密封基板140的驅動電路區域或佈線區域等設置乾燥劑，即使乾燥劑是不透明的物質也不會降低孔徑比。可選擇地，使充填劑135含有吸濕性材料從而具有乾燥劑的功能。如上那樣，完成使用發光元件並且具有顯示功能的顯示裝置(參照圖14A和14B)。
此外，FPC139由各向異性導電膜138貼到用於電連接顯示裝置內部和外部的端子電極層137，也就是說，FPC139和端子電極層137互相電連接。
圖14A示出顯示裝置的俯視圖。如圖14A所示那樣，圖素區域150、掃描線驅動區域151a和151b、連接區域153由密封構件136密封到基板100和密封基板140之間，並且，在基板100上設置由IC驅動器來形成的訊號線驅動電路152。在驅動電路區域中設置有薄膜電晶體133和134，在圖素區域中設置有薄膜電晶體101和102。
注意，在本實施例模式中，顯示用玻璃基板密封發光元件的情況。密封處理是為了保護發光元件不受水分影響的處理，可以採用以下方法的任何一種，即，用覆蓋材料機械密封的方法、用熱固化樹脂或者紫外線固化樹脂密封的方法、以及用具有高阻擋能力的薄膜諸如金屬氧化物、氮化物等密封的方法。作為覆蓋材料，可以採用玻璃、陶瓷、塑膠或者金屬，然而，當光從覆蓋材料側發射時，覆蓋材料需要具有透光性。藉由用密封劑諸如熱固性樹脂或者紫外線可固化樹脂，將覆蓋材料貼附在上述發光元件所形成的基板上，然後藉由採用熱處理或者紫外光照射處理來固化樹脂，以形成封閉空間。在該封閉空間內設置以氧化鋇為代表的吸吸濕材料也是有效的。該吸濕材料可以在密封劑之上接觸地設置，或者在分隔壁或者週邊部分之上，這樣不會阻擋從發光元件發出的光。此外，也可能用熱固性樹脂或者紫外光可固化樹脂填充覆蓋材料和發光元件所形成的基板之間的空間。在這種情況下，在熱固性樹脂或者紫外光可固化樹脂中添加以氧化鋇為代表的吸濕材料是有效的。
在本實施例模式中，儘管顯示開關TFT是單閘極結構的例子，但也可以應用多閘極結構諸如雙閘極結構。在藉由利用SAS或者結晶半導體製造半導體的情況下，也可以藉由添加給予一種導電型的雜質來形成雜質區。在此情況下，半導體層可以具有濃度不同的雜質區。例如，可以使半導體層中的通道區附近、並且與閘極電極層疊層的區域為低濃度雜質區，以及使其外部區域為高濃度雜質區。
此外，本發明可以適用於薄膜電晶體。圖16A和16B顯示使用如實施例模式1中那樣製造的左右彎曲的導電膜來製造薄膜電晶體的例子。圖16A是薄膜電晶體，其包括閘極電極層401、半導體層402、源極電極層或汲極電極層403a和403b。在圖16A的薄膜電晶體中，將本發明應用於閘極電極層401，該閘極電極層401是具有連續波狀形狀的側端部分的導電層。此外，圖16B是薄膜電晶體，其包括閘極電極層411、半導體層412、源極電極層或汲極電極層413a和413b。在圖16B的薄膜電晶體中，將本發明應用於源極電極層或汲極電極層413a和413b，該源極電極層或汲極電極層413a和413b是具有連續波狀形狀的側端部分的導電層。源極電極層或汲極電極層413a和413b以一定間隔穩定地被形成。此外，本發明可以基於需要的薄膜電晶體的特性、形狀，被應用於半導體層或僅源極電極層或僅汲極電極層。
如上所述，在本實施例模式中，藉由用液滴釋放法在基板上直接形成各種圖形，即使使用一邊1000mm或更長的第五世代以後的玻璃基板，也可以容易地製造顯示面板。
根據本發明，可以微細地處理並且穩定地形成具有必要功能的所希望的圖形。此外，可以減少材料浪費和成本。因此，能夠高產量地製造具有高性能、高可靠性的顯示裝置。
實施例模式3
用圖3、13A和13B說明本發明的實施例模式。更詳細地說，說明使用了本發明的顯示裝置的製造方法。圖3是顯示裝置圖素部分的俯視圖，圖13B是基於圖3中的E－F線的截面圖。圖13A也是顯示裝置的俯視圖，圖13B是基於圖13A中的O－P線(包括U－W線)的截面圖。注意，在本實施例模式中，作為顯示元件示出使用液晶材料的液晶顯示裝置的例子。因此，省略對於相同的部分或具有相同功能的部分重復說明。
由硼矽酸鋇玻璃、硼矽酸鋁玻璃等形成的玻璃基板、石英基板、金屬基板、或者可以耐本製造步驟的處理溫度的塑膠基板都可以用作基板200。此外，可以在基板200之上形成絕緣層。利用含有矽的氧化物材料或者氮化物材料藉由諸如CVD法、電漿CVD法、濺射法或者旋轉塗敷法由單層或者疊層形成絕緣層。該絕緣層並不一定必須要形成，然而，其具有阻擋污染物從基板200進入的作用。
在基板200之上形成閘極電極層202。使用本發明的左右彎曲的導電層來形成電容佈線層203a至203c。可以藉由CVD法、濺射法、液滴釋放法等來形成閘極電極層202。閘極電極層202、電容佈線層203a至203c可以由選自Ag、Au、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu的元素、以該元素為主要成分的合金材料或者化合物材料來形成。可選擇的，也可以採用以摻雜有諸如磷的雜質元素的多晶矽膜為代表的半導體膜、或者AgPdCu合金。可以採用單層結構或者層疊結構，例如，氮化鎢(WN)膜和鉬(Mo)膜的兩層結構，或者按順序層疊鎢膜、鋁和矽的合金(Al－Si)膜以及氮化鈦膜的三層結構。
在本實施例模式中，用液滴釋放法在導電膜上形成掩模層，將導電膜處理為所希望的形狀，形成電容佈線層203a至203c。因此，如實施例模式1所示那樣，形成具有左右彎曲的形狀的掩模層。並且，控制對於含有導電膜表面的掩模層形成材料的組合物的潤濕性。對於掩模層形成材料的被形成區域的接觸角較佳為20度或更大，更佳為20至40度。在本實施例模式中，形成含有烴基的物質或含有矽烷偶合劑的物質，來控制掩模層形成區域的潤濕性。
使用液滴釋放裝置錯開液滴的中心線分兩個階段地釋放含有掩模層形成材料的組合物，以形成左右彎曲的掩模層。使用該掩模層對導電膜進行處理使其具有所希望地形狀，以形成電容佈線層203a至203c。藉由使用具有左右彎曲形狀的電容佈線層，可以實現更多的容量。另外，當製造時，因形狀不良引起的不良減少，所以還有生產率和成品率升高的效果。
在本實施例模式中，形成電容佈線層203a至203c之後，去除掩模層，照射紫外光，然後將含有氟化碳鎖的物質或含有矽烷偶合劑的物質分解而去除。
形成閘極絕緣層208，並且形成半導體層204、具有n型的半導體層209a和209b、源極電極層或汲極電極層205和206，來製造薄膜電晶體201。
連接於源極電極層或汲極電極層206地形成圖素電極層207。圖素電極層207可以使用與實施例模式2的第一電極層113相同的材料，在製造透過型的液晶顯示面板的情況下，由組合物形成為預定的圖形，然後烘焙來形成圖素電極層207，該組合物包含銦錫氧化物(ITO)、含有氧化矽的銦錫氧化物(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2 )等。
藉由印刷法、分配器方法或旋轉塗敷法，覆蓋圖素電極層207以及薄膜電晶體250地形成稱作調整膜的絕緣層261。採用螢幕印刷法或膠印法可以選擇性地形成絕緣層261。之後，實施研磨。接著，由液滴釋放法在形成圖素的區域的週邊形成密封構件282。
隨後，藉由夾著間隔體281將相對基板266貼附到具有TFT的基板200上，在其空隙中提供液晶層262來製造液晶顯示裝置，該相對基板266設置有作用當成調整膜的絕緣層263、作用當成濾色鏡的彩色層264、作用當成相對電極的導電層265、以及偏振片267。此外，在基板200的沒有TFT的一側也形成偏振片268。密封構件可以混合有填充物，此外，相對基板266可以設置有遮罩膜(黑矩陣)等。注意的是，作為形成液晶層的方法，可以使用分配型(滴落型)、在貼附相對基板266之後利用毛細現象注入液晶的浸漬型(泵型)。
間隔體可以藉由散佈幾μm的粒子來設置，但在本實施例模式中在整個基板上形成樹脂膜後，將此處理為所希望的形狀來形成間隔體。在藉由旋塗器塗敷用於間隔體的這種材料後，藉由曝光和顯影步驟將此形成為預定圖形。進一步，藉由用乾淨的烤爐等以150到200℃加熱並固化。這樣形成的間隔體可根據曝光和顯影步驟的條件而具有不同形狀，較佳的是，如果間隔體的形狀是頂部平坦的柱狀，當將相對側的基板貼在TFT基板時，可確保作為液晶顯示裝置的機械強度。間隔體的形狀可以是圓錐、錐形等而沒有特別的限制。
形成連接部分以便連接藉由上述步驟形成的顯示裝置內部和外部的佈線基板。在大氣壓或接近於大氣壓的壓力下，藉由使用氧氣的灰化處理去除連接部分中的絕緣物層。藉由使用氧氣以及選自氫、CF4 、NF3 和CHF3 的一種或多種氣體進行該處理。在本步驟中，為了防止由靜電引起的損壞或破壞在使用相對基板密封後進行灰化處理，但在靜電的影響少的情況下，在任何時機進行灰化處理也可以。
隨後，在電連接到圖素部分的端子電極層287上，夾著各向異性導電物層285地提供用於連接的佈線基板FPC286(參照圖13B)。FPC286具有傳達來自外部的訊號和電位的作用。藉由上述步驟，可以製造具有顯示功能的液晶顯示裝置。
圖13A是液晶顯示裝置的俯視圖。如圖13A所示，圖素部分290、掃描線驅動區域291a和291b藉由密封構件282被密封於基板200和相對基板280之間，並且將藉由IC驅動器形成的訊號線驅動電路292設置在基板200上。在驅動區域中，設置有具有薄膜電晶體283和284的驅動電路。
本實施例模式中的週邊驅動電路設置有由n通道型的薄膜電晶體283和p通道型的薄膜電晶體284來構成的CMOS電路。
在本實施例模式中，將驅動電路區域中的CMOS結構用作反相器。在僅PMOS結構或僅NMOS結構的情況下，TFT的閘極電極層的一部分被連接到源極電極層或汲極電極層。
儘管在本實施例模式中說明了具有單閘極結構的開關TFT，但也可採用雙閘極結構或多閘極結構。此外，在使用SAS或結晶半導體製造半導體時，可以藉由添加賦予一種導電型的雜質來形成雜質區域。在這種情況下，半導體層可具有濃度不同的雜質區域。例如，半導體層的通道區附近並且與閘極電極層層疊的區域可以為低濃度雜質區域，而其外部區域可以為高濃度雜質區。
如上所述，在本實施例模式中，藉由使用液滴釋放法在基板上直接形成各種導電層、絕緣層，即使在使用一邊1000mm或更長的代五世代以後的玻璃基板的情況下，也可容易地製造顯示面板。
根據本發明，以微細地處理、穩定地形成具有必要功能的所希望的導電層、絕緣層。此外，可降低材料浪費和成本。因此，可以高產量製造高性能和高可靠性的顯示裝置。
實施例模式4
在本實施例模式中，說明應用本發明的IPS(平面內切換，In－Plane－Switcing)模式的液晶顯示裝置的一個例子。
液晶顯示模組可以使用TN(扭轉向列Twisted Nematic)模式、IPS(平面內切換，In－Plane－Switcing)模式、MVA(多域垂直對準，Multi－domain Vertical Alignment)模式、ASM(軸線對稱對準微單元，Axially Symmetric aligned Micro－cell)模式和OCB(光學補償彎曲，Optically Compensated Bend)模式等。
IPS模式是藉由使液晶分子與基板大致平行地配置，並且產生與基板平行的電場，來使液晶分子在基板面中旋轉，因此，IPS模式具有寬視野角。圖8示出本實施例模式的液晶顯示裝置的俯視圖。
圖8中的液晶顯示裝置包括閘極電極層401、共同電極層402a至402c、半導體層403、源極電極層或汲極電極層404a和404b、薄膜電晶體405、圖素電極層406a至406c。
連續地形成共同電極層402a至402c，並且連續地形成圖素電極層406a至406c。在本實施例模式中，將本發明應用於共同電極層以及圖素電極層。因此，如實施例模式1所示，共同電極層402a至402c以及圖素電極層406a至406c是藉由液滴釋放法來形成，並且其側端部分是連續波狀形狀。
如側端部分是連續波狀形狀，在彎曲點的上下方向產生的電場的方向則不同，液晶分子旋轉的方向也不同。因此，視野角性能增高。本實施例模式的共同電極層以及圖素電極層的波狀形狀可以藉由微細地處理來製造，這對視野角性能的增高更有效。此外，可以降低材料的浪費和成本。因此，可以高產量製造高性能和高可靠性的顯示裝置。
實施例模式5
在此說明使用本發明的保護電路的一個例子。
如圖6A和6B所示，可以在外部電路和內部電路之間形成保護電路2713。由選自TFT、二極體、電阻元件以及電容元件等的一種或多種的元件來構成保護電路。設置保護電路可以防止電位的急變、元件的破壞或損傷，從而可以提高可靠性。
在本實施例模式中製造的保護電路的佈線層，用本發明將其一部分形成為左右彎曲的形狀。圖7A至7C說明在本實施例模式中製造的保護電路的佈線層的一個例子。
圖7A至7C是如在實施例模式1中所示那樣製造的左右彎曲的佈線層。圖7A的佈線層301a至301d是左右彎曲的形狀，並且如實施例模式1所示那樣互相具有一定間隔地鄰接。
圖7B和7C示出的佈線層311和321自身是其周邊具有凹凸、左右彎曲的形狀，並且是矩形。如果將佈線層設置為矩形，在佈線層之間產生電容。如圖7B和7C所示，可以藉由適當地控制佈線層之間的間隔來確定電容的大小。
如此，當佈線層是彎曲的形狀、曲折的矩形時，可以提高佈線層的電阻，並且作用當成保護電路。因此，可以阻擋靜電並防止靜電破壞等引起的半導體裝置的不良。保護電路不局限於本實施例模式，可以藉由適當地組合TFT、電容或二極體等來作為保護電路使用。保護電路進一步提高半導體裝置的可靠性。
本實施例模式可以與實施例模式1至4分別組合來使用。
實施例模式6
使用根據本發明的顯示裝置可以完成電視裝置。如圖9A和9B所示那樣，藉由將實施例模式3所示的使用液晶的液晶顯示模組、實施例模式2所示的使用EL元件的EL顯示模組組合到框架來可以完成電視裝置。使用EL顯示模組、使用液晶顯示模組分別完成EL電視裝置、液晶電視裝置。由顯示模組形成主螢幕2003，另外具備作為附屬設備的揚聲器部分2009、操作開關等。如此，可以使用本發明完成電視裝置。
顯示面板2002組合到框架2001，除了由接收器2005接受一般的電視播放之外，藉由使用數據機2004連接到有線或無線通信網路中，來可以進行單方向(從發送器到接收器)或雙方向(發送器和接收器之間或接收器之間)的資訊通信。可以使用組合到框架的開關或另外設置的遙控單元2006來操作電視裝置。該遙控單元中也可以設置有顯示輸出的資訊的顯示部分2007。
此外，除了主螢幕2003以外，還可以用第二顯示面板形成副螢幕2008，並且附加顯示頻道或音量等的結構。在此結構中，可以用視野角寬的EL顯示面板形成主螢幕2003，用以低消耗電力可以顯示的液晶顯示面板形成副螢幕。此外，為了優先低消耗電力化，可以用液晶顯示面板形成主螢幕2003，並且用EL顯示面板形成副螢幕，可以使副螢幕具有能夠一亮一滅的結構。根據本發明，即使在這樣大型基板上使用多個TFT或電子部件，也可以製造可靠性高的顯示裝置。
圖9B示出具有大型諸如20至80英尺的顯示部分的電視裝置，其包括框架2010、顯示部分2011、操作部分的遙控單元2012、揚聲器部分2013等。本發明適用於製造顯示部分2011。圖9B的電視裝置可以懸掛在牆上，這樣就不需要為設置該電視裝置的大空間。
當然，本發明不限於電視裝置並可應用於各種用途，例如大尺寸顯示媒體，包括個人電腦的監視器、火車站或機場的資訊顯示板、或者路上的廣告顯示板等。
實施例模式7
藉由應用本發明可以製造各種顯示裝置。換句話說，本發明可應用於將這種顯示裝置組合到其顯示部分的各種電子裝置。
這種電子裝置包括視頻相機、數位相機、投影儀、頭戴式顯示器(護目鏡型顯示器)、汽車導航系統、汽車音響、個人電腦、遊戲機、攜帶型資訊終端(諸如移動電腦、行動電話或電子書)、具備記錄媒體的影像再生裝置(特別是，具有用於再生記錄媒體諸如數位通用盤(DVD)並能顯示該再生影像的顯示器的裝置)等等。圖10A至10D中示出這些例子。
圖10A是個人電腦，它包括主體2101、框架2102、顯示部分2103、鍵盤2104、外部連接埠2105、指標滑鼠2106等。本發明應用於製造顯示部分2103。藉由使用本發明，即使在個人電腦被小型化、配線等變得更精細時，也可顯示高可靠性和高品質的影像。
圖10B顯示具備記錄媒體的影像再生裝置(具體是DVD再生裝置)，它包括主體2201、框架2202、顯示部分A 2203、顯示部分B 2204、記錄媒體(DVD等)讀取部分2205、操作鍵2206、揚聲器部分2207等。顯示部分A 2203主要顯示影像資料而顯示部分B 2204主要顯示文字資料。本發明應用於該顯示部分A 2203和B 2204的製造。藉由應用本發明，即使在影像再生裝置被小型化並且佈線等變得更精細時，也可顯示高可靠性和高品質的影像。
圖10C是行動電話，它包括主體2301、音頻輸出部分2302、音頻輸入部分2303、顯示部分2304、操作開關2305、天線2306等。藉由將根據本發明製造的顯示裝置應用於顯示部分2304，即使在行動電話被小型化並且佈線等變得更精細時，也可顯示高可靠性和高品質的影像。
圖10D是視頻相機，它包括主體2401、顯示部分2402、框架2403、外部連接埠2404、遙控接收器2405、影像接收部分2406、電池2407、聲音輸入部分2408、目鏡部份2409、和操作鍵2410等。本發明可應用於顯示部分2402。藉由將根據本發明製造的顯示裝置應用於顯示部分2402，即使在視頻相機被小型化並且佈線等變得更精細時，也可顯示高可靠性和高品質的影像。本實施例模式可自由地與上述實施例模式組合。
實施例模式8
本實施例模式示出在具有處理器電路的晶片諸如無線晶片、無線標簽、無線IC、RFID、IC標簽等中，將本發明的導電層應用於以無線接收或發送資料、或雙方向地發送接收的天線的例子。
圖5A是一種透視圖，其示出本發明的半導體裝置之一的具有處理器電路的晶片。作為積體電路可以使用處理器和系統處理器，所述處理器是具有各種訊號處理功能的集合體，所述系統處理器具有處理器作為系統。附圖標記1101表示積體電路，1105表示連接到積體電路1101的天線。附圖標記1103表示還作用當成覆蓋材料的支撐體，1104表示覆蓋材料。積體電路1101和天線1105形成在支撐體1103上，並且覆蓋材料1104與支撐體1103交疊，使得覆蓋積體電路1101和天線1105。雖然不一定必須使用覆蓋材料1104，但藉由用覆蓋材料1104覆蓋積體電路1101和天線1105可以增加具有處理器電路的晶片的機械強度。
用於積體電路1101的半導體元件可以使用薄膜電晶體、記憶元件、二極體、光電轉換元件、電阻元件、線圈、電容元件、電感器等。
藉由在積體電路1101上，或在支撐體1103和積體電路1101之間形成保護膜，可以提供一種具有處理器電路、高可靠性的晶片，該晶片的積體電路1101不會受到濕氣等的污染。作為保護膜，可以使用具有阻擋功能的膜諸如氮化矽膜等。
圖5B顯示擴大天線1105中的區域1102的俯視圖。在區域1102中，鄰接地形成天線1105a至1105d。用如實施例模式1所示的方法藉由液滴釋放法來製造這些天線1105，其具有左右彎曲的形狀。這是因為，以平行地形成第一次釋放的液滴中心線和第二次釋放的液滴中心線。互相鄰接的天線1105a至1105d可以如實施例模式1所示，以均勻間隔穩定地形成為所希望的形狀。由於如此形成的天線1105不產生由形狀不良引起的電氣特性不良等，所以可以製造具有高可靠性的半導體裝置。藉由使用液滴釋放法形成天線，可以減少步驟數量、降低成本。
天線的特性取決於天線的模式。這是由於當天線和讀取/寫入器共振時產生的起電力取決於天線圈的頻率、圈數、面積等，且電力高時的頻率即共振頻率取決於線圈的電感和電容，而且線圈的電感取決於線圈的模式如尺寸、形狀、圈數、鄰接的線圈之間的距離等。由於使用本發明可以更微細地處理天線的形狀，所以，天線的形狀的自由度和選擇度增高。從而，可以製造具有進一步適於被要求的功能的特性的半導體裝置。
在本實施例模式中，顯示用不同的覆蓋材料粘貼包括積體電路和形成在積體電路的中間層絕緣膜上的天線的層疊體的實例，然而不局限於此，也可使用粘合劑固定天線所形成的覆蓋材料和積體電路。此時，藉由進行UV處理或超音波處理使用各向異性導電粘合劑或各向異性導電薄膜連接積體電路和天線，但，本發明不局限於此，可以使用各種方法。另外， 天線不必總是等於具有處理器電路的晶片的尺寸，並且可以適當地更大或更小地設定。此外，發送或接收訊號可以使用無線等的電磁波、光等。
也可採用以下結構；積體電路直接形成在支撐體，且作為覆蓋膜使用氮化矽等的緻密膜的結構，或藉由剝離步驟形成積體電路，將此粘貼到支撐體和覆蓋材料的結構。支撐體和覆蓋材料可以使用具有柔性的材料，例如塑膠、有機樹脂、紙、纖維、石墨碳等。藉由對於覆蓋材料應用生物可分解樹脂，可以將此分解為細菌等且將其返回到土壤。此外，由於本實施例模式的積體電路由矽、鋁、氧、氮等來形成，所以可以形成非污染的具有處理器電路的晶片。另外，藉由對於覆蓋材料使用焚燒不會引起污染的材料諸如紙、纖維、石墨碳等，可以燒掉或切斷使用過的具有處理器電路的晶片。此外，由於當焚燒使用這些材料的具有處理器電路的晶片時，不會產生有毒氣體，所以不會引起污染。
在將由剝離步驟形成的積體電路粘貼到支撐體、覆蓋材料的情況下，支撐體和覆蓋材料之間的積體電路可以形成具有5μm或更小的厚度，較佳為0.1至3μm的厚度。另外，當支撐體和覆蓋材料的總厚度由d表示時，支撐體和覆蓋材料的每個厚度都較佳為(d/2)±30μm，更佳為(d/2)±10μm。此外，支撐體1103和第二覆蓋材料較佳形成具有10至200μm的厚度。並且，積體電路1101的面積為5mm的平方(25mm2 )或更小，較佳為0.3至4 mm的平方(0.09至16mm2 )。當支撐體1103和覆蓋材料由有機樹脂材料形成時，則具有耐彎曲的特性。與單晶半導體相比，藉由剝離步驟形成的積體電路具有更耐彎曲的特性。由於積體電路、支撐體和覆蓋材料可以粘結在一起而它們之間沒有間隔，所以完成的具有處理器電路的晶片自身也具有耐彎曲的特性。這樣由支撐體、覆蓋材料圍繞的積體電路可以放置在其他個體物的表面或內部，或嵌入在紙中。
本實施例模式可以自由地組合上述實施例模式1至8的任何一種。
實施例模式9
如實施例模式8所示，可以應用本發明形成作用當成具有處理器電路的晶片(也稱作無線晶片、無線處理器、無線記憶體、無線標簽)的半導體裝置。本發明的半導體裝置用於各種用途，例如可設置在紙幣、硬幣、有價證券、證書、無記名債券、包裝容器、書籍、記錄媒體、身邊帶的東西、交通工具、食物、衣服、健康產品、生活用具、醫藥品以及電子裝置等。
紙幣和硬幣指的是市場上流通的貨幣，包括在特定區域內作為現金通用的貨幣(金券)和紀念幣。有價證券指的是支票、證券、期票等，它們可配備具有處理器電路的晶片90(參照圖11A)。證書指的是駕駛證、居民卡等，它們可配備具有處理器電路的晶片91(參照圖11B)。身邊帶的東西指的是包、眼鏡等，它們可配備具有處理器電路的晶片97(參照圖11C)。無記名債券指的是郵票、米券、各種商品贈券等。包裝容器指的是用於盒飯等的包裝紙、塑膠瓶等，它們可配備具有處理器電路的晶片93(參照圖11D)。書籍指的是書等，它們可配備具有處理器電路的晶片94(參照圖11E)。記錄媒體指的是DVD軟體、錄影帶等，它們可配備具有處理器電路的晶片95(參照圖11F)。交通工具指的是自行車等的車輛、船等，它們可配備具有處理電路的晶片96(參照圖11G)。食品指的是食物產品、飲料等。衣服指的是衣服、鞋類等。健康產品指的是醫療器具、健康器具等。生活器具指的是家具、照明設備等。醫藥品指的是醫藥、農藥等。電子裝置指的是液晶顯示裝置、EL顯示裝置、電視裝置(電視機或平面電視機)、行動電話等。
藉由將具有處理器電路的晶片設置在紙幣、硬幣、有價證券、證書、無記名債券等，可以防止偽造。此外，藉由將具有處理器電路的晶片設置在包裝容器、書籍、記錄媒體、身邊帶的東西、食物、生活用具、電子裝置等，可以提高檢驗系統、租用系統的效率。藉由將具有處理器電路的晶片設置在交通工具、健康產品、醫藥品等，可以防止偽造和偷竊，並且當用於藥品時可以防止拿錯藥品。作為設置具有處理器電路的晶片的方法，可將其粘貼到產品的表面上或嵌入產品中。例如，對於書，可將晶片嵌入頁中或者在用有機樹脂製成包裝的情況下將其嵌入有機樹脂中。
此外，藉由將具有可以根據本發明形成的處理器電路的晶片應用於產品管理系統或流通系統，可以實現該系統的高功能化。例如，藉由提供在傳送帶旁邊的讀取器/寫入器讀取提供於標簽上的具有處理器電路的晶片儲存的資料，而讀出關於流藉由程和傳送目的地等的資料，可以容易地進行產品的檢查或行李的分配。
實施例1
本實施例示出使用本發明在具有潤濕性被控制的表面的基板上形成掩模層的實例。
在基板上層疊兩個要被處理的導電膜，其上形成掩模層。預想藉由處理導電膜來形成兩個並列的導電層，將掩模層形成為所希望的導電層的形狀。
作為基板使用玻璃基板，在其上層疊由TaN構成的第一導電膜和由W構成的第二導電膜。使用塗敷法在第二導電膜上形成FAS，來控制掩模層形成區域的潤濕性。使用液滴釋放法向該潤濕性被控制的第二導電膜表面上釋放含有掩模層形成材料的液狀組合物。以45℃加熱基板。含有掩模層形成材料的組合物的主要成分是聚醯亞胺，作為溶劑混合surflon、乙二醇－n－單丁醚。剛剛附著到被形成區域的液滴的直徑是70μm，液滴的重疊是20μm。圖15A示出被製造的掩模層的光學顯微鏡照片。如圖15A所示，鄰接形成掩模層83和84。
使用圖15B詳細地說明釋放液滴的方法。圖15B是模式圖，模式地示出被形成的掩模層和剛剛附著到被形成區域的液滴的形狀。釋放液滴以四次階段進行，藉由每個階段的釋放來附著的液滴如模式圖的旁邊所示，第一階段的液滴是向左的斜線的圓形，第二階段的液滴是向右的斜線的圓形，第三階段的液滴是點劃線的圓形，以及第四階段的液滴是虛線的圓形。此外，線85至88分別表示將第一至第四階段釋放的液滴中心的線分別連接為一條線的線。
在每個階段中，使同一階段中釋放的液滴互相不接觸而釋放液滴。在本實施例中，同一階段中釋放的液滴間隔為100μm。此外，在第三和第四階段中釋放，並使液滴中心位置於分別對應於第一和第二階段中釋放的液滴之間的中央的線87和88上。
掩模層83和84都不是一次釋放就可形成連續的掩模層，而是兩次釋放才可形成連續的掩模層。在本實施例中，藉由第一和第三階段的釋放步驟形成掩模層83，藉由第二和第四階段的釋放步驟形成掩模層84。在第一階段的釋放步驟中釋放的液滴的中心在線85上，在第三階段的釋放步驟中釋放的液滴的中心在線87上。同樣地，在第二階段的釋放步驟中釋放的液滴的中心在線86上，在第四階段的釋放步驟中釋放的液滴的中心在線88上。將第一和第三階段釋放的液滴中心分別連接的線85和87具有15μm的一定間隔，同樣地，線86和88也具有15μm的間隔。因此，掩模層83和84由於其液滴中心線是錯開的，所以具有側端部分是連續的波狀形狀的左右彎曲的形狀。
在本實施例中，當形成互相鄰接的掩模層時，在每個線85和86上，並且在每個線87和88上，將下一階段的液滴中心位置於和上一階段中釋放的液滴中心不同的位置。因此掩模層83和84具有的側端部分的波狀形狀的凸部和凹部的位置也是錯開的，從而，掩模層83和84不會互相接觸，並且具有間隔地形成。因此，根據本實施例，可以確認能夠製造具有微細處理的形狀的掩模層。
藉由使用如此的掩模層83和84處理第一導電膜和第二導電膜，來可以製造以小間隔被配置、並且處理為微細形狀的導電層。由於可以減小導電層之間的間隔，所以如果將該導電層應用於源極電極層或汲極電極層，則可以減小通道寬度。因此，可以製造能夠高速動作的具有高性能、高可靠性的半導體裝置。並且，製造時由形狀不良引起的不良減少，所以還具有提高成品率和產生率的效果。
100．．．基板
101．．．薄膜電晶體
102．．．薄膜電晶體
103．．．閘極電極層
104．．．閘極電極層
105．．．半導體層
105a．．．n型半導體層
105b．．．n型半導體層
106．．．半導體層
107．．．源極/汲極電極層
108．．．源極/汲極電極層
109．．．電極層
110．．．源極/汲極電極層
1101．．．積體電路
1102．．．區
1103．．．支撐體
1104．．．覆蓋材料
111．．．源極/汲極電極層
112a．．．電源線
112b．．．電源線
113．．．第一電極層
114．．．閘極絕緣層
121．．．絕緣層
122．．．電致光層
123．．．第二電極層
133．．．薄膜電晶體
134．．．薄膜電晶體
135．．．充填劑
136．．．密封構件
137．．．端子電極層
138．．．各向異性導電膜
139．．．FPC
140．．．密封基板
1400．．．基板
1403．．．液滴釋放機構
1404．．．成像裝置
1405．．．噴頭
1406．．．虛線
1407．．．控制裝置
1408．．．儲存媒體
1409．．．影像處理機構
1410．．．電腦
1411．．．標記
1412．．．噴頭
1413．．．材料供應源
152．．．訊號線驅動電路
153．．．連接區域
200．．．基板
2001．．．框架
2002．．．顯示面板
2003．．．主螢幕
2005．．．接收器
2006．．．遙控單元
2007．．．顯示部份
2008．．．副螢幕
2009．．．揚聲器部份
201．．．薄膜電晶體
2010．．．框架
2011．．．顯示部份
2012．．．遙控單元
2013．．．揚聲器部份
202．．．閘極電極層
203a．．．電容佈線層
203b．．．電容佈線層
203c．．．電容佈線層
204．．．半導體層
205．．．源極/汲極電極層
206．．．源極/汲極電極層
207．．．圖素電極層
208．．．閘極絕緣層
209a．．．n型半導體層
209b．．．n型半導體層
2101．．．主體
2102．．．框架
2103．．．顯示部份
2104．．．鍵盤
2105．．．外部連接埠
2106．．．指標滑鼠
2201．．．主體
2202．．．框架
2203．．．顯示部份A
2204．．．顯示部份B
2205．．．讀取部份
2206．．．操作鍵
2207．．．揚聲器部份
2301．．．主體
2302．．．音頻輸出部份
2303．．．音頻輸入部份
2304．．．顯示部份
2305．．．操作開關
2401．．．主體
2402．．．顯示部份
2403．．．框架
2404．．．外部連接埠
2405．．．遙控接收器
2406．．．影像接收部份
2407．．．電池
2408．．．音頻輸入部份
2409．．．目鏡部份
2410．．．操作鍵
250．．．薄膜電晶體
261．．．絕緣層
262．．．液晶層
263．．．絕緣層
264．．．彩色層
265．．．導電層
266．．．相對基板
267．．．偏振片
268．．．偏振片
2700．．．基板
2702．．．圖素
2703．．．掃描線輸入端子
2704．．．訊號線輸入端子
2713．．．保護電路
2750．．．FPC(撓性印刷電路)
2751．．．驅動IC
280．．．相對基板
281．．．間隔體
282．．．密封構件
283．．．薄膜電晶體
284．．．薄膜電晶體
285．．．各向異性導電層
287．．．端子電極層
290．．．圖素
291a．．．掃描線驅動區
292．．．訊號線驅動電路
301a．．．佈線層
301b．．．佈線層
301c．．．佈線層
311．．．佈線層
401．．．閘極電極層
402．．．半導體層
402a．．．共同電極層
402b．．．共同電極層
402c．．．共同電極層
403a．．．源極/汲極電極層
403b．．．源極/汲極電極層
404a．．．源極/汲極電極層
404b．．．源極/汲極電極層
405．．．薄膜電晶體
406a．．．圖素電極層
406b．．．圖素電極層
406c．．．圖素電極層
411．．．閘極電極層
412．．．半導體層
413a．．．源極/汲極電極層
413b．．．源極/汲極電極層
50．．．基板
51a．．．導電層
52a．．．導電層
52b．．．導電層
52c．．．導電層
53．．．導電層
54a．．．側端部份
61a．．．導電層
61f．．．導電層
62a．．．導電層
62e．．．導電層
63a．．．第一導電層
63b．．．第二導電層
66．．．有機樹脂
83．．．掩模層
84．．．掩模層
85．．．線
86．．．線
87．．．線
88．．．線
90．．．晶片
91．．．晶片
93．．．晶片
94．．．晶片
95．．．晶片
96．．．晶片
97．．．晶片
圖1A至1C為本發明的示意圖；圖2A至2C為本發明的示意圖；圖3為本發明的顯示裝置的俯視圖；圖4為本發明的顯示裝置的俯視圖；圖5A和5B各說明本發明的半導體裝置；圖6A和6B各說明本發明的顯示裝置；圖7A至7C各說明本發明的顯示裝置的製造方法；圖8是說明使用本發明的保護電路；圖9A和9B為適用本發明的電子裝置的附圖；圖10A至10D為適用本發明的電子裝置的附圖；圖11A至11G為適用本發明的半導體裝置的附圖；圖12為可以適用於本發明的液滴釋放裝置的結構的附圖；圖13A和13B為說明本發明的顯示裝置的附圖；圖14A和14B為說明本發明的顯示裝置的附圖；圖15A和15B為在實施例1中製造的樣品的實驗資料；和圖16A和16B各說明本發明的半導體裝置。
63a．．．第一導電層
63b．．．第二導電層

Claims (30)

  1. 一種半導體裝置，包含一佈線，其中該佈線包含多個第一導電層和多個第二導電層，其中該多個第一導電層和該多個第二導電層含有一金屬材料和一有機材料，其中該多個第一導電層係形成於第一直線上，其中該多個第二導電層係有間隔地形成於第二直線上，以便連接該多個第一導電層，其中該第一直線和該第二直線為不同線，和其中該佈線具有波狀形狀的側端部分。
  2. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置，其中該佈線是一電晶體的閘極佈線。
  3. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置，其中該佈線是一電晶體的源極佈線。
  4. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置，其中該佈線是一電晶體的汲極佈線。
  5. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置，其中該半導體裝置是選自顯示裝置、視頻相機、數位相機、電腦和攜帶型資訊終端所組成之群之一。
  6. 如申請專利範圍第2項的半導體裝置，還包含一半導體層和一閘極絕緣膜。
  7. 如申請專利範圍第3項的半導體裝置，還包含一 半導體層和一閘極絕緣膜。
  8. 如申請專利範圍第4項的半導體裝置，還包含一半導體層和一閘極絕緣膜。
  9. 一種半導體裝置，包含一佈線，其中該佈線包含多個第一導電層和多個第二導電層，其中該多個第一導電層和該多個第二導電層含有一金屬材料和一有機材料，其中該多個第一導電層係形成於第一直線上，其中該多個第二導電層係有間隔地形成於第二直線上，以便連接該多個第一導電層，其中該第一直線和該第二直線為不同線，和其中該佈線左右彎曲。
  10. 如申請專利範圍第9項的半導體裝置，其中該佈線是一電晶體的閘極佈線。
  11. 如申請專利範圍第9項的半導體裝置，其中該佈線是一電晶體的源極佈線。
  12. 如申請專利範圍第9項的半導體裝置，其中該佈線是一電晶體的汲極佈線。
  13. 如申請專利範圍第10項的半導體裝置，還包含一半導體層和一閘極絕緣膜。
  14. 如申請專利範圍第11項的半導體裝置，還包含一半導體層和一閘極絕緣膜。
  15. 如申請專利範圍第12項的半導體裝置，還包含一半導體層和一閘極絕緣膜。
  16. 一種半導體裝置的製造方法，包含：在第一直線上彼此有間隔地形成含有有機材料的多個第一液滴；和在第二直線上彼此有間隔地形成含有該有機材料的多個第二液滴，以便使該第二液滴連接到該第一液滴，其中該第一直線和該第二直線為不同線。
  17. 如申請專利範圍第16項的半導體裝置的製造方法，其中該多個第一液滴和該多個第二液滴含有金屬材料。
  18. 如申請專利範圍第16項的半導體裝置的製造方法，還包含對該多個第一液滴和該多個第二液滴所形成的表面上的電漿處理。
  19. 如申請專利範圍第16項的半導體裝置的製造方法，還包含以下步驟，即，在形成該多個第一液滴的步驟之前，在基板上形成矽烷偶合劑。
  20. 如申請專利範圍第19項的半導體裝置的製造方法，其中該矽烷偶合劑是氟烷基矽烷。
  21. 如申請專利範圍第16項的半導體裝置的製造方法，其中藉由液滴釋放法釋放該多個第一液滴和該多個第二液滴。
  22. 如申請專利範圍第16項的半導體裝置的製造方法，其中藉由噴墨法釋放該多個第一液滴和該多個第二液滴。
  23. 一種半導體裝置的佈線的製造方法，包含： 藉由液滴釋放法，在第一直線上彼此有間隔地形成含有一有機材料和一金屬材料的多個第一液滴；和藉由液滴釋放法，在第二直線上彼此有間隔地形成含有該有機材料和該金屬材料的多個第二液滴，以便使該第二液滴連接到該第一液滴，其中該第一直線和該第二直線為不同線。
  24. 如申請專利範圍第23項的半導體裝置的製造方法，還包含對該多個第一液滴和該多個第二液滴所形成的表面上的電漿處理。
  25. 如申請專利範圍第23項的半導體裝置的製造方法，還包含以下步驟，即，在形成該多個第一液滴的步驟之前，在基板上形成矽烷偶合劑。
  26. 如申請專利範圍第25項的半導體裝置的製造方法，其中該矽烷偶合劑是氟烷基矽烷。
  27. 一種半導體裝置的佈線的製造方法，包含：藉由噴墨法，在第一直線上彼此有間隔地形成含有一有機材料和一金屬材料的多個第一液滴；和藉由噴墨法，在第二直線上彼此有間隔地形成含有該有機材料和該金屬材料的多個第二液滴，以便使該第二液滴連接到該第一液滴，其中該第一直線和該第二直線為不同線。
  28. 如申請專利範圍第27項的半導體裝置的製造方法，還包含對該多個第一液滴和該多個第二液滴所形成的表面上的電漿處理。
  29. 如申請專利範圍第27項的半導體裝置的製造方法，還包含以下步驟，即，在形成該多個第一液滴的步驟之前，在基板上形成矽烷偶合劑。
  30. 如申請專利範圍第29項的半導體裝置的製造方法，其中該矽烷偶合劑是氟烷基矽烷。
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