JP2015005735A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 溝部を有する第１の絶縁層と、
   前記溝部の少なくとも底面と接する領域を有するゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上に接するゲート絶縁層と、
   前記溝部内に配置され、前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極層と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
   前記第１の絶縁層上に設けられ、前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、
   前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上の第２の絶縁層と、を有し、
   前記ゲート絶縁層及び前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウムを有し、
   前記ゲート絶縁層及び前記第２の絶縁層は、互いに接する領域を有する半導体装置。
2. 溝部を有する第１の絶縁層と、
   前記溝部の少なくとも底面と接する領域を有する第１のゲート電極層と、
   前記第１のゲート電極層上に接する第１のゲート絶縁層と、
   前記溝部内に配置され、前記第１のゲート絶縁層を介して前記第１のゲート電極層と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
   前記第１の絶縁層上に設けられ、前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、
   前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上の第２のゲート絶縁層と、
   前記第２のゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なる第２のゲート電極層と、
   前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記第２のゲート電極層上の第２の絶縁層と、を有し、
   前記第１のゲート絶縁層及び前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウムを有し、
   前記第１のゲート絶縁層及び前記第２の絶縁層は、互いに接する領域を有する半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記酸化物半導体層の下層に接し、前記酸化物半導体層を構成する金属元素のうち少なくとも一の金属元素を構成元素として含む第１の酸化物層と、
   前記酸化物半導体層上に接し、前記酸化物半導体層を構成する金属元素のうち少なくとも一の金属元素を構成元素として含む第２の酸化物層と、を有し、
   前記酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギーは、前記第１の酸化物層及び前記第２の酸化物層の伝導帯下端のエネルギーよりも、０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下の範囲で真空準位に近い半導体装置。
4. 請求項３において、
   前記第２の酸化物層は、前記ソース電極層と前記ドレイン電極層から露出した前記酸化物半導体層を覆うように、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に設けられる半導体装置。