JP2015156477A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (7)

1. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の電極を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の電極と、第３の電極と、第４の電極とを有し、
   前記第１の電極は、前記第３の電極または前記第４の電極の一方と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタは、前記第３の電極および前記第４の電極上に第１の半導体を有し、前記第１の半導体上に第２の半導体を有し、前記第２の半導体上に第３の半導体を有し、前記第３の半導体の上に、絶縁層を介して前記第２の電極を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の半導体の側面が、前記第２の電極で覆われていることを特徴とする半導体装置。
3. 第１の電極と、開口部を有する第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の半導体と、第２の半導体と、第３の半導体と、第２の電極と、第３の電極と、を有する半導体装置であって、
   前記第１の電極上に、前記開口部が重畳して前記第１の絶縁層を有し、
   前記開口部を覆って前記第２の絶縁層を有し、
   前記第２の絶縁層上に、前記第１の半導体を有し、
   前記第１の半導体上に前記第２の電極および前記第３の電極を有し、
   前記第１の半導体、前記第２の電極、および前記第３の電極上に前記第２の半導体を有し、
   前記第２の半導体上に前記第３の半導体を有し、
   前記第２の半導体は、前記第３の半導体に覆われていることを特徴とする半導体装置。
4. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の電極と、開口部を有する第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の半導体と、第２の半導体と、第３の半導体と、第２の電極と、第３の電極と、を有し、
   前記第２のトランジスタは、第４の電極と、第４の半導体と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、前記第１の電極上に、前記開口部が重畳して前記第１の絶縁層を有し、
   前記開口部を覆って前記第２の絶縁層を有し、
   前記第２の絶縁層上に、前記第１の半導体を有し、
   前記第１の半導体上に前記第２の電極および前記第３の電極を有し、
   前記第１の半導体、前記第２の電極、および前記第３の電極上に前記第２の半導体を有し、
   前記第２の半導体上に前記第３の半導体を有し、
   前記第２の半導体は、前記第３の半導体に覆われていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項４において、
   前記第４の半導体は、結晶性を有する半導体基板の一部であることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記第２の半導体の側面は、前記第３の半導体と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記第１の半導体と、前記第２の半導体と、前記第３の半導体とは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。