JP2012033908A5 - - Google Patents
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- ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆う第1の金属酸化物膜と、
前記第1の金属酸化物膜上の第2の金属酸化物膜と、
前記第2の金属酸化物膜上に位置し、前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の第3の金属酸化物膜と、
前記第3の金属酸化物膜上の第4の金属酸化物膜と、を有し、
前記第1乃至第4の金属酸化物膜はそれぞれ、第13族元素および酸素を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第4の金属酸化物膜上に導電層を有し、
前記導電層は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 第1の金属酸化物膜と、
前記第1の金属酸化物膜上の第2の金属酸化物膜と、
前記第2の金属酸化物膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の第3の金属酸化物膜と、
前記第3の金属酸化物膜上の第4の金属酸化物膜と、
前記第4の金属酸化物膜上に位置し、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極と、を有し、
前記第1乃至第4の金属酸化物膜はそれぞれ、第13族元素および酸素を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記第2の金属酸化物膜と、前記第3の金属酸化物膜とは、互いに接する領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、
前記第1乃至第4の金属酸化物膜はそれぞれ、化学量論的組成より多い酸素を含有する領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一において、
前記第1の金属酸化物膜は、酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウムガリウムのいずれか、または双方を有し、
前記第4の金属酸化物膜は、酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウムガリウムのいずれか、または双方を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記第2の金属酸化物膜は、酸化ガリウムまたは酸化ガリウムアルミニウムのいずれか、または双方を有し、
前記第3の金属酸化物膜は、酸化ガリウムまたは酸化ガリウムアルミニウムのいずれかまたは双方を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、前記ソース電極の下面と接する領域と、前記ドレイン電極の下面と接する領域とを有し、
前記第2の金属酸化物膜は、前記ソース電極の下面と接する領域と、前記ドレイン電極の下面と接する領域とを有し、
前記第3の金属酸化物膜は、前記ソース電極の上面と接する領域と、前記ソース電極の側面と接する領域と、前記ドレイン電極の上面と接する領域と、前記ドレイン電極の側面と接する領域とを有することを特徴とする半導体装置。
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