JP2014007394A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上に第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上に第３の酸化物半導体層と、
   を有し、
   前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、及び前記第３の酸化物半導体層は少なくともインジウムとガリウムとを含み、
   前記第２の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成は、前記第１の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成より高く、
   前記第２の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成は、前記第３の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成より高く、
   前記第２の酸化物半導体層の膜厚は、前記第１の酸化物半導体層の膜厚より大きく、
   前記第２の酸化物半導体層の膜厚は、前記第３の酸化物半導体層の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置。
2. 第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に第１の導電層と、
   前記第２の絶縁層上に第３の絶縁層と、
   前記第１の導電層上に第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上に第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上に第３の酸化物半導体層と、
   を有し、
   前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、及び前記第３の酸化物半導体層は少なくともインジウムとガリウムとを含み、
   前記第２の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成は、前記第１の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成より高く、
   前記第２の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成は、前記第３の酸化物半導体層に含まれるガリウムに対するインジウムの組成より高く、
   前記第２の酸化物半導体層の膜厚は、前記第１の酸化物半導体層の膜厚より大きく、
   前記第２の酸化物半導体層の膜厚は、前記第３の酸化物半導体層の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記第３の絶縁層は、前記第１の酸化物半導体層と重なる第１の領域と、前記第１の酸化物半導体層と重ならない第２の領域と、を有し、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚より小さいことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第１の絶縁層の側面は、前記第１の酸化物半導体層の側面とそろうように設けられていることを特徴とする半導体装置。