JP2012235098A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、を有し、
   前記絶縁層は、上端部に曲面を有し、
   前記酸化物半導体層は、前記曲面に接する第１の領域を有し、
   前記第１の領域は、結晶を有し、
   前記結晶は、前記曲面をなす表面に概略垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁層と、
   前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、を有し、
   前記絶縁層は、上端部に曲面を有し、
   前記絶縁層は、側面にテーパを有し、
   前記酸化物半導体層は、前記曲面に接する第１の領域を有し、
   前記第１の領域は、結晶を有し、
   前記結晶は、前記曲面をなす表面に概略垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
3. 絶縁層と、
   前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、を有し、
   前記絶縁層は、上端部に曲面を有し、
   前記酸化物半導体層は、前記曲面に接する第１の領域を有し、
   前記第１の領域は、結晶を有し、
   前記結晶は、前記曲面に概略垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
4. 絶縁層と、
   前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、を有し、
   前記絶縁層は、上端部に曲面を有し、
   前記絶縁層は、側面にテーパを有し、
   前記酸化物半導体層は、前記曲面に接する第１の領域を有し、
   前記第１の領域は、結晶を有し、
   前記結晶は、前記曲面に概略垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。