JP2013077815A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層と同一上面を有する第１の電極層と、
   前記第１の絶縁層上および前記第１の電極層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の第１及び第２の配線層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、第１の低抵抗領域と、第２の低抵抗領域と、前記第１の低抵抗領域と前記第２の低抵抗領域とに挟まれたチャネル形成領域とを有し、
   前記第１の低抵抗領域は、前記第１の電極層と接する領域を有し、
   前記チャネル形成領域は、前記第１の電極層とは接さず、
   前記第１の配線層は、第１の開口を介して前記第１の電極層と接し、
   前記第２の配線層は、第２の開口を介して前記第１の低抵抗領域と接する半導体装置。
2. 第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層と同一上面を有する第１の電極層と、
   前記第１の絶縁層と同一上面を有する第２の電極層と、
   前記第１の絶縁層上、前記第１の電極層上および前記第２の電極層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の第１乃至第３の配線層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、第１の低抵抗領域と、第２の低抵抗領域と、前記第１の低抵抗領域と前記第２の低抵抗領域とに挟まれたチャネル形成領域とを有し、
   前記第１の低抵抗領域は、前記第１の電極層と接する領域を有し、
   前記第２の低抵抗領域は、前記第２の電極層と接する領域を有し、
   前記チャネル形成領域は、前記第１の電極層及び前記第２の電極層とは接さず、
   前記第１の配線層は、第１の開口を介して前記第１の電極層と接し、
   前記第２の配線層は、第２の開口を介して前記第１の低抵抗領域と接し、
   前記第３の配線層は、第３の開口を介して前記第２の電極層と接する半導体装置。