JP2013149964A5 - 半導体素子 - Google Patents

Claims (5)

1. 絶縁表面上に設けられた、チャネル形成領域および前記チャネル形成領域を挟む一対の低抵抗領域を含む酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層の上面および側面を覆うゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を挟んで、前記チャネル形成領域の上面および側面を覆うゲート電極と、
   前記低抵抗領域と電気的に接続された電極と、を有し、
   前記電極は、前記低抵抗領域の少なくとも側面と電気的に接続されていることを特徴とする、半導体素子。
2. 前記電極は、前記低抵抗領域に設けられた溝部において前記低抵抗領域と電気的に接続されている、請求項１に記載の半導体素子。
3. 前記電極が前記低抵抗領域をチャネル幅方向に横切る、請求項１または請求項２に記載の半導体素子。
4. 前記チャネル形成領域のチャネル幅方向の長さが１ｎｍ以上６０ｎｍ以下である、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体素子。
5. 前記チャネル形成領域の膜厚が、前記チャネル形成領域のチャネル幅方向の長さの２倍以上である、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体素子。