JP2011171721A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と接するソース電極と、
   前記酸化物半導体層と接するドレイン電極と、
   前記酸化物半導体層と重なるゲート電極と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層とを有し、
   前記ソース電極または前記ドレイン電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層の端部よりチャネル長方向に伸長した領域を有する第２の導電層とを含む半導体装置。
2. 酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と接するソース電極と、
   前記酸化物半導体層と接するドレイン電極と、
   前記酸化物半導体層と重なるゲート電極と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、
   前記ソース電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層よりも高抵抗である第２の導電層とを含み、
   前記ドレイン電極は、第３の導電層と、前記第３の導電層よりも高抵抗である第４の導電層とを含み、
   前記第２の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
   前記第４の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有する半導体装置。
3. 酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と接するソース電極と、
   前記酸化物半導体層と接するドレイン電極と、
   前記酸化物半導体層と重なるゲート電極と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、
   前記ソース電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層よりも高抵抗である第２の導電層とを含み、
   前記ドレイン電極は、第３の導電層と、前記第３の導電層よりも高抵抗である第４の導電層とを含み、
   前記第１の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有さず、
   前記第２の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
   前記第３の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有さず、
   前記第４の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有する半導体装置。
4. 前記第２の導電層は、金属の窒化物を含む請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。
5. 前記第２の導電層の膜厚は、５ｎｍ乃至１５ｎｍである請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置。
6. 前記第１の導電層は、前記第２の導電層の上方に接して位置する請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
7. 前記第２の導電層は、前記第１の導電層の上面及び側面を覆って前記第１の導電層の上方に位置する請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
8. 前記ソース電極は、側面において前記酸化物半導体層と接し、
   前記ドレイン電極は、側面において前記酸化物半導体層と接する請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の半導体装置。