JP5309547B2 - 薄膜トランジスタパネルおよびその製造方法 - Google Patents

Description

この発明は薄膜トランジスタパネルおよびその製造方法に関する。

従来の薄膜トランジスタパネルには、薄膜トランジスタの半導体薄膜の材料として、比較的高い移動度が得られる酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いたものがある（例えば、特許文献１参照）。この薄膜トランジスタパネルは絶縁基板を備えている。絶縁基板の上面にはゲート電極が設けられている。ゲート電極を含む絶縁基板の上面にはゲート絶縁膜が設けられている。ゲート電極上におけるゲート絶縁膜の上面には真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜が設けられている。半導体薄膜の上面全体には保護膜が設けられている。それらの上面全体には上層絶縁膜が設けられている。

半導体薄膜の両側における上層絶縁膜および保護膜には２つのコンタクトホールが設けられている。各コンタクトホールを介して露出された半導体薄膜の上面およびその周囲における上層絶縁膜の上面にはｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層が設けられている。各オーミックコンタクト層の上面にはソース電極およびドレイン電極が設けられている。

特開２００６−１００７６０号公報（図１）

ところで、上記従来の薄膜トランジスタパネルでは、半導体薄膜の下地となるゲート絶縁膜を窒化シリコンによって形成している（特許文献１の第１０段落参照）。しかしながら、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜の上面に真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を成膜すると、後述の如く、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜の結晶配向性が比較的低く、ひいては薄膜トランジスタの性能（電界効果移動度）が比較的低いということが分かった。

そこで、この発明は、酸化亜鉛からなる半導体薄膜の結晶配向性を改善することができる薄膜トランジスタパネルおよびその製造方法を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明に係る薄膜トランジスタパネルは、絶縁基板と、前記絶縁基板上に該絶縁基板に接触するように相対向して設けられたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と前記絶縁基板とに接触するように設けられた２つのオーミックコンタクト層と、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記２つのオーミックコンタクト層を含む前記絶縁基板上に設けられた酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる下地絶縁膜と、前記下地絶縁膜上に設けられた酸化亜鉛からなる半導体薄膜と、前記半導体薄膜上に設けられたゲート絶縁膜と、前記２つのオーミックコンタクト層の相対向する部分上における前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る薄膜トランジスタパネルは、請求項１に記載の発明において、前記絶縁基板は無アルカリガラスからなることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る薄膜トランジスタパネルは、請求項１または２に記載の発明において、さらに、前記ゲート電極を含む前記ゲート絶縁膜上に設けられたオーバーコート膜と、前記オーバーコート膜上に前記オーバーコート膜、前記ゲート絶縁膜および前記半導体薄膜に設けられたコンタクトホールを介して前記ソース電極に接続されて設けられた画素電極とを有することを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る薄膜トランジスタパネルの製造方法は、絶縁基板上に該絶縁基板に接触するようにソース電極およびドレイン電極を相対向して形成する工程と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と前記絶縁基板とに接触するように２つのオーミックコンタクト層を形成する工程と、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記２つのオーミックコンタクト層を含む前記絶縁基板上に酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜上に酸化亜鉛からなる半導体薄膜を形成する工程と、前記半導体薄膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記２つのオーミックコンタクト層の相対向する部分上における前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る薄膜トランジスタパネルの製造方法は、請求項４に記載の発明において、前記絶縁基板は無アルカリガラスからなることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る薄膜トランジスタパネルの製造方法は、請求項４または５に記載の発明において、さらに、前記ゲート電極を含む前記ゲート絶縁膜上にオーバーコート膜を形成する工程と、前記ソース電極に対応する部分における前記オーバーコート膜、前記ゲート絶縁膜および前記半導体薄膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記オーバーコート膜上に画素電極を前記オーバーコート膜、前記ゲート絶縁膜および前記半導体薄膜のコンタクトホールを介して前記ソース電極に接続させて形成する工程と、を有することを特徴とするものである。

この発明によれば、酸化亜鉛からなる半導体薄膜の下地を酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる下地絶縁膜または石英ガラスからなる絶縁基板とすることにより、下地を窒化シリコンによって形成する場合と比較して、酸化亜鉛からなる半導体薄膜の結晶配向性を改善することができる。

（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルはガラス基板（絶縁基板）１を備えている。ガラス基板１は、限定する意味ではないが、無アルカリガラスからなっている。ガラス基板１の上面の相対向する所定の２箇所にはアルミニウム、クロム、ＩＴＯ等からなるソース電極２およびドレイン電極３が設けられている。

ソース電極２およびドレイン電極３の相対向する側の各上面およびその各近傍のガラス基板１の上面にはＩＴＯからなるオーミックコンタクト層４、５が設けられている。ソース電極２、ドレイン電極３およびオーミックコンタクト層４、５を含むガラス基板１の上面には酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる下地絶縁膜６が設けられている。

ガラス基板１の上面に設けられたオーミックコンタクト層４、５の各所定の箇所に対応する部分における下地絶縁膜６にはコンタクトホール７、８が設けられている。ソース電極２の所定の箇所に対応する部分における下地絶縁膜６にはコンタクトホール９が設けられている。

下地絶縁膜６のコンタクトホール７、８を介して露出されたオーミックコンタクト層４、５の各上面を含む下地絶縁膜６の上面には真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０が設けられている。下地絶縁膜６のコンタクトホール９に対応する部分における半導体薄膜１０には、該コンタクトホール９よりもやや大きめのコンタクトホール１１が設けられている。ここで、酸化亜鉛とは、ＺｎＯのみならず、ＺｎＯの他、Ｍｇ、Ｃｄ等を含むＺｎＯ系全体を意味するものである。

半導体薄膜１０の上面には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１２が設けられている。２つのオーミックコンタクト層４、５の相対向する部分上におけるゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所にはアルミニウム、クロム、ＩＴＯ等からなるゲート電極１３が設けられている。

ここで、ソース電極２、ドレイン電極３、オーミックコンタクト層４、５、下地絶縁膜６、ゲート電極１３下の半導体薄膜１０、ゲート絶縁膜１２およびゲート電極１３により、トップゲート型の薄膜トランジスタ１４が構成されている。この薄膜トランジスタ１４では、ゲート電極１３下の全域およびその周囲に半導体薄膜１０が設けられているが、ゲート電極１３に電圧が印加されると、ゲート電界がかかる領域がゲート電極１３下の全域（点線で囲まれた領域）となり、この部分における半導体薄膜１０のみにキャリアが効果的に誘起されるので、薄膜トランジスタして動作することが可能である。

ゲート電極１３を含むゲート絶縁膜１２の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜１５が設けられている。半導体薄膜１０のコンタクトホール１１に対応する部分におけるオーバーコート膜１５およびゲート絶縁膜１２にはコンタクトホール１６が設けられている。オーバーコート膜１５の上面の所定の箇所にはＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極１７が設けられている。画素電極１７は、オーバーコート膜１５、ゲート絶縁膜１２および半導体薄膜１０のコンタクトホール１６、１１を介してソース電極２に接続されている。

（実験結果）
次に、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０の下地となる下地絶縁膜６の材料についての実験結果について説明する。この場合、図２に示すように、第１の試料として、無アルカリガラスからなるガラス基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコンからなる下地絶縁膜６および真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０を連続して成膜したものを用意した。また、第２の試料として、図２において、下地絶縁膜６を酸窒化シリコンによって形成したものを用意した。さらに、第１の比較試料として、図２において、下地絶縁膜６を窒化シリコンによって形成したものを用意した。

そして、第１、第２の試料および第１の比較試料に対してＸ線回折法により回折強度を測定したところ、図３に示す結果が得られた。この場合、酸化亜鉛の結晶構造はウルツ鉱型構造であるので、回折ピークは（００２）面とした。また、図３において、θは回折角度である。図３から明らかなように、回折ピークの大きさは、第１の比較試料、第２の試料、第１の試料の順で大きくなっている。

すなわち、回折ピークは、第１の試料（下地絶縁膜６の材料が酸化シリコン）が一番大きく、次に第２の試料（下地絶縁膜６の材料が酸窒化シリコン）が大きく、第１の比較試料（下地絶縁膜６の材料が窒化シリコン）が一番小さい。ここで、回折ピークが大きいほど、単位体積当り多くの（００２）面が検出されているということであり、つまり同じ向きに揃っている結晶が多く、結晶配向の乱れが少ないということを示している。

このことから、図１に示す薄膜トランジスタパネルでは、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０の下地を酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる下地絶縁膜６とすることにより、下地絶縁膜６を窒化シリコンによって形成する場合と比較して、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０の結晶配向性を改善することができ、ひいては薄膜トランジスタ１４の性能（電界効果移動度）を向上することができる。

（製造方法の一例）
次に、図１に示す薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例について説明する。まず、図４に示すように、ガラス基板１の上面の相対向する所定の２箇所に、スパッタ法により成膜されたアルミニウム等からなる金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ソース電極２およびドレイン電極３を形成する。次に、ソース電極２およびドレイン電極３の相対向する側の各上面およびその各近傍のガラス基板１の上面に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、オーミックコンタクト層４、５を形成する。

次に、ソース電極２、ドレイン電極３およびオーミックコンタクト層４、５を含むガラス基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる下地絶縁膜６を成膜する。次に、フォトリソグラフィ法により、ガラス基板１の上面に形成されたオーミックコンタクト層４、５の各所定の箇所に対応する部分における下地絶縁膜６にコンタクトホール７、８を形成し、且つ、ソース電極２の所定の箇所に対応する部分における下地絶縁膜６にコンタクトホール９を形成する。

次に、図５に示すように、下地絶縁膜６のコンタクトホール７、８を介して露出されたオーミックコンタクト層４、５の各上面および下地絶縁膜６のコンタクトホール９を介して露出されたソース電極２の上面を含む下地絶縁膜６の上面に、プラズマＣＶＤ法により、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０および窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１２を連続して成膜する。

次に、図６に示すように、ゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたアルミニウム等からなる金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ゲート電極１３を形成する。次に、ゲート電極１３を含むゲート絶縁膜１２の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１５を成膜する。

次に、オーバーコート膜１５の上面に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜２１を形成する。この場合、下地絶縁膜６のコンタクトホール９に対応する部分におけるレジスト膜２１には開口部２２が形成されている。次に、レジスト膜２１をマスクとしてオーバーコート膜１５およびゲート絶縁膜１２を連続してエッチングすると、図７に示すように、レジスト膜２１の開口部２２に対応する部分におけるオーバーコート膜１５およびゲート絶縁膜１２にコンタクトホール１６が連続して形成される。

この場合、コンタクトホール１６を介して半導体薄膜１０の表面が露出される。そこで、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１５およびゲート絶縁膜１２のエッチング方法としては、オーバーコート膜１５およびゲート絶縁膜１２のエッチング速度は速いが、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０をなるべく侵さないようにするために、六フッ化イオウ（ＳＦ₆）を用いた反応性プラズマエッチング（ドライエッチング）が好ましい。

次に、レジスト膜２１をレジスト剥離液を用いて剥離する。この場合も、コンタクトホール１６を介して露出された半導体薄膜１０の表面がレジスト剥離液に曝されるが、この曝された部分はゲート電極１３に対応する部分（実質的なデバイスエリア）以外であるので、別に支障はない。

次に、図８に示すように、オーバーコート膜１５をマスクとして半導体薄膜１０をエッチングすると、オーバーコート膜１５およびゲート絶縁膜１２のコンタクトホール１６に対応する部分における半導体薄膜１０にコンタクトホール１１が形成される。このとき、コンタクトホール１６の周囲における半導体薄膜１０にサイドエッチングが生じても、このサイドエッチングが生じた部分はゲート電極１３に対応する部分（実質的なデバイスエリア）以外であるので、別に支障はない。

ここで、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０のエッチング液としては、サイドエッチングを少なくするため、アルカリ水溶液を用いてもよい。例えば、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）３０ｗｔ％未満水溶液、好ましくは２〜１０ｗｔ％水溶液を用いる。エッチング液の温度は、５〜４０℃、好ましくは室温（２２〜２３℃）とする。

次に、図１に示すように、オーバーコート膜１５の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極形成用膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、画素電極１７をオーバーコート膜１５、ゲート絶縁膜１２、半導体薄膜１０および下地絶縁膜６のコンタクトホール１６、１１、９を介してソース電極２に接続させて形成する。かくして、図１に示す薄膜トランジスタパネルが得られる。

このようにして得られた薄膜トランジスタパネルでは、ゲート電極１３下の全域およびその周囲に半導体薄膜１０を形成しているので、ゲート電極１３下の全域に形成された半導体薄膜１０の周囲に空洞が形成されることがなく、ゲート絶縁膜１２の堆積不足でカバレッジが悪くなることはなく、薄膜トランジスタ１４の信頼性を損なわないようにすることができる。また、ゲート電極１３下の全域に形成された半導体薄膜１０の周囲に空洞がないため、ゲート電極１３下がゲート電界がかかる位置であっても、当該部分で絶縁破壊が生じないようにすることができる。

（第２実施形態）
図９はこの発明の第２実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる下地絶縁膜６を備えておらず、その代わりに、ガラス基板（絶縁基板）１を石英ガラスによって形成した点である。

この場合、ソース電極２、ドレイン電極３およびオーミックコンタクト層４、５を含むガラス基板１の上面には真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０が設けられている。したがって、２つのオーミックコンタクト層４、５間における半導体薄膜１０はガラス基板１の上面に設けられ、この部分における半導体薄膜１０の下地は石英ガラスからなるガラス基板１となっている。

（実験結果）
次に、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０の下地となるガラス基板１の材料についての実験結果について説明する。この場合、図１０に示すように、第３の試料として、石英ガラスからなるガラス基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０を成膜したものを用意した。また、第２の比較試料として、図１０において、ガラス基板１を無アルカリガラスによって形成したものを用意した。

そして、第３の試料および第２の比較試料に対してＸ線回折法により回折強度を測定したところ、図１１に示す結果が得られた。この場合も、酸化亜鉛の結晶構造はウルツ鉱型構造であるので、回折ピークは（００２）面とした。また、図１１において、θは回折角度である。図１１から明らかなように、回折ピークの大きさは、第１の比較試料（図３参照）、第２の比較試料、第３の試料の順で大きくなっている。

すなわち、回折ピークは、第３の試料（ガラス基板１の材料が石英ガラス）が一番大きく、次に第２の比較試料（ガラス基板１の材料が無アルカリガラス）が大きく、第１の比較試料（図２の構造で下地絶縁膜６の材料が窒化シリコン）が一番小さい。この場合も、回折ピークが大きいほど、単位体積当り多くの（００２）面が検出されているということであり、つまり同じ向きに揃っている結晶が多く、結晶配向の乱れが少ないということを示している。

このことから、図９に示す薄膜トランジスタパネルでは、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０の下地を石英ガラスからなるガラス基板１とすることにより、ガラス基板１を無アルカリガラスによって形成する場合と比較して（且つ、下地を窒化シリコンによって形成する場合と比較して）、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０の結晶配向性を改善することができ、ひいては薄膜トランジスタ１４の性能（電界効果移動度）を向上することができる。

（製造方法の一例）
次に、図９に示す薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例について説明する。まず、図１２に示すように、ガラス基板１の上面の相対向する所定の２箇所に、スパッタ法により成膜されたアルミニウム等からなる金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ソース電極２およびドレイン電極３を形成する。

次に、ソース電極２およびドレイン電極３の相対向する側の各上面およびその各近傍のガラス基板１の上面に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、オーミックコンタクト層４、５を形成する。次に、ソース電極２、ドレイン電極３およびオーミックコンタクト層４、５を含むガラス基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０および窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１２を連続して成膜する。

次に、ゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたアルミニウム等からなる金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ゲート電極１３を形成する。次に、ゲート電極１３を含むゲート絶縁膜１２の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１５を成膜する。

次に、オーバーコート膜１５の上面に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜２１を形成する。この場合も、ソース電極２の所定の箇所に対応する部分におけるレジスト膜２１には開口部２２が形成されている。次に、レジスト膜２１をマスクとしてオーバーコート膜１５およびゲート絶縁膜１２を連続してエッチングすると、図１３に示すように、レジスト膜２１の開口部２２に対応する部分におけるオーバーコート膜１５およびゲート絶縁膜１２にコンタクトホール１６が連続して形成される。

この場合も、コンタクトホール１６を介して半導体薄膜１０の表面が露出される。そこで、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１５およびゲート絶縁膜１２のエッチング方法としては、オーバーコート膜１５およびゲート絶縁膜１２のエッチング速度は速いが、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０をなるべく侵さないようにするために、六フッ化イオウ（ＳＦ₆）を用いた反応性プラズマエッチング（ドライエッチング）が好ましい。

次に、レジスト膜２１をレジスト剥離液を用いて剥離する。この場合も、オーバーコート膜１５およびゲート絶縁膜１２のコンタクトホール１６を介して露出された半導体薄膜１０の表面がレジスト剥離液に曝されるが、この曝された部分はゲート電極１３に対応する部分（実質的なデバイスエリア）以外であるので、別に支障はない。

次に、図１４に示すように、オーバーコート膜１５をマスクとして半導体薄膜１０をエッチングすると、オーバーコート膜１５およびゲート絶縁膜１２のコンタクトホール１６に対応する部分における半導体薄膜１０にコンタクトホール１１が形成される。このとき、オーバーコート膜１５およびゲート絶縁膜１２のコンタクトホール１６の周囲における半導体薄膜１０にサイドエッチングが生じても、このサイドエッチングが生じた部分はゲート電極１３に対応する部分（実質的なデバイスエリア）以外であるので、別に支障はない。

次に、図９に示すように、オーバーコート膜１５の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極形成用膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、画素電極１７をオーバーコート膜１５、ゲート絶縁膜１２および半導体薄膜１０のコンタクトホール１６、１１を介してソース電極２に接続させて形成する。かくして、図に示す薄膜トランジスタパネルが得られる。

このようにして得られた薄膜トランジスタパネルでも、ゲート電極１３下の全域およびその周囲に半導体薄膜１０を形成しているので、ゲート電極１３下の全域に形成された半導体薄膜１０の周囲に空洞が形成されることがなく、ゲート絶縁膜１２の堆積不足でカバレッジが悪くなることはなく、薄膜トランジスタ１４の信頼性を損なわないようにすることができる。また、ゲート電極１３下の全域に形成された半導体薄膜１０の周囲に空洞がないため、ゲート電極１３下がゲート電界がかかる位置であっても、当該部分で絶縁破壊が生じないようにすることができる。

この発明の第１実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図。 実験に用いた第１の試料等を説明するために示す断面図。 第１の試料等に対するＸ線回折法による回折強度の測定結果を示す図。 図１に示す薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例において、当初の工程の断面図。 図４に続く工程の断面図。 図５に続く工程の断面図。 図６に続く工程の断面図。 図７に続く工程の断面図。 この発明の第２実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図。 実験に用いた第３の試料等を説明するために示す断面図。 第３の試料等に対するＸ線回折法による回折強度の測定結果を示す図。 図９に示す薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例において、当初の工程の断面図。 図１２に続く工程の断面図。 図１３に続く工程の断面図。

符号の説明

１ ガラス基板
２ ソース電極
３ ドレイン電極
４、５ オーミックコンタクト層
６ 下地絶縁膜
７〜９ コンタクトホール
１０ 半導体薄膜
１１ コンタクトホール
１２ ゲート絶縁膜
１３ ゲート電極
１４ 薄膜トランジスタ
１５ オーバーコート膜
１６ コンタクトホール
１７ 画素電極

Claims (6)

1. 絶縁基板と、前記絶縁基板上に該絶縁基板に接触するように相対向して設けられたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と前記絶縁基板とに接触するように設けられた２つのオーミックコンタクト層と、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記２つのオーミックコンタクト層を含む前記絶縁基板上に設けられた酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる下地絶縁膜と、前記下地絶縁膜上に設けられた酸化亜鉛からなる半導体薄膜と、前記半導体薄膜上に設けられたゲート絶縁膜と、前記２つのオーミックコンタクト層の相対向する部分上における前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを有することを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
2. 請求項１に記載の発明において、前記絶縁基板は無アルカリガラスからなることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
3. 請求項１または２に記載の発明において、さらに、前記ゲート電極を含む前記ゲート絶縁膜上に設けられたオーバーコート膜と、前記オーバーコート膜上に前記オーバーコート膜、前記ゲート絶縁膜および前記半導体薄膜に設けられたコンタクトホールを介して前記ソース電極に接続されて設けられた画素電極とを有することを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
4. 絶縁基板上に該絶縁基板に接触するようにソース電極およびドレイン電極を相対向して形成する工程と、
   前記ソース電極および前記ドレイン電極と前記絶縁基板とに接触するように２つのオーミックコンタクト層を形成する工程と、
   前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記２つのオーミックコンタクト層を含む前記絶縁基板上に酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる下地絶縁膜を形成する工程と、
   前記下地絶縁膜上に酸化亜鉛からなる半導体薄膜を形成する工程と、
   前記半導体薄膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
   前記２つのオーミックコンタクト層の相対向する部分上における前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
   を有することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
5. 請求項４に記載の発明において、前記絶縁基板は無アルカリガラスからなることを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
6. 請求項４または５に記載の発明において、さらに、
   前記ゲート電極を含む前記ゲート絶縁膜上にオーバーコート膜を形成する工程と、
   前記ソース電極に対応する部分における前記オーバーコート膜、前記ゲート絶縁膜および前記半導体薄膜にコンタクトホールを形成する工程と、
   前記オーバーコート膜上に画素電極を前記オーバーコート膜、前記ゲート絶縁膜および前記半導体薄膜のコンタクトホールを介して前記ソース電極に接続させて形成する工程と、
   を有することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。

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