JP2012084858A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の電極と、
   前記第１の電極上の、ゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の、酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
   前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上の、絶縁層と、
   前記絶縁層上の、第２の電極と、を有し、
   前記第１の電極は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
   前記第２の電極は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
   前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
   前記ソース電極は、チャネル幅方向に、前記酸化物半導体層の端より延在した、第１の領域を有し、
   前記ソース電極は、チャネル長方向に、前記酸化物半導体層の端より延在した、第２の領域を有し、
   前記ドレイン電極は、チャネル幅方向に、前記酸化物半導体層の端より延在した、第３の領域を有し、
   前記ドレイン電極は、チャネル長方向に、前記酸化物半導体層の端より延在した、第４の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体層と接し、
   前記第２の領域は、前記酸化物半導体層と接し、
   前記第３の領域は、前記酸化物半導体層と接し、
   前記第４の領域は、前記酸化物半導体層と接し、
   前記第２の電極は、前記ソース電極と重ならず、
   前記第２の電極は、前記ドレイン電極と重ならないことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の電極は、前記酸化物半導体層のチャネル長方向の幅より広い幅を有し、
   前記第１の電極は、前記第２の電極の幅より広い幅を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記酸化物半導体層は、０．１μｍ以上５０μｍ以下の厚さを有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、表面に対して垂直方向に沿うように、ｃ軸配向した結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４において、
   前記酸化物半導体層は、亜鉛及びインジウムの一方又は双方を含むことを特徴とする半導体装置。