JP2012129511A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. チャネル形成領域を有する第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された第１の導電層及び第２の導電層と、
   ゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層を介して前記第１の酸化物半導体層とは反対側に設けられた第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層と接して設けられ、ゲート電極としての機能を有する第３の導電層と、
   を有することを特徴とする半導体装置。
2. チャネル形成領域を有する第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された第１の導電層及び第２の導電層と、
   ゲート絶縁層と、
   ゲート電極としての機能を有する第３の導電層と、
   第２の酸化物半導体層と、
   を有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、前記ゲート絶縁層と前記第３の導電層との間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
3. チャネル形成領域を有する第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された第１の導電層及び第２の導電層と、
   前記第１の酸化物半導体層上方のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上方の第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上方の、ゲート電極としての機能を有する第３の導電層と、
   を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第２の酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を含むことを特徴とする半導体装置。