JP2012216787A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. インジウムを含む酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層の下表面と接する領域を有する第１の絶縁層と、
   前記酸化物半導体層の上表面と接する領域を有する第２の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層を介して、前記酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記第２の絶縁層と接する領域を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の絶縁層と接する領域を有し、
   前記第１の領域におけるインジウムの濃度よりも、前記第２の領域におけるインジウムの濃度は高いことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記酸化物半導体層は、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた一種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。